JPS5988308A - シランの連続製造方法 - Google Patents
シランの連続製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
- C01B33/043—Monosilane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B6/00—Hydrides of metals including fully or partially hydrided metals, alloys or intermetallic compounds ; Compounds containing at least one metal-hydrogen bond, e.g. (GeH3)2S, SiH GeH; Monoborane or diborane; Addition complexes thereof
- C01B6/04—Hydrides of alkali metals, alkaline earth metals, beryllium or magnesium; Addition complexes thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25C—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25C3/00—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of melts
- C25C3/02—Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of melts of alkali or alkaline earth metals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シランの連続方法に関する。
例えば、米国特許第5.078,218号又は仏画特許
第2j65,518号には、式5iH4−CIX (ここでXは有利には3又は4に等しくてよい)のクロ
ルシランと水素化リチウム(LiH)との反応によるシ
ラン(SiH4)の製造方法が既に記載されている。用
いられる化学反応は、次のように書くことができる。
第2j65,518号には、式5iH4−CIX (ここでXは有利には3又は4に等しくてよい)のクロ
ルシランと水素化リチウム(LiH)との反応によるシ
ラン(SiH4)の製造方法が既に記載されている。用
いられる化学反応は、次のように書くことができる。
S 1H4−Cl +xLiH−+ SiH4+ x
LicI x 用いられる水素化リチウムはリチウムと水素との反応か
ら得られ、そしてこのリチウムは塩化リチウムの電解で
得られる。これらの特許に記載の方法によれば、塩化ア
ルカリ及びアルカリ土金属(そのうちの一つが塩化リチ
ウムである)から選ばれる溶融塩より力る同一媒体中で
電解、水素化及びシラン生成反応のそれぞれを行うこと
が知られている。
LicI x 用いられる水素化リチウムはリチウムと水素との反応か
ら得られ、そしてこのリチウムは塩化リチウムの電解で
得られる。これらの特許に記載の方法によれば、塩化ア
ルカリ及びアルカリ土金属(そのうちの一つが塩化リチ
ウムである)から選ばれる溶融塩より力る同一媒体中で
電解、水素化及びシラン生成反応のそれぞれを行うこと
が知られている。
この方法によれば、反応媒体が反応体(塩化リチウム)
を供給する役割と各種の化学反応で発生する熱を除去す
るための熱発散手−の役割とを果すような大容量の単一
装置で各種の反応が行われる。しかし、この方法の主な
欠点の一つは、塩化リチウムを含む反応媒体が、各種の
反応において転化せしめられる塩化リチウム(反応体)
の量と比較して非常に多い量で用いられねばなら力いこ
とである。さらに、反応媒体が熱発散手段の役割を果す
ような単一装置の使用は、前記反応のいずれをも最適な
条件で実施せしめるものではない。
を供給する役割と各種の化学反応で発生する熱を除去す
るための熱発散手−の役割とを果すような大容量の単一
装置で各種の反応が行われる。しかし、この方法の主な
欠点の一つは、塩化リチウムを含む反応媒体が、各種の
反応において転化せしめられる塩化リチウム(反応体)
の量と比較して非常に多い量で用いられねばなら力いこ
とである。さらに、反応媒体が熱発散手段の役割を果す
ような単一装置の使用は、前記反応のいずれをも最適な
条件で実施せしめるものではない。
さらに、特開昭56−169120号(%願昭55−7
2789号)によれば、上述した米国特許に記載の方法
と類似の方法が知られているが、この方法によれば、同
様に各種の反応は、電解時に生じたリチウムがその生成
直後に水素化される代りに溶融塩の媒体から分離され、
水素化帯域に移送されるようにした単一の装置で実施さ
れる。
2789号)によれば、上述した米国特許に記載の方法
と類似の方法が知られているが、この方法によれば、同
様に各種の反応は、電解時に生じたリチウムがその生成
直後に水素化される代りに溶融塩の媒体から分離され、
水素化帯域に移送されるようにした単一の装置で実施さ
れる。
この特許に記載の方法は、米国特許第3,078,21
8号の方法について説明したものと同じ不都合を与える
。その上、反応媒体を反応帯域の一つから他へ移送する
装置が非常に複雑であり且つ工業的に実施するのが困難
である。さらに、このよう力単−の装置は、工業設備の
安全に対して絶対に必要゛な分離操作であるところの塩
素と水素との分離を困難にさせるものである。
8号の方法について説明したものと同じ不都合を与える
。その上、反応媒体を反応帯域の一つから他へ移送する
