JPS5994854A - 半導体装置の蓋 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発゛明は半導体装置の蓋に関する。

従来、半導体装置は、半導体素子を保護するためと、＃
導体素子の電析を外部リードに引出すだめとからパッケ
ージに入れられる。パッケージは、樹脂封止型を除くと
、容器と蓋とに分けられる。

第１図は従沫の半導体装置の一例の断面図である。

蓋１は透明なサファイア又は硬質ガラスで作られ、封止
部にはＭｏ−Ｍｎ法またはＷ法等にょシＭｏ。

Ｗ等のメタライズ層が設けられている。容器２は底面基
板２ａとａ壁２ｂとから成シ、共にアルミナ等のセラミ
ックで作られる。図示していないが、底面基板２ａにも
Ｍ　ｏ−ｈ４ｒ、法等により斗導体素子４を搭載固着す
るメタライズ領域、ボンデインクパッド、ポンディング
パッドを外部へ引出すための配線、外部リード３をろう
付けするだめのメタライズ層が設けられている。ｌｌｌ
１壁２ｂの上端面にも同様にメタライズ層が設けられて
いる。

蓋１と容器２とは低融点金属ろう材５を介して高温にて
封止される。このため、半導体素子４に熱応力が加えら
れることになシ、信頼度の低下を招くこと、金属ろう材
の溶解により金Ｐ＠湯玉が発生し、電気的故障の原因と
なることなどの欠点があった。

この欠点を解決する一つの方法としてシームウェルド法
による封止がある。シームウェルド法は、封止部に金属
板（例えばコバー）を設けた容器２に金属（例えばコバ
〜）の蓋を載せ、高周波電気溶接にて封止する方法であ
る。この方法は、蓋も容器も高温にさらすことがなく、
半導体素子に熱応力を支えることがないこと及び金属ろ
う材を用いないので金属湯玉の発生がない等の利点を有
する。しかし、金属の蓋を使用しているため、固体撮像
装置などのように光を扱う半導体装置には使用できない
こと、中が透視できないため組立品の中味の検査ができ
ないことなどの欠点があった。

本発明は上記欠点を除去し、光の人出が可能な透明窓を
有し、容器にシームウェルド等の溶接で封止できる半導
体装置の蓋を提供するものである。

本発明の半導体装置の蓋は、円形または角形の金属り゛
ングに透明なサファイアまたは硬質ガラスの窓を金属ろ
う材を介してろう付けした構造を有することを特徴とす
る。

次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。

第２図は本発明の一実施例の断面図である。

金属リング１１は円形または角形で、例えばコバー等で
作られる。透明なサファイアまたは硬質ガラスの窓１２
は金属リング１１との封止部にＭ　ｏ　−Ｍ　ｎ法等で
メタライズ層が設けられている。

金属リング１１と窓１２とは銀−銅ろう材１３で、例え
ば７００〜８００℃の高温でろう付けされる。

第３図は第１図に示した一実施例を用いた半導体装置の
断面図である。

容器２に半導体素子４を固着し、結線を行った後、本発
明による蓋をかぶせる。そして容器２の側壁上端面に設
けられたメタライズ層６（又はメタライズ層に取付けた
金属リング）と蓋の金属リング１１とをシームウェルド
法で溶接する。

本発明の蓋ば、（１）透明な窓を有するので光を扱う装
置にも使用でき、かつ中味を透視することができる、り
２）窓と金属リングとのろう付けを半導体素子のない所
で行うので半導体素子に熱応力を与えることがカい、（
３）蓋と容器とはシームウェルドできるので容器内にろ
う材の金属湯玉が飛散ることがない等の効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１固状従来の半導体装置の一例の断面図、第２図は本
発明の一実施例の断面図、第３図は第２図に示す一実施
例を用いた半導体装置の断面図でおる。 ｌ・・・・・・蓋、２・・・・・・容器、２ａ・・・・
・・底面基板、２ｂリング、１２・・・・・・窓、１３
・・・・・・金属ろう材。 ｚ　３　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 円形または角形金属リングに透明なサファイアまたは硬
   質ガラスの窓を金属ろう材を介してろう付した構造を有
   すること特徴とする半導体装置の蓋。