JPS5992618A - レベルシフト回路 - Google Patents
レベルシフト回路Info
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- JPS5992618A JPS5992618A JP57202921A JP20292182A JPS5992618A JP S5992618 A JPS5992618 A JP S5992618A JP 57202921 A JP57202921 A JP 57202921A JP 20292182 A JP20292182 A JP 20292182A JP S5992618 A JPS5992618 A JP S5992618A
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- circuit
- input
- current
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/003—Changing the DC level
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はレベルシフト回路に関する。
1−
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来のレベルシフト回路を第1図乃至第4図に示す。第
1図に示す例はダイオードを用いてシフトする方式の回
路である。すなわち、入力端子P1に印加された入力信
号はトランジスタQ11゜ダイオードD111D12を
介してシフトされ、出力端子P2に導びかれる。この回
路のレベルシフト量(入力端子P1と出力端子22間の
電位差)vLsは v=v+v+v ・・・ (1)L8
!Ill Di DI但しV
□1:トランジスタQllのベース・エミッタ間順方向
降下電圧 ■D1:ダイオードDi 1の順方向降下電圧VD2:
ダイオードDI11の順方向降下電圧となる。
1図に示す例はダイオードを用いてシフトする方式の回
路である。すなわち、入力端子P1に印加された入力信
号はトランジスタQ11゜ダイオードD111D12を
介してシフトされ、出力端子P2に導びかれる。この回
路のレベルシフト量(入力端子P1と出力端子22間の
電位差)vLsは v=v+v+v ・・・ (1)L8
!Ill Di DI但しV
□1:トランジスタQllのベース・エミッタ間順方向
降下電圧 ■D1:ダイオードDi 1の順方向降下電圧VD2:
ダイオードDI11の順方向降下電圧となる。
しかしながら、上記構成の場合、製造誤差や温度変動に
よってトランジスタQ11やダイオードDi 11 D
I 2の特性が所望の値から変動すると、レベルシフト
量vLsが変動してしまう欠点がある。また、レベルシ
フト量vL□はダイオードの9− 数によって決まるが、レベルシフト量vLsを大きくし
たい場合、ダイオードの数が多くなる欠点がある。
よってトランジスタQ11やダイオードDi 11 D
I 2の特性が所望の値から変動すると、レベルシフト
量vLsが変動してしまう欠点がある。また、レベルシ
フト量vL□はダイオードの9− 数によって決まるが、レベルシフト量vLsを大きくし
たい場合、ダイオードの数が多くなる欠点がある。
第2図に示す例は定電流源Illを用いる方式を示す。
この回路のレベルシフ) Jl Vt、sは、V =
V +RI ・・・ (2)LB
BZ& B B但し、v!l、l、a:
トランジスタQ1!のペース−エミッタ間順方向降下電
圧 R8: 抵抗R11の抵抗値 I8: 定電流源I目の電流 この回路は、定電流源II、の回路設計に於いて、回路
素子の特性の変動の補償及び温度補償を考慮した回路設
計をすることが要求され、回路設計が複紺になる。また
定電流源Illとしては、トランジスタのペース電圧を
制御することにより、そのコレクタ電流を一定に保ち、
これを電流■8とする回路が用いられる。しかしながら
、この場合、上述したような電流源トランジスタのペー
ス側に不要の信号成分が乗ると、電流11の値が変化し
、これによシレペルシフト量vLmが変化してしまう欠
点がある。また、レベルシフ)i−VL、はIILやR
aによって決まるが、これを大きくする為に、Iaを大
きくすると消費電力が増大し、Raを大きくすると周波
数特性が悪化する欠点がある。
V +RI ・・・ (2)LB
BZ& B B但し、v!l、l、a:
トランジスタQ1!のペース−エミッタ間順方向降下電
圧 R8: 抵抗R11の抵抗値 I8: 定電流源I目の電流 この回路は、定電流源II、の回路設計に於いて、回路
素子の特性の変動の補償及び温度補償を考慮した回路設
計をすることが要求され、回路設計が複紺になる。また
定電流源Illとしては、トランジスタのペース電圧を
制御することにより、そのコレクタ電流を一定に保ち、
これを電流■8とする回路が用いられる。しかしながら
、この場合、上述したような電流源トランジスタのペー
ス側に不要の信号成分が乗ると、電流11の値が変化し
、これによシレペルシフト量vLmが変化してしまう欠
点がある。また、レベルシフ)i−VL、はIILやR
aによって決まるが、これを大きくする為に、Iaを大
きくすると消費電力が増大し、Raを大きくすると周波
数特性が悪化する欠点がある。
また、第1図及び第2図に示す回路はシフト方向がいず
