JPS5995261A - 溶媒不存在下にジアリ−ルチオエ−テルを製造する方法 - Google Patents
溶媒不存在下にジアリ−ルチオエ−テルを製造する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は溶媒の不存在下に溶融置換芳香族化合物および
無水硫化化合物の間の相互作用によりチオエーテルを合
成する方法番こ関する。更に詳細には、本発明は相転移
(phase transfer )触媒の存在下に、
アルカリ金属硫化物またはアルカリ金属水素硫化物と溶
融置換フタル酸無水物、フタルイミド、ベンゾニトリル
またはニトロベンゼンと相互作用させてジアリールチオ
エーテルを形成する無溶媒法に関する。
無水硫化化合物の間の相互作用によりチオエーテルを合
成する方法番こ関する。更に詳細には、本発明は相転移
(phase transfer )触媒の存在下に、
アルカリ金属硫化物またはアルカリ金属水素硫化物と溶
融置換フタル酸無水物、フタルイミド、ベンゾニトリル
またはニトロベンゼンと相互作用させてジアリールチオ
エーテルを形成する無溶媒法に関する。
本発明以前に、アルカリ金属硫化物でN−置換フタルイ
ミドを変換させることによりチオエーテルビス(フタル
イミド)〔これはビス(チオエーテルフタルイミド)と
しても知られている〕を製造する方法が米国特許第40
54589号に記載されている、また硫化ナトリウムと
ハロ置換無水フタル酸とを相互作用させてチオエーテル
ビス(フタルイミド)を製造することを含む方法が特開
昭55−122757号に記載の使用に基づいている。
ミドを変換させることによりチオエーテルビス(フタル
イミド)〔これはビス(チオエーテルフタルイミド)と
しても知られている〕を製造する方法が米国特許第40
54589号に記載されている、また硫化ナトリウムと
ハロ置換無水フタル酸とを相互作用させてチオエーテル
ビス(フタルイミド)を製造することを含む方法が特開
昭55−122757号に記載の使用に基づいている。
当業者は双極性中性溶媒を用いて種々の有機材料の合成
を行なうことは経済的lこしばしば魅力のないものであ
ることを知っている、何故ならばかかる溶媒は高価であ
り、しばしば種々の化学的副反応を受けてそれらを再循
環させるの番こは無用なものにしてしまうからである。
を行なうことは経済的lこしばしば魅力のないものであ
ることを知っている、何故ならばかかる溶媒は高価であ
り、しばしば種々の化学的副反応を受けてそれらを再循
環させるの番こは無用なものにしてしまうからである。
無極性溶媒の使用は経済的に魅力のあるものであるが、
反応を容易にするため無極性溶媒を利用したチオエーテ
ルの形成を含む方法は生成物の低い収率を生せしめる。
反応を容易にするため無極性溶媒を利用したチオエーテ
ルの形成を含む方法は生成物の低い収率を生せしめる。
イ木発明は双極性中性溶媒または無極性溶媒を
使用せずに高温で一般式 (式中R1は式 の1価基からなる群から選択した1員であり、R2は水
素であり、あるいはR1とR2は一緒になってフェニル
と共に環構造を形成する I I ) 1 からなる式の群から選択した2価基を表わす、RはC□
〜C8アルキル基およびc6〜C20芳香族基からなる
群から選択した1価基である)のジアリールチオエーテ
ルを製造できることを見出した二とに基づいている。
使用せずに高温で一般式 (式中R1は式 の1価基からなる群から選択した1員であり、R2は水
素であり、あるいはR1とR2は一緒になってフェニル
と共に環構造を形成する I I ) 1 からなる式の群から選択した2価基を表わす、RはC□
〜C8アルキル基およびc6〜C20芳香族基からなる
群から選択した1価基である)のジアリールチオエーテ
ルを製造できることを見出した二とに基づいている。
これろの化合物は高い使用温度および高い酸ヒ安定性で
ポリイミドを製造するのに有用であう。この方法から得
られるチオエーテルの収率は無極性溶媒を利用する方法
の収率より犬であり、あるチオエーテルでは、双極性中
性溶媒を利用する方法の収率よりも収率か大である。双
極性中性溶媒を使用せずにジアリールチオエーテルの高
収率が得られることは、ポリイミドの合成を更5こ経済
的なものにする。
ポリイミドを製造するのに有用であう。この方法から得
られるチオエーテルの収率は無極性溶媒を利用する方法