装置が非常に複雑であり且つ工業的に実施するのが困難
である。さらに、このよう力単−の装置は、工業設備の
安全に対して絶対に必要゛な分離操作であるところの塩
素と水素との分離を困難にさせるものである。
また、米国特許第3.16&590号によれば、前記米
国特許第3.078.218号に記載の反応と同じ反応
に従うシランの製造方法が記載されている。この方法で
はこれらの反応は単一の装置であるが分離された帯域で
行われる。
国特許第3.078.218号に記載の反応と同じ反応
に従うシランの製造方法が記載されている。この方法で
はこれらの反応は単一の装置であるが分離された帯域で
行われる。
この米国特許第3.163.590号に記載され、特に
その第2及び4図に例示された実施例によれば、水素化
を実施する前に電解により生じるリチウムを溶融塩の混
合物から分離する必要のあることが証明される。さらに
、この特許の方法に係る反応のいずれも非常に相違した
それぞれの反応速度を考慮することなく同時に行われね
ばならず、したがって特に製造の開始、停止及び変更に
相当する発展段階においてこれら一連の反応を実施する
のが非常にデリケートなものになる。
その第2及び4図に例示された実施例によれば、水素化
を実施する前に電解により生じるリチウムを溶融塩の混
合物から分離する必要のあることが証明される。さらに
、この特許の方法に係る反応のいずれも非常に相違した
それぞれの反応速度を考慮することなく同時に行われね
ばならず、したがって特に製造の開始、停止及び変更に
相当する発展段階においてこれら一連の反応を実施する
のが非常にデリケートなものになる。
ここに、クキルシランと水素化リチウムとの作用、生じ
た塩化リチウムの電解、次いで得られたリチウムの水素
化を特定の反応器内の溶融゛塩媒体中で行うようにして
シランを連続的に製造する方法において、水素化を実施
する前に電解により生ずる金属リチウムを溶融塩の混合
物から分離する必要はないことが見出されたが、これは
本発明の目的をなすものである。
た塩化リチウムの電解、次いで得られたリチウムの水素
化を特定の反応器内の溶融゛塩媒体中で行うようにして
シランを連続的に製造する方法において、水素化を実施
する前に電解により生ずる金属リチウムを溶融塩の混合
物から分離する必要はないことが見出されたが、これは
本発明の目的をなすものである。
本発明は、分離された帯域と同様に大容量の単一装置で
実施されたときに溶融塩媒体中でシランを製造する゛方
法に関する現在の流布された認識とは異なって、下記の
利点を提供する。
実施されたときに溶融塩媒体中でシランを製造する゛方
法に関する現在の流布された認識とは異なって、下記の
利点を提供する。
(イ)本発明は、基材混合物と称する溶融塩の混合物が
各種の反応に用いられる種々の反応体、即ち水素化リチ
ウム、塩化リチウム及びリチウムのキャリアーの働きを
するような非常に簡単で且つ連続した実施を可能にする
。このことは、溶融塩の混合物が連続した且つ閉塞され
た循環方式で用いられるような連続した操作を実質上可
能にする結果となる。完全に制御可能な反応体による溶
融塩の循環は、反応のそれぞれの完全な抑制とそれらの
操作条件の最適な適応を可能にする。しかして、本発明
は、製造の開始、停止又は変更のような発展段階を何の
困難もなく完全に抑制することを可能にさせる。
各種の反応に用いられる種々の反応体、即ち水素化リチ
ウム、塩化リチウム及びリチウムのキャリアーの働きを
するような非常に簡単で且つ連続した実施を可能にする
。このことは、溶融塩の混合物が連続した且つ閉塞され
た循環方式で用いられるような連続した操作を実質上可
能にする結果となる。完全に制御可能な反応体による溶
融塩の循環は、反応のそれぞれの完全な抑制とそれらの
操作条件の最適な適応を可能にする。しかして、本発明
は、製造の開始、停止又は変更のような発展段階を何の
困難もなく完全に抑制することを可能にさせる。
口)本発明は、溶融塩の混合物の使用量を減少させるが
、これは用いられる装置の大きさを小さくさせる結果と
なる。
、これは用いられる装置の大きさを小さくさせる結果と
なる。
ハ)本発明は、各種の反応の実施に必要な固有の条件を
最適化させる。本発明は、簡便性及び融通性によって、
従来技術の記載の方法によるシランの製造がもたらして
いた多くの問題を解決する。その上、本発明は、多くの
研究にもかかわらずこの段階に決して達し得なかった古
い方法の工業的規模での実施を可能にさせる。
最適化させる。本発明は、簡便性及び融通性によって、
従来技術の記載の方法によるシランの製造がもたらして
いた多くの問題を解決する。その上、本発明は、多くの
研究にもかかわらずこの段階に決して達し得なかった古
い方法の工業的規模での実施を可能にさせる。
したがって、本発明は、クロルシランと水素化リチウム
との反応、得られた塩化リチウムの電解及び得られたリ
チウムの水素化からなり、これらの各種の操作を特定の
反応器で且つ塩化リチウムと少なくとも1種の塩化アル
カリ及び(又は)塩化アルカリ土金属からなる溶融塩の
混合物中で行い、そして該混合物の組成を既知の共融組
成に近似するようにしてシランを連続的に製造する方法
において、 a)各種反応を塩化リチウム、塩化カリウム及び随意と
しての他の塩化アルカリ又はアルカリ出金属を含む溶融
塩の混合物からなる基材混合物中で行い、該基材混合物
は各種の反応に用いられる種々の反応体、即ち水素化リ
チウム、塩化リチウム及びリチウムを運び且つこれらの
反応の間で閉ループ状で循環させるものとし、 b)クロルシランと水素化リチウムとの反応を一方でク
ロルシランを他方で基材混合物と水素化リチウムとを含
む混合物を連続的に供給した反応器で行い、該水素化リ
チウムの割合は基材混合物100モルに対して多くとも
