JPS5989448A - 電子装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
電子装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS5989448A JPS5989448A JP58195983A JP19598383A JPS5989448A JP S5989448 A JPS5989448 A JP S5989448A JP 58195983 A JP58195983 A JP 58195983A JP 19598383 A JP19598383 A JP 19598383A JP S5989448 A JPS5989448 A JP S5989448A
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- tab
- lead frame
- tab lead
- frame
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- H10W70/421—Shapes or dispositions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、集積回路装置等の電子装置に使用
されるリードフレームに関するものであり、電力用電子
装置の製作に有効に利用し得るものである。
されるリードフレームに関するものであり、電力用電子
装置の製作に有効に利用し得るものである。
一般に電力用の電子装置は、小信号用の電子装置と異な
り、大トな放熱用フランジを必要とすることから外部引
き出しリードに制約をうけ、多ピン化を計ることが困難
であった。
り、大トな放熱用フランジを必要とすることから外部引
き出しリードに制約をうけ、多ピン化を計ることが困難
であった。
本発明は、特に電力用電子装置の組立に適した新規なリ
ードフレームを提供せんとするものである。
ードフレームを提供せんとするものである。
以下、本発明のリードフレームを用いた電力用電子装置
の組立技術の具体的実施例について詳細に説明する。そ
れによって本発明にかかる具体的目的、特徴および作用
効果が理解されよう。
の組立技術の具体的実施例について詳細に説明する。そ
れによって本発明にかかる具体的目的、特徴および作用
効果が理解されよう。
第1図は電子素子を取り付けるための7ランジの上面図
を示し、また第2図はその縦断面図を示すものであって
、板状体をプレスにより打ちぬくことによって作られる
。工業的には、例えば電子装置10個分の7ランジが一
連に一体化された形で製造される。
を示し、また第2図はその縦断面図を示すものであって
、板状体をプレスにより打ちぬくことによって作られる
。工業的には、例えば電子装置10個分の7ランジが一
連に一体化された形で製造される。
図中1は例えば厚さ1.26Il1m幅8mm1個あた
りの長さ30粕mの大きさの7ランジ本体を示し、該7
ランジに接続される素子においで生じた熱を有効に外部
に放散させるものであるから、熱伝導の良好な銅、アル
ミニウム、またはそれらを主体とする合金、さらには上
記の物質を主板とするクラツド板が利用される。そして
上記7ランジの表面には防蝕その他の目的により。ニッ
ケルその他のメッキ層を形成することは有効なことであ
り、このことは後に詳細に説明される。
りの長さ30粕mの大きさの7ランジ本体を示し、該7
ランジに接続される素子においで生じた熱を有効に外部
に放散させるものであるから、熱伝導の良好な銅、アル
ミニウム、またはそれらを主体とする合金、さらには上
記の物質を主板とするクラツド板が利用される。そして
上記7ランジの表面には防蝕その他の目的により。ニッ
ケルその他のメッキ層を形成することは有効なことであ
り、このことは後に詳細に説明される。
7ランジ1に対し形成された切り込み部2は後に行なう
モールド封止工程において溶融状態のモールド材料が不
必要な部分に流れ出るのを防止するために形成されたモ
ールド材流れ防止用切り込みである。
モールド封止工程において溶融状態のモールド材料が不
必要な部分に流れ出るのを防止するために形成されたモ
ールド材流れ防止用切り込みである。
孔3は電子装置が完成された時、外部放熱体と7ランジ
とを密着させるためのボルト通し孔であり、それによっ
て熱放散を着しく大ならしめることが可能となる。
とを密着させるためのボルト通し孔であり、それによっ
て熱放散を着しく大ならしめることが可能となる。
4は後に説明されるリードフレームのタブリードを挿入
するために形成された開孔スリット状タブリード挿入部
である。
するために形成された開孔スリット状タブリード挿入部
である。
該タブリード挿入部4の外まわりを構成する細幅の突起
部5は上記タブリード挿入部4内に位置するタブリード
をかしめ付けるために形成されたタブリードおさえ部で
あって、図では小なる圧力でかしめつけられるようにタ
ブリード挿入部、中央部で分離されているが、同図中タ
ブリード挿入部4の上部左右に形r?cされたタブリー
ドおさえ部5はタブ17− F挿入部中央上部で連結さ
れた形であってもよく、その場合タブリード挿入部4は
閉孔スリット状となる。また上記タブリード挿入部4は
7ランジの長さ方向(図中左右の方向)と同一の方向に
長く形成されているが、それは突起部5をかしめること
によってタブリードをおさえ付ける場合に矢印6の方向
から力を加えればよく作業上有効であり、またタブリー
ド挿入部4が図中上下方向に一対形成せしめたのはかし
め付けによる圧力により、リードフレームと7ランジ1
との位置関係に誤差を生じさせないため、およびかしめ
付けに際し、リードフレームの弾性を有効に利用するた
めであり、これらの目的を考慮しなければタブリード挿
入部の長さ方向を例えば7ランジの長さ方向に直交する
が如き方向に変えてもよく、またタブリード挿入部を1
つにしてもよい。
部5は上記タブリード挿入部4内に位置するタブリード
をかしめ付けるために形成されたタブリードおさえ部で
あって、図では小なる圧力でかしめつけられるようにタ
ブリード挿入部、中央部で分離されているが、同図中タ