の収率より犬であり、あるチオエーテルでは、双極性中
性溶媒を利用する方法の収率よりも収率か大である。双
極性中性溶媒を使用せずにジアリールチオエーテルの高
収率が得られることは、ポリイミドの合成を更5こ経済
的なものにする。
本発明によれば、
fa1式M2Sのアルカリ金属硫化物および式MH8の
アルカリ金属水素硫化物からなる群から選択した無水硫
化化合物、および式 ] の置換芳香族化合物からなる群の1員の混合物を、式 %式% のホスホニウム塩、式 xq(R5)4+Q、− のアンモニウム塩および1,4,7,10゜13.16
−ヘキサオキサシクロオクタデンス(18−クララム−
6)から/Sる群から選択した相転移触媒の触媒量と共
に、7素雰囲気中で5〜18時間150〜240℃の温
度に加熱し、 (b)反応混合物からジアリールチオエーテルを分(礁
し、好ましくは再結晶して、 一般式(1)の化合物を製造する方法を提供する。
アルカリ金属水素硫化物からなる群から選択した無水硫
化化合物、および式 ] の置換芳香族化合物からなる群の1員の混合物を、式 %式% のホスホニウム塩、式 xq(R5)4+Q、− のアンモニウム塩および1,4,7,10゜13.16
−ヘキサオキサシクロオクタデンス(18−クララム−
6)から/Sる群から選択した相転移触媒の触媒量と共
に、7素雰囲気中で5〜18時間150〜240℃の温
度に加熱し、 (b)反応混合物からジアリールチオエーテルを分(礁
し、好ましくは再結晶して、 一般式(1)の化合物を製造する方法を提供する。
上記各式において、Rは前述したとおりであり、R3は
式 の1価基からなる群から選択した1員であり、Xは塩素
、弗素、臭素、沃素およびニトロ基からなる群から選択
した1価の基であり、Yは弗素、臭素、塩素および沃素
からなる群から選択した1価基であり、R4はC1〜C
Xaアルキル基および06〜CI3芳香族基からなる群
から選択した1価基であり R5はC1〜CI6アルキ
ル基からなる群から選択した1価基てあり、Qは臭素お
よび塩素からなる群から選択したハロゲンイオンであり
、Mはナトリウム、リチウムおよびカリウムからなる群
から選択したアルカリ金属である。
式 の1価基からなる群から選択した1員であり、Xは塩素
、弗素、臭素、沃素およびニトロ基からなる群から選択
した1価の基であり、Yは弗素、臭素、塩素および沃素
からなる群から選択した1価基であり、R4はC1〜C
Xaアルキル基および06〜CI3芳香族基からなる群
から選択した1価基であり R5はC1〜CI6アルキ
ル基からなる群から選択した1価基てあり、Qは臭素お
よび塩素からなる群から選択したハロゲンイオンであり
、Mはナトリウム、リチウムおよびカリウムからなる群
から選択したアルカリ金属である。
一般式(II)で表わされる置換芳香族化合物にはニト
ロ無水フタル酸2よびハロ無水フタル酸を含有する。特
に一般式fl)の無水フタル酸には例えば4−クロロ無
水フタル酸、3−クロロ無水フタル酸、4−ニトロ無水
フタル酸等を含む。
ロ無水フタル酸2よびハロ無水フタル酸を含有する。特
に一般式fl)の無水フタル酸には例えば4−クロロ無
水フタル酸、3−クロロ無水フタル酸、4−ニトロ無水
フタル酸等を含む。
好ましい無水フタル酸は4−クロロ無水フタル酸および
4−ニトロ無水フタル酸である。
4−ニトロ無水フタル酸である。
一般式(卯で表わされる置換芳香族化合物には、窒素原
子に結合している有機基Rが例えばフェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等の如き芳香族基およびメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基
等の如きアルキル基を含むN−t&換ハロフタルイミド
およびzq −置換ニトロフタルイミドを含有する。
子に結合している有機基Rが例えばフェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等の如き芳香族基およびメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基
等の如きアルキル基を含むN−t&換ハロフタルイミド
およびzq −置換ニトロフタルイミドを含有する。
これらのN−fr?換フタフタルイミド実質的に等モル