れも高レベルから低レベルへノ一方向のみであシ、これ
とは逆の方向へはこのままでは設計変更できない欠点が
ある。
れも高レベルから低レベルへノ一方向のみであシ、これ
とは逆の方向へはこのままでは設計変更できない欠点が
ある。
第3図及び第4図は低レベルから高レベルにレベルシフ
ト可能なように構成された例を示すものである。第3図
は第1図と同様にダイオードを用いる方式であり、第4
図は第2図と同様に定電流源を用いる方式である。これ
ら、第3図及び第4図の回路もそれぞれ前述した第1図
。
ト可能なように構成された例を示すものである。第3図
は第1図と同様にダイオードを用いる方式であり、第4
図は第2図と同様に定電流源を用いる方式である。これ
ら、第3図及び第4図の回路もそれぞれ前述した第1図
。
第2図の回路と同様の欠点を有することは当然であるが
、さらに次のような欠点を有する。
、さらに次のような欠点を有する。
まず、集積回路では、PNP )ランジスタとしては一
般に、ラテラルPNP )ランジスタやサブストレート
PNP )ランジスタが用いられる。この秤のPNP
)ランジスタFiNPN)ランジスタに比べて電流増幅
率が低く、入力インピーダンスが但いという欠点を有す
る。したがって、入力段にPNP )ランジスタを用い
ている第3図、第4図の回路では、NPN )ランジス
タを用いている第1図、第2図の回路に比べ、入力イン
ピーダンスが低いという欠点を有する。
般に、ラテラルPNP )ランジスタやサブストレート
PNP )ランジスタが用いられる。この秤のPNP
)ランジスタFiNPN)ランジスタに比べて電流増幅
率が低く、入力インピーダンスが但いという欠点を有す
る。したがって、入力段にPNP )ランジスタを用い
ている第3図、第4図の回路では、NPN )ランジス
タを用いている第1図、第2図の回路に比べ、入力イン
ピーダンスが低いという欠点を有する。
また、第3図及び第4図の回路は電源依存性を有する。
す々わち、第3図の回路では電源電圧が変動すると、ト
ランジスタQ11に流れる電流が変化し、トランジスタ
Qllのペース・エミッタ間順方向降下電圧V□1.温
度係数が変化する欠点を有する。第4図の回路では、定
電流源Illの電流源トランジスタのペースバイアス電
圧が電源電圧に依存して決まることが多く、シたがって
、電源電圧が変動すると、電流I が変動し、レベルシ
フト量vLsが変動する欠点を有する。
ランジスタQ11に流れる電流が変化し、トランジスタ
Qllのペース・エミッタ間順方向降下電圧V□1.温
度係数が変化する欠点を有する。第4図の回路では、定
電流源Illの電流源トランジスタのペースバイアス電
圧が電源電圧に依存して決まることが多く、シたがって
、電源電圧が変動すると、電流I が変動し、レベルシ
フト量vLsが変動する欠点を有する。
この発明は上記の事情に対処すべくなされた5−
もので、集積回路化に好適で、かつ回路構成が簡単で、
常に安定したレベルシフトを行なうこトカできるレベル
シフト回路を提供することを目的とする。
常に安定したレベルシフトを行なうこトカできるレベル
シフト回路を提供することを目的とする。
この発明は、入力信号の入力端子と入力信号の動作点電
位端間にトランジスタのペース・エミッタ電流路及び抵
抗の直列回路から成る信号入力用回路を設け、この信号
入力用回路に流れる電流値の電流が流れる上記トランジ
スタの能動負荷と、この能動負荷と対をなしカレントミ
ラー動作により上記入力用回路に流れる電流に対応する
電流を流す定電流源トランジスタと、この定電流源トラ
ンジスタに直列に挿入して成る信号出力回路を設け、カ
レントミラー動作によって前記信号入力回路を流れる電
流に対応する電流を信号出力回路に供給するように構成
したものである。
位端間にトランジスタのペース・エミッタ電流路及び抵
抗の直列回路から成る信号入力用回路を設け、この信号
入力用回路に流れる電流値の電流が流れる上記トランジ
スタの能動負荷と、この能動負荷と対をなしカレントミ
ラー動作により上記入力用回路に流れる電流に対応する
電流を流す定電流源トランジスタと、この定電流源トラ
ンジスタに直列に挿入して成る信号出力回路を設け、カ
レントミラー動作によって前記信号入力回路を流れる電
流に対応する電流を信号出力回路に供給するように構成
したものである。
以下、図面を参照してこの発明の実施例を詳6−
細に説明する。第5図は第1の実施例を示す回路図であ
る。入力端子P1はトランジスタ(htのペースに接続
され゛ている。このトランジスタQ21のエミッタは抵
抗R21を介して接地され、コレクタはトランジスタQ
22のコレクタに接続されている。このトランジスタQ
22のコレクタはペースにダイオード接続さね、このペ
ースはさらにトランジスタQ23のペースに接続されて
いる。
る。入力端子P1はトランジスタ(htのペースに接続
され゛ている。このトランジスタQ21のエミッタは抵
抗R21を介して接地され、コレクタはトランジスタQ
22のコレクタに接続されている。このトランジスタQ
22のコレクタはペースにダイオード接続さね、このペ
ースはさらにトランジスタQ23のペースに接続されて
いる。
トランジスタQ221Q23のエミッタは電源V。0に
接続されている。トランジスタ(hsのコレクタはダイ
オード接続のトランジスタQ24のコレクタとペースと
の接続中点に接続されている。
接続されている。トランジスタ(hsのコレクタはダイ
