JPS5988862A - 接続用金属への金属突起物形成方法 - Google Patents
接続用金属への金属突起物形成方法Info
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- JPS5988862A JPS5988862A JP57199205A JP19920582A JPS5988862A JP S5988862 A JPS5988862 A JP S5988862A JP 57199205 A JP57199205 A JP 57199205A JP 19920582 A JP19920582 A JP 19920582A JP S5988862 A JPS5988862 A JP S5988862A
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- metal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子上の電極と外部リードとを接合する
場合の金属リードへの金属突起物形成方法に関するもの
である。
場合の金属リードへの金属突起物形成方法に関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
近年、ｒｃ 、ＬＳＩ等の半導体素子は各種の家−・ノ
家電化製品、産業用機器の分野へ導入されている。
これら家庭電化製品、産業用機器は省資源化、省電力化
のためにあるいは利用範囲を拡大させるだめに、小型化
、薄型化のいわゆるポータプル化が促進されてきている
。
のためにあるいは利用範囲を拡大させるだめに、小型化
、薄型化のいわゆるポータプル化が促進されてきている
。
半導体素子においてもポータプル化に対応するだめに、
パッケージングの小型化、薄型化が要求されてきている
。拡散工程、電極配線工程の終了したシリコンスライス
は半導体素子単位のチップに切断され、チップの周辺に
設けられたアルミ電極端子から外部端子へ電極リードを
取出して取扱いやすくしまた機械的保護のためにパッケ
ージングされる。通常、これら半導体素子のパッケージ
ングにはＤＩＬ、チップキャリヤ、テープキャリヤ方式
等が用いられている。この中で接続箇所の信頼性が高く
、小型化、薄型化のパッケージングを提供できるものと
して、テープキャリヤ方式がある。テープキャリヤ方式
による半導体素子のパッケージングは半導体素子上の電
極端子上にバリヤメタルと呼ばれる多層金属膜を設は−
さらに。
パッケージングの小型化、薄型化が要求されてきている
。拡散工程、電極配線工程の終了したシリコンスライス
は半導体素子単位のチップに切断され、チップの周辺に
設けられたアルミ電極端子から外部端子へ電極リードを
取出して取扱いやすくしまた機械的保護のためにパッケ
ージングされる。通常、これら半導体素子のパッケージ
ングにはＤＩＬ、チップキャリヤ、テープキャリヤ方式
等が用いられている。この中で接続箇所の信頼性が高く
、小型化、薄型化のパッケージングを提供できるものと
して、テープキャリヤ方式がある。テープキャリヤ方式
による半導体素子のパッケージングは半導体素子上の電
極端子上にバリヤメタルと呼ばれる多層金属膜を設は−
さらに。
Ｊ７ 、
この多層金属膜上に電気メツキ法により金属突起を設け
る。そして、一定幅の長尺のポリイミドテープ上に金ｍ
ＩＪ−ド端子を設け、半導体素子の電極端子子の金属突
起とリード端子とを、電極端子数に無関係に同時に一括
接続するものである。
る。そして、一定幅の長尺のポリイミドテープ上に金ｍ
ＩＪ−ド端子を設け、半導体素子の電極端子子の金属突
起とリード端子とを、電極端子数に無関係に同時に一括
接続するものである。
しかしながら従来のテープキャリヤ方式も種々の問題を
含んでいる。そこで本発明者らは特願昭６６−３７４９
９号においてテープキャリヤ方式を基本にした新規なる
接合方法（以下転写バンプ方式と呼称する）を提案した
。
含んでいる。そこで本発明者らは特願昭６６−３７４９
９号においてテープキャリヤ方式を基本にした新規なる
接合方法（以下転写バンプ方式と呼称する）を提案した
。
この発明の主な特徴は半導体素子上に金属突起を形成す
る必要がないとともに、さらに金属突起を転写方式によ
り金属リード側に形成することにある。
る必要がないとともに、さらに金属突起を転写方式によ
り金属リード側に形成することにある。
第１図で本発明者らが先に提案した上記発明の一実施例
の方法をのべる。
の方法をのべる。
捷ず長尺のポリイミイド樹脂テープ２１上に電極リード
２２が形成される。電極リード２２は例えば３６μｍ厚
さのＣｕ箔に０．２〜１．０μｍ８度のＳｎメッキを施
こしたもので、通常のフィルムキャリヤ方式に用いる構
成と同一のものである。
