JPS60210515A - シラン製造方法 - Google Patents
シラン製造方法Info
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- JPS60210515A JPS60210515A JP60049181A JP4918185A JPS60210515A JP S60210515 A JPS60210515 A JP S60210515A JP 60049181 A JP60049181 A JP 60049181A JP 4918185 A JP4918185 A JP 4918185A JP S60210515 A JPS60210515 A JP S60210515A
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
- C01B33/043—Monosilane
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、四フッ化ケイ素S i F4を水素化マグネ
シウムMat−12と反応させることによってシランs
+ 84を製造する方法に係わる。
シウムMat−12と反応させることによってシランs
+ 84を製造する方法に係わる。
S i F +2Mal−12→S i H4+21v
loF2シランは、特に最新の集積回路の製造並びにア
て多大な技術的重要性を有する。
loF2シランは、特に最新の集積回路の製造並びにア
て多大な技術的重要性を有する。
シランの製造方法としては、金属ケイ素又はハロゲンシ
ランを出発物質として用いる方法が公知である。
ランを出発物質として用いる方法が公知である。
ハロゲンシランの中でSiF4は、その有用性及び低コ
ストの故に産業上特に重要である。
ストの故に産業上特に重要である。
s + F4は原リン鉱物の湿式採取の際に排気中に人
聞発生し、該排気から様々な方法によって高純度で得る
ことができる。それらの方法のうちのいくつかはすでに
産業的規模で試みられており、例えばProc、−Fe
rt、Soc、(PFR3AZ)V 163.23D1
1..1977に記載されている。S i F 4は気
相化合物であるので、所望の場合、更に精製することは
容易である。SiF4は27重量%のケイ素分を有し、
このケイ素含量はあらゆる過ハロゲン化ケイ素中で最高
でありまた同様にトリクロルシランよりも多い。従って
他のシリコン化合物を製造するための出発物質として非
常に経済的な物質である。
聞発生し、該排気から様々な方法によって高純度で得る
ことができる。それらの方法のうちのいくつかはすでに
産業的規模で試みられており、例えばProc、−Fe
rt、Soc、(PFR3AZ)V 163.23D1
1..1977に記載されている。S i F 4は気
相化合物であるので、所望の場合、更に精製することは
容易である。SiF4は27重量%のケイ素分を有し、
このケイ素含量はあらゆる過ハロゲン化ケイ素中で最高
でありまた同様にトリクロルシランよりも多い。従って
他のシリコン化合物を製造するための出発物質として非
常に経済的な物質である。
西独特許第1034159.号によって、ハロゲン化ケ
イ素を有機溶媒に溶解したアルカリ水素化物−トリアル
キルホウ素化合物錯体かあるいはアルカリ水素化物−ア
ルミニウムアルコラード化合物錯体と反応させて水素化
ケイ素を得ることが公知である。この場合欠点となるの
は、得られる水素化ケイ素が溶媒蒸気並びにホウ素若し
くはアルミニウムの化合物によって汚染されしかもこの
製法は不連続にしか実施し得ないことである。
イ素を有機溶媒に溶解したアルカリ水素化物−トリアル
キルホウ素化合物錯体かあるいはアルカリ水素化物−ア
ルミニウムアルコラード化合物錯体と反応させて水素化
ケイ素を得ることが公知である。この場合欠点となるの
は、得られる水素化ケイ素が溶媒蒸気並びにホウ素若し
くはアルミニウムの化合物によって汚染されしかもこの
製法は不連続にしか実施し得ないことである。
更にS i F4を水素化カルシウムと温度250〜3
00℃で反応させてシランを得ることも公知である(バ
ウル・ハロゲンシラン(Paul Hagervuel
ler) 、 oベール・ドウ・バブ(RObeirt
d(i Pape)、 Coa+p、 rend、
251.2032−4(1960); ロベール・ドウ
・バブ、^nn、Chim、 、 t、8.1963.
185〜195頁)。
00℃で反応させてシランを得ることも公知である(バ
ウル・ハロゲンシラン(Paul Hagervuel
ler) 、 oベール・ドウ・バブ(RObeirt
d(i Pape)、 Coa+p、 rend、
251.2032−4(1960); ロベール・ドウ
・バブ、^nn、Chim、 、 t、8.1963.