オード接続のトランジスタQ24のコレクタとペースと
の接続中点に接続されている。
トランジスタQ24のエミッタは抵抗R23の一端に接
続され、抵抗R22の他端は定電圧源E21の正側電極
に接続されている。レベルシフト量に関与する定電圧源
E21の負電極は接地されている。前記トランジスタQ
Csのコレクタには出力端子P!が設けられている。
続され、抵抗R22の他端は定電圧源E21の正側電極
に接続されている。レベルシフト量に関与する定電圧源
E21の負電極は接地されている。前記トランジスタQ
Csのコレクタには出力端子P!が設けられている。
なお、トランジスタ(hunchsはカレントミラー回
路を成す。したがって、第5図はトランジスタ(htの
コレクタ・エミッタ電流路をカレントミラー回路の入力
端側に接続し、トランジスタQ24のコレクタ・エミッ
タ電流路を出力端側に接続した構成となっている。カレ
ントミラー回路は、トランジスタ(hgのコレクタに流
れる入力電流に北側した出力電流をトランジスタQ21
のコレクタに流すものである。
路を成す。したがって、第5図はトランジスタ(htの
コレクタ・エミッタ電流路をカレントミラー回路の入力
端側に接続し、トランジスタQ24のコレクタ・エミッ
タ電流路を出力端側に接続した構成となっている。カレ
ントミラー回路は、トランジスタ(hgのコレクタに流
れる入力電流に北側した出力電流をトランジスタQ21
のコレクタに流すものである。
上記構成に於いて動作を説明する。入力端子P1には、
例えばアース電位を動作点とする信号が印加される。今
、トランジスタQ2 * * Q雪sの特性を等しくす
れば、カレントミラー動作により、トランジスタQt
を及び抵抗R11に流れる電流とトランジスタQza及
び抵抗R2!に流れる電流とが等しくなる。このような
条件の基で、さらに、トランジスタにhzQz4の特性
を等しくすれば、これらトランジスタ(ht、Ch4の
ペース・エミッタ間順方向降下電圧を等しくすることが
できる。上記構成によれば、出力端子Ptには利得はそ
のままにして、動作点がアース電位から定電圧源E!!
の定電圧にレベルシフトされた信号が得られる。
例えばアース電位を動作点とする信号が印加される。今
、トランジスタQ2 * * Q雪sの特性を等しくす
れば、カレントミラー動作により、トランジスタQt
を及び抵抗R11に流れる電流とトランジスタQza及
び抵抗R2!に流れる電流とが等しくなる。このような
条件の基で、さらに、トランジスタにhzQz4の特性
を等しくすれば、これらトランジスタ(ht、Ch4の
ペース・エミッタ間順方向降下電圧を等しくすることが
できる。上記構成によれば、出力端子Ptには利得はそ
のままにして、動作点がアース電位から定電圧源E!!
の定電圧にレベルシフトされた信号が得られる。
出力端子P2の電位を式を使って表わすと次のようにな
る。今、トランジスタQ21−Q24のペース電流がこ
れらトランジスタQ21〜(h 4のコレクタ電流に比
べて無視できる程小さいとする。
る。今、トランジスタQ21−Q24のペース電流がこ
れらトランジスタQ21〜(h 4のコレクタ電流に比
べて無視できる程小さいとする。
入力端子PIに例えば電圧v1なる直流レベルの信号が
印加されたとすると、そのときの出力端の直流電圧レベ
ルv2は、 但しE8:定電圧源E21の定電圧 V□、vBzb:それぞれトランジスタQ21゜Q24
(7)ペース・エミッタ間順方向降下電圧 Ra、Rb:それぞれ抵抗R21+ R2*の抵抗値 となる。式(4)を変形すると、 となる。ここで、ペース・エミッタ間のダイオ9− −ド特性に依存しないように V= = Ea+ v、 −(5)なる関
係が得られるようにする為には、Rb −=1 ・・・ (7)R。
印加されたとすると、そのときの出力端の直流電圧レベ
ルv2は、 但しE8:定電圧源E21の定電圧 V□、vBzb:それぞれトランジスタQ21゜Q24
(7)ペース・エミッタ間順方向降下電圧 Ra、Rb:それぞれ抵抗R21+ R2*の抵抗値 となる。式(4)を変形すると、 となる。ここで、ペース・エミッタ間のダイオ9− −ド特性に依存しないように V= = Ea+ v、 −(5)なる関
係が得られるようにする為には、Rb −=1 ・・・ (7)R。
トランジスタQ21とQ24+Qt鵞とQCsの特性を
抵抗値を等しくすることによって得られる。
抵抗値を等しくすることによって得られる。
ところで、同一半導体基板上に複数のトランジスタを集
積回路化する場合、同一形式のトランジスタであればそ
れらの特性を相対的に精度良く所望の値に設定すること
ができる。この場合、製造誤差あるいは温度質化によっ
て各トランジスタの特性が所望の値から変動したとじて
も、全てのトランジスタの特性の変動傾向が同じと々る
ので、特性の比だけは依然として一定に保つことができ
る。したがって、第5図の回路に於いて、トランジスタ
(hz+(haの特性の比を1:1にすることは容易で
アシ、さらにトランジスタ(ht+(h4の特性の比を
1:1にすることも容易であるから、トランジスタQ2
11Q24に流れる電流(厳密にはエミッタの電流の電
流また、同様に同一半導体基板上に複数の抵抗確実にI
Kすることができる。
積回路化する場合、同一形式のトランジスタであればそ
れらの特性を相対的に精度良く所望の値に設定すること
ができる。この場合、製造誤差あるいは温度質化によっ