ブリード挿入部4の上部左右に形r?cされたタブリー
ドおさえ部5はタブ17− F挿入部中央上部で連結さ
れた形であってもよく、その場合タブリード挿入部4は
閉孔スリット状となる。また上記タブリード挿入部4は
7ランジの長さ方向(図中左右の方向)と同一の方向に
長く形成されているが、それは突起部5をかしめること
によってタブリードをおさえ付ける場合に矢印6の方向
から力を加えればよく作業上有効であり、またタブリー
ド挿入部4が図中上下方向に一対形成せしめたのはかし
め付けによる圧力により、リードフレームと7ランジ1
との位置関係に誤差を生じさせないため、およびかしめ
付けに際し、リードフレームの弾性を有効に利用するた
めであり、これらの目的を考慮しなければタブリード挿
入部の長さ方向を例えば7ランジの長さ方向に直交する
が如き方向に変えてもよく、またタブリード挿入部を1
つにしてもよい。
溝部7は素子を取り付けるべき位置8を規定するために
形成された4 、 5 manφ程度の溝である。
形成された4 、 5 manφ程度の溝である。
以上フランジ本体は一回のプレス加工により製作するこ
とができ、少なくとも溝7はタブリード挿入部4を形成
するためのプレス型と一体的に構成されることが望まし
い。すなわち素子取付位置8とタブリード挿入部4とが
一定の位置関係に規定され、したがってタブリード゛押
入部4によって保持されるリードフレームと素子取付位
置8との位置関係が正確に規定されるからである。
とができ、少なくとも溝7はタブリード挿入部4を形成
するためのプレス型と一体的に構成されることが望まし
い。すなわち素子取付位置8とタブリード挿入部4とが
一定の位置関係に規定され、したがってタブリード゛押
入部4によって保持されるリードフレームと素子取付位
置8との位置関係が正確に規定されるからである。
第3図は一ヒ記第1図、第2図に示された7ランジ本体
1の表面に例えば5μのニッケル被膜9を例えばメッキ
により形成し、さらに上記素子数(=j位置8における
ニッケル被膜9上に例えば500μの銀箔10を電気溶
接によって接続した状態を示す縦断面図である。特に上
記素子がトランジスタ等の半導体素子または半導体集積
回路素子のような場合、銅、アルミニウム等の7ランジ
表面に直接素子を取り付けることは望ましくなく、一方
200μ〜1200μ程度の銀を介在させればフレーム
の素子に対する影響はなく、熱放散も着しく良好となり
、また銀は軟質金属であることがら4.5mmX4.5
+nm程度のかなり大なる素子を取り1」けても熱歪に
よる素子の破損は生じないから素子と7ランジとの間の
介在物10としては極めて有力なものである。また1μ
〜10μ程度のニッケル被膜9の介在は、7ランジの防
蝕被膜として作用し、さらに7ランジ1と介在物10と
の電気溶接における抵抗材としても作用し、上記介在物
10と7ランジ本体との間を強力に接続する。上記抵抗
材として作用するものとしてはニッケルの他クロム、モ
リブデン、タングステンさらにはそれらの合金またはそ
れらと他の金属との合金等があり、同様に利用し得る。
1の表面に例えば5μのニッケル被膜9を例えばメッキ
により形成し、さらに上記素子数(=j位置8における
ニッケル被膜9上に例えば500μの銀箔10を電気溶
接によって接続した状態を示す縦断面図である。特に上
記素子がトランジスタ等の半導体素子または半導体集積
回路素子のような場合、銅、アルミニウム等の7ランジ
表面に直接素子を取り付けることは望ましくなく、一方
200μ〜1200μ程度の銀を介在させればフレーム
の素子に対する影響はなく、熱放散も着しく良好となり
、また銀は軟質金属であることがら4.5mmX4.5
+nm程度のかなり大なる素子を取り1」けても熱歪に
よる素子の破損は生じないから素子と7ランジとの間の
介在物10としては極めて有力なものである。また1μ
〜10μ程度のニッケル被膜9の介在は、7ランジの防
蝕被膜として作用し、さらに7ランジ1と介在物10と
の電気溶接における抵抗材としても作用し、上記介在物
10と7ランジ本体との間を強力に接続する。上記抵抗
材として作用するものとしてはニッケルの他クロム、モ
リブデン、タングステンさらにはそれらの合金またはそ
れらと他の金属との合金等があり、同様に利用し得る。
なお同図中11.12は電気溶接用電極の一部を示す。
上述の如く素子と7ランレ1との開に銀箔等の介在物1
0を必要とする場合、まず介在物10と7ランジ1との
開を電気溶接により接続することは有力な方法であり、
他の多くの場合にも利用し得る。すなわち、7ランジ1
またはその表面のニッケル等の被膜および介在物10の
接触表面のみが溶融するように抵抗溶接すれば介在物の
他の面すなわち素子を取り付けるべ外平担面をそのまま
維持でき、後に行なわれる素子の取り付けを全面にわた
って均一に行なうことができ、また電気溶接は極部発熱
によるものであり、上記溶接部以外の部分の変質をおさ
えることができるからである。
0を必要とする場合、まず介在物10と7ランジ1との
開を電気溶接により接続することは有力な方法であり、
他の多くの場合にも利用し得る。すなわち、7ランジ1
またはその表面のニッケル等の被膜および介在物10の
接触表面のみが溶融するように抵抗溶接すれば介在物の
他の面すなわち素子を取り付けるべ外平担面をそのまま
維持でき、後に行なわれる素子の取り付けを全面にわた
って均一に行なうことができ、また電気溶接は極部発熱
によるものであり、上記溶接部以外の部分の変質をおさ
えることができるからである。
また池の有効な方法として銅フランジ1素子取付位置8
に銀箔10を冷間圧接により接続する方法があ1)、か
かる方法によれば銀および7ランジ等は変質せずまL二
その表面も全面平担に加圧されるから平坦度は阻害され
ずしたがって上記抵抗溶接の場合と同様の利点を有する
。この場合ニッケル被膜9の形成は、冷間圧接後、上記
銀箔をレジン等の耐蝕性物質により保護した状態でメッ
キにより行なうのが望ましい。
に銀箔10を冷間圧接により接続する方法があ1)、か
かる方法によれば銀および7ランジ等は変質せずまL二
その表面も全面平担に加圧されるから平坦度は阻害され