２２が形成される。電極リード２２は例えば３６μｍ厚
さのＣｕ箔に０．２〜１．０μｍ８度のＳｎメッキを施
こしたもので、通常のフィルムキャリヤ方式に用いる構
成と同一のものである。
次に基板２３上に金属リード２２の間隔と同一寸法に金
属突起２４が電解メッキ法で形成される（第１図ａ）。
属突起２４が電解メッキ法で形成される（第１図ａ）。
金属突起２４と金ＰＡ ’）−ド２２とを位置合せし。
ツール２６で矢印２７のごとく加熱、加圧すれば（第１
図ｂ）−仮に金属突起２４がＡｕで構成されておれば、
金ＮＩＪ−ド２２に形成されているＳｎ と共晶を起
こし一完全な接合を得ることができる。加圧２７を取り
去れば、金属突起２４は基板２３側から剥離され、金Ｎ
ＩＪ−ド２２に接合された状態となる（第１図Ｃ）。第
２図Ｃの状態は基板２３の金属突起２４を、金属リード
２２側に転写したことになる。
図ｂ）−仮に金属突起２４がＡｕで構成されておれば、
金ＮＩＪ−ド２２に形成されているＳｎ と共晶を起
こし一完全な接合を得ることができる。加圧２７を取り
去れば、金属突起２４は基板２３側から剥離され、金Ｎ
ＩＪ−ド２２に接合された状態となる（第１図Ｃ）。第
２図Ｃの状態は基板２３の金属突起２４を、金属リード
２２側に転写したことになる。
次に半導体素子２５上のアルミニウム電極２８に金属突
起２４を位置合せし、ツール２６′で２７′のごとく加
熱、加圧する（第１図ｄ）。この動作により、金属突起
２４のＡｕと半導体素子２５土のアルミニウム電極２８
とは合金化し、完全な接合を得ることができる。この状
態を第１図ｅに示した。
起２４を位置合せし、ツール２６′で２７′のごとく加
熱、加圧する（第１図ｄ）。この動作により、金属突起
２４のＡｕと半導体素子２５土のアルミニウム電極２８
とは合金化し、完全な接合を得ることができる。この状
態を第１図ｅに示した。
この第１図の方法において、金属リード２２の間隔、基
板２３上に形成した金属突起２４の間隔さらに半導体素
子２６上のアルミニウム電極２８の間隔は同一値である
。
板２３上に形成した金属突起２４の間隔さらに半導体素
子２６上のアルミニウム電極２８の間隔は同一値である
。
以上のべた本発明者らが先に提案した方法は通常用いら
れているフィルムキャリヤのリードに、別の基板上に形
成した金属突起とを接合せしめ、この段階でリードに金
属突起を転写するものである。そしてリードに形成され
た金属突起は半導体素ｒ−１：のアルミニウム電極と容
易に接合さ力、る。
れているフィルムキャリヤのリードに、別の基板上に形
成した金属突起とを接合せしめ、この段階でリードに金
属突起を転写するものである。そしてリードに形成され
た金属突起は半導体素ｒ−１：のアルミニウム電極と容
易に接合さ力、る。
この様な転写バンプ方式においては、金属突起２４を形
成するだめの基板２３は、前記金属突起２４を金属リー
ド２２に転写、接合した後には不要となってし壕う。す
なわち前記基板は１回のみ金属突起を形成せしめ、載置
しているにすきず、従来の転写バンプ方式においては、
１回で使いすてるものであった。前記基板２３を一回の
みの金属突起２４の形成に用いてしなうと、金属突起を
転写していくに従い、別々の基板が用いられるか６・、
−ジ ら、金属突起間同志の位置間隔の寸法精度が１ち葦ちに
なってしまい、高精度で形成される半導体素子上のアル
ミニウム電極との位置合せ精度が不充分になったり、こ
の方式全体の実装コストを引き上げる結果になってし１
う。
成するだめの基板２３は、前記金属突起２４を金属リー
ド２２に転写、接合した後には不要となってし壕う。す
なわち前記基板は１回のみ金属突起を形成せしめ、載置
しているにすきず、従来の転写バンプ方式においては、
１回で使いすてるものであった。前記基板２３を一回の
みの金属突起２４の形成に用いてしなうと、金属突起を
転写していくに従い、別々の基板が用いられるか６・、
−ジ ら、金属突起間同志の位置間隔の寸法精度が１ち葦ちに
なってしまい、高精度で形成される半導体素子上のアル
ミニウム電極との位置合せ精度が不充分になったり、こ
の方式全体の実装コストを引き上げる結果になってし１
う。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を除去するためになされたもの
であり、金属リードへの金属突起物の形成方法において
金属突起を形成する基板を多数回使用できるようにする
ことを目的とする。
であり、金属リードへの金属突起物の形成方法において
金属突起を形成する基板を多数回使用できるようにする
ことを目的とする。
発明の構成
本発明の金属リードへの金属突起物形成方法は。
金属突起を形成するだめの基板を半永久的にメッキ処理
できる構成、すなわち、金属突起を形成させるための開
孔部を有する耐熱性の絶縁膜を前記基板と一体構成にし
