JPS5994293A - 磁気バブル記憶素子 - Google Patents
磁気バブル記憶素子Info
- Publication number
- JPS5994293A JPS5994293A JP57204765A JP20476582A JPS5994293A JP S5994293 A JPS5994293 A JP S5994293A JP 57204765 A JP57204765 A JP 57204765A JP 20476582 A JP20476582 A JP 20476582A JP S5994293 A JPS5994293 A JP S5994293A
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- Japan
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- matching
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- magnetic bubble
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- Pending
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶素子にかかり、特に目合せバタ
ンの改良に関するものである。
ンの改良に関するものである。
磁気バブルを用いて記憶素子を構成するには通常ゲート
や、発生器といった機能部を必要とする。
や、発生器といった機能部を必要とする。
これら機能部はｍ気バブルを電流制御するための導体バ
タン層（以後Ｃ２鴫と称する）と磁気バブル駆動用のパ
ーマロイバタン層又はイオン注入バタン層（以後Ｐ層と
称する）とから成り立っている。
タン層（以後Ｃ２鴫と称する）と磁気バブル駆動用のパ
ーマロイバタン層又はイオン注入バタン層（以後Ｐ層と
称する）とから成り立っている。
これらの機能部は複雑なバタンで形成されているため、
安定に機能動作させるには０層とＰ層間の目合せズレ量
を最小限に抑え、かつ目合せ中心位置が総合的な動作特
性からみて最適位置に設定されていなければならない。
安定に機能動作させるには０層とＰ層間の目合せズレ量
を最小限に抑え、かつ目合せ中心位置が総合的な動作特
性からみて最適位置に設定されていなければならない。
第１図は従来の目合せバタンの一例を示す図で、（ａ）
図は０層の目合せバタン、（ｂ）図はＰ層の目合せバタ
ンである。０層とＰ層を重ね合わせた後％Ｃ層の目合せ
バタン中心位ｆｉｌとＰ層の目合せバタン中心位置２と
が一致した場合、すなわち（０１図に示した状態になっ
た場合、設計上の目合せ中心位置に設定されたことにな
る。
図は０層の目合せバタン、（ｂ）図はＰ層の目合せバタ
ンである。０層とＰ層を重ね合わせた後％Ｃ層の目合せ
バタン中心位ｆｉｌとＰ層の目合せバタン中心位置２と
が一致した場合、すなわち（０１図に示した状態になっ
た場合、設計上の目合せ中心位置に設定されたことにな
る。
ところで、目合せ中心位置は設計段隔てほぼ決まるが、
実際に出来あがった素子の動作特性を詳細に評価すると
、そこで得られた最適目合せ位置は必ずしも設計中心位
置と一致しない場合がある。
実際に出来あがった素子の動作特性を詳細に評価すると
、そこで得られた最適目合せ位置は必ずしも設計中心位
置と一致しない場合がある。
このような場合、従来だと目合せパタンの設計中心位置
からずらした位置を目標に目合せ作業？することになり
、精度的にも又作業的にも問題を生じていた。
からずらした位置を目標に目合せ作業？することになり
、精度的にも又作業的にも問題を生じていた。
本発明の目的は設計段階での目合せ中心位置と累子特性
評価後に得られた最適目合せ位置とが異なった場合にも
、０層とＰ層との目合せパタン中心位置をずらすことな
く目合せ作業が達成できる目合せパタンを提供すること
にある。
評価後に得られた最適目合せ位置とが異なった場合にも
、０層とＰ層との目合せパタン中心位置をずらすことな
く目合せ作業が達成できる目合せパタンを提供すること
にある。
本発明は少なくとも０層とＰ層とに設けられている目合
せパタンの組を複数組設け、Ｃ層目合せバタン中心位置
とＰ層目合せバタン中心位置とのズレ量が各組でお互い
に異なっている目合せパタン全配置することにより達成
される。
せパタンの組を複数組設け、Ｃ層目合せバタン中心位置
とＰ層目合せバタン中心位置とのズレ量が各組でお互い
に異なっている目合せパタン全配置することにより達成
される。
以下本発明を図面を用いて説明する。第２図は本発明の
実施例によるパーマロイパタンを用いた磁気パズル記憶
素子に具備されている目合せバタン？示す図である。
実施例によるパーマロイパタンを用いた磁気パズル記憶
素子に具備されている目合せバタン？示す図である。
左上図は０層の目合せ中心位置に対してＰ層の目合せ中
心位置全図示Ｘ方向に＋０．２μｍ、 Ｙ方向に＋０．
２μｍ（以後この組合せを（＋０．２． ＋０．２）と
表わす。以下同様）ずらした目合せバタン全示し、以下
中上、中布、左中、中中、右中、左下、中下。
心位置全図示Ｘ方向に＋０．２μｍ、 Ｙ方向に＋０．
２μｍ（以後この組合せを（＋０．２． ＋０．２）と
表わす。以下同様）ずらした目合せバタン全示し、以下
中上、中布、左中、中中、右中、左下、中下。
右下各図はそれぞれ（＋０．２．０）Ｉ （＋０．２．
−０．２）ｅ（０，＋０．２）、 （０，０）、 （０
，−０，２）、 （−０，２，＋０．２）。
−０．２）ｅ（０，＋０．２）、 （０，０）、 （０
，−０，２）、 （−０，２，＋０．２）。
（−０，２，Ｏ）、 （−０，２，−０，２） にず
らした目合せパタンを示している。中中１伯が設計中心
の目合せパタンを示している。又各目合せパタンには識
別のための英文字Ａ〜工が図示のように挿入されている
。
らした目合せパタンを示している。中中１伯が設計中心
の目合せパタンを示している。又各目合せパタンには識
別のための英文字Ａ〜工が図示のように挿入されている
。
今、実際に出来上がった素子の総合動作特性を評価した
結果得られた最適目合せ位置が設計中心位置に対してＸ
方向に＋０．２μｍ、 Ｙ方向に−０，２μｍずれてい
たとする。このような場合以降の製造時の目合せ作業は
目合せバタンＧｔｌ−用いて行なうことになる。目合せ
パタンＧは設計段階でＸ方向に−０，２μｍ、 Ｙ方向
