JPH012337A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置に関し、特に多層アルミニ
ウム配線を有する半導体集積回路装置の層間絶縁膜のｉ
造に関する。

〔従来の技術〕

従来、多層アルミニウム配線を有する半導体集積回路装
置の眉間絶縁膜は、通常、プラズマ窒化膜の単一膜で形
成される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、この従来の半導体集積回路装置では、眉
間プラズマ窒化膜直下のアルミニウム配線が層間プラズ
マ窒化膜を成長した後の比較的高温の熱処理（例えば水
素アロイ、カバー成長など）工程で機械的応力を受け、
断線或いは消失するなどの信頼性上重大な事故をおこす
ことがある。

本発明の目的は、上記の状況に鑑み、眉間プラズマ窒化
膜のアルミニウム配線に対する機械的応力を緩和した半
導体集積回路装置を提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、半導体集積回路装置は、半導体基板と
、前記半導体基板上にプラズマ窒化膜を眉間絶縁膜とし
て形成される多層アルミニウム配線と、前記プラズマ窒
化膜の下にＩＩ衝物質としてコーティングされる薄い低
熱膨張性ポリイミド膜とを含む。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置の
部分断面図である。本実施例によれば、本発明の半導体
Ｓ積回路装置は、半導体基板１と、フィールド絶縁膜２
と、フィールド絶縁膜２上の第１層アルミニウム配線３
と、この第１層アルミニウム配線３上を被覆する０、５
μｍ以下の薄い低熱膨張性ポリイミド膜４と、プラズマ
窒化膜５と、このプラズマ窒化膜５上に形成される第２
ｐ！Ｉアルミニウム配線６とを含む。本実施例の配線構
造は、第１層アルミニウム配線３のパターニングが終了
したのち０゜５μｍ以下の薄い低熱膨張性ポリイミド膜
４をコーティングし、その上にプラズマ窒化膜６を気相
成長し、要すればコンタクト孔（図示しない）を開孔し
てから第２層アルミニウム配線６をパターニング形成す
れば容易に得ることができる。

かかる配線構造によると、薄い低膨張性ポリイミド膜４
は第１層アルミニウム配線３に加わるプラズマ窒化膜５
の機械的応力を緩和するように働くので、従来問題とさ
れた下層アルミニウム配線の断線または消失などの事故
は著しく減少される。

第２図は上記実施例に用いた薄い低膨張性ポリイミド膜
の応力緩和効果を明らかにした実験データ図である。こ
の実験は通常用いられる半導体集積回路装置のディメン
ションで行われ、横軸にポリイミド膜の膜厚、縦軸にシ
リコン・ウェハーの反″り量が表わされているが、実験
データから明らかなようにポリイミド膜がＩＩになる程
ウェハーの反り量が減少し、特に０．５ｐｍ以下になる
とウェハー反り量は無視できる程度にまで緩和できるこ
とが確かめられた。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明によれば、層間絶縁
膜のプラズマ窒下膜の下に緩衝材として０．５μｍ以下
の薄い低膨張性ポリイミド膜をコーティングするだけで
、プラズマ窒化膜を成長した後の熱処理によるアルミニ
ウム配線の断線または消失事故を予防し得るので、信頼
性の向上に顕著なる効果をあげることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路装置の
部分断面図、第２図は上記実施例に用いた薄い低膨張性
ポリイミド膜の応力緩和効果を明らかにした実験データ
図である。 １・・・半導体基板、２・・・フィールド絶縁膜、３・
・・第１層アルミニウム配線、４・・・薄い低膨張性ポ
リイミド膜、５・・・プラズマ窒化膜、６・・・第２層
アルミニウム配線。 代理人　弁理士　内　原　　晋−′ 月　１　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板と、前記半導体基板上にプラズマ窒化膜を
   層間絶縁膜として形成される多層アルミニウム配線と、
   前記プラズマ窒化膜の下に緩衝物質としてコーティング
   される薄い低熱膨張性ポリイミド膜とを含むことを特徴
   とする半導体集積回路装置。