JPH0249411A - チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサ - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサInfo
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- JPH0249411A JPH0249411A JP19884888A JP19884888A JPH0249411A JP H0249411 A JPH0249411 A JP H0249411A JP 19884888 A JP19884888 A JP 19884888A JP 19884888 A JP19884888 A JP 19884888A JP H0249411 A JPH0249411 A JP H0249411A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は無電解メッキ電極を有するチタン酸バリウム系
半導体磁器コンデンサに関するものである。
半導体磁器コンデンサに関するものである。
（従来の技術）
従来より半導体磁器コンデンサの電極には、銀が専ら用
いられてきたが、銀が非オーム性を示すため半導体磁器
との間に新たな直列の容量を発生し、この直列容量によ
り、半導体磁器コンデンサとしての全体の容量を減少す
るという問題点かあった。この問題点を解決するにあた
って、特開昭５３−９６４６４号公報によれば、チタン
酸ストロンチウム系半導体磁器の表面に、オーム性接触
をする無電解ニッケルメッキ電極を対向させて付与し熱
処理を行うことが記載されている。
いられてきたが、銀が非オーム性を示すため半導体磁器
との間に新たな直列の容量を発生し、この直列容量によ
り、半導体磁器コンデンサとしての全体の容量を減少す
るという問題点かあった。この問題点を解決するにあた
って、特開昭５３−９６４６４号公報によれば、チタン
酸ストロンチウム系半導体磁器の表面に、オーム性接触
をする無電解ニッケルメッキ電極を対向させて付与し熱
処理を行うことが記載されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、これらの半導体磁器の表面に無電解ニッケル電
極を有するコンデンサは、熱処理のために表面に酸化し
たニッケル層が形成されるために、リード線を直接半田
付けして接続させる場合、半田付は性の低下を来すこと
があった。このために、あらかじめニッケル電極上に銀
電極を重層付与する必要があり、製造工程が増えること
及び銀を使用するために、製造原価が高くなるという問
題点が生じた。
極を有するコンデンサは、熱処理のために表面に酸化し
たニッケル層が形成されるために、リード線を直接半田
付けして接続させる場合、半田付は性の低下を来すこと
があった。このために、あらかじめニッケル電極上に銀
電極を重層付与する必要があり、製造工程が増えること
及び銀を使用するために、製造原価が高くなるという問
題点が生じた。
一方、ニッケルの酸化を防止して半田付は性を改良した
ニッケル・ボロン合金メッキが開発され、特開昭６３−
６０５０１号公報にチタン酸バリウム系半導体磁器より
なるサーミスタへの適用が開示されている。しかしなが
ら、このニッケル・ボロン合金無電解メッキ電極メッキ
にしても、メ・フキ後に２００℃以上の熱処理をしなけ
れば、半導体磁器素体とメッキとの接着性を回復するこ
とができないという問題点をもっている。即ち、従来の
無電解メッキ法で半導体磁器素体に安定した電極を形成
するには、熱処理工程が不可欠で、そのための製造設備
、エネルギー、工数が、コストの増加及び歩留りの低下
を来していた。
ニッケル・ボロン合金メッキが開発され、特開昭６３−
６０５０１号公報にチタン酸バリウム系半導体磁器より
なるサーミスタへの適用が開示されている。しかしなが
ら、このニッケル・ボロン合金無電解メッキ電極メッキ
にしても、メ・フキ後に２００℃以上の熱処理をしなけ
れば、半導体磁器素体とメッキとの接着性を回復するこ
とができないという問題点をもっている。即ち、従来の
無電解メッキ法で半導体磁器素体に安定した電極を形成
するには、熱処理工程が不可欠で、そのための製造設備
、エネルギー、工数が、コストの増加及び歩留りの低下
を来していた。
本発明は、熱処理工程を経なくてもコンデンサの諸性能
が従来法と同等以上の無電解メッキ電極を有する還元再
酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム系半導体磁器コ
ンデンサを得ることを目的とするものである。
が従来法と同等以上の無電解メッキ電極を有する還元再
酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム系半導体磁器コ
ンデンサを得ることを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、ニッケル・スズ・ボロン合金又はニッケル・
タングステン・ボロン合金の無電解メッキ電極を対向付
与させた還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム
系半導体磁器からなるコンデンサで、メッキ後の熱処理
が不要となるという極めて優れた効果を有するものであ
る。本発明により、電極とリード線の半田付けが容易で
かつその経時安定性にも優れ、又従来の無電解ニッケル
メッキに優るとも劣らない電気特性を有し、さらに製造
工程において占める割合の大きな熱処理工程を省略可能
にしたコンデンサを提供することが出来るようになった
。
タングステン・ボロン合金の無電解メッキ電極を対向付
与させた還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム
系半導体磁器からなるコンデンサで、メッキ後の熱処理
が不要となるという極めて優れた効果を有するものであ
る。本発明により、電極とリード線の半田付けが容易で
かつその経時安定性にも優れ、又従来の無電解ニッケル
メッキに優るとも劣らない電気特性を有し、さらに製造
工程において占める割合の大きな熱処理工程を省略可能
にしたコンデンサを提供することが出来るようになった
。
本発明におけるニッケル・スズ・ボロン合金の無電解メ
ッキは、例えばニッケル塩、ホウ水素化ナトリウムまた
はジメチルアミンスズ・ポランを含む水溶液に、還元剤
としてスズ酸−グルコン酸錯体を添加したメッキ液によ
り行われ、還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウ
ム系半導体磁器コンデンサ素体の表面にニッケル・スズ
・ボロンの三成分の合金を析出する。
ッキは、例えばニッケル塩、ホウ水素化ナトリウムまた
はジメチルアミンスズ・ポランを含む水溶液に、還元剤
としてスズ酸−グルコン酸錯体を添加したメッキ液によ
り行われ、還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウ
ム系半導体磁器コンデンサ素体の表面にニッケル・スズ
・ボロンの三成分の合金を析出する。
また、本発明におけるニッケル・タングステン・ボロン
合金の無電解メッキは、例えばニッケル塩、ホウ水素化
ナトリウムまたはジメチルアミンスズ・ボランを含む水
溶液に、還元剤としてタングステン酸−グルコン酸錯体
を添加したメッキ液により行われ、還元再酸化型又は粒
界絶縁型チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサ素体
の表面にニッケル・タングステン・ボロンの三成分の合
金を析出する。これらの合金の成分、析出量により、還
元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム系半導体磁
器コンデンサ素体との密着性及びそれと関連する電気特
性、さらに半田付は性が影響を受ける。
合金の無電解メッキは、例えばニッケル塩、ホウ水素化
ナトリウムまたはジメチルアミンスズ・ボランを含む水
溶液に、還元剤としてタングステン酸−グルコン酸錯体
を添加したメッキ液により行われ、還元再酸化型又は粒
界絶縁型チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサ素体
の表面にニッケル・タングステン・ボロンの三成分の合
金を析出する。これらの合金の成分、析出量により、還
元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム系半導体磁
器コンデンサ素体との密着性及びそれと関連する電気特
性、さらに半田付は性が影響を受ける。
（発明の効果）
本発明の還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム
系半導体磁器コンデンサは、ニッケル・スズ・ボロン合
金又はニッケル・タングステン・ボロン合金の無電解メ
ッキを対向付与してなることを特徴としているために、
メッキ析出後の熱処理が必要無くなり、製造面において
極めて優れている。又熱処理が必要な従来の無電解ニッ
ケル・ボロン合金メッキ法によるものと比較して優ると
も劣らない電気特性を有し、かつ電気特性と半田付は性
の経時安定性にも優れたものである。
系半導体磁器コンデンサは、ニッケル・スズ・ボロン合
金又はニッケル・タングステン・ボロン合金の無電解メ
ッキを対向付与してなることを特徴としているために、
メッキ析出後の熱処理が必要無くなり、製造面において
極めて優れている。又熱処理が必要な従来の無電解ニッ
ケル・ボロン合金メッキ法によるものと比較して優ると
も劣らない電気特性を有し、かつ電気特性と半田付は性
の経時安定性にも優れたものである。
（実施例）
次に実施例によって本発明をさらに具体的に説明する。
ＢａＴｉ０＊ １００モル、Ｔｉ０ｚ ５モル、Ｌａ、
０，２モル及びＣｕ００．１０重量％からなる粉を、ポ
リビニールアルコール水溶液を加えて造粒し、１．Ｏｔ
／ｃｍ”の加圧で乾式プレスにより直径１０ｍｍφ、厚
さ０．５ｍｍの円板状に成形した。この成形体を１３５
０°Ｃの温度で２時間焼成した後、水素１５容量％、窒
素８５容量％からなる還元性雰囲気で９００〜１２５０
°Ｃの温度で２時間熱処理して、半導体磁器を得た
。次に大気中で８００〜１２００°Ｃで２時間熱処理す
ることにより表層に誘電体層を有するチタン酸バリウム
系半導体磁器コンデンサ素体を製造した。次にこの半導
体磁器コンデンサ素体をフッ化水素酸と硝酸の混合水溶
液により表面エツチングし、超音波洗浄した後、塩酸酸
性第一スズ溶液からなるエンプレートセンシタイザ−４
３２（メルラックス（株）の商品名）に浸漬して撹拌し
、取り出して水洗する。次に、塩化パラジウム水溶液か
らなるエンプレードアクチベータ４４０（メルラックス
（株）の商品名）に浸漬撹拌した後、水洗する。次に無
電解メッキ液であるエンプレートＮｉ ４２７（メルラ
ックス（株）の商品名）の１００ｇ＃！に対して、５ｇ
／２のスズ酸−グルコン酸錯体又はタングステン酸−グ
ルコン酸錯体を混合した７０°Ｃの溶液に３０分間浸漬
撹拌することにより、半導体素子の全面にニッケル・ス
ズ・ボロン合金又はニッケル・タングステン・ボロン合
金を析出させた。分析の結果、ニッケル・スズ・ボロン
の重量比率は８８／９／１２、ニッケル・タングステン
・ボロンの重量比率は８７／１０／３であった。次に、
これらの円盤の周側面のニッケル・スズ・ボロン合金又
はニッケル・タングステン・ボロン合金を研磨して除去
し、チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサを得た。