21モルに等しいようにし、そしてこの反応はシラン及
び水素化リチウムの転化により得られる塩化リチウムを
生じるものとし、 C)塩化リチウムの電解反応をクロルシランと水素化リ
チウムとの反応から生じる溶融塩の混合物を供給した電
解装置内の自然にかきまぜられた媒体中で行い、該溶融
塩の混合物は基材混合物と前記反応から生ずる塩化リチ
ウムとから構成し、該塩化リチウムの割合は基材混合物
100モルに対して多くとも21モルに等しいようにし
、そしてこの電解反応は一方で塩素を他方で基材混合物
と共に排出される金属リチウムを生成するものとし、d
)リチウムの水素化反応を一方で電解装置から来るリチ
ウム及び基材混合物を他方で水素を供給した水素化器で
好ましくはかきまぜながら行い、そしてこの水素化反応
はリチウムの転化から生ずる水素化リチウムを生成する
ものとし、これはクロルシランと水素化リチウムとの反
応によりシランを生成させるように反応器に向けて基材
混合物と共に排出する ことを特徴とするシランの連続製造方法に係る。
との反応、得られた塩化リチウムの電解及び得られたリ
チウムの水素化からなり、これらの各種の操作を特定の
反応器で且つ塩化リチウムと少なくとも1種の塩化アル
カリ及び(又は)塩化アルカリ土金属からなる溶融塩の
混合物中で行い、そして該混合物の組成を既知の共融組
成に近似するようにしてシランを連続的に製造する方法
において、 a)各種反応を塩化リチウム、塩化カリウム及び随意と
しての他の塩化アルカリ又はアルカリ出金属を含む溶融
塩の混合物からなる基材混合物中で行い、該基材混合物
は各種の反応に用いられる種々の反応体、即ち水素化リ
チウム、塩化リチウム及びリチウムを運び且つこれらの
反応の間で閉ループ状で循環させるものとし、 b)クロルシランと水素化リチウムとの反応を一方でク
ロルシランを他方で基材混合物と水素化リチウムとを含
む混合物を連続的に供給した反応器で行い、該水素化リ
チウムの割合は基材混合物100モルに対して多くとも
21モルに等しいようにし、そしてこの反応はシラン及
び水素化リチウムの転化により得られる塩化リチウムを
生じるものとし、 C)塩化リチウムの電解反応をクロルシランと水素化リ
チウムとの反応から生じる溶融塩の混合物を供給した電
解装置内の自然にかきまぜられた媒体中で行い、該溶融
塩の混合物は基材混合物と前記反応から生ずる塩化リチ
ウムとから構成し、該塩化リチウムの割合は基材混合物
100モルに対して多くとも21モルに等しいようにし
、そしてこの電解反応は一方で塩素を他方で基材混合物
と共に排出される金属リチウムを生成するものとし、d
)リチウムの水素化反応を一方で電解装置から来るリチ
ウム及び基材混合物を他方で水素を供給した水素化器で
好ましくはかきまぜながら行い、そしてこの水素化反応
はリチウムの転化から生ずる水素化リチウムを生成する
ものとし、これはクロルシランと水素化リチウムとの反
応によりシランを生成させるように反応器に向けて基材
混合物と共に排出する ことを特徴とするシランの連続製造方法に係る。
ここで、各種の反応体、即ちLiC1,LiH及びLi
に対するキャリアーの働きをする基材混合物について明
らかにしたい。反応媒体は流動性を留め且つある反応か
ら他の反応にキャリアーとして機能できなければならず
、そしてシランの発生はLiC1を生成させることにな
るので、基材混合物は、シランの生成を最適化するよう
にシランの発生温度でできるだけ低くするためにLiC
1が減少していることが必要である。しかして、好まし
い実施態様によれば、基材混合物の組成は、そ化リチウ
ムが1〜4モルチ減少しているように選ばれる。
に対するキャリアーの働きをする基材混合物について明
らかにしたい。反応媒体は流動性を留め且つある反応か
ら他の反応にキャリアーとして機能できなければならず
、そしてシランの発生はLiC1を生成させることにな
るので、基材混合物は、シランの生成を最適化するよう
にシランの発生温度でできるだけ低くするためにLiC
1が減少していることが必要である。しかして、好まし
い実施態様によれば、基材混合物の組成は、そ化リチウ
ムが1〜4モルチ減少しているように選ばれる。
しかしながらLiC1が減少していない基材混合物を用
いることが可能であろうが、これは混合物を流動性に保
ち且つキャリアーとして機能できるように保つためより
高い温度での操作を必要とし、したがってその部分的な
分解のためにシランの発生収率を低下させよう。
いることが可能であろうが、これは混合物を流動性に保
ち且つキャリアーとして機能できるように保つためより
高い温度での操作を必要とし、したがってその部分的な
分解のためにシランの発生収率を低下させよう。
本発明に従って用いられる塩化アルカリ及び(又は)ア
ルカリ土金属は、ナトリウム、ルビジウム、スト四ンテ
ウム、マグネシウム、カルシウム、バリウムの各塩化物
から特に選ぶことができる。本発明の方法によれば塩化
リチウムと塩化カリウムを主体とした溶融塩の混合物を
用いるのが好ましいが、本発明の範囲から出ることなく
、この混合物に代えて類似の性質を示す溶融塩の混合物
を用いることも考えられる。
ルカリ土金属は、ナトリウム、ルビジウム、スト四ンテ
ウム、マグネシウム、カルシウム、バリウムの各塩化物
から特に選ぶことができる。本発明の方法によれば塩化
リチウムと塩化カリウムを主体とした溶融塩の混合物を
用いるのが好ましいが、本発明の範囲から出ることなく
、この混合物に代えて類似の性質を示す溶融塩の混合物
を用いることも考えられる。
さらに、塩化リチウムに冨む基材混合物をクロルシラン
と水素化リチウムとの反応が行われる反応器から電解装
置まで移動させるときに存在し得る不純物を除去するこ
とが望ましい。生な不純物はけい素の固体粒子であるの
