JPS5990628A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS5990628A JPS5990628A JP20076682A JP20076682A JPS5990628A JP S5990628 A JPS5990628 A JP S5990628A JP 20076682 A JP20076682 A JP 20076682A JP 20076682 A JP20076682 A JP 20076682A JP S5990628 A JPS5990628 A JP S5990628A
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- discharge electrode
- electrode
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- discharge
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空排気系内に放電電極、ガス導入系、排気口
、ならびに薄膜を形成するための基材を有するプラズマ
ＣＶＤ装置において、中央に排気口を、そしてその周囲
に放電市１極、ガス導入系、および基材を西装置するこ
とによシ、Ｎ膜デバイス、たとえば、静電複写用の感光
ドラム相互間の膜厚卦よび膜質の均一化をはかったプラ
ズマＣＶＤ装置に関する。
、ならびに薄膜を形成するための基材を有するプラズマ
ＣＶＤ装置において、中央に排気口を、そしてその周囲
に放電市１極、ガス導入系、および基材を西装置するこ
とによシ、Ｎ膜デバイス、たとえば、静電複写用の感光
ドラム相互間の膜厚卦よび膜質の均一化をはかったプラ
ズマＣＶＤ装置に関する。
近年アモルファスシリコンを中心とし、プラズマＣＶＤ
法による薄膜デバイスの研究が盛んである。その中でと
ぐに複写機用感光体は注目されているデバイスの一つで
ある。
法による薄膜デバイスの研究が盛んである。その中でと
ぐに複写機用感光体は注目されているデバイスの一つで
ある。
第１図は従来のアモルファスシリコン（以下ではα−ｓ
７とかぐ）感光体製造装置の１例で放電電極、感光ドラ
ム基材、排気口との関係を示した図であシ、感光ドラム
の中心軸と垂直に交わる面で切断した場合の断面をも示
している。
７とかぐ）感光体製造装置の１例で放電電極、感光ドラ
ム基材、排気口との関係を示した図であシ、感光ドラム
の中心軸と垂直に交わる面で切断した場合の断面をも示
している。
同図において１０１は感光ドラム基材、１０２は放電電
極、１０３は放電電極の中空部分、１０４目ガスの放出
口、１０５はガス導入管、１０６は排気口、１０７は排
気用のパイプである。
極、１０３は放電電極の中空部分、１０４目ガスの放出
口、１０５はガス導入管、１０６は排気口、１０７は排
気用のパイプである。
真空チャンバー内に配置されたこのような系でガス導入
管１０５から、α−ｓ７作製に必要なガス、すなわち水
素、アルゴン、モノシラン、メタンそしてジボラン等の
混合ガスを放電電極の空間部分１０３へと導入する。こ
のガスは多数の放出Ｄ １０４から感光ドラム基材へと
放出される。このとき、放電電極１０２を感光ドラム基
材】０大との間で高周波放電をおこすと、モノシラン、
メタン、ジボランガスが分解され、水素、炭素、ホウ素
を含むａ−ｓ６膜がドラム基材１０１の表面」二に堆積
する。ドラム基材を回転させて膜厚の均一性をはかる。
管１０５から、α−ｓ７作製に必要なガス、すなわち水
素、アルゴン、モノシラン、メタンそしてジボラン等の
混合ガスを放電電極の空間部分１０３へと導入する。こ
のガスは多数の放出Ｄ １０４から感光ドラム基材へと
放出される。このとき、放電電極１０２を感光ドラム基
材】０大との間で高周波放電をおこすと、モノシラン、
メタン、ジボランガスが分解され、水素、炭素、ホウ素
を含むａ−ｓ６膜がドラム基材１０１の表面」二に堆積
する。ドラム基材を回転させて膜厚の均一性をはかる。
残シのガスは排気口１０６．および排気用パイプ１０７
を通してポンプで排気される。
を通してポンプで排気される。
このような装置で多数の感光ドラムを作製する場合、ド
ラム間で膜厚の均一性が得られないという欠点を有して
いる。すなわち、それぞれのドラムから排気用パイプ１