て各トランジスタの特性が所望の値から変動したとじて
も、全てのトランジスタの特性の変動傾向が同じと々る
ので、特性の比だけは依然として一定に保つことができ
る。したがって、第5図の回路に於いて、トランジスタ
(hz+(haの特性の比を1:1にすることは容易で
アシ、さらにトランジスタ(ht+(h4の特性の比を
1:1にすることも容易であるから、トランジスタQ2
11Q24に流れる電流(厳密にはエミッタの電流の電
流また、同様に同一半導体基板上に複数の抵抗確実にI
Kすることができる。
したがって、第5図の回路では式(5)で示されるよう
ガ出力電圧v2を確実に得ることができる。
ガ出力電圧v2を確実に得ることができる。
そして、この場合、定電圧源E21の定電圧E1がレベ
ルシフト量となるから、この電圧EILを適宜設定する
ことによシ、入力信号の動作点を次段の回路に合った動
作点に変換することができる。
ルシフト量となるから、この電圧EILを適宜設定する
ことによシ、入力信号の動作点を次段の回路に合った動
作点に変換することができる。
以上詳述したようにこの実旋例は、入力端子P1とアー
ス間に、1個のトランジスタ(htのペース・エミッタ
間電流路と1゛個の抵抗R11との直列回路から成る信
号入力回路を設け、定電圧源E21と出力端子22間に
、信号入力回路と同じく1個のトランジスタQ24のペ
ース・エミッタ間電流路と1個の抵抗R22から成る信
号出力回路を設け、カレントミラー回路によって上記両
回路に等しいバイアス電流を供給するようにしたもので
ある。この場合、信号出力回路には入力電圧v1と等し
い電圧が発生し、これが定電圧源E21から発生される
定電圧E、に応じて適宜レベルシフトされ、出力端子P
?に導出される。
ス間に、1個のトランジスタ(htのペース・エミッタ
間電流路と1゛個の抵抗R11との直列回路から成る信
号入力回路を設け、定電圧源E21と出力端子22間に
、信号入力回路と同じく1個のトランジスタQ24のペ
ース・エミッタ間電流路と1個の抵抗R22から成る信
号出力回路を設け、カレントミラー回路によって上記両
回路に等しいバイアス電流を供給するようにしたもので
ある。この場合、信号出力回路には入力電圧v1と等し
い電圧が発生し、これが定電圧源E21から発生される
定電圧E、に応じて適宜レベルシフトされ、出力端子P
?に導出される。
上記構成によれば、カレントミラー回路の入力端側の回
路と出力端側の回路によって、回路素子の特性の変動を
相殺されるので、回路素子の特性が変動しても、常に所
望のレベルシフト量を確保することができる。
路と出力端側の回路によって、回路素子の特性の変動を
相殺されるので、回路素子の特性が変動しても、常に所
望のレベルシフト量を確保することができる。
また、独立的に設けられた定電圧源El! 1の定電圧
E、を適宜選定することによって、種々様々なレベルシ
フトlを設定することができる。この場合、定電圧Ea
を正電圧あるいは負電圧に選ぶことによって、低レベル
から高レベルあるいけ高レベルから低レベルへといった
両方向のレベルシフトを実現することが可能である。
E、を適宜選定することによって、種々様々なレベルシ
フトlを設定することができる。この場合、定電圧Ea
を正電圧あるいは負電圧に選ぶことによって、低レベル
から高レベルあるいけ高レベルから低レベルへといった
両方向のレベルシフトを実現することが可能である。
ここで上記のように入力側のトランジスタと出力側のト
ランジスタとのペース・エミッタ特性が等しくペース・
エミッタ電圧がvIIEであるとすると上述した(4)
式は、 で一般的に示される。
ランジスタとのペース・エミッタ特性が等しくペース・
エミッタ電圧がvIIEであるとすると上述した(4)
式は、 で一般的に示される。
n:Qzz+Q*sが構成するカレントミラー回路の電
流比。
流比。
k:出力回路側に接続されたダイオード(PN接合)の
個数。
個数。
上記(4)7式でV□の係数項が零となるように、kを
設定すれば、入力端子P!での直流レベルは出力端子P
2で温度賛化の影響をうけることなくレベル変換される
。
設定すれば、入力端子P!での直流レベルは出力端子P
2で温度賛化の影響をうけることなくレベル変換される
。
接合電圧■Blによる影響をうけずに直流レベルを定め
て設定し、その上で出力回路に挿入するダイオードの個
数kを定めれば、■□の変化によゐ影響をうけることな
く直流変換レベル量を定めることができる。力お、抵抗
Rbは、後述する第11図に示す例のように、抵抗R1
Bm抵抗R抵抗で分割されて出力側に接続された場合に
はその合成抵抗を示す。
て設定し、その上で出力回路に挿入するダイオードの個
数kを定めれば、■□の変化によゐ影響をうけることな
く直流変換レベル量を定めることができる。力お、抵抗
Rbは、後述する第11図に示す例のように、抵抗R1
Bm抵抗R抵抗で分割されて出力側に接続された場合に
はその合成抵抗を示す。
また、定電圧源Eztは定電圧E1を大きくしても、消
費電力が大きくなったシ、周波数特性が悪化したシする
ことのないようにすることができる。
費電力が大きくなったシ、周波数特性が悪化したシする
ことのないようにすることができる。
また、電源電圧が変動してもトランジスタ(hz+(h
sの電流が変わることがないので、入力端子P1での利
得を保ったまま入力信号を出力端子P2に導びくことが
できる。しかも、定電圧源E21を例えば第6図のよう