たものを用いることを特徴とするものである。
できる構成、すなわち、金属突起を形成させるための開
孔部を有する耐熱性の絶縁膜を前記基板と一体構成にし
たものを用いることを特徴とするものである。
実施例の説明
第２図（ａ） 、 （ｂ）にもとづいて本発明の詳細な
説明する。ガラス、セラミック等の絶縁性基板３１十に
金属突起を形成する際の陰極電極となるＡｕ。
説明する。ガラス、セラミック等の絶縁性基板３１十に
金属突起を形成する際の陰極電極となるＡｕ。
Ｐｔ 、 ＰＱ 、 Ｃｕ 、Ｎｉ ６．Ｑよりなる
金属層３２を数１０００人〜数μｍの厚さに形成する。
金属層３２を数１０００人〜数μｍの厚さに形成する。
次いで前記金属層３２上に耐熱性樹脂膜例えばポリイミ
イド樹脂シシリコーン樹脂膜３３を前記金属層３２土に
数１０００人〜数μｍの埋さに被着せしめ、金属突起を
形成すべき部分に開孔部３４を形成せしめれば第２図（
ａ）の構造を得る。
イド樹脂シシリコーン樹脂膜３３を前記金属層３２土に
数１０００人〜数μｍの埋さに被着せしめ、金属突起を
形成すべき部分に開孔部３４を形成せしめれば第２図（
ａ）の構造を得る。
次いで前記金属膜３２を一方の電極として、メッキ処理
すれば第２図（ｂ）の構造、すなわち金属突起３５を前
記耐熱性樹脂膜３５上に形成することができる。
すれば第２図（ｂ）の構造、すなわち金属突起３５を前
記耐熱性樹脂膜３５上に形成することができる。
更に第２図（ａ） 、 （ｂ）の工程を詳述すれば、厚
さ１ｍｍのパ４レックスガラス上にＮ１次いで人ｕ９・
基板加熱温度２５０℃で連続して真空蒸着法でＮ１膜厚
１０００人、Ａｕ膜厚１０００Ａを形ＤＭ Ｉ、た。
さ１ｍｍのパ４レックスガラス上にＮ１次いで人ｕ９・
基板加熱温度２５０℃で連続して真空蒸着法でＮ１膜厚
１０００人、Ａｕ膜厚１０００Ａを形ＤＭ Ｉ、た。
次いで感光性ポリイミイド樹脂（商品名）、トニース）
膜を１μｍの厚さに形成、金属突起を電気メツキ法で１
０〜６ｏ／Ｉｍの厚さに形成する。
膜を１μｍの厚さに形成、金属突起を電気メツキ法で１
０〜６ｏ／Ｉｍの厚さに形成する。
この様にして形成された金属突起３６を金属リードと位
置合せし、金属リード側に転写、接合すれば、基板３１
目、再び第２図（２Ｌ）の状態に戻る。前記接合の時に
は２００〜３５０”Ｃ程度の温度と圧力０．１〜２ ｋ
ｇ／ｒ、４が印加されるが一感光Ｖ１−ポリイミイド樹
脂り士、耐熱性と柔軟１’Ｊ）ｋ有しているから。
置合せし、金属リード側に転写、接合すれば、基板３１
目、再び第２図（２Ｌ）の状態に戻る。前記接合の時に
は２００〜３５０”Ｃ程度の温度と圧力０．１〜２ ｋ
ｇ／ｒ、４が印加されるが一感光Ｖ１−ポリイミイド樹
脂り士、耐熱性と柔軟１’Ｊ）ｋ有しているから。
前記感光性ポリイミイド樹脂による開孔部は変形。
損傷することなく１Ｑ数回の再生使用に耐え、従来のよ
うな使いすての状態を排除できた。
うな使いすての状態を排除できた。
又、前記基板３１が絶縁体である場合は、第２図（ａ）
、 （ｂ）の如く金属膜３２を必要とするが、前記基
板３１が導電１件材で構成されるならば、金属膜３２は
不必要となり、基板の製造費を安価にできるものである
。
、 （ｂ）の如く金属膜３２を必要とするが、前記基
板３１が導電１件材で構成されるならば、金属膜３２は
不必要となり、基板の製造費を安価にできるものである
。
更に本発明の方法における他の実施１９１４とｌ〜て。
前記感光性樹脂３３の替りに、金属酸化物、例えば、シ
リコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物ある
いは窒化物としてシリコン窒化物の膜を用いることがで
きる。
リコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物ある
いは窒化物としてシリコン窒化物の膜を用いることがで
きる。
この実施例においては、比較的薄い膜で、かつより耐熱
性のある膜を得ることができるため、より多くの回数メ
ッキ用開孔部を有する基板を使用できる。又、前記基板
３１を酸化物の基になる金属材で構成し、酸化物と一体
にして前記開孔部を形成すれば、更に安価で再使用率の
高い基板をイ１↑ることができる。
性のある膜を得ることができるため、より多くの回数メ
ッキ用開孔部を有する基板を使用できる。又、前記基板
３１を酸化物の基になる金属材で構成し、酸化物と一体
にして前記開孔部を形成すれば、更に安価で再使用率の
高い基板をイ１↑ることができる。
発明の効果
本発明の金属リードへの金属突起物形成方法は、金属突
起の形成用開孔部を穿設する絶縁膜を形成ｊ〜だ基板を
用いるだめ、基板が複数回のメッキ法による金属突起の
形成およびこれの金属リードへの転写接合に耐え、多数
回使用できる基板を得ることができ、製造コストを大き