185〜195頁)。
この方法では反応がすぐに停止してしまいケイ素が沈澱
してしまうことが欠点である。従って、例えば温度29
0℃において24時間の反応後に12%の変換率しか得
ることができない。
してしまうことが欠点である。従って、例えば温度29
0℃において24時間の反応後に12%の変換率しか得
ることができない。
米国特許第2933374号によって、SiF4を水素
とアーク中で反応させてフルオルシランを得、このフル
オルシランを温度125〜300℃でフッ化ナトリウム
によって不均化し、シランとすることが公知である。こ
の方法では、SiF4のフルオルシランへの変換がエネ
ルギーを大量に使用するにもかかわらず低い収率でしか
実現しない点で不利であり、またフッ化ナトリウムによ
る不均化の際にSiF4がへキサフルオルケイ酸ナトリ
ウムの生成によって失われてしまう。
とアーク中で反応させてフルオルシランを得、このフル
オルシランを温度125〜300℃でフッ化ナトリウム
によって不均化し、シランとすることが公知である。こ
の方法では、SiF4のフルオルシランへの変換がエネ
ルギーを大量に使用するにもかかわらず低い収率でしか
実現しない点で不利であり、またフッ化ナトリウムによ
る不均化の際にSiF4がへキサフルオルケイ酸ナトリ
ウムの生成によって失われてしまう。
西独特許第1080077号明細書には、ホウ素、ケイ
素あるいはゲルマニウムのハロゲン置換化合物に、アル
カリ、アンモニウムあるいはアルカリ土類のハロゲン化
物もしくは該ハロゲン化物混合物の溶融液中のアルカリ
あるいはアルカリ土類水素化物を反応させることによっ
てハロゲン置換化合物に水素添加する方法及びその装置
が開示されている。この方法ではしかしながら、例えば
水素化リチウムのように、溶融液中の比較的高い反応温
度でも安定である金属水素化物が使用されるが、一方上
記明細書は方法の記述においても装置の記述においても
溶融液中の反応温度と金属水素化物の熱分解との関係に
ついては触れていない。
素あるいはゲルマニウムのハロゲン置換化合物に、アル
カリ、アンモニウムあるいはアルカリ土類のハロゲン化
物もしくは該ハロゲン化物混合物の溶融液中のアルカリ
あるいはアルカリ土類水素化物を反応させることによっ
てハロゲン置換化合物に水素添加する方法及びその装置
が開示されている。この方法ではしかしながら、例えば
水素化リチウムのように、溶融液中の比較的高い反応温
度でも安定である金属水素化物が使用されるが、一方上
記明細書は方法の記述においても装置の記述においても
溶融液中の反応温度と金属水素化物の熱分解との関係に
ついては触れていない。
むしろ、金属水素化物は通常溶融液中の比較的高い反応
温度において安定であるものと想定されている。
温度において安定であるものと想定されている。
しかし、例えば水素化ナトリウム及び水素化カリウムは
約300℃で既に分解し始め、また水素化マグネシウム
は既に約280℃で完全に分解してしまう(S−ウルマ
ン(S、 UI In+ann))、第4版、第13巻
、114及び116頁、又はE・ヴイーベルり(E、W
iberg)及びE−アンベルトガ−([、八mber
ger)、11主要I −IV族元素の水素化物(ll
ydridcs of theElen+ents o
f Main GroupsI −IV ) ” 、エ
ルセ1ノイーア社、 1971年29及び35頁)こと
を1虞すれば、技術的には容易に用い得るまさにこれら
の金属水素化物はその使用から除外される。水素化マグ
ネシウム、即ち産業的規模で実施できる唯一安価なアル
カリ土類金属であるマグネシウムから製造され得るアル
カリ土類水素化物は、その熱分解特性の故に上記明細書
に開示された方法においては使用され得ない。使用する
金属水素化物の高いコストを低下させるために、シラン
合成の傍ら同時にアルカリあるいはアルカリ土類金属を
電気分解により得て、次いでそれに対応する金属水素化
物を合成することができるように反応装置を設計するこ
とも提案されている。上記の全ての反応に適した反応装
置は当然相当に複雑でむずかしくかつ故障し易い。
約300℃で既に分解し始め、また水素化マグネシウム
は既に約280℃で完全に分解してしまう(S−ウルマ
ン(S、 UI In+ann))、第4版、第13巻
、114及び116頁、又はE・ヴイーベルり(E、W
iberg)及びE−アンベルトガ−([、八mber
ger)、11主要I −IV族元素の水素化物(ll
ydridcs of theElen+ents o
f Main GroupsI −IV ) ” 、エ
ルセ1ノイーア社、 1971年29及び35頁)こと
を1虞すれば、技術的には容易に用い得るまさにこれら
の金属水素化物はその使用から除外される。水素化マグ