で、これらの粒子は単純な沖過操作か又は塩素若しくは
塩化水素による処理によって有利に除去される。
と水素化リチウムとの反応が行われる反応器から電解装
置まで移動させるときに存在し得る不純物を除去するこ
とが望ましい。生な不純物はけい素の固体粒子であるの
で、これらの粒子は単純な沖過操作か又は塩素若しくは
塩化水素による処理によって有利に除去される。
クロルシランと水素化リチウムとの反応は、好ましくは
380℃±60℃の温度で行われる。この温度が低すぎ
ると共融混合物の成分の沈殿の恐れがあり(即ち、例え
ば、三成分共融混合物を与える成分を用いるならば使用
できる最低温度は650℃となり得る)、これに対して
この温度が高すぎると(約410℃より高い)けい素の
損失と反応器から出る溶融混合物を精製する必要を伴な
う生成シラ/の分解副反応を生じさせる。
380℃±60℃の温度で行われる。この温度が低すぎ
ると共融混合物の成分の沈殿の恐れがあり(即ち、例え
ば、三成分共融混合物を与える成分を用いるならば使用
できる最低温度は650℃となり得る)、これに対して
この温度が高すぎると(約410℃より高い)けい素の
損失と反応器から出る溶融混合物を精製する必要を伴な
う生成シラ/の分解副反応を生じさせる。
さらに、基材混合物を電解装置に移動させる前にそれに
含まれ得る微量の水素化リチウムを除去することが有益
であろう。この除去は、例えばMCI若しくはC12と
の反応又はあらゆる他の手段により行われる。
含まれ得る微量の水素化リチウムを除去することが有益
であろう。この除去は、例えばMCI若しくはC12と
の反応又はあらゆる他の手段により行われる。
水素化リチウムとの反応に用いられるクロルシランは、
粉末状金属けい素と塩化水素、又はそ九自身電解から間
接的若しくは直接的に得られる塩素との反応から有利に
得られる。
粉末状金属けい素と塩化水素、又はそ九自身電解から間
接的若しくは直接的に得られる塩素との反応から有利に
得られる。
クロルシランとの反応に用いられる水素化リチウムは、
基材混合物により運ばれ、そしてリチウムの水素化工程
から生ずる。基材混合物により運ばれる水素化リチウム
の割合は、基材混合物100モルに対して好ましくは多
くとも18モルに等しい。
基材混合物により運ばれ、そしてリチウムの水素化工程
から生ずる。基材混合物により運ばれる水素化リチウム
の割合は、基材混合物100モルに対して好ましくは多
くとも18モルに等しい。
電解反応は450℃±50℃の温度で行われる。
この電解反応は、通常ある量の熱を発生する。これは5
80℃±30℃の溶融混合物を450℃±50℃にもた
らすのに用いることができる。溶融塩の混合物の導電性
が温度と共に増大することが知られている範囲では高め
られた温度が好ましい。
80℃±30℃の溶融混合物を450℃±50℃にもた
らすのに用いることができる。溶融塩の混合物の導電性
が温度と共に増大することが知られている範囲では高め
られた温度が好ましい。
これに対して、現在の技術条件(特に配置される材料の
耐腐蝕性)はこの電解を500℃より高い温度で実施す
るのを妨げており、さらに、生じたリチウムが生じた塩
素との反応から保護されるにもかかわらず、500℃よ
りも高い温度ではりチラムと塩素との再結合反応がさら
に大きくなることが認められる。
耐腐蝕性)はこの電解を500℃より高い温度で実施す
るのを妨げており、さらに、生じたリチウムが生じた塩
素との反応から保護されるにもかかわらず、500℃よ
りも高い温度ではりチラムと塩素との再結合反応がさら
に大きくなることが認められる。
水素化リチウムの転化から生じる基材混合物中の塩化リ
チウムの割合は、基材混合物100モルに対して好まし
くは多くとも18モルに等しい。
チウムの割合は、基材混合物100モルに対して好まし
くは多くとも18モルに等しい。
電解のときに生じる塩素は場合により水素との燃焼反応
の後に壇酸を与えることができるが、これは前記したよ
うにクロルシランを製造するために金属けい素と共に有
利に用いられる。また、塩基又は塩化水素は、場合によ
っては、電解前の基材混合物中に場合により存在する不
純物(けい素の固形粒子)及び(又は)水素化リチウム
を除去するのに用いることができる。
の後に壇酸を与えることができるが、これは前記したよ
うにクロルシランを製造するために金属けい素と共に有
利に用いられる。また、塩基又は塩化水素は、場合によ
っては、電解前の基材混合物中に場合により存在する不
純物(けい素の固形粒子)及び(又は)水素化リチウム
を除去するのに用いることができる。
水素化リチウムを与えるためのリチウムの水素化反応は
490 ℃±20℃で行われる。実際には、温度が低す
ぎる(約470’Cより低い)ときは水素化反応速度は
非常に低すぎ、これに対して約510℃よりも高い温度
で操作しようとするときは水素化反応器を構成する材料
の大きな腐蝕に早急に(現在の技術的可能性を考慮して
)出くわすことになる。
490 ℃±20℃で行われる。実際には、温度が低す
ぎる(約470’Cより低い)ときは水素化反応速度は
非常に低すぎ、これに対して約510℃よりも高い温度
で操作しようとするときは水素化反応器を構成する材料
の大きな腐蝕に早急に(現在の技術的可能性を考慮して
)出くわすことになる。
反応浴は、この水素化のときは攪拌されねばならず、好
ましくは約5バール以下の圧力で操作される。
ましくは約5バール以下の圧力で操作される。
本発明に従う方法は、その原理(循環)及び好ましい実
施態様(操作条件)において第1及び2図に示すことが
できる。
施態様(操作条件)において第1及び2図に示すことが
できる。
第1図には、実施される各種の操作を図示し、そして第
2図にはグラフにより本発明に従う操作条件と各種の操
