JPS5990871U - 半導体素子の特性測定装置 - Google Patents
半導体素子の特性測定装置Info
- Publication number
- JPS5990871U JPS5990871U JP18817782U JP18817782U JPS5990871U JP S5990871 U JPS5990871 U JP S5990871U JP 18817782 U JP18817782 U JP 18817782U JP 18817782 U JP18817782 U JP 18817782U JP S5990871 U JPS5990871 U JP S5990871U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- measurement equipment
- characteristic measurement
- device characteristic
- measuring current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図はレーザーダイオードのＩ−Ｌ測定装置の従来例
を示すブロック図。第２図は本考案のＩ−Ｌ測定装置の
一実施例を示すブロック図である。 １・・・・・・被測定ダイオード、２・・・・・・負荷
抵抗、３・・・・・・パルス発生器、４・・・・・・Ｉ
Ｆ検出用積分回路、５ −・・・・・・Ｘ−Ｙレゴー
ダ、６・・・・・・光出力検出用太陽電池、７・・・・
・・光出力検出用積分回路、８・・・・・・定電圧電源
、９・・・・・・コントローラー、１０・・聞２進カウ
ンター、１１．２０・・・・・・デジタルアナログ変換
器、１２・・・・・・定電流電源、１３．１４・・・・
・、ＦＥＴスイッチ、１５−・・・・・緩衝増幅器、１
６・・・・・・電流検出抵抗、１７・・・・・・サンプ
ルホールド回路、１８・・−−−−７ナログデジタル変
換器、１９・・・・・・デジタルメモリ一部、２１・・
・・・・デジタルコンパレータ部。
を示すブロック図。第２図は本考案のＩ−Ｌ測定装置の
一実施例を示すブロック図である。 １・・・・・・被測定ダイオード、２・・・・・・負荷
抵抗、３・・・・・・パルス発生器、４・・・・・・Ｉ
Ｆ検出用積分回路、５ −・・・・・・Ｘ−Ｙレゴー
ダ、６・・・・・・光出力検出用太陽電池、７・・・・
・・光出力検出用積分回路、８・・・・・・定電圧電源
、９・・・・・・コントローラー、１０・・聞２進カウ
ンター、１１．２０・・・・・・デジタルアナログ変換
器、１２・・・・・・定電流電源、１３．１４・・・・
・、ＦＥＴスイッチ、１５−・・・・・緩衝増幅器、１
６・・・・・・電流検出抵抗、１７・・・・・・サンプ
ルホールド回路、１８・・−−−−７ナログデジタル変
換器、１９・・・・・・デジタルメモリ一部、２１・・
・・・・デジタルコンパレータ部。
Claims (1)
- 半導体素子に測定用電流を供給する手段と該測定用電流
の供給時期を制御するスイッチ手段と前記測定用電流に
基づいて得られた測定結果を所定のタイミングで保持す
る手段を有することにより、規定の出力までしか、該測
定用電流を流さないことを特徴とする半導体素子の特性
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18817782U JPS5990871U (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 半導体素子の特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18817782U JPS5990871U (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 半導体素子の特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990871U true JPS5990871U (ja) | 1984-06-20 |
Family
ID=30406015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18817782U Pending JPS5990871U (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 半導体素子の特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990871U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6371668A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザの光学特性測定方法 |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP18817782U patent/JPS5990871U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6371668A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-04-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レ−ザの光学特性測定方法 |
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