の有機アミンnNH2(Rは前述したとおりである)お
よび一般式(Ilの無水フタル酸の間で反応を行なわせ
ることによって一般式(I[lの置換無水フタル酸から
合成できる。
の有機アミンnNH2(Rは前述したとおりである)お
よび一般式(Ilの無水フタル酸の間で反応を行なわせ
ることによって一般式(I[lの置換無水フタル酸から
合成できる。
一般式(llIlで表わされるN−置換フタルイミドの
例には、例えば4−クロロ−N−メチルフタルイミド、
4−ニトロ−N−メチルフタルイミド、4−クロロ−N
−フェニルフタルイミド、3−クロロ−N−メチルフタ
ルイミド、3−クロロ−N−フェニルフタルイミド等を
含ム。好ましいフタルイミドは4−クロロ−N−メチル
フタルイミドであり、これは硫化ナトリウムと反応させ
たとき85%という高いジアリールチオエーテル4.4
′−ビス(N−メチルフタルイミド)サルファイドの収
率を与える。
例には、例えば4−クロロ−N−メチルフタルイミド、
4−ニトロ−N−メチルフタルイミド、4−クロロ−N
−フェニルフタルイミド、3−クロロ−N−メチルフタ
ルイミド、3−クロロ−N−フェニルフタルイミド等を
含ム。好ましいフタルイミドは4−クロロ−N−メチル
フタルイミドであり、これは硫化ナトリウムと反応させ
たとき85%という高いジアリールチオエーテル4.4
′−ビス(N−メチルフタルイミド)サルファイドの収
率を与える。
一般式(Ivllこよって表わされる置換芳香族化合物
にば、yが塩素、臭素、弗素および沃素からなる群から
選択したハロゲン基であるハロ置換ベンゾニトリルおよ
びニトロベンゼンを含む。
にば、yが塩素、臭素、弗素および沃素からなる群から
選択したハロゲン基であるハロ置換ベンゾニトリルおよ
びニトロベンゼンを含む。
ハロE Dベンゾニトリルの中4−クロローベンゾニト
リルが好ましく、ハロ置換ニトロベンゼンの中4−タロ
ロー二トロベンゼンカ好マしい。
リルが好ましく、ハロ置換ニトロベンゼンの中4−タロ
ロー二トロベンゼンカ好マしい。
一般式+1%’l iこよって表わされる他の化合物に
は例えば3−クロロ−ニトロベンゼン、3−クロロ−ベ
ンゾニトリル3よび4−プロモーベンゾニトリルを含む
。使用しうる無水アルカリ金属硫化物の例には例えば硫
化す) IJウムがある。利用しつる無水アル刀り金属
水素硫化物の例には硫化水素ナトリウムがある。市場で
入手しうる無水硫化すl−IJウムを直接使用してもよ
いが、塩化カルシウムの存在下に共漣させて更に硫化ナ
トリウムを乾燥させるのが好ましい。
は例えば3−クロロ−ニトロベンゼン、3−クロロ−ベ
ンゾニトリル3よび4−プロモーベンゾニトリルを含む
。使用しうる無水アルカリ金属硫化物の例には例えば硫
化す) IJウムがある。利用しつる無水アル刀り金属
水素硫化物の例には硫化水素ナトリウムがある。市場で
入手しうる無水硫化すl−IJウムを直接使用してもよ
いが、塩化カルシウムの存在下に共漣させて更に硫化ナ
トリウムを乾燥させるのが好ましい。
式
%式%)
で表わされるホスホニウム塩およびアンモニウム塩相転
移触媒中に見出されるR4およびR5でそれぞれ表わさ
れる基には、例えばブチル基、ペンチル基、ヘキシル基
、オクチル基、プロピル基、シクロヘキシル基等の如き
アルキル基を含む。更にR4は例えばフェニル基等の如
き芳香族基も含む。更に詳細にはホスホニウム塩および
アンモニウム塩相転移触媒には、例えばテトラブチルホ
スホニウムブロマイド、ブトラブチルアンモニウムブロ
マイド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テト
ラシクロへキシルホスホニウムブロマイド、テトラプロ
ピルアンモニウムブロマイド、テトラブチルホスホニウ
ムクロライドおよびテトラブチルアンモニウムクロラド
等を含む。
移触媒中に見出されるR4およびR5でそれぞれ表わさ
れる基には、例えばブチル基、ペンチル基、ヘキシル基
、オクチル基、プロピル基、シクロヘキシル基等の如き
アルキル基を含む。更にR4は例えばフェニル基等の如
き芳香族基も含む。更に詳細にはホスホニウム塩および
アンモニウム塩相転移触媒には、例えばテトラブチルホ
スホニウムブロマイド、ブトラブチルアンモニウムブロ
マイド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テト