に構成すれば、定電圧Eaが電源電圧の変動の影響を受
けないようにすることができる。以上から電源電圧の変
動の影響を受けないレベルシフトを行表うことかできる
。なお、第6図はダイオード接続のトランジスタQCs
、(haとツェナーダイオードI)itを直列接続した
ものである。このような構成によれば、常に一定な電圧
Eaを得ることができ、かつ温度係数を零にすることが
できる。
sの電流が変わることがないので、入力端子P1での利
得を保ったまま入力信号を出力端子P2に導びくことが
できる。しかも、定電圧源E21を例えば第6図のよう
に構成すれば、定電圧Eaが電源電圧の変動の影響を受
けないようにすることができる。以上から電源電圧の変
動の影響を受けないレベルシフトを行表うことかできる
。なお、第6図はダイオード接続のトランジスタQCs
、(haとツェナーダイオードI)itを直列接続した
ものである。このような構成によれば、常に一定な電圧
Eaを得ることができ、かつ温度係数を零にすることが
できる。
また、入力段にNPN )ランジスタQ!1を用いてい
るので入力インピーダンスが高い。
るので入力インピーダンスが高い。
また、上記のような構成であれは、低い電源電圧しか利
用できないような場合でも有利である。
用できないような場合でも有利である。
第7図乃至第10図はそれぞれ信号入力回路と信号出力
回路の異なる構成を示す回路図である。まず、第7図は
トランジスタ(htのエミッタと抵抗R21との間にダ
イオード接続のトランジスタQ27を順方向に接続した
ものである。このような場合でも、例えば、出力端子P
2とトランジスタ(haのコレクタとの間にダイオード
接続のトランジスタ(hsを順方向に挿入することによ
シ、トランジスタ(htの両端電圧分をトランジスタ(
hsで確保することができるので、先の式(5)を得る
ことができる。
回路の異なる構成を示す回路図である。まず、第7図は
トランジスタ(htのエミッタと抵抗R21との間にダ
イオード接続のトランジスタQ27を順方向に接続した
ものである。このような場合でも、例えば、出力端子P
2とトランジスタ(haのコレクタとの間にダイオード
接続のトランジスタ(hsを順方向に挿入することによ
シ、トランジスタ(htの両端電圧分をトランジスタ(
hsで確保することができるので、先の式(5)を得る
ことができる。
第8図は、信号入力回路側ではトランジスタQ21のエ
ミッタをアースに直結し、ペースと入力端間に抵抗1h
aを挿入したものである。そして、信号出力回路側では
、トランジスタQ24のペースとコレクタ間に抵抗R1
3と等しい抵抗値の抵抗R24を挿入したものである。
ミッタをアースに直結し、ペースと入力端間に抵抗1h
aを挿入したものである。そして、信号出力回路側では
、トランジスタQ24のペースとコレクタ間に抵抗R1
3と等しい抵抗値の抵抗R24を挿入したものである。
このような構成では、トランジスタQ鵞teQzaのエ
ミッタ電流が略等しいので、そのペース電流も略等しく
、シたがって、抵抗1h31R14の両端電圧も略等し
い。その結果、トランジスタQ!4のコレクタとエミッ
タ間には入力電圧v1に略等しい電圧が発生し、出力電
圧V、は削成(5)と同じようになる。
ミッタ電流が略等しいので、そのペース電流も略等しく
、シたがって、抵抗1h31R14の両端電圧も略等し
い。その結果、トランジスタQ!4のコレクタとエミッ
タ間には入力電圧v1に略等しい電圧が発生し、出力電
圧V、は削成(5)と同じようになる。
第9図は先の第8図に於いて、トランジスタ(hxのペ
ースとアース間に抵抗R211を挿入し、トランジスタ
(h4のペースとエミッタ間に抵抗R2aと抵抗値が等
しい抵抗R218を挿入したものである。このような構
成に於いても、トランジスタ(h4のコレクタとエミッ
タ間に入力電圧v1に略等しい電圧を発生させることが
できる。
ースとアース間に抵抗R211を挿入し、トランジスタ
(h4のペースとエミッタ間に抵抗R2aと抵抗値が等
しい抵抗R218を挿入したものである。このような構
成に於いても、トランジスタ(h4のコレクタとエミッ
タ間に入力電圧v1に略等しい電圧を発生させることが
できる。
第10図は、トランジスタ(h 1のペースとアース間
にダイオード接続のトランジスタQzeを順方向に接続
し、さらにトランジスタQ21のペースと入力端子21
間に抵抗R27を挿入したものである。そし、て、トラ
ンジスタQ24のエミッタには、第5図と同じく抵抗1
hzが挿入されている。この場合、抵抗R27* R2
2の抵抗値は等しくされている。このような構成では、
トランジスタ(hz+(hsはカレントミラー回路を成
し、トランジスタQ21に流れる電流と等しい電流がト
ランジスタQ2・に流れる。したがって、トランジスタ
Q2mと抵抗R1γから成る回路はトランジスタ(h4
と抵抗R22から成る回路と同じょうに動作し、定電圧
源Eztと出力端子22間に入力17− 電圧v1に略等しい電圧が得られる。
にダイオード接続のトランジスタQzeを順方向に接続
し、さらにトランジスタQ21のペースと入力端子21
間に抵抗R27を挿入したものである。そし、て、トラ
ンジスタQ24のエミッタには、第5図と同じく抵抗1
hzが挿入されている。この場合、抵抗R27* R2
2の抵抗値は等しくされている。このような構成では、
トランジスタ(hz+(hsはカレントミラー回路を成