ずしたがって上記抵抗溶接の場合と同様の利点を有する
。この場合ニッケル被膜9の形成は、冷間圧接後、上記
銀箔をレジン等の耐蝕性物質により保護した状態でメッ
キにより行なうのが望ましい。
上記銀箔10と銅7ラン′)1との他の有効な接続方法
としては銀と銅との界面における共晶を利用して比較的
低温で接続する方法であり、さらに他の方法としてはろ
う材を介して接続する方法および介在物全体を溶融せし
めて接続する方法等があるが、これらの場合後に行なわ
れる素子取付温度以上で加熱接続する方法があり、7ラ
ンジ1゜介在物10の変質防止に充分な考慮をはらうべ
きである。
としては銀と銅との界面における共晶を利用して比較的
低温で接続する方法であり、さらに他の方法としてはろ
う材を介して接続する方法および介在物全体を溶融せし
めて接続する方法等があるが、これらの場合後に行なわ
れる素子取付温度以上で加熱接続する方法があり、7ラ
ンジ1゜介在物10の変質防止に充分な考慮をはらうべ
きである。
第4図は上記銀箔10上に素子13をろう接によって取
り付けた縦断面図を示すものであって、素子13として
Siを基体とする2、5++++nX2.0111mの
大ぎさの電力増幅用半導体集積回路素子が用いられ、そ
の−主表面が金シリコン共晶ろう材14によって約44
0℃で上記平担な銀箔10の平担な面に均一にろう接さ
れている。また上記ろう接による接続にかかわる方法と
して銀金等の導電性粉末を含む導電性接着材が利用でき
、その場合加熱を必要としないから作業は容易であるが
熱抵抗、機械的強度の面からはろう接が優れている。
り付けた縦断面図を示すものであって、素子13として
Siを基体とする2、5++++nX2.0111mの
大ぎさの電力増幅用半導体集積回路素子が用いられ、そ
の−主表面が金シリコン共晶ろう材14によって約44
0℃で上記平担な銀箔10の平担な面に均一にろう接さ
れている。また上記ろう接による接続にかかわる方法と
して銀金等の導電性粉末を含む導電性接着材が利用でき
、その場合加熱を必要としないから作業は容易であるが
熱抵抗、機械的強度の面からはろう接が優れている。
上記素子の他の一宇表面には図示されでいないが、51
02 HS I 3 N 4等の有孔絶縁膜と、半導体
内部に形成されたトランジスタ、ダイオード、抵抗等の
電子素子から上記孔を通して上記絶縁被膜上に延在する
配線路と、後にワイヤーを接続するため素子の周辺部に
位置する電極端子とが形成されている。
02 HS I 3 N 4等の有孔絶縁膜と、半導体
内部に形成されたトランジスタ、ダイオード、抵抗等の
電子素子から上記孔を通して上記絶縁被膜上に延在する
配線路と、後にワイヤーを接続するため素子の周辺部に
位置する電極端子とが形成されている。
上記銀箔、素子の7ランジへの接続はかならずしも上記
工程において行なう必要はなく、例えば、上記7ランノ
に対しリードフレームを接続した後において行なっても
よい。
工程において行なう必要はなく、例えば、上記7ランノ
に対しリードフレームを接続した後において行なっても
よい。
第5図はリードフレーム20を示す上面図であり、例え
ば、リン青銅の如く適度の弾性をもった厚さ0.25m
+n電子装置1個あたりの長さ30+ntnの帯状の金
属板よりなり、それに写真処理をほどこしそれによって
形成された耐蝕性マスクを用いてエツチング処理をほど
こす所謂ホトエツチング技術およびプレス成形加工技術
を用いて作ることかで外る。他の方法としてはプレス打
ちぬきおよびプレス成形技術を用いて作ることがで外る
。いずれの場合においでも前記7ランノの場合と同様例
えば電子装置を10個連続した形で作る場合は、かかる
リードフレームも10個分が一連に接続された状態のも
のを製作する必要があるが、ホトエツチング技術を利用
する場合は上記一連のフレームを同時に1回の処理で作
り、プレス成形加工も同時に1回で処理することがで鰺
るが、プレス打ちぬきおよびプレス成形技術においては
、プレス型が複雑となるから多連のプレス型を利用して
1回のプレスで同時【二処理せず1組のプレス型で連続
的に打ちぬいて行き一連のフレームを作るのが望ましい
。
ば、リン青銅の如く適度の弾性をもった厚さ0.25m
+n電子装置1個あたりの長さ30+ntnの帯状の金
属板よりなり、それに写真処理をほどこしそれによって
形成された耐蝕性マスクを用いてエツチング処理をほど
こす所謂ホトエツチング技術およびプレス成形加工技術
を用いて作ることかで外る。他の方法としてはプレス打
ちぬきおよびプレス成形技術を用いて作ることがで外る
。いずれの場合においでも前記7ランノの場合と同様例
えば電子装置を10個連続した形で作る場合は、かかる
リードフレームも10個分が一連に接続された状態のも
のを製作する必要があるが、ホトエツチング技術を利用
する場合は上記一連のフレームを同時に1回の処理で作
り、プレス成形加工も同時に1回で処理することがで鰺
るが、プレス打ちぬきおよびプレス成形技術においては
、プレス型が複雑となるから多連のプレス型を利用して
1回のプレスで同時【二処理せず1組のプレス型で連続
的に打ちぬいて行き一連のフレームを作るのが望ましい
。
図中21aは後で説明される封止体内(図中2.截鎖線
15で包囲された部分)に位置するリード部分(内部リ
ード部)を示し、その先端は上記素子数り付は位置8の
外周にほぼ一致するように形成するとよい。21bは封
止体外部に導出させるリード部分(外部リード部)を示
す。ここで注目されることは、外部リード部の長さが交
互に異なり、そしてそのフレーム20の外枠(20b)
に対して連結していないもの(2lb、、 2 lb3
.2 lb、)と連結しているもの(21b2.21
b4)とがあることである。外部リード部の長さを交互
に異ならせているのは、後述するようにリードを折り曲
げてほぼ同し高さのリード配列群を2列とした電子装置
を得るためである。外部リード部21b2.2 lb、
の先端は外枠20bに連結され、組立時にその先端が折
り曲がるのを防止している。一方、外部リード部21+
)、、 21b3.21bsの先端は自由端となってい
るが、リード長が短いことや外部リード部2 lb2.