ラシクロへキシルホスホニウムブロマイド、テトラプロ
ピルアンモニウムブロマイド、テトラブチルホスホニウ
ムクロライドおよびテトラブチルアンモニウムクロラド
等を含む。
好ましい相転移触媒は18−クラウン−6およびホスホ
ニウム塩テトラブチルホスホニウムブロマイドおよびテ
トラフェニルホスホニウムブロマイドである。アンモニ
ウム塩触媒を利用した反応試料中に見出される生成物は
、反応中アンモニウム塩の実質的な量が分解することを
示す。ホスホニウム塩はかかる分解を受けるようなこと
はなく、対応するアンモニウム塩よりも目的生成物の高
収率を可能番こする。四番こテトラシクロへキシルホス
ホニウムブロマイドの如き立体障害を示すホスホニウム
塩は、テトラブチルホスホニウムブロマイドの如きii
l 車な有機基を有するホスホニウム塩の有効性を示さ
ない。
ニウム塩テトラブチルホスホニウムブロマイドおよびテ
トラフェニルホスホニウムブロマイドである。アンモニ
ウム塩触媒を利用した反応試料中に見出される生成物は
、反応中アンモニウム塩の実質的な量が分解することを
示す。ホスホニウム塩はかかる分解を受けるようなこと
はなく、対応するアンモニウム塩よりも目的生成物の高
収率を可能番こする。四番こテトラシクロへキシルホス
ホニウムブロマイドの如き立体障害を示すホスホニウム
塩は、テトラブチルホスホニウムブロマイドの如きii
l 車な有機基を有するホスホニウム塩の有効性を示さ
ない。
反応条件下ジメチルホルムアミドの如き双極性中性溶媒
の少量の存在(無水硫化化合物対溶媒の100:65モ
ル比)は有効な触媒を提供し、65%という大きい生成
物の収率を生せしめることか見出された。
の少量の存在(無水硫化化合物対溶媒の100:65モ
ル比)は有効な触媒を提供し、65%という大きい生成
物の収率を生せしめることか見出された。
理論に拘束されるのは好まないのであるが、この方法で
得られる生成物の収率は反応混合物内での硫黄アニオン
の溶解度によつ°C決まると信ぜられる。反応温度、相
転移触媒、溶融fθ置換芳香族化合物極性およびジアリ
ールチオエーテル生成物の極性の全てが硫黄アニオンの
溶解度従って生成物の収率に効果を有する。反応温度が
上昇すると硫黄アニオンの溶解度が増大し、一般に同収
率を生せしめる。高極性の置換芳香族化合物は硫黄アニ
オンに対する高溶解度瑚境を提供し、一般(こ生成物の
同収率を生ぜしめ、特に形成されるジアリールチオエー
テルが高極性のものであるときそうである。?L ’l
lk度の触媒のとき、反応混合物の極性は影響を受ける
、従って同収率を得るのに極性触媒も好ましい。生成物
収率はまた利用する相転移触媒の安定性にも依存すると
信ぜられる。ある種の触媒は硫黄アニオンの存在下に劣
化し、反応成分と副反応を生じ、減少した生成物収率を
生せしめる。この分解に対し抵抗性を示す触媒例えばテ
トラブチルホスホニウムブロマイドが高収率を生せしめ
ることが判った。
得られる生成物の収率は反応混合物内での硫黄アニオン
の溶解度によつ°C決まると信ぜられる。反応温度、相
転移触媒、溶融fθ置換芳香族化合物極性およびジアリ
ールチオエーテル生成物の極性の全てが硫黄アニオンの
溶解度従って生成物の収率に効果を有する。反応温度が
上昇すると硫黄アニオンの溶解度が増大し、一般に同収
率を生せしめる。高極性の置換芳香族化合物は硫黄アニ
オンに対する高溶解度瑚境を提供し、一般(こ生成物の
同収率を生ぜしめ、特に形成されるジアリールチオエー
テルが高極性のものであるときそうである。?L ’l
lk度の触媒のとき、反応混合物の極性は影響を受ける
、従って同収率を得るのに極性触媒も好ましい。生成物
収率はまた利用する相転移触媒の安定性にも依存すると
信ぜられる。ある種の触媒は硫黄アニオンの存在下に劣
化し、反応成分と副反応を生じ、減少した生成物収率を
生せしめる。この分解に対し抵抗性を示す触媒例えばテ
トラブチルホスホニウムブロマイドが高収率を生せしめ
ることが判った。
一般式(n) 、 (Ilおよび[11’lで表わされ
る置換芳香族化合物と前述した無水硫化化合物の間反応
は好ましくは140〜240°Cの範囲の温度で行なう
ことができる。一般式中のジアリールチオエーテルが形
成されるとき、反応媒体の粘度を低下させ、混合物の極
性を維持させるように、利用する置換芳香族化合物の2
倍モルの過剰が好ましい。これは置換芳香族化合物を溶