し、トランジスタQ21に流れる電流と等しい電流がト
ランジスタQ2・に流れる。したがって、トランジスタ
Q2mと抵抗R1γから成る回路はトランジスタ(h4
と抵抗R22から成る回路と同じょうに動作し、定電圧
源Eztと出力端子22間に入力17− 電圧v1に略等しい電圧が得られる。
以上は入力信号に対する利得が1となるように構成され
た回路について説明したが、利得を1以外の整数倍にす
ることも可能である。第11図は例えば、利得を2倍に
するように構成された場合を示す。すなわち、トランジ
スタQ23のコレクタと定電圧源Ellの正側電極との
間に、トランジスタQ24と抵抗R12から成る回路と
同じよう外接続構成を有する回路を2個直列にして挿入
したものである。この場合、トランジスタQ24+Qs
oは特性が等しく、抵抗1h 雪11h aは抵抗値が
等しくなるようにしである。
た回路について説明したが、利得を1以外の整数倍にす
ることも可能である。第11図は例えば、利得を2倍に
するように構成された場合を示す。すなわち、トランジ
スタQ23のコレクタと定電圧源Ellの正側電極との
間に、トランジスタQ24と抵抗R12から成る回路と
同じよう外接続構成を有する回路を2個直列にして挿入
したものである。この場合、トランジスタQ24+Qs
oは特性が等しく、抵抗1h 雪11h aは抵抗値が
等しくなるようにしである。
このような構成によれば、定電圧源E!1の正側電極と
トランジスタQ鵞4のコレクタ間、トランジスタQ24
のコレクタとトランジスタQsoのコレクタ間にそれぞ
れ入力電圧v1と等しい電圧が発生する。したがって、
出力端子P2には、2倍に増幅され、動作点が定電圧E
、tでレベルシフトされた信号が得られる。 ”
出力電圧v2を式を使って表わすと、 18− 但し、V□c: トランジスタQaoのペース・エミッ
タ間順方向降下電圧 Rc: 抵抗R2aの抵抗値 とカる0ここで、 v、、aw v、、b= vBIc
、 R。
トランジスタQ鵞4のコレクタ間、トランジスタQ24
のコレクタとトランジスタQsoのコレクタ間にそれぞ
れ入力電圧v1と等しい電圧が発生する。したがって、
出力端子P2には、2倍に増幅され、動作点が定電圧E
、tでレベルシフトされた信号が得られる。 ”
出力電圧v2を式を使って表わすと、 18− 但し、V□c: トランジスタQaoのペース・エミッ
タ間順方向降下電圧 Rc: 抵抗R2aの抵抗値 とカる0ここで、 v、、aw v、、b= vBIc
、 R。
=Rb=Rcであるから、
V2 = EIL+ 2V1− (91となる。同
様の方法で、直列接続される回路数を増やすことによシ
、3倍以上整数倍の利得を得ることができる。
様の方法で、直列接続される回路数を増やすことによシ
、3倍以上整数倍の利得を得ることができる。
第12図は次段の回路が複数あって、各回路の入力動作
点が異なる場合に効率良く構成されたレベルシフト回路
を示すものである。この場合は、例えば第5図に示すよ
うな回路を複数設ける必禦はなく、カレントミラー回路
の出力用のトランジスタを複数にし、各出力用のトラン
ジスタに例えば第5図で説明したような信号出力用回路
を接続すればよい。第12図は入力動作点が異なる次段
の回路が2個存在する場合の構成を示す。すシわち、カ
レントミラー回路の出力用のトランジスタQs1はトラ
ンジスタQzsと同一特性を有し、このトランジスタQ
s 1のコレクタ側に接続されるトランジスタQsz及
び抵抗R2eはそれぞれトランジスタ(h4及び抵抗R
22と同一特性を有し、かつ同一接続構成となっている
。したがって、出力端子P3には、入力電圧v1の動作
点を定電圧源14+1の定電圧Ebまでレベルシフトし
た出力電圧v3が得られる。
点が異なる場合に効率良く構成されたレベルシフト回路
を示すものである。この場合は、例えば第5図に示すよ
うな回路を複数設ける必禦はなく、カレントミラー回路
の出力用のトランジスタを複数にし、各出力用のトラン
ジスタに例えば第5図で説明したような信号出力用回路
を接続すればよい。第12図は入力動作点が異なる次段
の回路が2個存在する場合の構成を示す。すシわち、カ
レントミラー回路の出力用のトランジスタQs1はトラ
ンジスタQzsと同一特性を有し、このトランジスタQ
s 1のコレクタ側に接続されるトランジスタQsz及
び抵抗R2eはそれぞれトランジスタ(h4及び抵抗R
22と同一特性を有し、かつ同一接続構成となっている
。したがって、出力端子P3には、入力電圧v1の動作
点を定電圧源14+1の定電圧Ebまでレベルシフトし
た出力電圧v3が得られる。
Vs = Eb+ Vi ・” (10
)したがって、定電圧源Ez 1 * El Hの定電
圧E。
)したがって、定電圧源Ez 1 * El Hの定電
圧E。
Ebを適宜選定することによシ、出力端子P1+P3に
はここに接続される次段の回路の入力動作点までレベル
シフトされた信号を得ることができる。
はここに接続される次段の回路の入力動作点までレベル
シフトされた信号を得ることができる。
第13図は、トランジスタQss+Qs4、抵抗R36
” Rs a 、定電流源211で構成された次段の差
動増幅回路へレベルシフトされた信号を供給する構成を
示すものである。すなわち、差動対を成す一方のトラン
ジスタQssのペースは出力端子P2に接続され、他方
のトランジスタQ84のペースは定電圧源E21の正側