作における塩化リチウムの濃門を表わした。
2図にはグラフにより本発明に従う操作条件と各種の操
作における塩化リチウムの濃門を表わした。
まず、第1図において1で表わされているのは、クロル
シランと水素化リチウムとの反応が行われる反応器であ
る。この反応器には一方でクロルシラン混合物2(例え
ばH81C1,と5iC1a)が、そして他方で基材混
合物5〔例えば塩化カリウム、塩化リチウム(塩化リチ
ウムの濃度は共融混合物(塩化リチウム及び塩化カリウ
ム)中のこれの濃度よりも約3モルチ低い)〕及び基材
混合物100モルに対して21モルまでの量の水素化リ
チウムを含む混合物が供給される。この反応器1からは
一方でシラン4 (S iH+ )が、そして他方で多
くとも21モル%(基材混合物に対して)の過剰量の塩
化リチウムを含む溶融塩の共融混合物5が出ていく。
シランと水素化リチウムとの反応が行われる反応器であ
る。この反応器には一方でクロルシラン混合物2(例え
ばH81C1,と5iC1a)が、そして他方で基材混
合物5〔例えば塩化カリウム、塩化リチウム(塩化リチ
ウムの濃度は共融混合物(塩化リチウム及び塩化カリウ
ム)中のこれの濃度よりも約3モルチ低い)〕及び基材
混合物100モルに対して21モルまでの量の水素化リ
チウムを含む混合物が供給される。この反応器1からは
一方でシラン4 (S iH+ )が、そして他方で多
くとも21モル%(基材混合物に対して)の過剰量の塩
化リチウムを含む溶融塩の共融混合物5が出ていく。
6で示されるのはフィルターであって、これにより反応
器1から出た混合物中に含まれるけい素粒子が除去され
る。
器1から出た混合物中に含まれるけい素粒子が除去され
る。
7で表わされるのは電解反応器である。この反応器には
フィルター6から出た混合物が供給される。電解反応は
一方で不活性ガスで未希釈の塩素8(これは場合によっ
てはクロルシラン製造用の同一装置で再利用することが
できる)及び他方で基材混合物とリチウムからなる混合
物9を生成させる。この生成物は基材混合物100モル
に対して約21モルの最高濃度までリチウムを存在ちせ
ることができる。リチウム(金属)は明らかに溶融塩浴
中に分散された粒子形態で存在する。
フィルター6から出た混合物が供給される。電解反応は
一方で不活性ガスで未希釈の塩素8(これは場合によっ
てはクロルシラン製造用の同一装置で再利用することが
できる)及び他方で基材混合物とリチウムからなる混合
物9を生成させる。この生成物は基材混合物100モル
に対して約21モルの最高濃度までリチウムを存在ちせ
ることができる。リチウム(金属)は明らかに溶融塩浴
中に分散された粒子形態で存在する。
10で表わされるのは、電解反応器7から生じる溶融混
合物中に含まれるリチウムの水素化が行われる反応器で
ある。この反応器にはもちろん水素が11で供給され、
そして3から基材混合物と最高21モルチの水素化リチ
ウム(電解反応器7から生ずる溶融混合物中に存在する
リチウムの全量が水素化リチウムに転化されたと考えて
)とを含有する混合物が出ていく。水素化反応器から出
るこの混合物は反応器1に送られる。
合物中に含まれるリチウムの水素化が行われる反応器で
ある。この反応器にはもちろん水素が11で供給され、
そして3から基材混合物と最高21モルチの水素化リチ
ウム(電解反応器7から生ずる溶融混合物中に存在する
リチウムの全量が水素化リチウムに転化されたと考えて
)とを含有する混合物が出ていく。水素化反応器から出
るこの混合物は反応器1に送られる。
第2図には、一方で(縦軸)用いた温度を、そして他方
で(横軸)溶融塩混合物としての塩化リチウムと塩化カ
リウムとの混合物中に含まれる塩化リチウムのモルチを
参照することにより実施される各種の操作を表わした。
で(横軸)溶融塩混合物としての塩化リチウムと塩化カ
リウムとの混合物中に含まれる塩化リチウムのモルチを
参照することにより実施される各種の操作を表わした。
塩化リチウム−塩化カリウム共融混合物が352℃で溶
融し、そして58.8モルチの塩化リチウムを含むこと
がわかる。
融し、そして58.8モルチの塩化リチウムを含むこと
がわかる。
この例において、組成が点Aで表わされる基材混合物は
56モルチのLiC1を含有する。即ち、この混合物は
共融混合物に対して約6モルチだけ欠乏したLiC1を
含有する。
56モルチのLiC1を含有する。即ち、この混合物は
共融混合物に対して約6モルチだけ欠乏したLiC1を
含有する。
この第2図上で、本性の工程のそれぞれにおけるLiC
1のモルチで表わしたLiC1−KC1=成公理合物の
組成を追跡することができる。またこの図は、本性の反
応のそれぞれについて保持され且つ混合物が線図の液体
領域内に留まるのを可能にする温度を示している。
1のモルチで表わしたLiC1−KC1=成公理合物の
組成を追跡することができる。またこの図は、本性の反
応のそれぞれについて保持され且つ混合物が線図の液体
領域内に留まるのを可能にする温度を示している。
A−Bは、400℃の温度での反応器1における混合物
の発達を表わす。
の発達を表わす。
B−Cは電解反応器7内での電解前の加熱を表わす。
C−Dは、450℃の温度での電解を表わす。
D−Eは、水素化反応器10において点Eで水素化する
前の490℃への加熱を表わす。
前の490℃への加熱を表わす。
E−Aは、反応器1に戻すだめの冷却を表わす。
これはLiC1及びKClの点で混合物の組成を変化さ
せない。得られた混合物は次いで反応器1に再循環され
る。
せない。得られた混合物は次いで反応器1に再循環され
る。
次に第3図を参照して本発明の実施例を示す。
下記の条件で連続法を実施した。
反応器1を出て沖過装置6に行く流れの組成はにモル/
hで表わして次の通りである。
