JPS599111B2 - プレナ型磁気バブル素子オ−バレイの製造方法 - Google Patents
プレナ型磁気バブル素子オ−バレイの製造方法Info
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- JPS599111B2 JPS599111B2 JP4969179A JP4969179A JPS599111B2 JP S599111 B2 JPS599111 B2 JP S599111B2 JP 4969179 A JP4969179 A JP 4969179A JP 4969179 A JP4969179 A JP 4969179A JP S599111 B2 JPS599111 B2 JP S599111B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、工程の簡略化ならびに信頼性の向上を期す
るようにしたプレナ型磁気バブル素子オーバレイの製造
方法に関する。
るようにしたプレナ型磁気バブル素子オーバレイの製造
方法に関する。
磁気バブル素子のオーバレイ構造は駆動用パーマロイ素
子の下部に絶縁層を介して導体を配置し、ゲート機能を
もたせたいわゆるコンダクタファースト型が主流である
。
子の下部に絶縁層を介して導体を配置し、ゲート機能を
もたせたいわゆるコンダクタファースト型が主流である
。
この場合、ゲート機能部上部のパーマロイ膜はこの段差
部で膜厚が薄くなる、いわゆるステツプカバレツジ不良
を生じ、断線や磁気特性不良を起こす。また、たとえ、
ステツプカバレツジが良好であつてもパターン設計にお
いて段差部の磁気特性を考慮する必要があるなど、多く
の問題点があつた。これらの問題点を解決するために、
平面化プロセスがいくつか考案されたが、いずれも工程
が非常に複雑で非実用的なものであつたり、導体パター
ンを形成するために用いた有機レジストをそのままの状
態でその上に絶縁層を形成するレジストリフトオフ法の
ため種々問題があつた。
部で膜厚が薄くなる、いわゆるステツプカバレツジ不良
を生じ、断線や磁気特性不良を起こす。また、たとえ、
ステツプカバレツジが良好であつてもパターン設計にお
いて段差部の磁気特性を考慮する必要があるなど、多く
の問題点があつた。これらの問題点を解決するために、
平面化プロセスがいくつか考案されたが、いずれも工程
が非常に複雑で非実用的なものであつたり、導体パター
ンを形成するために用いた有機レジストをそのままの状
態でその上に絶縁層を形成するレジストリフトオフ法の
ため種々問題があつた。
すなわち、レジストリフトオフ法においては、有機レジ
ストを炭化させないように、絶縁層形成を特に５１０２
低温スパッタあるいはＳｉ０低温蒸着により行つている
。しかし、ＳｉＯ２低温スパッタでは、レジスト側面へ
のＳｉＯ２の付き廻りがあつて、レジストリフトオフが
難しく、またＳｉ０低温蒸着では密着力に不安があつた
。
ストを炭化させないように、絶縁層形成を特に５１０２
低温スパッタあるいはＳｉ０低温蒸着により行つている
。しかし、ＳｉＯ２低温スパッタでは、レジスト側面へ
のＳｉＯ２の付き廻りがあつて、レジストリフトオフが
難しく、またＳｉ０低温蒸着では密着力に不安があつた
。
さらに、有機レジストリフトオフ後に再び絶縁層を形成
する工程を必要とする欠点があつた。この発明は、上記
従来の欠点を除去するためになされたもので、有機レジ
ストを用いたリフトオフ法ではなく、導体金属を使用し
たリフトオフ法を採用し、工程数の減少化および信頼性
の向上を期することのできるプレナ型磁気バルブ素子オ
ーバレイの製造方法を提供することを目的とする。
する工程を必要とする欠点があつた。この発明は、上記
従来の欠点を除去するためになされたもので、有機レジ
ストを用いたリフトオフ法ではなく、導体金属を使用し
たリフトオフ法を採用し、工程数の減少化および信頼性
の向上を期することのできるプレナ型磁気バルブ素子オ
ーバレイの製造方法を提供することを目的とする。
以下、この発明のプレナ型磁気バブル素子オーバレイの
製造方法の実施例について図面に基づき説明する。第１
図ないし第１図はその一実施例を説明するためのプレナ
型磁気バルブ素子の平面化のための製造工程を示す図で
ある。まず、第１図に示すように、洗浄したウェハ１上
にスパッタによりＳｉＯ２２を約１．４μ厚さに形成す
る。このＳｉＯ２２の膜厚がパーマロイ転送パターンと
ウェハ１の表面との最終的な間隔である。次に、有機レ
ジストをマスクとして第２図のように、導体パターン配
置部２ａ０）ＳｉＯ２２を反応性スパツタエツチング（
エツ千アンドＣＦ４＋Ｈ２ガス圧力３Ｘ１０−２ｔ０ｒ