!極へ接続されている。このような構成によれば、トラ
ンジスタQ!13IQ114のペースへは、共に定電圧
源Eziの定電圧Eaを基準にしてバイアスが供給され
るので、電圧Eaの変動で差動入力電圧が変動すること
がなく、入力電圧v1のみを差動入力として供給するこ
とができる。そして、負荷抵抗R32゜Ttssの抵抗
値を適宜設定することによシ、出力端子P3+P4に入
力電圧■lを増幅した電圧を得ることができる。
” Rs a 、定電流源211で構成された次段の差
動増幅回路へレベルシフトされた信号を供給する構成を
示すものである。すなわち、差動対を成す一方のトラン
ジスタQssのペースは出力端子P2に接続され、他方
のトランジスタQ84のペースは定電圧源E21の正側
!極へ接続されている。このような構成によれば、トラ
ンジスタQ!13IQ114のペースへは、共に定電圧
源Eziの定電圧Eaを基準にしてバイアスが供給され
るので、電圧Eaの変動で差動入力電圧が変動すること
がなく、入力電圧v1のみを差動入力として供給するこ
とができる。そして、負荷抵抗R32゜Ttssの抵抗
値を適宜設定することによシ、出力端子P3+P4に入
力電圧■lを増幅した電圧を得ることができる。
なお、この発明は先の実施例に限定されるものではない
。例えば、第5図に於いて、定電圧源E21の定電圧E
1を零にすれば、レベルシフト量を零にすることができ
る。言い換えれば回路を単にインピーダンス変換回路と
して利用することができる。また、カレントミラー回路
としては、第5図等で示した構成のものに限らないとと
も勿論である。
。例えば、第5図に於いて、定電圧源E21の定電圧E
1を零にすれば、レベルシフト量を零にすることができ
る。言い換えれば回路を単にインピーダンス変換回路と
して利用することができる。また、カレントミラー回路
としては、第5図等で示した構成のものに限らないとと
も勿論である。
21−
このようにこの発明によれば、集積回路に好適で、かつ
回路構成が簡単で、常に安定したレベルシフトを行なう
ことができるレベルシフト回路を提供することができる
。
回路構成が簡単で、常に安定したレベルシフトを行なう
ことができるレベルシフト回路を提供することができる
。
第1図乃至第4図はそれぞれ従来のレベルシフト回路の
異なる例を示す回路図、第5図はこの発明に係るレベル
シフト回路の第1の実施例を示す回路図、第6図乃至第
13図はそれぞれこの発明の第2の実施例乃至第9の実
施例を示す回路図である。 pt・・・入力端子、P!IP11・・・出力端子、v
cc・・・電・源、Ezt *E22・・・定電圧源、
工21・・・定電流源、Cht〜Q34・・・トランジ
スタ、Rx 1〜R4S・・・ 抵抗、D!l・・・ツ
ヱナーダイオード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦22− □17.1 13図
異なる例を示す回路図、第5図はこの発明に係るレベル
シフト回路の第1の実施例を示す回路図、第6図乃至第
13図はそれぞれこの発明の第2の実施例乃至第9の実
施例を示す回路図である。 pt・・・入力端子、P!IP11・・・出力端子、v
cc・・・電・源、Ezt *E22・・・定電圧源、
工21・・・定電流源、Cht〜Q34・・・トランジ
スタ、Rx 1〜R4S・・・ 抵抗、D!l・・・ツ
ヱナーダイオード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦22− □17.1 13図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 入力信号が印加される入力端子と、この入力端子と前記
入力信号の動作点電位端との間に入力トランジスタのペ
ース・エミッタ間電流路と抵抗との直列回路を形成して
成る信号入力用回路と、前記入力トランジスタの能動負
荷と、との能動負荷に流れる電流に応じた電流を流す定
−電流源トランジスタと、この定電流源トランジスタの
電流路に設けた出力端子と、この出力端子が接続された
電流路に介在接続されレベルシフト量を決めるに供する
定電圧源とこの定電圧ノ 源と前記出力端子間に介在接続した少なくとも一つのP
N接合と抵抗回路を有する出力回路とを具備したレベル
シフト回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202921A JPH0669140B2 (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | レベルシフト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202921A JPH0669140B2 (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | レベルシフト回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992618A true JPS5992618A (ja) | 1984-05-28 |
