JPS5991684A - セラミツクヒ−タの電極形成法 - Google Patents
セラミツクヒ−タの電極形成法Info
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- JPS5991684A JPS5991684A JP20133382A JP20133382A JPS5991684A JP S5991684 A JPS5991684 A JP S5991684A JP 20133382 A JP20133382 A JP 20133382A JP 20133382 A JP20133382 A JP 20133382A JP S5991684 A JPS5991684 A JP S5991684A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 17
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000701 coagulant Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- -1 titanium ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明はたとえばチタン酸バリウムの如きセラミック
が有する正の抵抗温度特性を利用したセラミックヒータ
の電極形成法に関する。
が有する正の抵抗温度特性を利用したセラミックヒータ
の電極形成法に関する。
正の抵抗温度特性を有するセラミックヒータは一定温度
で安全、風量により変化の少ない風温が得られるなどの
特長でヘアードライヤー、温風ヒータ、フトン乾燥器な
どの温風を必要とする電気器具などに数多く使用されて
いる。この様なセラミックヒータにはチタン酸バリウム
系の半導体セラミックが採用され、バリウム又はチタン
イオン半径の近似する原子で微量置換する原子価制御機
の半導体である。たとえばバリウムのイオン半径に近似
する原子としてはランタン、プラセオジム。
で安全、風量により変化の少ない風温が得られるなどの
特長でヘアードライヤー、温風ヒータ、フトン乾燥器な
どの温風を必要とする電気器具などに数多く使用されて
いる。この様なセラミックヒータにはチタン酸バリウム
系の半導体セラミックが採用され、バリウム又はチタン
イオン半径の近似する原子で微量置換する原子価制御機
の半導体である。たとえばバリウムのイオン半径に近似
する原子としてはランタン、プラセオジム。
ネオジム、ガドリニウム、イツトリウムなどが適用され
、チタンのイオン半径に近似する原子としてはニオブ、
アンチモン、タンタル、ビスマスなどが適用されこれら
のチタン酸バリウム系セラミックスを粒界制御すると比
抵抗示大巾に増大してもその温度の変化が生じないいわ
ゆるキュリ一温度付近で定温発熱をする性質が与えられ
る。したがって仁のセラミックスのキュリ一温度を高め
ると発熱効率を高めることができ、このためにはバリウ
ムを鉛で置換する手段で達成される。
、チタンのイオン半径に近似する原子としてはニオブ、
アンチモン、タンタル、ビスマスなどが適用されこれら
のチタン酸バリウム系セラミックスを粒界制御すると比
抵抗示大巾に増大してもその温度の変化が生じないいわ
ゆるキュリ一温度付近で定温発熱をする性質が与えられ
る。したがって仁のセラミックスのキュリ一温度を高め
ると発熱効率を高めることができ、このためにはバリウ
ムを鉛で置換する手段で達成される。
この様な性質を有するセラミックヒータを構成するセラ
ミック素子の発熱性能を導き出すにはオーム性の点で安
定でかつ抵抗の小さい電極を設ける必要がある。
ミック素子の発熱性能を導き出すにはオーム性の点で安
定でかつ抵抗の小さい電極を設ける必要がある。
電極の形成に用いられる一般的な方法は無電解ニッケル
メッキで、これによると概して非オーム性の電極で温度
と抵抗との関係が二段特性を示したり、あるいは温度一
定の領域で抵抗変化の小さな性質のセラミックヒータを
与え、発熱性能に劣る。
メッキで、これによると概して非オーム性の電極で温度
と抵抗との関係が二段特性を示したり、あるいは温度一
定の領域で抵抗変化の小さな性質のセラミックヒータを
与え、発熱性能に劣る。
この発明は以上の事実に鑑みてなされたもので抵抗変化
が大巾に変化しても変化の小さい発熱温度特性を有する
セラミックヒータの電極形成法を提供するものである。
が大巾に変化しても変化の小さい発熱温度特性を有する
セラミックヒータの電極形成法を提供するものである。
この発明はセラミックの素子に無電解ニッケルメッキを
施した後に２００〜４００℃でエージングすることを特
徴とするセラミックヒータのｍＷ影形成法提供するもの
である。
施した後に２００〜４００℃でエージングすることを特
徴とするセラミックヒータのｍＷ影形成法提供するもの
である。
以下、この発明を詳説する。
先ず無電解ニッケルメッキを施す工程について説明する
。この工程は一般に用いられる条件で構成され、特に新
規な条件を含まない。その−例を示すと先ずセラミック
素子を脱脂する。ここでは加温しながらのアルカリ脱脂
、あるいは有機溶剤による高周波脱脂などで行う。この
後は水洗し、濃塩酸での酸洗を経てセンシタイジングを
行う。
。この工程は一般に用いられる条件で構成され、特に新
規な条件を含まない。その−例を示すと先ずセラミック
素子を脱脂する。ここでは加温しながらのアルカリ脱脂
、あるいは有機溶剤による高周波脱脂などで行う。この
後は水洗し、濃塩酸での酸洗を経てセンシタイジングを
行う。
センシタイジングは塩化スズの塩酸溶液で数回処理する
。次に水洗し表面の活性化を施すアクチベーションを行
う。こむではたとえば塩化パラジウムの塩酸溶液で処理
し、水洗し、さらにセンシタイジング、水洗、アクチベ
ーション、水洗を繰り返えし、ニッケル層を付与する工
程の前工程を終了する。ニッケル層を付与するメッキ工
程はたとえば４０〜９５℃に加温されたニッケルメッキ