211114等によって取り囲まれていることから、そ
の先端は折り曲がりにくい。したがって、このリードフ
レームを用いた電子装置の組立は自動化を計り伜すくな
る。
15で包囲された部分)に位置するリード部分(内部リ
ード部)を示し、その先端は上記素子数り付は位置8の
外周にほぼ一致するように形成するとよい。21bは封
止体外部に導出させるリード部分(外部リード部)を示
す。ここで注目されることは、外部リード部の長さが交
互に異なり、そしてそのフレーム20の外枠(20b)
に対して連結していないもの(2lb、、 2 lb3
.2 lb、)と連結しているもの(21b2.21
b4)とがあることである。外部リード部の長さを交互
に異ならせているのは、後述するようにリードを折り曲
げてほぼ同し高さのリード配列群を2列とした電子装置
を得るためである。外部リード部21b2.2 lb、
の先端は外枠20bに連結され、組立時にその先端が折
り曲がるのを防止している。一方、外部リード部21+
)、、 21b3.21bsの先端は自由端となってい
るが、リード長が短いことや外部リード部2 lb2.
211114等によって取り囲まれていることから、そ
の先端は折り曲がりにくい。したがって、このリードフ
レームを用いた電子装置の組立は自動化を計り伜すくな
る。
上記多数の外部リード部21bの間はリードフレーム2
0の1部を構成するリード保持部22a。
0の1部を構成するリード保持部22a。
22b(総称して22とする)によって連結されており
、リード保持部22の位置は少なくとも外部リード部2
1bであればどこでもよく全部であってもよいが、内部
リード部21aの機械的保持の目的から少なくともその
一部を封止部の境界線15になるべく近く形成すること
が望まれる。特にレジン等のl・ランスファーモールド
(射出成形)による封止を採用する場合においては封止
材の流れどめの目的をかねさせることから重要な意味を
もつ。また外部リード部21bがリード線としての形を
もつ本例において2つのリード保持部22&。
、リード保持部22の位置は少なくとも外部リード部2
1bであればどこでもよく全部であってもよいが、内部
リード部21aの機械的保持の目的から少なくともその
一部を封止部の境界線15になるべく近く形成すること
が望まれる。特にレジン等のl・ランスファーモールド
(射出成形)による封止を採用する場合においては封止
材の流れどめの目的をかねさせることから重要な意味を
もつ。また外部リード部21bがリード線としての形を
もつ本例において2つのリード保持部22&。
22bの幅が互に異なっているのはリードフレーム20
の表裏を一目して明確化し、かつ幅の広い方22bはモ
ールド材注入用パイプ(ランナー)の一部を構成せしめ
るためである。また本例においてはリード部21bの先
端を先細に形成し、プリント基板等への挿入を容易にし
たためリード部21bに対し外界から不必要な機械的作
用を受けやすく、それを防止するためリードフレーム2
0によって外部リード部21bを包囲する如く形成した
ものであり、これによって装置として完成するまでの各
工程および各工程間の運搬においてリード部21bの不
必要な変形が防止される。
の表裏を一目して明確化し、かつ幅の広い方22bはモ
ールド材注入用パイプ(ランナー)の一部を構成せしめ
るためである。また本例においてはリード部21bの先
端を先細に形成し、プリント基板等への挿入を容易にし
たためリード部21bに対し外界から不必要な機械的作
用を受けやすく、それを防止するためリードフレーム2
0によって外部リード部21bを包囲する如く形成した
ものであり、これによって装置として完成するまでの各
工程および各工程間の運搬においてリード部21bの不
必要な変形が防止される。
リードフレーム20に形成された孔23は後に行なわれ
る組立、リード保持部切断およびモールド時の位置合せ
用ガイドとして利用されるガイド孔である。
る組立、リード保持部切断およびモールド時の位置合せ
用ガイドとして利用されるガイド孔である。
孔24はタブリード25を形成するために形成されたタ
ブリード孔であり、このタブリード25は7ランジ1に
接続するためのタブリード25aと7ランジ1の主面と
リードフレームの主面との間隔を一定に保つだめのタブ
リード25bとを有し、特にタブリード25aと内部リ
ード部21aとの位置関係を一定に保つことが7ランジ
1の素子取付位置とを合せる上で重要であり、そのため
上記タブリード25の輪郭を形づくる切り込み孔24を
第6図に示すように上記内部リード部21aを形成する
ホトエツチング処理で同時に形成してその位置関係を一
定に規定しておき、つぎにプレス成形によりタブリード
とすべき部分25を折り曲げればよい。さらに他の方法
としてプレス打ちぬきおよびプレス成形技術により同時
または順次に内部リード部21aおよびタブリード25
を形成すればよい。このようなリードフレームはリード
線のソルグビリティーを高め、また後記する素子リード
フレーム間のワイヤーボンディングの接続を良好ならし
め、かつ防蝕の目的で例えば1μ以上の厚さの銀メッキ
が施される。かかる銀メッキ処理はホトエツチング処理
を利用する場合はエツチング後ただちに行なうかまたは
プレス成形後行なえばよく、また全てプレスで行なう場
合にはプレス前後いずれでもよい。また上記目的を達成
するための材料としては金があるが、高価であり、工業
的には銀が好ましい。
ブリード孔であり、このタブリード25は7ランジ1に
接続するためのタブリード25aと7ランジ1の主面と
リードフレームの主面との間隔を一定に保つだめのタブ
リード25bとを有し、特にタブリード25aと内部リ
ード部21aとの位置関係を一定に保つことが7ランジ
1の素子取付位置とを合せる上で重要であり、そのため
上記タブリード25の輪郭を形づくる切り込み孔24を
第6図に示すように上記内部リード部21aを形成する
ホトエツチング処理で同時に形成してその位置関係を一
定に規定しておき、つぎにプレス成形によりタブリード
とすべき部分25を折り曲げればよい。さらに他の方法
としてプレス打ちぬきおよびプレス成形技術により同時
または順次に内部リード部21aおよびタブリード25
を形成すればよい。このようなリードフレームはリード
線のソルグビリティーを高め、また後記する素子リード
フレーム間のワイヤーボンディングの接続を良好ならし
