JPS599107B2 - バブルメモリ−チツプ - Google Patents
バブルメモリ−チツプInfo
- Publication number
- JPS599107B2 JPS599107B2 JP15327678A JP15327678A JPS599107B2 JP S599107 B2 JPS599107 B2 JP S599107B2 JP 15327678 A JP15327678 A JP 15327678A JP 15327678 A JP15327678 A JP 15327678A JP S599107 B2 JPS599107 B2 JP S599107B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- memory chip
- bubble memory
- permalloy
- silicon oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はバブルメモリーのチップの改良に関する。
従来第１図に示す如くバブルメモリーのチップの作製法
は、先ず、非磁性のＧＧＧ（ガドリニウム、ガリウム、
ガーネット）基板１上に液相成長法を用いて磁性ガーネ
ット結晶２を形成し、更に、その上にスペーサ（酸化珪
素（ＳｉＯ２））３、導体パターン（Ａｌ−Ｃｕ）４、
第２のスペーサ（酸化珪素（ＳｉＯ２））５と順に積層
する。
は、先ず、非磁性のＧＧＧ（ガドリニウム、ガリウム、
ガーネット）基板１上に液相成長法を用いて磁性ガーネ
ット結晶２を形成し、更に、その上にスペーサ（酸化珪
素（ＳｉＯ２））３、導体パターン（Ａｌ−Ｃｕ）４、
第２のスペーサ（酸化珪素（ＳｉＯ２））５と順に積層
する。
これらのパターンおよび膜はスパッタ法、また、蒸着、
エッチング法等を用いて形成する。次にスペーサ５の上
に駆動パターン（パーマロイ）６、が蒸着、エッチング
法により積層形成され、そして、さらにその上に保護膜
Ｔ（酸化珪素（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、
窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等がスパッタ法、或はＣＶＤ法
を用いて作製される。
エッチング法等を用いて形成する。次にスペーサ５の上
に駆動パターン（パーマロイ）６、が蒸着、エッチング
法により積層形成され、そして、さらにその上に保護膜
Ｔ（酸化珪素（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、
窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等がスパッタ法、或はＣＶＤ法
を用いて作製される。
従つて、駆動パターン（パーマロイ）６は外的条件によ
るキズ、サビ等より保護するための保護膜Ｔの絶縁層で
保護される。ところで、この保護膜Ｔの絶縁材（酸化珪
素（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化珪素（
Ｓｉ３Ｎ４）、等）をスパッタ法により数μｍ以上の膜
厚に形成する工程は数十枚の処理するために６〜８時間
の長時間を要し、量産性には不向きであつた。
るキズ、サビ等より保護するための保護膜Ｔの絶縁層で
保護される。ところで、この保護膜Ｔの絶縁材（酸化珪
素（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化珪素（
Ｓｉ３Ｎ４）、等）をスパッタ法により数μｍ以上の膜
厚に形成する工程は数十枚の処理するために６〜８時間
の長時間を要し、量産性には不向きであつた。
この問題の解決法として駆動パターン（パーマロイ）６
上の保護膜Ｔとしてポリイミド樹脂を用いスピンコート
すると、前記より時間は大幅に短縮され、量産性も上り
、また、保護膜Ｔの絶縁層も数μｍ以上の膜厚を形成す
ることができる。
上の保護膜Ｔとしてポリイミド樹脂を用いスピンコート
すると、前記より時間は大幅に短縮され、量産性も上り
、また、保護膜Ｔの絶縁層も数μｍ以上の膜厚を形成す
ることができる。
しかし、ポリイミド樹脂の硬化時に３５０℃（１６０分
）の熱処理を必要とするので、第１図に示す如く、駆動
パターン（パーマロイ）６のエッヂにおけるポリイミド
樹脂Ａの部分が熱分解されもろくなり、また、駆動パタ
ーン（パーマロイ）６の磁気的特性も劣化する欠点を有
する。本発明は上記欠点を除去するために駆動パターン
の機械的強度、磁気的特性を損なうことなく量産性の確
保された保護膜を有するチップを形成せしめることを目
的とし、磁気バブル結晶上に駆動パターンおよび該駆動
パターンを保護するための保護膜を有してなるバブルメ
モリチップにおいて、上記保護膜は上記駆動パターン上
に形成された無機質絶縁層からなる第１の保護膜と、該
第１の保護膜上に形成された有機質絶縁層からなる第２
の保護膜とを含んで構成されることを特徴とするバブル
メモリーチップを作製することにある。
）の熱処理を必要とするので、第１図に示す如く、駆動
パターン（パーマロイ）６のエッヂにおけるポリイミド
樹脂Ａの部分が熱分解されもろくなり、また、駆動パタ
ーン（パーマロイ）６の磁気的特性も劣化する欠点を有
する。本発明は上記欠点を除去するために駆動パターン
の機械的強度、磁気的特性を損なうことなく量産性の確
保された保護膜を有するチップを形成せしめることを目
的とし、磁気バブル結晶上に駆動パターンおよび該駆動
パターンを保護するための保護膜を有してなるバブルメ
モリチップにおいて、上記保護膜は上記駆動パターン上
に形成された無機質絶縁層からなる第１の保護膜と、該
第１の保護膜上に形成された有機質絶縁層からなる第２
の保護膜とを含んで構成されることを特徴とするバブル
メモリーチップを作製することにある。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。第２図は本
発明のバブルメモリーチツプの側断面図を示す。図に示
すように本発明バブルメモリーのチツプの製造方法にお
いては、先ず、非磁性のＧＧＧ基板１上に液相成長法を
用いて磁性ガーネツト結晶２を育成し、その上にスペー
サ（酸化珪素（ＳｉＯ２））３、導体パターン（Ａ１−
Ｃｕ）４、第２のスペーサ（酸化珪素（ＳｉＯ２））５
、と順にスパツタ法、また、蒸着等を用いて形成しその
上に駆動パターン（パーマロイ）６を形成する。