ネシウム、即ち産業的規模で実施できる唯一安価なアル
カリ土類金属であるマグネシウムから製造され得るアル
カリ土類水素化物は、その熱分解特性の故に上記明細書
に開示された方法においては使用され得ない。使用する
金属水素化物の高いコストを低下させるために、シラン
合成の傍ら同時にアルカリあるいはアルカリ土類金属を
電気分解により得て、次いでそれに対応する金属水素化
物を合成することができるように反応装置を設計するこ
とも提案されている。上記の全ての反応に適した反応装
置は当然相当に複雑でむずかしくかつ故障し易い。
本発明は、精製シランを出発物質である四フッ化ケイ素
及び水素化マグネシウムから製造する産業的規模で実施
可能な方法を供給することを目的とする。
及び水素化マグネシウムから製造する産業的規模で実施
可能な方法を供給することを目的とする。
アルカリあるいはアルカリ土類ハロゲン化物の溶融液中
のMgH2を該溶融液中の反応温度におけるMOH2の
解離圧を上回る水素分圧下にSiF4と反応させると、
短い反応時間で高収率のs r )−14が得られるこ
とが判明した。
のMgH2を該溶融液中の反応温度におけるMOH2の
解離圧を上回る水素分圧下にSiF4と反応させると、
短い反応時間で高収率のs r )−14が得られるこ
とが判明した。
適当な溶融液は、反応中水素圧が低値に維持され、反応
装置材料が痛まず、エネルギーの必要量が限界内に維持
され、かつ製造されるシランの熱分解が防止されるよう
に可能な限り低い融点を有するべきである。溶融液はS
i F 4ともSiH4とも反応してはならない。ま
た、反応装置の腐食並びに望ましくない副反応が回避さ
れるように溶融液は水、水酸化物及び酸化物を含まない
ようにずへきである。
装置材料が痛まず、エネルギーの必要量が限界内に維持
され、かつ製造されるシランの熱分解が防止されるよう
に可能な限り低い融点を有するべきである。溶融液はS
i F 4ともSiH4とも反応してはならない。ま
た、反応装置の腐食並びに望ましくない副反応が回避さ
れるように溶融液は水、水酸化物及び酸化物を含まない
ようにずへきである。
様々なアルカリあるいはアルカリ土類ハロゲン化物の混
合物の溶融液が好ましい。低い融点を達成するには共融
混合物を使用すると特に有利である。融点の低い適当な
共融塩混合物の例を次に示す。
合物の溶融液が好ましい。低い融点を達成するには共融
混合物を使用すると特に有利である。融点の低い適当な
共融塩混合物の例を次に示す。
組成(モル%) 共融混合物の融点(℃)41、ORb
CL15G、6 LiC1/2.4 NaCl 318
40 KBr/60 LiBr 34824にC1/4
3 LiCl/33 NaCl 35741.5 KC
l158.5 LiCl 36147 CaCl2/3
B、511acl/14.5 Bac12450本発明
による水素添加を実施する上で、Mql−(2は溶融液
中の反応温度に応じて次に掲げる値を下回らない水素分
圧下で該溶融液に溶解しなければならない。
CL15G、6 LiC1/2.4 NaCl 318
40 KBr/60 LiBr 34824にC1/4
3 LiCl/33 NaCl 35741.5 KC
l158.5 LiCl 36147 CaCl2/3
B、511acl/14.5 Bac12450本発明
による水素添加を実施する上で、Mql−(2は溶融液
中の反応温度に応じて次に掲げる値を下回らない水素分
圧下で該溶融液に溶解しなければならない。
水素分圧(バール) 溶融液中の反応温度(℃)2 3
00 6 350 16 400 39 450 MGH2が溶解しそれに対応する水素圧下にある溶解液
中に、次いでS i F4とH2との混合物を送り込む
。その際、S i F4対H2の分圧比は次のようであ
り得る。
00 6 350 16 400 39 450 MGH2が溶解しそれに対応する水素圧下にある溶解液
中に、次いでS i F4とH2との混合物を送り込む
。その際、S i F4対H2の分圧比は次のようであ
り得る。
PsIF: P、1=1 : 0.5からおよそ1:2
0+ 2 このとき水素分圧が溶融液の反応温度におけるMgH2
の解離圧を上回ること、即ち例えば上記表に示した値を
有していなければならない。
0+ 2 このとき水素分圧が溶融液の反応温度におけるMgH2
の解離圧を上回ること、即ち例えば上記表に示した値を
有していなければならない。
例えば反応温度400℃のとき、P心≧16バールでな
ければならない。その結果、 P :P、、=32:16から0.8:16Sir牛
。
ければならない。その結果、 P :P、、=32:16から0.8:16Sir牛
。
PSiF4+Pt+□−P
となる。
従ってこの限界混合比に関し、S i F 4 / H