め、かつ防蝕の目的で例えば1μ以上の厚さの銀メッキ
が施される。かかる銀メッキ処理はホトエツチング処理
を利用する場合はエツチング後ただちに行なうかまたは
プレス成形後行なえばよく、また全てプレスで行なう場
合にはプレス前後いずれでもよい。また上記目的を達成
するための材料としては金があるが、高価であり、工業
的には銀が好ましい。
上記のいずれの方法によってもリードフレーム20の長
さ方向(図中左右の方向)と同じ方向にそっでタブリー
ド25aを曲げるようにした場合にはタブリード25(
1の一側端20と内部リード部2ia群の中心27(素
子取付位置8の中心と合致する)とのリードフレーム2
0平面上での長さ方向の距離Wが上記タブ25aの曲げ
成形前後において全く変動しないということは重要なこ
とであり、それによって極めて精度の高い位置関係を保
つことができる。そしてかかるタブリード25aは原理
的には一連のリードフレームに対し1個所あればその基
本的目的を達成することができる。
さ方向(図中左右の方向)と同じ方向にそっでタブリー
ド25aを曲げるようにした場合にはタブリード25(
1の一側端20と内部リード部2ia群の中心27(素
子取付位置8の中心と合致する)とのリードフレーム2
0平面上での長さ方向の距離Wが上記タブ25aの曲げ
成形前後において全く変動しないということは重要なこ
とであり、それによって極めて精度の高い位置関係を保
つことができる。そしてかかるタブリード25aは原理
的には一連のリードフレームに対し1個所あればその基
本的目的を達成することができる。
第7図および第8図は上記リードフレーム20の上記タ
ブリード形成部を拡大して示す斜視図およびそのB−B
縦断面図であってリードフレーム20の主面28と直交
する一基線2つに対し互に対称な一対のタブリード25
aを有し、リードフレーム20の長さ方向と直交する方
向の位置ずれが生じないようにしである。そしてこの場
合上記タブリード25aが一連のリードフレームに対し
一対であれば原理的にはその基本目的を達することがで
与る。さらにタブリード25とそれと連なるリードフレ
ーム20の主面部分28との成す角度30は90°より
若干大きく180°より充分小さく形成されており、こ
れとリードフレーム20の弾性によって7ランジ1との
接続を強固なものとすることができる。またタブリード
25aの先端はさらに外方に曲げられているがこれは上
記7ランジ1との接続さらに強固なものとするためであ
り、また上記タブリード25aの先端を7ランジ1にお
ける一対のタブリード挿入孔4のそれぞれほぼ中心に1
立置するようにすれば7ランジ1に対するリードフレー
ム20の接続は極めて容易なものとなる。上述の如く弾
性を利用する場合の材質としてはリン青銅の他コバール
、鉄ニツケル合金、ニッケル等が利用し得る。またタブ
リード25bはかならずしもタブリード25aと同一部
分に形成する必要はないがプレス成形型を簡単化する上
において同一部分の方が有効であり、またタブリード2
5aを7ランジ1にかしめ付けるときの応力が内部リー
ド部21a等へ達しないよう補強する意味においてタブ
リード25aの両側にそれと一体に形成することは有効
である。さらにリードフレーム20と7ランジとの間隔
を一定に制御する他の方法としては、上記7ランジの下
に平担にして7ランジと密着する治具をおぎ、その面に
対し、タブリード25aの先端が接するように成す方法
がある。
ブリード形成部を拡大して示す斜視図およびそのB−B
縦断面図であってリードフレーム20の主面28と直交
する一基線2つに対し互に対称な一対のタブリード25
aを有し、リードフレーム20の長さ方向と直交する方
向の位置ずれが生じないようにしである。そしてこの場
合上記タブリード25aが一連のリードフレームに対し
一対であれば原理的にはその基本目的を達することがで
与る。さらにタブリード25とそれと連なるリードフレ
ーム20の主面部分28との成す角度30は90°より
若干大きく180°より充分小さく形成されており、こ
れとリードフレーム20の弾性によって7ランジ1との
接続を強固なものとすることができる。またタブリード
25aの先端はさらに外方に曲げられているがこれは上
記7ランジ1との接続さらに強固なものとするためであ
り、また上記タブリード25aの先端を7ランジ1にお
ける一対のタブリード挿入孔4のそれぞれほぼ中心に1
立置するようにすれば7ランジ1に対するリードフレー
ム20の接続は極めて容易なものとなる。上述の如く弾
性を利用する場合の材質としてはリン青銅の他コバール
、鉄ニツケル合金、ニッケル等が利用し得る。またタブ
リード25bはかならずしもタブリード25aと同一部
分に形成する必要はないがプレス成形型を簡単化する上
において同一部分の方が有効であり、またタブリード2
5aを7ランジ1にかしめ付けるときの応力が内部リー
ド部21a等へ達しないよう補強する意味においてタブ
リード25aの両側にそれと一体に形成することは有効
である。さらにリードフレーム20と7ランジとの間隔
を一定に制御する他の方法としては、上記7ランジの下
に平担にして7ランジと密着する治具をおぎ、その面に
対し、タブリード25aの先端が接するように成す方法
がある。
上述のようにして得られたリードフレーム20のタブリ
ード2Saを素子13を取り付けた7ランジ1のタブリ
ード挿入部4に挿入する。このとぎ、タブリード251
)は上記7ランジの上面に接し、7ランジリ一ドフレー
ム間の間隔を一定に規定する。一方リードフレームのタ
ブリード25bの先端と同じ高さにおけるタブリード2
5aの幅31はタブリード挿入部4の長さ16とほぼ同
一とすればよくその差はリードフレーム20の内部リー
ド部21a先端と素子取り刊は位置8との間で許容され
る値以内に定められるべぎであり、タブリード25aの
先端部の幅はそれより充分小さくしておいてタブリード
挿入部4への挿入をスムーズにするとよい。前述した如
く考慮をはらって作られリードフレーム20および7ラ
ンジを用いた場合上記の内部リード部21aと素子取り
付は部8との位置関係は上記タブリード25aの挿入の
みによって一義的に決定される。
ード2Saを素子13を取り付けた7ランジ1のタブリ
ード挿入部4に挿入する。このとぎ、タブリード251
)は上記7ランジの上面に接し、7ランジリ一ドフレー