０７までの距離、ならびにガス尋人管】０５１での距離
が異なるため、ドラム近傍を流れるガス流量に差ができ
、それが膜厚の差となって表われる。
ラム間で膜厚の均一性が得られないという欠点を有して
いる。すなわち、それぞれのドラムから排気用パイプ１
０７までの距離、ならびにガス尋人管】０５１での距離
が異なるため、ドラム近傍を流れるガス流量に差ができ
、それが膜厚の差となって表われる。
第１図に示すような５木取）の装置の場合、通常の作製
条件で感光ドラムを作製すると、中心に置かれた感光ド
ラムに対して両端の感光ドラムの膜厚は約０．８５倍で
ある。このように膜厚のロット内のばらつきが大きいこ
とは、帯雷、電位がばらつくことになシ、量産上大きな
問題である。
条件で感光ドラムを作製すると、中心に置かれた感光ド
ラムに対して両端の感光ドラムの膜厚は約０．８５倍で
ある。このように膜厚のロット内のばらつきが大きいこ
とは、帯雷、電位がばらつくことになシ、量産上大きな
問題である。
本発明はかかる欠点を除去したものであって、その目的
とするところは、ロット内の感光ドラムの膜厚と膜質の
均一性をはかることにある。
とするところは、ロット内の感光ドラムの膜厚と膜質の
均一性をはかることにある。
第２図は本発明の感光体製造装置における放電電極、感
光ドラム基材および排気口の関係を示した図である。
光ドラム基材および排気口の関係を示した図である。
同図にお込て、２０１は感光ドラム暴利、２０２は放電
電極、２０３は真空チャンバ、２０４はガス放出口、２
０５はガス導入管、２０６は排気［’：ｌ、２０７は排
気用のパイプ、２０８は放電１電極のわれ目である。
電極、２０３は真空チャンバ、２０４はガス放出口、２
０５はガス導入管、２０６は排気［’：ｌ、２０７は排
気用のパイプ、２０８は放電１電極のわれ目である。
この装置において、モノシラン、ジボラン、メタン、水
素、そしてアルゴンの混合ガスがガス導入管２０５を通
って放電電極２０２に導入される。
素、そしてアルゴンの混合ガスがガス導入管２０５を通
って放電電極２０２に導入される。
放電電極２０２は２枚の金属板によって中空部分が作ら
れている。この中空部分に導入された混合ガスは電極の
内側面に設けられたガス放出口２０４からドラム基材２
０１に向っ゛〔放出される。
れている。この中空部分に導入された混合ガスは電極の
内側面に設けられたガス放出口２０４からドラム基材２
０１に向っ゛〔放出される。
さらにこのガスは放電電極のわれ目２０８から排気口２
０６によって排気され、排気用のパイプ２０７を通って
ポンプへと導かれる。
０６によって排気され、排気用のパイプ２０７を通って
ポンプへと導かれる。
との状態で感光ドラム基材２０１と放電電極２０２との
間で高周波放電を起こすと、モノシランガス、ジボラン
ガス、そしてメタンガスが分解され感光ドラム基材２０
１の表面上に、炭素、水素そして硼素を含んだａ−８ｉ
Ｍが形成される。
間で高周波放電を起こすと、モノシランガス、ジボラン
ガス、そしてメタンガスが分解され感光ドラム基材２０
１の表面上に、炭素、水素そして硼素を含んだａ−８ｉ
Ｍが形成される。
感光ドラム内の膜厚卦よびＭ質の均一性を得るためにド
ラム基材は円柱の軸を中心にしてデポジション時に回転
させる。
ラム基材は円柱の軸を中心にしてデポジション時に回転
させる。
第２図かられかるように、ガス放出に２０４から排気口
２０６までの相対位置関係はどの放電電極に関しても′
同じである。したがって、それぞれの放電電極から放出
されるガス流に対するインピーダンスはいずれも等しく
、ガスの流れ方も等しい。
２０６までの相対位置関係はどの放電電極に関しても′
同じである。したがって、それぞれの放電電極から放出
されるガス流に対するインピーダンスはいずれも等しく
、ガスの流れ方も等しい。
この装置において混合ガスの流量を各電極毎に２００
ＣＣ／ｍｉｎ。とし、各電極において、５００Ｗのパワ
ーで約４時間高周波放電させた。得られた感光ドラムの
ａ−８ｊ層の厚さを測定すると、膜厚の１番厚い感光ド
ラムでは膜厚の平均値が２１．２μ・ｍ、 、 １番薄
いもので１９．９μｍであった。すなわち、最少値と最
大値の比は０．９４であった。１０回の実験では０．９
３〜０．９７であシ、従来の０．８５に比べて、ロット
内のばらつきは半分以下に改善された。また膜質につい