く低下へ寸ことができる０又、金属突起が形成される基
板が再利用できるだめ、転写接合の都度、異なる基板が
供給されることがなく−絶えず、基板」二での金属突起
の位置寸法を確実に一定した状態で保てるので、金属リ
ードと金属突起−金属突起と半導体素子の電極との位置
合せ精度を高められ一信和件の高い接合を得ることがで
きる。
起の形成用開孔部を穿設する絶縁膜を形成ｊ〜だ基板を
用いるだめ、基板が複数回のメッキ法による金属突起の
形成およびこれの金属リードへの転写接合に耐え、多数
回使用できる基板を得ることができ、製造コストを大き
く低下へ寸ことができる０又、金属突起が形成される基
板が再利用できるだめ、転写接合の都度、異なる基板が
供給されることがなく−絶えず、基板」二での金属突起
の位置寸法を確実に一定した状態で保てるので、金属リ
ードと金属突起−金属突起と半導体素子の電極との位置
合せ精度を高められ一信和件の高い接合を得ることがで
きる。
方式を示す工程断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本
発明の実施例における金属リードへの金属突起物形成方
法を示す工程断面図である。 ３１・・・・・・基板、３２・・・・・・金属層、３３
・・・・・・耐熱性絶縁膜、３４・・・・・・開孔部、
３５・・・・・・金属突起。
発明の実施例における金属リードへの金属突起物形成方
法を示す工程断面図である。 ３１・・・・・・基板、３２・・・・・・金属層、３３
・・・・・・耐熱性絶縁膜、３４・・・・・・開孔部、
３５・・・・・・金属突起。
Claims (1)
- 基板上に形成された金属突起を金属リードに接合し、前
記基板より前記金属突起を分離した後、前記金属リード
に接合された金属突起と半導体素子上の電極とを加圧、
加熱して接合する方法において、前記基板上に前記金属
突起を形成する所定の位置に開孔部を有する前記基板と
一体化した耐熱性絶縁膜を設け、前記開孔部に前記金属
突起が形成されることを特徴とする金属リードへの金属
突起物形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199205A JPS5988862A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 接続用金属への金属突起物形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57199205A JPS5988862A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 接続用金属への金属突起物形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988862A true JPS5988862A (ja) | 1984-05-22 |
| JPH0129061B2 JPH0129061B2 (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=16403881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57199205A Granted JPS5988862A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 接続用金属への金属突起物形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988862A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230268312A1 (en) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Soft touch eutectic solder pressure pad |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57199205A patent/JPS5988862A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230268312A1 (en) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Soft touch eutectic solder pressure pad |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0129061B2 (ja) | 1989-06-07 |
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