ム間の間隔を一定に規定する。一方リードフレームのタ
ブリード25bの先端と同じ高さにおけるタブリード2
5aの幅31はタブリード挿入部4の長さ16とほぼ同
一とすればよくその差はリードフレーム20の内部リー
ド部21a先端と素子取り刊は位置8との間で許容され
る値以内に定められるべぎであり、タブリード25aの
先端部の幅はそれより充分小さくしておいてタブリード
挿入部4への挿入をスムーズにするとよい。前述した如
く考慮をはらって作られリードフレーム20および7ラ
ンジを用いた場合上記の内部リード部21aと素子取り
付は部8との位置関係は上記タブリード25aの挿入の
みによって一義的に決定される。
上述の如く位置合せされた後第1図に矢印6で示す方向
より圧力を加えタブリードおさえ部5を変形させてタブ
リードをスリット4内に固定させる。このとき第9図に
断面図にて示す如く矢印6の方向の圧力によってタブリ
ード25aがスリット内の上部および下部に接し、さら
に加圧されしかもリードフレームにはある程度の弾性を
もたせであるから両者の接触は極めて強固なものとなる
。
より圧力を加えタブリードおさえ部5を変形させてタブ
リードをスリット4内に固定させる。このとき第9図に
断面図にて示す如く矢印6の方向の圧力によってタブリ
ード25aがスリット内の上部および下部に接し、さら
に加圧されしかもリードフレームにはある程度の弾性を
もたせであるから両者の接触は極めて強固なものとなる
。
第10図は上述したタブリード25aをスリット4内に
おいてかしめ付けした状態を示す要部上面図であり、こ
こで注意すべき事項はタブリード2Saの中央部すなわ
ち本例ではタブリードおさえ部5の先端部のみによって
かしめ付けが行なわれている点であり、封止後上記かし
め付が行なわれているスリット4の中央部のみで7ラン
ジの切断を行なう如く成しである点であり、これによっ
て、かしめ圧力を低減でb、かつ切断可能な幅が大トく
とれる。
おいてかしめ付けした状態を示す要部上面図であり、こ
こで注意すべき事項はタブリード2Saの中央部すなわ
ち本例ではタブリードおさえ部5の先端部のみによって
かしめ付けが行なわれている点であり、封止後上記かし
め付が行なわれているスリット4の中央部のみで7ラン
ジの切断を行なう如く成しである点であり、これによっ
て、かしめ圧力を低減でb、かつ切断可能な幅が大トく
とれる。
第11図は素子13の一生表面に位置する電極端子と内
部リード部21aとの間をワイヤーボンディングにより
電気的に接続する一例を示している。図面中32は例え
ば50μφ程度の金、アルミニウム等のコネクタワイヤ
であり、その材質は電極端子および内部リード部21a
の先端表面材質および接続技術によって種々選択され得
る。例えば電極端子がアルミニウム、内部リード端子2
1aの先端表面材質が銀で、接続技術が熱圧着法にであ
る場合には、金が適しており、超音波溶接による場合は
アルミニウムが適している。上述の如外ワイヤーボンデ
ィングにおいては内部リード部21aとコネクタワイヤ
32との接続において多少なりとも圧力を加える必要が
あり、そのため内部リード部21aが曲がる。一方熱圧
着による場合内部リード部21aの先端および素子電極
を350°C程度に加熱する必要があり、また超音波溶
接においても核部を100℃程度に加熱しておくことが
望ましい。このために第11図(a)、 (b)に示す
如く鉄、銅等の熱伝導良好な金属スペーサ33を7ラン
ジの長さ方向と直交する方向より介入せしめ、介在させ
ボンディング後とりさる如く成せばよい。このとき上記
金属スペーサ33を加熱しておけば内部リード部21a
を直接加熱することもできる。また第12図においては
セラミックリング等の絶縁物スペーサを7ランジ1とリ
ードフレームとの接続以前に銀箔10によって位置定め
して介在させておき完成後もそのまま付けたままの状態
となしたものである。いずれの場合においても上記加熱
は7ランジの載置台34を加熱体とするのが簡単である
から上記スペーサ33を熱伝導の良好な金属またはアル
ミナセラミックス。
部リード部21aとの間をワイヤーボンディングにより
電気的に接続する一例を示している。図面中32は例え
ば50μφ程度の金、アルミニウム等のコネクタワイヤ
であり、その材質は電極端子および内部リード部21a
の先端表面材質および接続技術によって種々選択され得
る。例えば電極端子がアルミニウム、内部リード端子2
1aの先端表面材質が銀で、接続技術が熱圧着法にであ
る場合には、金が適しており、超音波溶接による場合は
アルミニウムが適している。上述の如外ワイヤーボンデ
ィングにおいては内部リード部21aとコネクタワイヤ
32との接続において多少なりとも圧力を加える必要が
あり、そのため内部リード部21aが曲がる。一方熱圧
着による場合内部リード部21aの先端および素子電極
を350°C程度に加熱する必要があり、また超音波溶
接においても核部を100℃程度に加熱しておくことが
望ましい。このために第11図(a)、 (b)に示す
如く鉄、銅等の熱伝導良好な金属スペーサ33を7ラン
ジの長さ方向と直交する方向より介入せしめ、介在させ
ボンディング後とりさる如く成せばよい。このとき上記
金属スペーサ33を加熱しておけば内部リード部21a
を直接加熱することもできる。また第12図においては
セラミックリング等の絶縁物スペーサを7ランジ1とリ
ードフレームとの接続以前に銀箔10によって位置定め
して介在させておき完成後もそのまま付けたままの状態
となしたものである。いずれの場合においても上記加熱
は7ランジの載置台34を加熱体とするのが簡単である
から上記スペーサ33を熱伝導の良好な金属またはアル
ミナセラミックス。
ベリリア磁器の如ト熱伝導の良好な絶縁物であることが
好まれる。
好まれる。
さらに他の例によればキャピラリ35により、コネクタ
ワイヤ32を電極端子に接続し、次に第13図(a)に
示すように内部リード部21aの弾性を利用して接続時
に内部リード部21aの先端を7ランジ1または銀箔上
に接触せしめて核部を加熱してコネクタワイヤを接続し
、その後内部リード部21aの弾性を利用して第13図
(b)に示すようにもとの位置に復帰せしめることによ
り実施することができる。この場合素子13に対する接
続を先に行なうと第13図(b)に示すように内部リー
ド部211)がもとの位置に復帰するとぎにコネクタワ
