JPS5994817A - 半導体素子の検査装置 - Google Patents
半導体素子の検査装置Info
- Publication number
- JPS5994817A JPS5994817A JP57205713A JP20571382A JPS5994817A JP S5994817 A JPS5994817 A JP S5994817A JP 57205713 A JP57205713 A JP 57205713A JP 20571382 A JP20571382 A JP 20571382A JP S5994817 A JPS5994817 A JP S5994817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- semiconductor
- prober
- measurement
- section
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の検査装置に関する。
半導体集積回路装置（ＩＣ）の製造工程の中に、半導体
ウェハ上に形成された半導体素子の電気特性を検査する
工程がある。
ウェハ上に形成された半導体素子の電気特性を検査する
工程がある。
半導体ウェハ上には、半導体素子を形成する素子形成領
域と、マスクの目合せや工程チェックのために用いられ
る非素子形成領域があるが、従来のこの検査工程におい
ては、半導体ウェハ上に形成された半導体素子を、非素
子形成領域を含めて１個ずつ検査していた。
域と、マスクの目合せや工程チェックのために用いられ
る非素子形成領域があるが、従来のこの検査工程におい
ては、半導体ウェハ上に形成された半導体素子を、非素
子形成領域を含めて１個ずつ検査していた。
このため、検査時間が長くなると共に、この非素子形成
領域は一般に、Ａ７配線工程により全面にＡｔが蒸着さ
れていることが多いため、この非素子形成領域を測定す
ると過電流が流れ、検査装置のＩＣテスターに損傷を与
えることが多かった。
領域は一般に、Ａ７配線工程により全面にＡｔが蒸着さ
れていることが多いため、この非素子形成領域を測定す
ると過電流が流れ、検査装置のＩＣテスターに損傷を与
えることが多かった。
更に、この過電流により検査装置のプローバーの探針が
酸化し正しい測定ができず、誤検査をするという欠点を
有していた。
酸化し正しい測定ができず、誤検査をするという欠点を
有していた。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、非素子形成領域を
飛ばし、半導体素子のみを測定することにより検査装置
のＩＣテスタやプローバーの探針に損傷を与えない半導
体素子゛の検査装置を提供することにある。
飛ばし、半導体素子のみを測定することにより検査装置
のＩＣテスタやプローバーの探針に損傷を与えない半導
体素子゛の検査装置を提供することにある。
本発明の半導体素子の検査装置は、半導体装置ハ上の半
導体素子の位置データを入力するデータ入力部と、該デ
ータ入力部からの情報を記憶する記憶部と、半導体素子
の電気特性を測定する測定部と、該測定部より測定終了
の信号を受けたのち前記記憶部の情報により前記測定部
のプローバーの探針が次の測定すべき半導体素子の位置
にくるように駆動部を制御する制御部とを含んで構成さ
れる。
導体素子の位置データを入力するデータ入力部と、該デ
ータ入力部からの情報を記憶する記憶部と、半導体素子
の電気特性を測定する測定部と、該測定部より測定終了
の信号を受けたのち前記記憶部の情報により前記測定部
のプローバーの探針が次の測定すべき半導体素子の位置
にくるように駆動部を制御する制御部とを含んで構成さ
れる。
次に、図面に示した実施例に従って本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例のブロック図である。
第１図において、半導体ウェハ上に形成する半導体素子
の位置は設計時に定められており、従ってその位置デー
タは磁気カード、パンチカード。
の位置は設計時に定められており、従ってその位置デー
タは磁気カード、パンチカード。
或いはキーボード等によりデータ入力部１から入力され
る。そして入力された半導体素子の位置データは記憶部
２に記憶される。
る。そして入力された半導体素子の位置データは記憶部
２に記憶される。
次に、検査装置にセットされた半導体ウェハは、素子領
域を分離するスクライブ線が自動的にプローバーの座標
軸に合わされる。そして作業者が最初に測定すべき半導
体素子の位置を指定し、測定をスタートさせることによ
り、測定部３のプローバーの探針が最初の半導体素子に
接触し、ＩＣテスタが電気特性の測定を開始する。測定
が終了すると測定部３より終了の信号が制御部４に送出
される。
域を分離するスクライブ線が自動的にプローバーの座標
軸に合わされる。そして作業者が最初に測定すべき半導
体素子の位置を指定し、測定をスタートさせることによ
り、測定部３のプローバーの探針が最初の半導体素子に
接触し、ＩＣテスタが電気特性の測定を開始する。測定
が終了すると測定部３より終了の信号が制御部４に送出
される。
制御部４はこの終了信号を受けると、記憶部２の半導体