2混合物の全圧Pは少なくともそれぞれ48又は16.
8バールとなる。この場合、16バールより大きい水素
圧下で調製しkMqH2溶融液上の水素圧をまずそれぞ
れ48又は16.8バールに高めてからSiF4/H2
混合物を送り込む。
2混合物の全圧Pは少なくともそれぞれ48又は16.
8バールとなる。この場合、16バールより大きい水素
圧下で調製しkMqH2溶融液上の水素圧をまずそれぞ
れ48又は16.8バールに高めてからSiF4/H2
混合物を送り込む。
溶融液中の水素化物イオン濃度は約0.3重量%以上に
ずべきである。これは溶融液中の水素化マグネシウム濃
度が約4重量%であることに対応する。
ずべきである。これは溶融液中の水素化マグネシウム濃
度が約4重量%であることに対応する。
シランを安定化するために、反応装置の頂部スペース内
に好ましくはH2/S i H4≧3となるように過剰
水素を保持しなければならない。
に好ましくはH2/S i H4≧3となるように過剰
水素を保持しなければならない。
SiH4をs + F4から合成するために十分な耐圧
性を有する耐熱反応装置を使用し得、この反応装置は強
力な撹拌器と、温度計と、SiF4/H2混合物を溶融
液中に送り込むためのガス導入管と、頂部スペースに設
置されたガス導出管と、溶融液取入れ口と、溶融液排出
口と、MQH2を必要な水素圧下に配分供給し得る装置
とを具備している。
性を有する耐熱反応装置を使用し得、この反応装置は強
力な撹拌器と、温度計と、SiF4/H2混合物を溶融
液中に送り込むためのガス導入管と、頂部スペースに設
置されたガス導出管と、溶融液取入れ口と、溶融液排出
口と、MQH2を必要な水素圧下に配分供給し得る装置
とを具備している。
本発明方法によれば、使用SiF4に対する収率は90
%にも達し得る。本発明の特に優れた点は、製造される
シランが未反応のS i F4と、ごく微量のフルオル
シランと、支持気体である水素とによってしか実質的に
汚染されず、炭化水素による汚染は存在しないという点
である。s + F4及びフルオルシランは分子篩ある
いは弱塩基性の陰イオン交換体によって容易に分離し得
る。
%にも達し得る。本発明の特に優れた点は、製造される
シランが未反応のS i F4と、ごく微量のフルオル
シランと、支持気体である水素とによってしか実質的に
汚染されず、炭化水素による汚染は存在しないという点
である。s + F4及びフルオルシランは分子篩ある
いは弱塩基性の陰イオン交換体によって容易に分離し得
る。
SiHとH2との分離は、沸点あるいは凝固点が著しく
相違することに基づきSiH4を凝縮あるいは凝固する
ことによって、あるいはまた吸着特性の著しい相違に基
づき例えばSiH4部分を活性炭に吸着することによっ
て容易に実現し得る。
相違することに基づきSiH4を凝縮あるいは凝固する
ことによって、あるいはまた吸着特性の著しい相違に基
づき例えばSiH4部分を活性炭に吸着することによっ
て容易に実現し得る。
電子産業用の良質シランを製造する際に先ず第1に重要
となる本発明方法における別の利点は、例えば三フッ化
ホウ素で汚染されたSiF4を使用した場合でさえ、製
造されるシラン中にジボランを含まないということで、
なぜならジボランは溶融液中の水素化物イオンと反応し
て不揮発性のボラン化物となるからである。
となる本発明方法における別の利点は、例えば三フッ化
ホウ素で汚染されたSiF4を使用した場合でさえ、製
造されるシラン中にジボランを含まないということで、
なぜならジボランは溶融液中の水素化物イオンと反応し
て不揮発性のボラン化物となるからである。
最後に、溶融液の組成が反応の間中実質上変化しないと
いうことも本発明の利点である。溶融液中で難溶性のM
gF2結晶だけは増えるが、この結晶は沈降によって容
易に分離し得る。
いうことも本発明の利点である。溶融液中で難溶性のM
gF2結晶だけは増えるが、この結晶は沈降によって容
易に分離し得る。
従って、溶融液にSiF /H2混合物と並んでM O
H2も連続的に供給することによって、新規な本発明方
法はほぼ連続的に実施し得る。溶融液量によって規定さ
れる反応時間の経過後、撹拌器を停止しMgF2を沈降
させて除去する。得られるMoF3はフッ素含聞が高い
のでフッ化水素酸の製造に有利に使用され得る。本発明
方法は従って特に経済的であり、この方法は従って、従
来はとんど有害物質としか見做されなかったそれ自体無
価値であるSiF4のケイ部分もフッ部分も産業上重要
な生成物に変換し得るため、本発明方法は特に経済的な
ものである。
H2も連続的に供給することによって、新規な本発明方
法はほぼ連続的に実施し得る。溶融液量によって規定さ
れる反応時間の経過後、撹拌器を停止しMgF2を沈降