イヤ32を上方に引くという問題があり、その対策とし
てはコネクタワイヤ32に充分なタワミを設けておいて
コネクタワイヤを第13図(a)に示す如く接続する。
ワイヤ32を電極端子に接続し、次に第13図(a)に
示すように内部リード部21aの弾性を利用して接続時
に内部リード部21aの先端を7ランジ1または銀箔上
に接触せしめて核部を加熱してコネクタワイヤを接続し
、その後内部リード部21aの弾性を利用して第13図
(b)に示すようにもとの位置に復帰せしめることによ
り実施することができる。この場合素子13に対する接
続を先に行なうと第13図(b)に示すように内部リー
ド部211)がもとの位置に復帰するとぎにコネクタワ
イヤ32を上方に引くという問題があり、その対策とし
てはコネクタワイヤ32に充分なタワミを設けておいて
コネクタワイヤを第13図(a)に示す如く接続する。
または、はじめ内部リード部21aへのコネクタワイヤ
32の接続を行ない、内部リード部21aがもとの位置
に復帰したのち素子13の電極端子にコネクタワイヤを
接続するようにしてもよい。
32の接続を行ない、内部リード部21aがもとの位置
に復帰したのち素子13の電極端子にコネクタワイヤを
接続するようにしてもよい。
つぎに上記により組立の完了したものをモールド型内に
おさめ、第14図(a)、 (b)に示すように上記リ
ードフレーム20における幅の広い方のリード保持部2
2bを底とするレジン注入パイプライン(ライナー)3
6を構成せしめ、レジン等の封人材を注入せしめ、レジ
ンの固化後モールド治具を取りはずし、リード保持部2
2および外部リード部21bの先端がリードフレーム2
0に接している場合は核部も切断し、前述の如く7ラン
ジ1を各装置毎に切断すれば第15図に示す如き構造物
が得られ、これをさらに適当におりまげれば第16図に
示すようにプリント基板の孔にリード部21を挿入しや
すい構造とすることがでべろ。
おさめ、第14図(a)、 (b)に示すように上記リ
ードフレーム20における幅の広い方のリード保持部2
2bを底とするレジン注入パイプライン(ライナー)3
6を構成せしめ、レジン等の封人材を注入せしめ、レジ
ンの固化後モールド治具を取りはずし、リード保持部2
2および外部リード部21bの先端がリードフレーム2
0に接している場合は核部も切断し、前述の如く7ラン
ジ1を各装置毎に切断すれば第15図に示す如き構造物
が得られ、これをさらに適当におりまげれば第16図に
示すようにプリント基板の孔にリード部21を挿入しや
すい構造とすることがでべろ。
すなわち、第16図に示されているように、封止材(封
止体)37より導入しているい外部リード部21は、封
止体37より近接して折り曲げられた一つの列をなす第
1のリード群と、その第1のリード群をなすリード間に
おいて封止体37より遠ざけて折り曲げられた他の列を
なす第2のリード群とより成っている。このことより、
実質的にリード間隔は充分大きくなり、かつ安定してい
るため図示されていないが、プリント基板への実装が容
易となる。そして、さらに実装時のリード間ショートも
防止できるなどのすぐれた効果をもたらす。
止体)37より導入しているい外部リード部21は、封
止体37より近接して折り曲げられた一つの列をなす第
1のリード群と、その第1のリード群をなすリード間に
おいて封止体37より遠ざけて折り曲げられた他の列を
なす第2のリード群とより成っている。このことより、
実質的にリード間隔は充分大きくなり、かつ安定してい
るため図示されていないが、プリント基板への実装が容
易となる。そして、さらに実装時のリード間ショートも
防止できるなどのすぐれた効果をもたらす。
第1図は7ランジを示す上面図、第2図は第1図におけ
るA−A部組断面図、第3図は第2図における7ランジ
にニッケル被膜を形成し、かつ銀箔を接続する状態を示
す縦断面図、第4図は第3図に示す7ランジに電子素子
を接続した状態を示す縦断面図、第5図はリードフレー
ムを示す上面図、第6図はリードフレームを製作する一
工程におけるリードフレームの一部を示す拡大図、第7
図および第8図はそれぞれリードフレームの一部を拡大
して示す斜視図およびB−B面縦断面図、第9図および
第10図はそれぞれリードフレームと7ランジとの接続
状態を示す断面図および上面図、第11図(、)はリー
ドフレームと素子との間を電気的に接続する状態を示す
平面図、第11図(1〕)、第12図および第13図(
a)、 (b)はいずれもリードフレームと素子との間
を電気的に接続する状態を示す断面図、第14図(a)
、 (b)はそれぞれレジン注入パイプラインの位置を
示す上面図お゛よび側断面図、第15図は完成された電
子装置の一例を示す斜視図であり、第16図は完成され
た電子装置の池の一例を示す斜視図である。 1:7ランノ本体、2:モールド材流れ防止用切り込み
部、3:ボルト通し孔、4:タブリード゛挿入部、5:
タブリードおさえ部、6:タブリードおさえ部に加える
圧力の方向、7:素子取り付は位置を示す溝、8:素子
取り付は位置、9:ニッケル被膜、10:銀箔、11:
電気溶接用電極、12:電気溶接用電極、13:電子素
子、14:金・シリコン共晶ろう材、15:封止体の境
界線、16:タブ挿入部の長さ、20: リードフレー
ム、21: リード線、21a:内部リード部、21b
l、 2 lb2.2 lb、、 2 lb、、 21
b5:外部1ノ一ド部、22:リード保持部、22a:
幅の狭いリード保持部、22b二幅の広いリード保持部
、23;〃イド孔、24:、タブ形成用切り込み孔、2
5:タブリード、26:タブリード側端、27:内部リ
ード部群の中心、28: リードフレームの一生面、2
9: リードフレームの一生面と直交する一基線、30
:リードフレームとタブリードとの成す角、31:タブ
リード25aの幅、32:コネクタワイヤ、33ニスペ
ーサ、34:7ランノ載置台、35:キャピラリ、36
:レジン注入パイプライン、37:レジン等の封止材。 第1図 6 第4図 第 5 図 第 7 図 第 9 図 0 第11図 第12図 第13図 第14図 0 322− 第14図 (b) 第15図 1 3ワ 21
るA−A部組断面図、第3図は第2図における7ランジ
にニッケル被膜を形成し、かつ銀箔を接続する状態を示
す縦断面図、第4図は第3図に示す7ランジに電子素子
を接続した状態を示す縦断面図、第5図はリードフレー