に＋０．２μｍずらしである。そのため０層とＰ層の目
合せバタン中心位置を一致させることでズレ量が実質的
に補正されたことになり、所望の最適目合せ位置に合わ
せたことになる。このように目合せ作業は従来通り目合
せパタンの中心位置同士を一致させれば良いので精度的
にも、作業的にも支障なく行なえる。
結果得られた最適目合せ位置が設計中心位置に対してＸ
方向に＋０．２μｍ、 Ｙ方向に−０，２μｍずれてい
たとする。このような場合以降の製造時の目合せ作業は
目合せバタンＧｔｌ−用いて行なうことになる。目合せ
パタンＧは設計段階でＸ方向に−０，２μｍ、 Ｙ方向
に＋０．２μｍずらしである。そのため０層とＰ層の目
合せバタン中心位置を一致させることでズレ量が実質的
に補正されたことになり、所望の最適目合せ位置に合わ
せたことになる。このように目合せ作業は従来通り目合
せパタンの中心位置同士を一致させれば良いので精度的
にも、作業的にも支障なく行なえる。
本発明では、若干ずれただけの類似の目合せパタンか多
種類配置されることになるので、作業者が所望の目合せ
パタンを捜し出すのが困難となることが予想されるが、
各１合せパタン近傍に識別のための記号（本実施例では
英文字）を挿入しておくことにより、この問題は解決さ
れる。
種類配置されることになるので、作業者が所望の目合せ
パタンを捜し出すのが困難となることが予想されるが、
各１合せパタン近傍に識別のための記号（本実施例では
英文字）を挿入しておくことにより、この問題は解決さ
れる。
本実施例では設計中心に対してＸ、Ｙ各方向に±０．２
μｍの範囲を％ ０．２μｍで刻んだ９種類の目合せバ
タン全配置したが、目合せパタンの素子内に占有する面
積は極めて小さいのでさらに数多くの種類の目合せバタ
ン全配置することも可能である。
μｍの範囲を％ ０．２μｍで刻んだ９種類の目合せバ
タン全配置したが、目合せパタンの素子内に占有する面
積は極めて小さいのでさらに数多くの種類の目合せバタ
ン全配置することも可能である。
文通に設計時にある方向の目合せパタンはずら丁必要が
ないということが判明している場合その方向については
設計中心のみの１種類にしておき。
ないということが判明している場合その方向については
設計中心のみの１種類にしておき。
他の方向についてのみの数種類のパタンを配置丁 ５−
ることも可能である。
又、本実施例では磁気バブル駆動層にパーマロイバタン
を用いた素子について説明したが、イオン注入パタンを
用いたいわゆるコンティギュアス・ディスク素子におい
ても本発明が適用できることは明らかである。この場合
は如めに２層バタン全形成し、しかるのち０層を形成す
ることになるが、不発明の効果は何ら損なわれることは
ない。
を用いた素子について説明したが、イオン注入パタンを
用いたいわゆるコンティギュアス・ディスク素子におい
ても本発明が適用できることは明らかである。この場合
は如めに２層バタン全形成し、しかるのち０層を形成す
ることになるが、不発明の効果は何ら損なわれることは
ない。
以上説明したように本発明によれば素子動作特性からみ
た最適目合せ位置に精度よく合わせることができ、大幅
な歩留り改善が達成でき、工業上極めて有益となる。
た最適目合せ位置に精度よく合わせることができ、大幅
な歩留り改善が達成でき、工業上極めて有益となる。
第１１霧は従来の磁気バブル記憶素子に具備されている
目合せパタン【閾、第２１菌は本発明の実施例による磁
気バブル記憶素子の目合せパタン図である。 １・・・・・・磁気バブル電流制御用導体層目合せパタ
ンの中心位置、２・・・・・・磁気バブル駆動層目合せ
バ ６− タンの中心位置。 −７− 第１図 ７４１−
目合せパタン【閾、第２１菌は本発明の実施例による磁
気バブル記憶素子の目合せパタン図である。 １・・・・・・磁気バブル電流制御用導体層目合せパタ
ンの中心位置、２・・・・・・磁気バブル駆動層目合せ
バ ６− タンの中心位置。 −７− 第１図 ７４１−
Claims (2)
- （１） 磁気パズル電流制御用導体層に設けられてい
る目合せバタンと、磁気バブル駆動層に設けられている
目合せバタンとの組を複数組具備し、前記導体層目台せ
バタンの中心位置と前記駆動層目金せバタンの中心位置
とのズレ量が各組でお互いに異なっている目合せバタン
を具備してなる磁気バブル記憶素子。 - （２）前記各組の目合せバタン近傍に、識別記号が付記
されている特許請求の範囲第１項記載の磁気バブル記憶
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204765A JPS5994293A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 磁気バブル記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204765A JPS5994293A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 磁気バブル記憶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994293A true JPS5994293A (ja) | 1984-05-30 |
Family
ID=16495971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57204765A Pending JPS5994293A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 磁気バブル記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994293A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123083A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1982
- 1982-11-22 JP JP57204765A patent/JPS5994293A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123083A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
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