hで表わして次の通りである。
全量 2.316
LiC11,470
KCI O,840S
i (kg原子/h)
0.0 0 6平均温度 695
℃ フィルター6から出て電解装置7に行く流れの組成はけ
い素粒子を除いて前記と同じである。けい素粒子はテ過
により除去された。
i (kg原子/h)
0.0 0 6平均温度 695
℃ フィルター6から出て電解装置7に行く流れの組成はけ
い素粒子を除いて前記と同じである。けい素粒子はテ過
により除去された。
電解は450℃の平均温度で行った。
電解反応□器7から出て水素化装置10に行く流れの組
成はにモル/hで表わして次の通りであった。
成はにモル/hで表わして次の通りであった。
全量 2.310
LiC1t O70
KCI α840
Li(k、li’原子/h) 往400さら
に出口8で[L2DOkモル/hの塩素を回収した。
に出口8で[L2DOkモル/hの塩素を回収した。
水素化装置での反応は490℃の平均温度で行った。
水素化装置10を出て反応器1に行く流れの組成はにモ
ル/hで表わして前記と同じでめったが、0、400
k g原子のLiが[L400にモ#/hのLiHに転
化された。
ル/hで表わして前記と同じでめったが、0、400
k g原子のLiが[L400にモ#/hのLiHに転
化された。
反応器1にFi2を介して0.116にモル/hのトリ
クロルシランと0.0151(モル/hのテトラクロル
シランの混合物を供給した。
クロルシランと0.0151(モル/hのテトラクロル
シランの混合物を供給した。
反応器1から出る流れ4は1123にモル/hのシラン
と[LD12にモル/hの水素からなっていた。
と[LD12にモル/hの水素からなっていた。
反応器14には電解反応器7より出口8を介して来るQ
、200にモル/hの塩素とα200に−Eル/hの水
素15を供給した。13を介して出るihは1400に
モル/hの塩化水素からなっていた。
、200にモル/hの塩素とα200に−Eル/hの水
素15を供給した。13を介して出るihは1400に
モル/hの塩化水素からなっていた。
反応器12には16を介してα400にモル/hの塩化
水素及び16を介して0.1303(g原子/hの金属
けい素を供給した。分離した後出てくる流れは2におい
て0.116にモル/hのトリクロルシランと0.01
3 kモル/hのテトラクロルシランを含む混合物から
なり、また17で0.142にモル/hの水素であった
。
水素及び16を介して0.1303(g原子/hの金属
けい素を供給した。分離した後出てくる流れは2におい
て0.116にモル/hのトリクロルシランと0.01
3 kモル/hのテトラクロルシランを含む混合物から
なり、また17で0.142にモル/hの水素であった
。
第1図は本発明の実施に用いられる装置のブロック図で
ある。 第2図は、温度と溶融混合物中の塩化リチウムの量との
関係を示す線図でおる。 第3図は、本発明の実施に用いられる他の装置のブロッ
ク図である。 ここで1は反応器、6はフィルター、7は電解反応器、
10は水素化反応器。
ある。 第2図は、温度と溶融混合物中の塩化リチウムの量との
関係を示す線図でおる。 第3図は、本発明の実施に用いられる他の装置のブロッ
ク図である。 ここで1は反応器、6はフィルター、7は電解反応器、
10は水素化反応器。
Claims (8)
- (1)クロルシランと水素化リチウムとの反応、得られ
た塩化リチウムの電解及び得られたリチウムの水素化か
らカリ、これらの各種の操作を特定の反応器で且つ塩化
リチウムと少なくとも1種の塩化アルカリ及び(又は)
塩化アルカリ土金属よりなる溶融塩の混合物中で行い、
そして該混合物の組成を既知の共融組成に近似するよう
にしてシランを連続的に製造する方法において、 a)各種反応を塩化リチウム、塩化カリウム及び随意と
しての他の塩化アルカリ又はアルカリ土金属を含む溶融
塩の混合物からなる基材混合物中で行い、該基材混合物
は各種の反応に用いられる種々の反応体、即ち水素化リ
チウム、塩化リチウム及びリチウムを運び且つこれらの
反応の間で閉ループ状に循環するものとし、 b)クロルシランと水素化リチウムとの反応を一方でク
ロルシランを他方で基材混合物と水素化リチウムとを含
む混合物を連続的に供給した反応器で行い、該水素化リ
チウムの割合は基材混合物100モルに対して多くとも
21モルに等しいようにし、そしてこの反応は7ラン及
び水素化リチウムの転化により得られる塩化リチウムを
生じるものとし、 C)塩化リチウムの電解反応をクロルシランと水素化リ
チウムとの反応から生じる溶融塩の混合物を供給した電
解装置内の自然にかきまぜられた媒体中で行い、該溶融
塩の混合物は基材混合物と前記反応から生ずる塩化リチ
ウムとから構成し、該塩化リチウムの割合は基材混合物
100モルに対して多くとも21モルに等しいようにし
、そしてこの電解反応は一方で塩素を他方で基材混合物
と共に排出される金属リチウムを生成するものとし、d
)リチウムの水素化反応を一方で電解装置から来るリチ
ウム及び基材混合物を他方で水素を供給した水素化器で
好ましくはかきまぜながら行い、そしてこの水素化反応
はリチウムの転化から生ずる水素化リチウムを生成する
ものとし、これはクロルシランと水素化リチウムとの反
応によりシランを生成させるように反応器に向けて基材
混合物と共に排出する ことを特徴とするシランの連続製造方法。 - (2)基材混合物の組成が該基材混合物を構成する塩の
共融組成について塩化リチウムが1〜4モルチだけ減少
していることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
方法。 - (3) クロルシランと水素化リチウムとの反応・が