ムを示す上面図、第6図はリードフレームを製作する一
工程におけるリードフレームの一部を示す拡大図、第7
図および第8図はそれぞれリードフレームの一部を拡大
して示す斜視図およびB−B面縦断面図、第9図および
第10図はそれぞれリードフレームと7ランジとの接続
状態を示す断面図および上面図、第11図(、)はリー
ドフレームと素子との間を電気的に接続する状態を示す
平面図、第11図(1〕)、第12図および第13図(
a)、 (b)はいずれもリードフレームと素子との間
を電気的に接続する状態を示す断面図、第14図(a)
、 (b)はそれぞれレジン注入パイプラインの位置を
示す上面図お゛よび側断面図、第15図は完成された電
子装置の一例を示す斜視図であり、第16図は完成され
た電子装置の池の一例を示す斜視図である。 1:7ランノ本体、2:モールド材流れ防止用切り込み
部、3:ボルト通し孔、4:タブリード゛挿入部、5:
タブリードおさえ部、6:タブリードおさえ部に加える
圧力の方向、7:素子取り付は位置を示す溝、8:素子
取り付は位置、9:ニッケル被膜、10:銀箔、11:
電気溶接用電極、12:電気溶接用電極、13:電子素
子、14:金・シリコン共晶ろう材、15:封止体の境
界線、16:タブ挿入部の長さ、20: リードフレー
ム、21: リード線、21a:内部リード部、21b
l、 2 lb2.2 lb、、 2 lb、、 21
b5:外部1ノ一ド部、22:リード保持部、22a:
幅の狭いリード保持部、22b二幅の広いリード保持部
、23;〃イド孔、24:、タブ形成用切り込み孔、2
5:タブリード、26:タブリード側端、27:内部リ
ード部群の中心、28: リードフレームの一生面、2
9: リードフレームの一生面と直交する一基線、30
:リードフレームとタブリードとの成す角、31:タブ
リード25aの幅、32:コネクタワイヤ、33ニスペ
ーサ、34:7ランノ載置台、35:キャピラリ、36
:レジン注入パイプライン、37:レジン等の封止材。 第1図 6 第4図 第 5 図 第 7 図 第 9 図 0 第11図 第12図 第13図 第14図 0 322− 第14図 (b) 第15図 1 3ワ 21
Claims (1)
- 1、複数の外部リード部を有し、それらリード部は先端
がフレーム部に連結しているものと連結していないもの
とから成ることを特徴とする電子装置用リードフレーム
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195983A JPS602777B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 電子装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195983A JPS602777B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 電子装置用リ−ドフレ−ム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52154495A Division JPS5810861B2 (ja) | 1977-12-23 | 1977-12-23 | 電子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989448A true JPS5989448A (ja) | 1984-05-23 |
| JPS602777B2 JPS602777B2 (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=16350255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195983A Expired JPS602777B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 電子装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602777B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02136337U (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-14 | ||
| JP2006013253A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Hitachi Cable Precision Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
| JP2023146128A (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置のリードフレーム、半導体装置の一体型リードフレーム及び半導体装置 |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP58195983A patent/JPS602777B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02136337U (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-14 | ||
| JP2006013253A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Hitachi Cable Precision Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
| JP2023146128A (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置のリードフレーム、半導体装置の一体型リードフレーム及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS602777B2 (ja) | 1985-01-23 |
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