させて除去する。得られるMoF3はフッ素含聞が高い
のでフッ化水素酸の製造に有利に使用され得る。本発明
方法は従って特に経済的であり、この方法は従って、従
来はとんど有害物質としか見做されなかったそれ自体無
価値であるSiF4のケイ部分もフッ部分も産業上重要
な生成物に変換し得るため、本発明方法は特に経済的な
ものである。
本発明方法の有利な一興体例によれば、溶融液にはIv
lH2と共に0.5〜20重量%、特に5〜15重量%
のフッ化カリウム、フッ化ルビジウムあるいはフッ化セ
シウムを添加する。このような物質を添加した溶融液に
導入されたS i F4 /H2混合物の流量が、用い
るSiF4に対するシラン収率を低下させることなく著
しく増大し得ることが判明した。これに関する理論を述
べなくても、上記の知見は下記方程式: %式% が示ずように溶融液中の水素化物81度が高くなったこ
とが原因と思われる。その結果、溶融液はMGH2のみ
でなくMeHによっても飽和状態となり、従ってSiF
4との反応がより迅速に進み、あるいはまたSiF4が
溶解したフッ化物に一時的に化学吸着してヘキサフルオ
ロケイ酸塩を一時的に形成し、従って最終的にS i
F 4の溶融液中での滞留時間が延長されることによっ
てシランが高収率で得られるという結果をもたらす。
lH2と共に0.5〜20重量%、特に5〜15重量%
のフッ化カリウム、フッ化ルビジウムあるいはフッ化セ
シウムを添加する。このような物質を添加した溶融液に
導入されたS i F4 /H2混合物の流量が、用い
るSiF4に対するシラン収率を低下させることなく著
しく増大し得ることが判明した。これに関する理論を述
べなくても、上記の知見は下記方程式: %式% が示ずように溶融液中の水素化物81度が高くなったこ
とが原因と思われる。その結果、溶融液はMGH2のみ
でなくMeHによっても飽和状態となり、従ってSiF
4との反応がより迅速に進み、あるいはまたSiF4が
溶解したフッ化物に一時的に化学吸着してヘキサフルオ
ロケイ酸塩を一時的に形成し、従って最終的にS i
F 4の溶融液中での滞留時間が延長されることによっ
てシランが高収率で得られるという結果をもたらす。
本発明方法の別の有利な具体例によれば、必要な111
40H2は反応装置内でマグネシウムとH2とから直接
製造される。このために、既に溶融液を装填されている
反応装置内に、ヨウ素、ヨウ化マグネシウム、塩化水銀
あるいは塩化チタンのような触媒を用いてそれ自体公知
の方法で前処理し得たマグネシウム粉末を供給し、温度
318〜450℃及び水素圧100〜200バールでM
gl−12に変換することが可能である。
40H2は反応装置内でマグネシウムとH2とから直接
製造される。このために、既に溶融液を装填されている
反応装置内に、ヨウ素、ヨウ化マグネシウム、塩化水銀
あるいは塩化チタンのような触媒を用いてそれ自体公知
の方法で前処理し得たマグネシウム粉末を供給し、温度
318〜450℃及び水素圧100〜200バールでM
gl−12に変換することが可能である。
本発明を、実施例に基づき以下に詳述する。
実施例に
重羽根式撹拌器と、温度計と、S i F 4 /H2
混合物を溶融液中に送り込むことを可能にするガス導入
管と、頂部スペースからシランを導出するシラン導出管
と、溶融液取り入れ口と、MgH2供給装置とを具備し
た運転圧力25バールまで使用可能な1.5ρ型スステ
ンレス鋼製耐熱応装置において反応を行なった。
混合物を溶融液中に送り込むことを可能にするガス導入
管と、頂部スペースからシランを導出するシラン導出管
と、溶融液取り入れ口と、MgH2供給装置とを具備し
た運転圧力25バールまで使用可能な1.5ρ型スステ
ンレス鋼製耐熱応装置において反応を行なった。
反応装置にKCρ/LiCρ/NaCρから成る共融混
合物の溶融液を0.9ρ装填した。
合物の溶融液を0.9ρ装填した。
出発物質:MGH215g(0,57モル)S i F
4 24 g(0,23モル)Mai12は380℃の
溶融液中に水素圧20バールで溶解させた。S i F
4はH2と混合し、その際分圧比はP :P、、2=1
:4、全圧はS i F。
4 24 g(0,23モル)Mai12は380℃の
溶融液中に水素圧20バールで溶解させた。S i F
4はH2と混合し、その際分圧比はP :P、、2=1
:4、全圧はS i F。
P−20バールであった。
上記S i F4 /H2混合物を溶融液に通した。
発生したガス流からシランを凝固させることによって分
離した。69分後、SiF4供給栓を閉じた。
離した。69分後、SiF4供給栓を閉じた。
収率ニジラン 6.9g(0,21モル)この値は、使
用S i F4に対する収率理論値の93%に相当した
。