ｒ、電力密度０．３Ｗ／Ｃｌｌｌ）で、０．８μの深さ
にエツチングする。
製造方法の実施例について図面に基づき説明する。第１
図ないし第１図はその一実施例を説明するためのプレナ
型磁気バルブ素子の平面化のための製造工程を示す図で
ある。まず、第１図に示すように、洗浄したウェハ１上
にスパッタによりＳｉＯ２２を約１．４μ厚さに形成す
る。このＳｉＯ２２の膜厚がパーマロイ転送パターンと
ウェハ１の表面との最終的な間隔である。次に、有機レ
ジストをマスクとして第２図のように、導体パターン配
置部２ａ０）ＳｉＯ２２を反応性スパツタエツチング（
エツ千アンドＣＦ４＋Ｈ２ガス圧力３Ｘ１０−２ｔ０ｒ
ｒ、電力密度０．３Ｗ／Ｃｌｌｌ）で、０．８μの深さ
にエツチングする。
このとき、ＳｉＯ，エツチング断面はウエハ１の表面に
ほとんど垂直となる。
ほとんど垂直となる。
次いで、第３図に示す工程に移行し、上記有機レジスト
を剥離し、しかる後に、導体金属としてＡｌ−Ｃｕ３を
約０．４μの厚さでＳｉＯ２２の表面全体に真空蒸着す
る。
を剥離し、しかる後に、導体金属としてＡｌ−Ｃｕ３を
約０．４μの厚さでＳｉＯ２２の表面全体に真空蒸着す
る。
この蒸着時における基板加熱温度は１５０℃程度である
。さらに、第４図に示すように、ＳｉＯ４をＡｌ−Ｃｕ
３の表面全体に同一真空内で０．５μ蒸着する（このと
きも、蒸着時の基板加熱温度は１５０℃程度とする）。
。さらに、第４図に示すように、ＳｉＯ４をＡｌ−Ｃｕ
３の表面全体に同一真空内で０．５μ蒸着する（このと
きも、蒸着時の基板加熱温度は１５０℃程度とする）。
次に、導体パターン配置部２ａ以外のＡｌ−Ｃｕ３を塩
酸対水の割合を１対１でスプレーエツチングすると同時
に、その上部に付着させたＳｉＯ４の膜を第５図に示す
ごとくに除去する。
酸対水の割合を１対１でスプレーエツチングすると同時
に、その上部に付着させたＳｉＯ４の膜を第５図に示す
ごとくに除去する。
以上の工程により、ＳｉＯ４によつて導体パターン配置
部２ａにおけるＡ２−０ｕ３が絶縁される。
部２ａにおけるＡ２−０ｕ３が絶縁される。
しかも、ＳｉＯ４とＳｉＯ２２の表面はほとんど段差の
ない平面となる。しかる後に、パーマロイ膜５を第６図
に示すように、０．４μスパツタ法で形成する。さらに
、フオトエツチング技術によりパターン化し、しかる後
に保護膜として、第７図に示すようにＳｉＯ２６の膜を
０．５μの厚さで全面にスパツタ法で形成する。
ない平面となる。しかる後に、パーマロイ膜５を第６図
に示すように、０．４μスパツタ法で形成する。さらに
、フオトエツチング技術によりパターン化し、しかる後
に保護膜として、第７図に示すようにＳｉＯ２６の膜を
０．５μの厚さで全面にスパツタ法で形成する。
以上詳述したように、この発明のプレナ型磁気バブル素
子オーバレイの製造方法によれば、ウエハ上にその保護
膜としてのＳｉＯ，を形成し、このＳｉＯ２をその上面
の有機レジストをマスクとして反応性スパツタエツチン
グで所定の深さにエツチングして導体パターン配置部を
形成した後ＳｉＯ２の表面全体に導体金属を蒸着し、こ
の導体金属の表面全体にＳｉＯを蒸着した後に導体パタ
ーン配置部以外の導体金属と、その上部に形成されたＳ
ｉＯを選択的に除去して、残されたＳｉＯとＳｉＯ２の
上面に段差をなくして平面化を行い、このＳｉＯとＳｉ
Ｏ，上にパーマロイパターンを形成するようにしたので
、リフトオフ終了時点に、すでに導体金属上に絶縁層が
形成されることになり、リフトオフ後の絶縁層を形成す
る工程が省ける。
子オーバレイの製造方法によれば、ウエハ上にその保護
膜としてのＳｉＯ，を形成し、このＳｉＯ２をその上面
の有機レジストをマスクとして反応性スパツタエツチン
グで所定の深さにエツチングして導体パターン配置部を
形成した後ＳｉＯ２の表面全体に導体金属を蒸着し、こ
の導体金属の表面全体にＳｉＯを蒸着した後に導体パタ
ーン配置部以外の導体金属と、その上部に形成されたＳ
ｉＯを選択的に除去して、残されたＳｉＯとＳｉＯ２の
上面に段差をなくして平面化を行い、このＳｉＯとＳｉ
Ｏ，上にパーマロイパターンを形成するようにしたので
、リフトオフ終了時点に、すでに導体金属上に絶縁層が
形成されることになり、リフトオフ後の絶縁層を形成す
る工程が省ける。
これにともない、最も工数の少ない非平面化プロセスに
比しても導体金属除去工程が増すのみであり、導体金属
上の絶縁層形成を特に低温で行う必要がなくなる。
比しても導体金属除去工程が増すのみであり、導体金属
上の絶縁層形成を特に低温で行う必要がなくなる。
また、この発明の方法は、始めに保護膜に導体パターン
配置部（溝）を形成し、その壽に導体を埋め込むという