媒および反応成分として作用させる。利用する相転移触
媒の蚤は、存在する無水硫化化合物のモル数に基づく。
る置換芳香族化合物と前述した無水硫化化合物の間反応
は好ましくは140〜240°Cの範囲の温度で行なう
ことができる。一般式中のジアリールチオエーテルが形
成されるとき、反応媒体の粘度を低下させ、混合物の極
性を維持させるように、利用する置換芳香族化合物の2
倍モルの過剰が好ましい。これは置換芳香族化合物を溶
媒および反応成分として作用させる。利用する相転移触
媒の蚤は、存在する無水硫化化合物のモル数に基づく。
硫化化合物対相転移触媒のモル比は10:1に等しいの
が好ましい。
が好ましい。
一般式(Ilで表わされる生成物は濾過によって反応混
合物から回収できる。しかしながらより少ない不純物を
有する生成物の試料を得るためには、生成物を例えばジ
メチルホルムアミド、+lo−クロロベンゼンおよびメ
タノールの如き有機溶媒から再結晶する。好ましい再結
晶法は○−ジクロロベンゼンを反応混合物に加え、13
0〜180℃の温度に加熱し、濾過し、250Cに冷却
し、溶液を256Cで14〜25時間放置するのである
。次いで目的生成物を濾過によって溶液から分離する。
合物から回収できる。しかしながらより少ない不純物を
有する生成物の試料を得るためには、生成物を例えばジ
メチルホルムアミド、+lo−クロロベンゼンおよびメ
タノールの如き有機溶媒から再結晶する。好ましい再結
晶法は○−ジクロロベンゼンを反応混合物に加え、13
0〜180℃の温度に加熱し、濾過し、250Cに冷却
し、溶液を256Cで14〜25時間放置するのである
。次いで目的生成物を濾過によって溶液から分離する。
当業者に本発明の実施方法をより良く理解できるように
するため、下記実施例を例示のためそして限定するため
でなく示す。
するため、下記実施例を例示のためそして限定するため
でなく示す。
実施例 1
4−クロロ無水フタル酸(2,Og、0.011モル)
、硫化ナトリウム(0,21f 、 0.002フイト
(0,1’3y、0.0038モル)の混合物を、硫化
すl−IJウムの溶融懸渇液が得られるまで115℃に
窒素雰囲気中に加熱した。次に反応混合物を12時間1
90°C〜200°Cに加熱した。生成物の単離は、2
+11/の臭化エチルと共に乾燥o−ジクロロベンゼン
(207d )を反応混合物に加え、それを25°Cに
冷却させた。臭化エチルは過剰の硫化ナトリウムと反応
させてチオエーテルビスフタルイミド形成を停止する機
能を果りす。25℃で24時間後この溶液から固体4゜
4′−ビス(無水フタル酸)サルファイドを濾過した。
、硫化ナトリウム(0,21f 、 0.002フイト
(0,1’3y、0.0038モル)の混合物を、硫化
すl−IJウムの溶融懸渇液が得られるまで115℃に
窒素雰囲気中に加熱した。次に反応混合物を12時間1
90°C〜200°Cに加熱した。生成物の単離は、2
+11/の臭化エチルと共に乾燥o−ジクロロベンゼン
(207d )を反応混合物に加え、それを25°Cに
冷却させた。臭化エチルは過剰の硫化ナトリウムと反応
させてチオエーテルビスフタルイミド形成を停止する機
能を果りす。25℃で24時間後この溶液から固体4゜
4′−ビス(無水フタル酸)サルファイドを濾過した。
単離した生成物の収率は95°Cの融点を有する生成物
63[有]であった。
63[有]であった。
同じ条件の下で触媒18−クラウン−6(0,12&、
0.00046モル)を使用して、68%の収率で4,
4′−ビス(無水フタル酸)サルファイドを得た。
0.00046モル)を使用して、68%の収率で4,
4′−ビス(無水フタル酸)サルファイドを得た。
18時間間をあけて二つに分けて更に多くのテトラブチ
ルホスホニウムブロマイド(0,26y、o、0007
6モル)を使用すると、70%に収率は増大した。
ルホスホニウムブロマイド(0,26y、o、0007
6モル)を使用すると、70%に収率は増大した。
実施例 2
4−クロロ−N−メチルフタルイミド(4,09,0,
021モル)、硫化ナトリウム(0,40If’、0.
0051モル)、およびテトラブチルホスホニウムブロ
マイド(0,13&、0.0004モル)の混合物を窒
素雰囲気中で160℃で18時間7I[I熱した。生成
物は反応混合物にジメチルホルムアミド(20m?’)