用S i F4に対する収率理論値の93%に相当した
。
友豊Jλ
実施例1の場合と同じ反応装置で反応を行なったが、こ
の例では反応装置に、KCu/L i CJ2/NaC
ρから成る共at混合物の溶融液0.99にフッ化カリ
ウム、KFを10%含有するものを装填した。
の例では反応装置に、KCu/L i CJ2/NaC
ρから成る共at混合物の溶融液0.99にフッ化カリ
ウム、KFを10%含有するものを装填した。
出発物質:MS 82 22g(0,84−Eル)S
+ F4 24g(0,23モル)反応条件は実施例1
と同じにした。34分後、S i F4供給栓を閉じた
。
+ F4 24g(0,23モル)反応条件は実施例1
と同じにした。34分後、S i F4供給栓を閉じた
。
収率ニジラン 6.7g(0,21モル)この値は、使
用S r F aに対する収率理論値990%に相当し
た。
用S r F aに対する収率理論値990%に相当し
た。
/flFT4人 斤−・シ2ヴン07ストゆント・コ〉
八9≦−代理人 弁理土用 口 義 雄
八9≦−代理人 弁理土用 口 義 雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) シランを製造する方法であって、四フッ化ケイ
素をアルカリあるいはアルカリ土類ハロゲン化物の溶融
液中の水素化マグネシウムと、前記溶融液の温度におけ
る水素化マグネシウムの解N【圧を上回る水素分圧下で
反応させることを特徴とする製造方法。 (2) 水素化マグネシウムを該ハロゲン化物溶融液自
体の中でマグネシウムと水素とから生成することを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。 (3) 共融混合物を構成する2種以上の塩から成る溶
融液を使用することを特徴とする特許請求(4) 溶融
液が0.5〜20重量%のフッ化カリウム、フッ化ルビ
ジウム及び/又はフッ化セシウムを含有Jることを特徴
とする特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれかに記
載の方法。 (5) 溶融液中の水素化物イオン11度が0.3重量
%以上であることを特徴とする特許請求の範11[I第
1項乃至第4項のいずれかに記載の方法。 (6) 反応装置の頂部スペース内で過剰水素を保持す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第5項の
いずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19843409172 DE3409172A1 (de) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | Verfahren zur herstellung von silan |
| DE3409172.6 | 1984-03-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60210515A true JPS60210515A (ja) | 1985-10-23 |
| JPS6366770B2 JPS6366770B2 (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=6230356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60049181A Granted JPS60210515A (ja) | 1984-03-13 | 1985-03-12 | シラン製造方法 |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4623531A (ja) |
| EP (1) | EP0154826B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60210515A (ja) |
| KR (2) | KR920006800B1 (ja) |
| CN (1) | CN1004267B (ja) |
| AT (1) | ATE67987T1 (ja) |
| CA (1) | CA1229218A (ja) |
| DD (1) | DD235061A5 (ja) |
| DE (2) | DE3409172A1 (ja) |
| DK (1) | DK167347B1 (ja) |
| ES (1) | ES8602536A1 (ja) |
| FI (1) | FI74934C (ja) |
| IE (1) | IE58087B1 (ja) |
| IN (1) | IN162518B (ja) |