０，２モル及びＣｕ００．１０重量％からなる粉を、ポ
リビニールアルコール水溶液を加えて造粒し、１．Ｏｔ
／ｃｍ”の加圧で乾式プレスにより直径１０ｍｍφ、厚
さ０．５ｍｍの円板状に成形した。この成形体を１３５
０°Ｃの温度で２時間焼成した後、水素１５容量％、窒
素８５容量％からなる還元性雰囲気で９００〜１２５０
°Ｃの温度で２時間熱処理して、半導体磁器を得た
。次に大気中で８００〜１２００°Ｃで２時間熱処理す
ることにより表層に誘電体層を有するチタン酸バリウム
系半導体磁器コンデンサ素体を製造した。次にこの半導
体磁器コンデンサ素体をフッ化水素酸と硝酸の混合水溶
液により表面エツチングし、超音波洗浄した後、塩酸酸
性第一スズ溶液からなるエンプレートセンシタイザ−４
３２（メルラックス（株）の商品名）に浸漬して撹拌し
、取り出して水洗する。次に、塩化パラジウム水溶液か
らなるエンプレードアクチベータ４４０（メルラックス
（株）の商品名）に浸漬撹拌した後、水洗する。次に無
電解メッキ液であるエンプレートＮｉ ４２７（メルラ
ックス（株）の商品名）の１００ｇ＃！に対して、５ｇ
／２のスズ酸−グルコン酸錯体又はタングステン酸−グ
ルコン酸錯体を混合した７０°Ｃの溶液に３０分間浸漬
撹拌することにより、半導体素子の全面にニッケル・ス
ズ・ボロン合金又はニッケル・タングステン・ボロン合
金を析出させた。分析の結果、ニッケル・スズ・ボロン
の重量比率は８８／９／１２、ニッケル・タングステン
・ボロンの重量比率は８７／１０／３であった。次に、
これらの円盤の周側面のニッケル・スズ・ボロン合金又
はニッケル・タングステン・ボロン合金を研磨して除去
し、チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサを得た。
又、比較例は、本発明と同一の方法によって得られた半
導体磁器素体に、無電解メッキ液にスズ酸−グルコン酸
錯体又はタングステン酸−グルコン酸錯体を混合しない
ことが実施例と違うだけで、残りの作業方法は、全て実
施例と同一の方法により、半導体素子の全面にニッケル
・スズ・ボロン合金を析出させ、次に２００″Ｃで１時
間熱処理し、最後に周側面のニッケル・スズ・ボロン合
金を研磨して除去したものを用いた。表中の測定値は、
いずれも試料３０個の平均値である。
導体磁器素体に、無電解メッキ液にスズ酸−グルコン酸
錯体又はタングステン酸−グルコン酸錯体を混合しない
ことが実施例と違うだけで、残りの作業方法は、全て実
施例と同一の方法により、半導体素子の全面にニッケル
・スズ・ボロン合金を析出させ、次に２００″Ｃで１時
間熱処理し、最後に周側面のニッケル・スズ・ボロン合
金を研磨して除去したものを用いた。表中の測定値は、
いずれも試料３０個の平均値である。
第１表から明らかなように、本発明のものでは、熱処理
を行わなくても従来のものと変わらない電気特性及び半
田付は性を有しながら、かつそれらの経時安定性が優れ
ていることが判明した。
を行わなくても従来のものと変わらない電気特性及び半
田付は性を有しながら、かつそれらの経時安定性が優れ
ていることが判明した。
Claims (1)
- １．ニッケル・スズ・ボロン又はニッケル・タングステ
ン・ボロン合金の無電解メッキ電極を有することを特徴
とする還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム系
半導体磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19884888A JPH0249411A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19884888A JPH0249411A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249411A true JPH0249411A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16397914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19884888A Pending JPH0249411A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249411A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5556348A (en) * | 1993-08-31 | 1996-09-17 | Nsk Ltd. | Toroidal-type continuously variable transmission |
| US5735769A (en) * | 1994-04-18 | 1998-04-07 | Nsk Ltd. | Toroidal type continuously variable transmission parts having increased life |
| US5855531A (en) * | 1994-01-18 | 1999-01-05 | Nsk Ltd. | Component parts of a toroidal-type continuously variable transmission having improved life |
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1988
- 1988-08-11 JP JP19884888A patent/JPH0249411A/ja active Pending
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