| JPH0669140B2 JPH0669140B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=16465363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57202921A Expired - Lifetime JPH0669140B2 (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | レベルシフト回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669140B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02105089A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-17 | Toshiba Corp | スイッチ回路 |
| JPH0385803A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-11 | Fujitsu Ltd | レベルシフト回路 |
| JP2006039577A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Magnachip Semiconductor Ltd | パッシブマトリクス有機発光ダイオード用出力ドライバ |
| JP2008311983A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | New Japan Radio Co Ltd | 増幅回路 |
| JP2009089429A (ja) * | 2000-05-12 | 2009-04-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体集積回路 |
| JP2009288030A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Micronics Japan Co Ltd | センサ基板及び検査装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50102234A (ja) * | 1974-01-10 | 1975-08-13 | ||
| JPS5526790A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-26 | Toshiba Corp | Emitter follower circuit |
| JPS574606A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage transmitting circuit |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57202921A patent/JPH0669140B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50102234A (ja) * | 1974-01-10 | 1975-08-13 | ||
| JPS5526790A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-26 | Toshiba Corp | Emitter follower circuit |
| JPS574606A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage transmitting circuit |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02105089A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-17 | Toshiba Corp | スイッチ回路 |
| JPH0385803A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-11 | Fujitsu Ltd | レベルシフト回路 |
| JP2009089429A (ja) * | 2000-05-12 | 2009-04-23 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体集積回路 |
| JP2006039577A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Magnachip Semiconductor Ltd | パッシブマトリクス有機発光ダイオード用出力ドライバ |
| JP2008311983A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | New Japan Radio Co Ltd | 増幅回路 |
| JP2009288030A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Micronics Japan Co Ltd | センサ基板及び検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669140B2 (ja) | 1994-08-31 |
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