380℃±30℃の温度で行われることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の方法。 - (4)電解が45D℃±50℃の温度で行われることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (5)水素化反応が490℃±20℃の温度で5バール
以下の圧力下に行われることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の方法。 - (6)用いられるクロルシランが金属けい素と塩素又は
塩化水素との反応によって得られたものであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (7)金属けい素との反応に用いられる塩素又は塩酸が
電解反応から直接又は間接的に得られることを特徴とす
る特許請求の範囲第1又は6項記載の方法。・ - (8)塩化リチウムに富む基材混合物がクロルシランと
水素化リチウムとの反応が行われる反応器から電解装置
まで移動するときに存在する固形不純物が濾過又は塩素
若しくは塩化水素による処理によって除去されることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR82.14863 | 1982-08-31 | ||
| FR8214863A FR2532293A1 (fr) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | Procede continu de preparation de silane |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988308A true JPS5988308A (ja) | 1984-05-22 |
| JPS6241165B2 JPS6241165B2 (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=9277143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158169A Granted JPS5988308A (ja) | 1982-08-31 | 1983-08-31 | シランの連続製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4601798A (ja) |
| EP (1) | EP0102293B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5988308A (ja) |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185807A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-01 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | モノシラン連続発生方法における陽極の不動態化防止方法 |
| JP2016500361A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-01-12 | エボニック デグサ ゲーエムベーハーEvonik Degussa GmbH | ハロゲン含有の高級シラン化合物の水素化方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4847061A (en) * | 1987-07-20 | 1989-07-11 | Ethyl Corporation | Process for preparation of silane |
| US5075092A (en) * | 1987-07-20 | 1991-12-24 | Ethyl Corporation | Process for preparation of silane |
| US5474920A (en) * | 1993-11-23 | 1995-12-12 | State Of Oregon, Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of The Oregon Health Sciences University | Modified thermo-resistant DNA polymerases |
| KR100813833B1 (ko) * | 2002-08-23 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 발광 소자와 그 제조방법 |
| ES2366597T3 (es) * | 2007-03-30 | 2011-10-21 | Spawnt Private S.À.R.L. | Hiudrogenación catalítica. |
| FR2927482B1 (fr) * | 2008-02-07 | 2010-03-05 | Renault Sas | Dispositif de generation de haute tension. |
| US8528026B2 (en) * | 2008-12-05 | 2013-09-03 | At&T Intellectual Property I, L.P. | System and method for processing audio signals received by a communication device |
| US8124039B2 (en) | 2009-01-26 | 2012-02-28 | Vithal Revankar | Process of silicon tetrafluoride gas synthesis |