| NO (1) | NO163446C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06321959A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-22 | Th Goldschmidt Ag | シランないしは有機ケイ素水素化物の製造法 |
| JP2012505825A (ja) * | 2008-10-20 | 2012-03-08 | サンリット エッセ.エルレ.エルレ. | 多結晶シリコンの製造方法 |
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| DE3926595A1 (de) * | 1989-08-11 | 1991-02-14 | Degussa | Verfahren zur hydrierung halogensubstituierter verbindungen |
| DE19812587C1 (de) * | 1998-03-23 | 1999-09-23 | Wolfgang Sundermeyer | Verfahren zur Hydrierung halogensubstituierter Siliziumverbindungen |
| RU2151099C1 (ru) * | 1998-09-03 | 2000-06-20 | Бардин Владимир Александрович | Способ получения гидридов кремния |
| RU2155158C1 (ru) * | 1999-10-07 | 2000-08-27 | Институт химии высокочистых веществ РАН | Способ получения моноизотопного кремния si28 |
| RU2226501C1 (ru) * | 2003-03-31 | 2004-04-10 | Институт химии высокочистых веществ РАН | Способ получения высокочистого изотопно-обогащенного силана |
| KR101064799B1 (ko) * | 2003-10-16 | 2011-09-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 규소-코발트 막 형성용 조성물, 규소-코발트 막 및 상기막의 형성 방법 |
| KR100642941B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2006-11-10 | 나은기술 주식회사 | 냉온 마사지 기능을 구비한 비데 및 그 동작 방법 |
| NO326254B1 (no) * | 2005-12-22 | 2008-10-27 | Sinvent As | Fremgangsmate for fremstilling av silan |
| RU2388692C2 (ru) * | 2008-06-26 | 2010-05-10 | Учреждение Российской академии наук Институт химии высокочистых веществ РАН (ИХВВ РАН) | Способ получения высокочистого силана (варианты) |
| CN102205969A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-05 | 天津市泰亨气体有限公司 | 采用氢化铝锂与四氯化硅在乙醚介质中反应制备硅烷的技术 |
| CN102344145B (zh) * | 2010-07-29 | 2013-05-08 | 比亚迪股份有限公司 | 一种三氯氢硅制备硅烷的方法 |
| KR20140033172A (ko) * | 2011-06-28 | 2014-03-17 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. | 버블 컬럼에서 실란의 제조 방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2933374A (en) * | 1955-03-29 | 1960-04-19 | Gen Electric | Process of treating fluorosilanes to form monosilane |
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