および臭化エチル(2ml )を加え、還流加熱し、次
いで濾過し、混合物を14時間25℃で放置して単離し
た。臭化エチルは、チオエーテルフクルイミド形成を停
止させるように過剰の硫化ナトリワムと反応する機能を
果たす。濾過1こよって融点240°Cを有する固体4
.4′−ビス(N−メチルフタルイミド)サルファイド
を得た。単節ニジた収率は80%であった。同じ量の反
応成分を200°Cで18−クラウン−6(0,08f
、0.0003モル)を使用すると、4.4’−ビス
(N−メチルフタルイミド)サルファイドを75%の収
率で生成した。
021モル)、硫化ナトリウム(0,40If’、0.
0051モル)、およびテトラブチルホスホニウムブロ
マイド(0,13&、0.0004モル)の混合物を窒
素雰囲気中で160℃で18時間7I[I熱した。生成
物は反応混合物にジメチルホルムアミド(20m?’)
および臭化エチル(2ml )を加え、還流加熱し、次
いで濾過し、混合物を14時間25℃で放置して単離し
た。臭化エチルは、チオエーテルフクルイミド形成を停
止させるように過剰の硫化ナトリワムと反応する機能を
果たす。濾過1こよって融点240°Cを有する固体4
.4′−ビス(N−メチルフタルイミド)サルファイド
を得た。単節ニジた収率は80%であった。同じ量の反
応成分を200°Cで18−クラウン−6(0,08f
、0.0003モル)を使用すると、4.4’−ビス
(N−メチルフタルイミド)サルファイドを75%の収
率で生成した。
実施例 3
4−クロロベンゾニトリル(3,OQ 、0.022モ
ル)、硫化ナトリウム(0,43g、 0.0055モ
ル)およびテトラブチルホスホニウムブロマイド(0,
13f!、0.00038モル)の混合物を窒素雰囲気
中150°Cに徐々番ど加熱し、この温度で18時間保
った。生成物を2mlの臭イヒエチルと共にメタノ−ノ
ーから再結晶して分離した。
ル)、硫化ナトリウム(0,43g、 0.0055モ
ル)およびテトラブチルホスホニウムブロマイド(0,
13f!、0.00038モル)の混合物を窒素雰囲気
中150°Cに徐々番ど加熱し、この温度で18時間保
った。生成物を2mlの臭イヒエチルと共にメタノ−ノ
ーから再結晶して分離した。
臭化エチルは4.4′−ビス(シアノフェニル)サルフ
ァイドの形成を停止させた。固体4.4’−ビス(シア
ノフェニル)サルファイドi;!45%の収率で得られ
た。これらの条件の下で18−クラウン−6(0,09
8g、0.000:37モル)の使用で75%の収率を
得た。
ァイドの形成を停止させた。固体4.4’−ビス(シア
ノフェニル)サルファイドi;!45%の収率で得られ
た。これらの条件の下で18−クラウン−6(0,09
8g、0.000:37モル)の使用で75%の収率を
得た。
160°Cでより大量のテトラブチルホスホニウムブロ
マイド(硫化ナトリウム対触媒のモル比2:1)の使用
は収率を75%に増大させた。
マイド(硫化ナトリウム対触媒のモル比2:1)の使用
は収率を75%に増大させた。
実施例 4
4−クロロニトロベンゼン(1,46F/ 、0.01
27モルン、n耐化ナトリウム(0,251、0,00
32モル)およびテトラブチルホスホニウムブロマイド
(0,108g、0.00277モル)の混合物を窒素
雰囲気下18時間220°Cに加熱した。
27モルン、n耐化ナトリウム(0,251、0,00
32モル)およびテトラブチルホスホニウムブロマイド
(0,108g、0.00277モル)の混合物を窒素
雰囲気下18時間220°Cに加熱した。
次に反応混合物をジメチルホルムアミド/臭化エチル溶
液に加え、HPLC法で試験した、これは4.4′−ビ
スCp−二トロフェニル)サルファイドの45.5%の
収率を示した。臭化エチルは4 、4’−ヒス(p−ニ
トロフェニル)サルファイドの形成を停止させる作用を
する。同じ条件下で18−クラウン−6を利用した場合
、4゜4′−ビス(p−ニトロフェニル)サルファイド
の25%収早が得られた。
液に加え、HPLC法で試験した、これは4.4′−ビ
スCp−二トロフェニル)サルファイドの45.5%の
収率を示した。臭化エチルは4 、4’−ヒス(p−ニ
トロフェニル)サルファイドの形成を停止させる作用を
する。同じ条件下で18−クラウン−6を利用した場合
、4゜4′−ビス(p−ニトロフェニル)サルファイド
の25%収早が得られた。
実施例 5