発明のバブルメモリーチツプの側断面図を示す。図に示
すように本発明バブルメモリーのチツプの製造方法にお
いては、先ず、非磁性のＧＧＧ基板１上に液相成長法を
用いて磁性ガーネツト結晶２を育成し、その上にスペー
サ（酸化珪素（ＳｉＯ２））３、導体パターン（Ａ１−
Ｃｕ）４、第２のスペーサ（酸化珪素（ＳｉＯ２））５
、と順にスパツタ法、また、蒸着等を用いて形成しその
上に駆動パターン（パーマロイ）６を形成する。
ここまでの工程は従来と同様である。この上に酸化珪素
、アルミナ、窒化珪素等の無機質絶縁機よりなる第１の
保護膜７をスパツタ法により約８０分かけて形成し、更
にその上にポリイミド樹脂等の有機絶縁材をスピンコー
ト法により塗布し、３５０℃、６０分の熱処理によつて
第２の保護膜８を形成する。
、アルミナ、窒化珪素等の無機質絶縁機よりなる第１の
保護膜７をスパツタ法により約８０分かけて形成し、更
にその上にポリイミド樹脂等の有機絶縁材をスピンコー
ト法により塗布し、３５０℃、６０分の熱処理によつて
第２の保護膜８を形成する。
このようにすると、第１の保護膜７は第２の保護膜８に
より保護されるため薄くてよく、処理時間も短かくなり
、第２の保護膜８も、第１の保護膜の存在により、駆動
パターン（パーマロイ）エツヂ（第１図Ａの部分）にお
けるもろくなる部分も生ぜず、かつ駆動パターン６の磁
気特性の劣化も防止できる。
より保護されるため薄くてよく、処理時間も短かくなり
、第２の保護膜８も、第１の保護膜の存在により、駆動
パターン（パーマロイ）エツヂ（第１図Ａの部分）にお
けるもろくなる部分も生ぜず、かつ駆動パターン６の磁
気特性の劣化も防止できる。
以上説明し，たように本チツプにおいては、適当な厚さ
の絶縁材（酸化珪素（ＳｉＯ２）、アルミナ（ＡＩ２Ｏ
３）、窒化珪素（ＳｉＮ３）等）からなる第１の保護膜
７と特殊樹脂（ポリイミド樹脂等）からなる第２の保護
膜８を設けることにより熱処理による熱分解とパーマロ
イ等の磁気的特性の劣化等を防ぐことができ、また、処
理時間も短かくなつて量産性も向上すると共に、駆動パ
ターン（パーマロイ）に厚い保護膜を形成することが可
能となる等その効果は著しい。
の絶縁材（酸化珪素（ＳｉＯ２）、アルミナ（ＡＩ２Ｏ
３）、窒化珪素（ＳｉＮ３）等）からなる第１の保護膜
７と特殊樹脂（ポリイミド樹脂等）からなる第２の保護
膜８を設けることにより熱処理による熱分解とパーマロ
イ等の磁気的特性の劣化等を防ぐことができ、また、処
理時間も短かくなつて量産性も向上すると共に、駆動パ
ターン（パーマロイ）に厚い保護膜を形成することが可
能となる等その効果は著しい。
尚上述の説明においては実施例としてポリイミド樹脂を
用いたものについて説明したが、本発明は勿論これに限
定されるものではなく他の有機質絶縁物を適用すること
も可能である。
用いたものについて説明したが、本発明は勿論これに限
定されるものではなく他の有機質絶縁物を適用すること
も可能である。
第１図は従来方法により形成されたバブルメモリーチツ
プの拡大正断面図、第２図は本発明バブルメモリーチツ
プの一実施例の要部拡大正断面図を示している。 図において、１・・・・・・・・・ＧＧＧ基板、２・・
・・・・ガーネツト、３，５・・・・・・スペーサ、４
・・・・・・導体パターン、６・・・・・・駆動パター
ン、７，８・・・・・｛護膜、Ａ・・・・・・熱分解の
部分、を示している。
プの拡大正断面図、第２図は本発明バブルメモリーチツ
プの一実施例の要部拡大正断面図を示している。 図において、１・・・・・・・・・ＧＧＧ基板、２・・
・・・・ガーネツト、３，５・・・・・・スペーサ、４
・・・・・・導体パターン、６・・・・・・駆動パター
ン、７，８・・・・・｛護膜、Ａ・・・・・・熱分解の
部分、を示している。
Claims (1)
- １ 磁気バブル結晶上に駆動パターンおよび該駆動パタ
ーンを保護するための保護膜を有してなるバブルメモリ
ーチップにおいて、上記保護膜は上記駆動パターン上に
形成された無機質絶縁層からなる第１の保護膜と、該第
１の保護膜上に形成された有機質絶縁層からなる第２の
保護膜とを含んで構成されることを特徴とするバブルメ
モリーチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15327678A JPS599107B2 (ja) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | バブルメモリ−チツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15327678A JPS599107B2 (ja) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | バブルメモリ−チツプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5580879A JPS5580879A (en) | 1980-06-18 |
| JPS599107B2 true JPS599107B2 (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=15558916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15327678A Expired JPS599107B2 (ja) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | バブルメモリ−チツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599107B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143487A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | Nec Corp | 磁気バブル素子 |
-
1978
- 1978-12-11 JP JP15327678A patent/JPS599107B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5580879A (en) | 1980-06-18 |
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