素子の位置データの情報により、測定部３のプローバー
の探針が次の測定すべき半導体素子の位置にくるように
駆動部５を制御する。この様にして検査装置は順次半導
体素子を測定する。
素子の位置データの情報により、測定部３のプローバー
の探針が次の測定すべき半導体素子の位置にくるように
駆動部５を制御する。この様にして検査装置は順次半導
体素子を測定する。
第２図は本発明の一実施例による半導体ウエノ１上の半
導体素子の測定順序を示す図である。
導体素子の測定順序を示す図である。
第２図において、半導体ウエノ１１０上には多数の半導
体素子１１が形成されており、その間にＡｔが全面に蒸
着された非素子形成領域１２が存在する。
体素子１１が形成されており、その間にＡｔが全面に蒸
着された非素子形成領域１２が存在する。
検査装置の測定部３による測定は、最初の半導体ウェハ
から始まり、矢印で示した実線上の半導体素子を経て、
半導体素子Ｂで終了する。この間に非素子形成領域１２
が存在するが、測定部３のプローバーはこの非素子形成
領域を飛ばして次の半導体素子上に移動する。
から始まり、矢印で示した実線上の半導体素子を経て、
半導体素子Ｂで終了する。この間に非素子形成領域１２
が存在するが、測定部３のプローバーはこの非素子形成
領域を飛ばして次の半導体素子上に移動する。
この様に半導体素子だけが測定されることにより測定時
間は短縮される。更に、非素子形成領域の測定により過
電流が流れ、測定部のＩＣテスタの損傷及び探針の酸化
によるトラブルも解消する。
間は短縮される。更に、非素子形成領域の測定により過
電流が流れ、測定部のＩＣテスタの損傷及び探針の酸化
によるトラブルも解消する。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体ウ
ェハ上の非素子形成領域を飛ばし、半導体素子のみを測
定することにより検査装置のＩＣテスタやプローバーの
探針に損傷を与えない半導体素子の検査装置が得られる
のでその効果は大きい。
ェハ上の非素子形成領域を飛ばし、半導体素子のみを測
定することにより検査装置のＩＣテスタやプローバーの
探針に損傷を与えない半導体素子の検査装置が得られる
のでその効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図は本発
明の一実施例による半導体ウェハ上の半導体素子の測定
順序を示す図である。 １・・・・・・データ入力部、２・・・・・・記憶部、
３・・・・・・測定部、４・・・・・・制御部、５・・
・・・・駆動部、１０・・・・・・半導体ウェハ、１１
・・・・・・半導体素子、１２・・・・・・非素子形成
領域。
明の一実施例による半導体ウェハ上の半導体素子の測定
順序を示す図である。 １・・・・・・データ入力部、２・・・・・・記憶部、
３・・・・・・測定部、４・・・・・・制御部、５・・
・・・・駆動部、１０・・・・・・半導体ウェハ、１１
・・・・・・半導体素子、１２・・・・・・非素子形成
領域。
Claims (1)
- 半導体ウェハ上の半導体素子の位置データを入力するデ
ータ入力部と、該データ入力部からの情報を記憶する記
憶部と、半導体素子の電気特性を測定する測定部と、該
測定部より測定終了の信号を受けたのち前記記憶部の情
報により前記測定部のプローバーの探針が次の測定すべ
き半導体素子の位置にくるように駆動部を制御する制御
部とを含むことを特徴とする半導体素子の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205713A JPS5994817A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 半導体素子の検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205713A JPS5994817A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 半導体素子の検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994817A true JPS5994817A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16511463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57205713A Pending JPS5994817A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 半導体素子の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994817A (ja) |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP57205713A patent/JPS5994817A/ja active Pending
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