各種ハロゲン化7” IJ−ルからのジアリールチオエ
ーテルの収率を比較するため、同じ反応条件の下で、種
々のハロゲン化アリールを用いて一連の反応を行なった
。10対1モル比の硫化ナトリウム対触媒を用いて、各
反応容器中てハロゲン化アリール対硫化ナトリウムの4
対1モル比を保った。反応は18時間200°Cで行な
った。表Iに同じ反応条件下で各種ハロゲン化アリール
から得られたジアリールチオエーテルの種々の収率のま
とめを示す。
ーテルの収率を比較するため、同じ反応条件の下で、種
々のハロゲン化アリールを用いて一連の反応を行なった
。10対1モル比の硫化ナトリウム対触媒を用いて、各
反応容器中てハロゲン化アリール対硫化ナトリウムの4
対1モル比を保った。反応は18時間200°Cで行な
った。表Iに同じ反応条件下で各種ハロゲン化アリール
から得られたジアリールチオエーテルの種々の収率のま
とめを示す。
表1
ルイミド
4−クロロ無水フタル酸 70
544−ニトロ−N−メチルフタ 26
19ルイミド 4−クロロベンゾニトリル 60
774−クロロニトロベンゼン 25
46上記データによって示される如く、
生成物の最高の収率は触媒テトラブチルホスホニウムブ
ロマイドを利用した場合の4−クロロ−N−メチルフタ
ルイミドで得られた。
544−ニトロ−N−メチルフタ 26
19ルイミド 4−クロロベンゾニトリル 60
774−クロロニトロベンゼン 25
46上記データによって示される如く、
生成物の最高の収率は触媒テトラブチルホスホニウムブ
ロマイドを利用した場合の4−クロロ−N−メチルフタ
ルイミドで得られた。
実施例 6
4.4′−ビス(N−メチルフタルイミド)サルファイ
ドの収率についての触媒および温度の効果を測定するた
め、種々の触媒および温度を用いて一連の硫化ナトリウ
ムと4−クロロ−N−メチルフタルイミドの間の反応を
行なった。8個の反応容器の各々に4−クロロ−N−メ
チルフタルイミド(1,0Of 、 0.0051モル
)および硫化ナトリウム(0,10f 、0.0O12
8モル)を加えた。これらの容器の中の7個lこ同量の
各触媒(0,00095モル)を加えた。これら8個の
茶器の中の6個は窒素雰囲気下18時間約200°Cに
加熱した。テトラブチルホスホニウムブロマイド触媒を
含有する2個の容器はそれぞれ225°Cおよび160
°Cに加熱した。
ドの収率についての触媒および温度の効果を測定するた
め、種々の触媒および温度を用いて一連の硫化ナトリウ
ムと4−クロロ−N−メチルフタルイミドの間の反応を
行なった。8個の反応容器の各々に4−クロロ−N−メ
チルフタルイミド(1,0Of 、 0.0051モル
)および硫化ナトリウム(0,10f 、0.0O12
8モル)を加えた。これらの容器の中の7個lこ同量の
各触媒(0,00095モル)を加えた。これら8個の
茶器の中の6個は窒素雰囲気下18時間約200°Cに
加熱した。テトラブチルホスホニウムブロマイド触媒を
含有する2個の容器はそれぞれ225°Cおよび160
°Cに加熱した。
次に混合物を高圧液体クロマトグラフィ(HPLC)に
よる試験のため同様に処理した。表■に利用した各触媒
および温度で生成した収率のまとめ表■ ブロマイド ホニウムブロマイド テトラブチルアンモニウム 200 18
34ブロマイド ジメチルポルムアミド 200 1
8 65触媒無し 20
0 18 1018−クラウン−6210
1875 上記デ一タ番こよって示された如く、4 、4’−ビス
(N−メチルフタルイミド)サルファイトノ最高収率は
高温でテトラブチルホスホニウムブロマイドを利用して
得られた。データはまたジメチルホルムアミドかこの方
法のための有効な触媒であることも示した。
よる試験のため同様に処理した。表■に利用した各触媒
および温度で生成した収率のまとめ表■ ブロマイド ホニウムブロマイド テトラブチルアンモニウム 200 18
34ブロマイド ジメチルポルムアミド 200 1
8 65触媒無し 20
0 18 1018−クラウン−6210
1875 上記デ一タ番こよって示された如く、4 、4’−ビス
(N−メチルフタルイミド)サルファイトノ最高収率は
高温でテトラブチルホスホニウムブロマイドを利用して
得られた。データはまたジメチルホルムアミドかこの方
法のための有効な触媒であることも示した。
実施例 7
4−ニトロ−N−メチルフタルイミド(1,51,0,
00728モル)、硫化ナトリウム(0,155!7.