| DE102009056731A1 (de) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
| WO2012087795A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | Memc Electronic Materials, Inc. | Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop processes that involve disproportionation operations |
| US8388914B2 (en) | 2010-12-23 | 2013-03-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Systems for producing silane |
| WO2012087653A1 (en) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods and systems for producing silane |
| US8821825B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-09-02 | Sunedison, Inc. | Methods for producing silane |
| CN103130225B (zh) * | 2013-03-20 | 2015-01-14 | 宁波大学 | 甲硅烷的制备方法 |
| US11002255B2 (en) | 2019-08-20 | 2021-05-11 | Lowry Inheritors Trust | Carbon negative clean fuel production system |
| DE102023108003A1 (de) * | 2023-03-29 | 2024-10-02 | Hochschule Merseburg | Verfahren und Anlage zur Herstellung von Alkali- und/oder Erdalkalicarbid |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5622808A (en) * | 1979-08-01 | 1981-03-04 | Ryoichi Nonaka | Floating board type wave dissipating jetty |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL113017C (ja) * | 1957-08-08 | 1900-01-01 | ||
| US3078218A (en) * | 1958-08-04 | 1963-02-19 | Union Carbide Corp | Hydrogenation of halogen compounds of elements of groups iii and iv of the periodic system |
| DE1092890B (de) * | 1959-07-07 | 1960-11-17 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydriden und/oder halogenierten Hydriden der Elemente Silicium und Bor |
| FR1323193A (fr) * | 1961-04-27 | 1963-04-05 | Union Carbide Corp | Hydrogénation des éléments des groupes iii, iv et v |
| ES462575A1 (es) * | 1976-09-24 | 1978-07-16 | Union Carbide Corp | Un procedimiento para la obtencion de silano. |
-
1982
- 1982-08-31 FR FR8214863A patent/FR2532293A1/fr active Granted
-
1983
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5622808A (en) * | 1979-08-01 | 1981-03-04 | Ryoichi Nonaka | Floating board type wave dissipating jetty |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185807A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-01 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | モノシラン連続発生方法における陽極の不動態化防止方法 |
| JP2016500361A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-01-12 | エボニック デグサ ゲーエムベーハーEvonik Degussa GmbH | ハロゲン含有の高級シラン化合物の水素化方法 |
Also Published As
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