液に浸漬してなされる。メッキ層の層厚は２〜６μが適
当である。な詔この層厚は制限する趣旨ではない。ニッ
ケルメッキ液はリン酸系、ホウ酸系の公知のメッキ液が
用いられる。
。次に水洗し表面の活性化を施すアクチベーションを行
う。こむではたとえば塩化パラジウムの塩酸溶液で処理
し、水洗し、さらにセンシタイジング、水洗、アクチベ
ーション、水洗を繰り返えし、ニッケル層を付与する工
程の前工程を終了する。ニッケル層を付与するメッキ工
程はたとえば４０〜９５℃に加温されたニッケルメッキ
液に浸漬してなされる。メッキ層の層厚は２〜６μが適
当である。な詔この層厚は制限する趣旨ではない。ニッ
ケルメッキ液はリン酸系、ホウ酸系の公知のメッキ液が
用いられる。
以上の如くメッキを施した後は水洗、湯洗、乾燥の後工
程を終る。
程を終る。
この様な無電解ニッケルメッキを施した後の処理にこの
発明の特徴がある。すなわち無電解ニッケルメッキを施
したセラミック素子を２００〜４００℃の温度領域でエ
ージングするとニッケル膜の密着性が高まると共膠こ抵
抗を有さないオーム性電極を得ることができるのである
。ここで２００℃〜４００℃に制限が加わったのは、２
００℃以下であればオーム性に詔いて安定性が得られず
、４００℃以上であればニッケル膜が酸化され抵抗値が
高くなってオーム性に欠けるからである。
発明の特徴がある。すなわち無電解ニッケルメッキを施
したセラミック素子を２００〜４００℃の温度領域でエ
ージングするとニッケル膜の密着性が高まると共膠こ抵
抗を有さないオーム性電極を得ることができるのである
。ここで２００℃〜４００℃に制限が加わったのは、２
００℃以下であればオーム性に詔いて安定性が得られず
、４００℃以上であればニッケル膜が酸化され抵抗値が
高くなってオーム性に欠けるからである。
以下、この発明の実施例、比較例を挙げる。
実施例、比較例いずれも処理条件の中では無電解ニッケ
ルメッキの条件とその後のエージング条件を除いて共通
の条件で行った。すなわち次の条件で行った。なお、セ
ラミック素子としてはキュリ一温度２３０℃のチタン酸
バリウムから成るセラミックを共通して用いた。
ルメッキの条件とその後のエージング条件を除いて共通
の条件で行った。すなわち次の条件で行った。なお、セ
ラミック素子としてはキュリ一温度２３０℃のチタン酸
バリウムから成るセラミックを共通して用いた。
（酸 洗）←濃塩酸４００ ｍｌ／ｌ 室温１分（二
ｌ）ｒＭツキ） 実施例１〜３と比較例１〜２はホウ酸系水溶液にニッケ
ルイオンを含むニッケルメッキ液シバニツケル（商標・
奥野製薬工業鞠製）を用い実施例４〜５と比較例３はホ
ウ酸系水溶液にニッケルイオンを含むニッケルメッキ液
ＤＥＬニッケル（商標・上材工業■製）を用い実施例６
〜８と比較例４はリン酸系水溶液にニッケルイオンを含
むニッケルメッキ液トップニコロン（商標・奥野製薬工
業■製）を用いた。
ｌ）ｒＭツキ） 実施例１〜３と比較例１〜２はホウ酸系水溶液にニッケ
ルイオンを含むニッケルメッキ液シバニツケル（商標・
奥野製薬工業鞠製）を用い実施例４〜５と比較例３はホ
ウ酸系水溶液にニッケルイオンを含むニッケルメッキ液
ＤＥＬニッケル（商標・上材工業■製）を用い実施例６
〜８と比較例４はリン酸系水溶液にニッケルイオンを含
むニッケルメッキ液トップニコロン（商標・奥野製薬工
業■製）を用いた。
メッキ液の液温、浸漬時間及びエージング条件について
は次の表のとおりである。
は次の表のとおりである。
Claims (1)
- （１）セラミックの素子に無電解ニッケルメッキを施し
た後に２００〜４００℃でエージングすることを特徴と
するセラミックヒータの電極形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20133382A JPS5991684A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | セラミツクヒ−タの電極形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20133382A JPS5991684A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | セラミツクヒ−タの電極形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5991684A true JPS5991684A (ja) | 1984-05-26 |
Family
ID=16439272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20133382A Pending JPS5991684A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | セラミツクヒ−タの電極形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5991684A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158161A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | 日本タングステン株式会社 | セラミツク発熱素子 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP20133382A patent/JPS5991684A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158161A (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | 日本タングステン株式会社 | セラミツク発熱素子 |
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