方法により、他の平坦化技術に比較して大幅に工程が簡
単になる。さらに、この発明の方法は、従平の磁気バブ
ル素子形成やＩＣ製造に用いられている信頼性の高い材
料を使用して磁気バブル素子のオーバレイ構造を製造で
きる。また、導体金属および絶縁層を同一真空内に形成
できるため、金属、絶縁層間の密着性にすぐれた膜の形
成が可能となるとともに、作業時間の短縮が可能な信頼
性の高い回路パタ一を形成できるなどのすぐれた効果を
奏するものである。
配置部（溝）を形成し、その壽に導体を埋め込むという
方法により、他の平坦化技術に比較して大幅に工程が簡
単になる。さらに、この発明の方法は、従平の磁気バブ
ル素子形成やＩＣ製造に用いられている信頼性の高い材
料を使用して磁気バブル素子のオーバレイ構造を製造で
きる。また、導体金属および絶縁層を同一真空内に形成
できるため、金属、絶縁層間の密着性にすぐれた膜の形
成が可能となるとともに、作業時間の短縮が可能な信頼
性の高い回路パタ一を形成できるなどのすぐれた効果を
奏するものである。
第１図ないし第７図はそれぞれこの発明のプレナ型磁気
バブル素子オーバレイの製造方法の一実施例を説明する
ための工程図である。 １・・・・・・ウエハ ２・・・・・・ＳｉＯ２，２ａ
・・・・・・導体パターン配置部、３・・・・・・Ａｌ
−Ｃｕｌ４・・・・・・ＳｉＯ、６・・・・・・ＳｉＯ
，、５・・・・・・パーマロイ膜。
バブル素子オーバレイの製造方法の一実施例を説明する
ための工程図である。 １・・・・・・ウエハ ２・・・・・・ＳｉＯ２，２ａ
・・・・・・導体パターン配置部、３・・・・・・Ａｌ
−Ｃｕｌ４・・・・・・ＳｉＯ、６・・・・・・ＳｉＯ
，、５・・・・・・パーマロイ膜。
Claims (1)
- １ ウェハ上にＳｉＯ＿２の保護膜を形成し、この保護
膜をその上面の有機レジストをマスクとして反応性スパ
ッタエッチングで所定の深さにエッチングして導体パタ
ーン配置部を形成した後に上記保護膜の表面全体に導体
金属を蒸着し、この導体金属の表面全体にＳｉＯを設け
た後に上記導体パターン配置部以外の導体金属と、その
上部に形成されたＳｉＯを選択的に除去して、残された
ＳｉＯと上記保護膜の上面との平面化を行い、このＳｉ
Ｏと保護膜上にパーマロイパターンを形成することを特
徴とするプレナ型磁気バブル素子オーバレイの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4969179A JPS599111B2 (ja) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | プレナ型磁気バブル素子オ−バレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4969179A JPS599111B2 (ja) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | プレナ型磁気バブル素子オ−バレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55142480A JPS55142480A (en) | 1980-11-07 |
| JPS599111B2 true JPS599111B2 (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=12838199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4969179A Expired JPS599111B2 (ja) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | プレナ型磁気バブル素子オ−バレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599111B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074192A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | バブルメモリ作成方法 |
-
1979
- 1979-04-24 JP JP4969179A patent/JPS599111B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55142480A (en) | 1980-11-07 |
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