ても帯電電位の測定からばらつきが半減さｈていること
がわかった。
ＣＣ／ｍｉｎ。とし、各電極において、５００Ｗのパワ
ーで約４時間高周波放電させた。得られた感光ドラムの
ａ−８ｊ層の厚さを測定すると、膜厚の１番厚い感光ド
ラムでは膜厚の平均値が２１．２μ・ｍ、 、 １番薄
いもので１９．９μｍであった。すなわち、最少値と最
大値の比は０．９４であった。１０回の実験では０．９
３〜０．９７であシ、従来の０．８５に比べて、ロット
内のばらつきは半分以下に改善された。また膜質につい
ても帯電電位の測定からばらつきが半減さｈていること
がわかった。
このように本発明はプラズマＣＶＤ装置において膜厚お
よび膜質のロット内のばらつきを従来の約半分にするも
のであシ、量産装置として非常に有効なものである。
よび膜質のロット内のばらつきを従来の約半分にするも
のであシ、量産装置として非常に有効なものである。
また上述の説明ではσ、−ｓ６感光体について説明して
きたが、本発明の価値は必ずしもα−８ｉ感光体に限る
ものではなく、例えば、５ｈｏ２や５ｚ３Ｎ４膜のよう
ガ絶縁性薄膜の製造にも利用できるものであシ、本発明
の応用範囲は十分広い。
きたが、本発明の価値は必ずしもα−８ｉ感光体に限る
ものではなく、例えば、５ｈｏ２や５ｚ３Ｎ４膜のよう
ガ絶縁性薄膜の製造にも利用できるものであシ、本発明
の応用範囲は十分広い。
第１図は従来のａ−Ｂｉ感光体製造装置、第２図は本発
明の感光体製造装置における放電電極、感光ドラム基利
および排気口の関係を示した図である。 ２０１−・感光ドラム基材 ２０２・・放電電極 ２０３・・真空チャンバ ２０４・・ガス放出口 ２０５・・ガス導入管 ２０６・・排気口 ２０７・・排気用のパイプ ２０８・・放電電極のわれ目 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
明の感光体製造装置における放電電極、感光ドラム基利
および排気口の関係を示した図である。 ２０１−・感光ドラム基材 ２０２・・放電電極 ２０３・・真空チャンバ ２０４・・ガス放出口 ２０５・・ガス導入管 ２０６・・排気口 ２０７・・排気用のパイプ ２０８・・放電電極のわれ目 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１Ｊｃ空排気系内に放電電極、ガス導入系、排気口
、ならびに薄膜を形成するための基材を有するプラズマ
ＣＶＤ装置において、真空室内の中央に排気口を有し、
その周囲に放電電極、ガス導入系、および基材を配置し
たことを特徴と干るプラズマＣＶＤ装置。 （２＋放電電極の一部がガス放出用の開口を有し、がっ
、放電電極が基材を囲む形状をなしたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20076682A JPS5990628A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20076682A JPS5990628A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990628A true JPS5990628A (ja) | 1984-05-25 |
Family
ID=16429811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20076682A Pending JPS5990628A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990628A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616278A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP20076682A patent/JPS5990628A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616278A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
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