0.00199モル)およびテトラブチルホスホニウム
ブロマイド(0,0(3!7゜0.000177モル)
の混合物を窒素雰囲気下(2時間)205°Cに徐々に
加熱し、この温度で18時間保った。混合物は160°
Cで固化し、反応時間中固体のままであった。生成物は
2 mlの臭化エチルを含有する乾燥0−ジクロロベン
ゼン(100がl)を加えて180°Cにフ」熱して分
離した。臭化エチルはチオエーテルビス(フタルイミド
)の形成を停止させる作用をする。
00728モル)、硫化ナトリウム(0,155!7.
0.00199モル)およびテトラブチルホスホニウム
ブロマイド(0,0(3!7゜0.000177モル)
の混合物を窒素雰囲気下(2時間)205°Cに徐々に
加熱し、この温度で18時間保った。混合物は160°
Cで固化し、反応時間中固体のままであった。生成物は
2 mlの臭化エチルを含有する乾燥0−ジクロロベン
ゼン(100がl)を加えて180°Cにフ」熱して分
離した。臭化エチルはチオエーテルビス(フタルイミド
)の形成を停止させる作用をする。
IPLC法で測定したとき、4,4′−ビス(N−メチ
ルフタルイミド)サルファイドの収率は26%であった
。
ルフタルイミド)サルファイドの収率は26%であった
。
上記各実施例は、一般式(11で示され、本発明の実施
によって作りうるジアリールチオエーテルの限られた数
のみを代表するものと解すべきである。
によって作りうるジアリールチオエーテルの限られた数
のみを代表するものと解すべきである。
特許出願人 ゼネラル・エレクトリック・カンノぐ
ニイ
ニイ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 (a)式 %式%) のホスホニウム塩および式 N(R5)4+Q− のアンモニウム塩および18−クララム−6からなる群
から選択した相転移触媒の触媒量の存在下に、140〜
240°Cの範囲の温度lこ窒素昇囲気中て5〜18時
間、式 のアルカリ金属硫化物および式 H3 のアルカリ金属水素硫化物からなる群から選択した無水
硫化化合物と、式 %式% の置換芳香族化合物からなる群から選択した1員の混合
物を加熱し、 (bl上記混合物からジアリールチオエーテル生成物を
回収する ことを特徴とする式 (上記各式中R1は式 の1価の基からなる群から選択した1員であり、R2は
水素原子であり、あるいはR1とR2は一緒になって、
フェニル基と共に環構造を形成するからなる群から選択
した式の2価の基を表わし、Rは01〜C8アルキル基
およびC6〜C20芳香族基からなる群から選択した1
価の基であり、R3は式の1価の基の群の1員であり、
R4はC□〜C16アルキル基および06〜CI3芳香
族基からなる群から選択した1価の基であり、R5は0
1〜C16アルキル基から選択した1価の基であり、X
は塩素、弗素、臭素、沃素およびニトロ基からなる群か
ら選択した1価の基であり、Yは弗素、臭素、沃素およ
び塩素からなる群から選択した1価の基であり、Qは臭
素および塩素からなる群から選択したハロゲンイオンで
あり、Mはナトリウム、リチウムおよびカリウムの群か
ら選択したアルカリ金属である)のジアリールチオンエ
ーテルの製造法。 2、無水硫化化合物が硫化ナトリウムである特許請求の
範囲第1項記載の方法。 3、触媒を、テトラブチルホスホニウムブロマイド、テ
トラフェニルホスホニウムブロマイドおよび18−クラ
ウン−6からなる群から選択する特許請求の範囲第1項
記載の方法。 4、置換芳香族化合物対無水硫化化合物のモル比が4対
1である特許請求の範囲第1項記載の方法。 5、無水すI−IJウム化合物対相転移触媒のモル比が
10対1である特許請求の範囲第1項記載の方法。 6、反応工程中温合物に第二の触媒仕込量を添加する工
程を含む特許請求の範囲第1項記載の方法。 7、 置換芳香族化合物か4−クロロニトロベンゼン
である特許請求の範囲第1項記載の方法。 8、置換芳香族化合物が4−ニトロ−19−メチルフタ
ルイミドである特許請求の範囲第1項記載の方法。 9、芳香族化合物を4−クロロ−N−メチルフタルイミ
ド、4−クロロ無水フタル酸および4−クロロペンゾニ
トリルからなる群から選択する特許請求の範囲第1項記
載の方法。 10、 ジアリールチオエーテル生成物を、0−ジク
ロロベンゼン、ジメチルホルムアミドおよびメタノール
からなる群から選択した有機溶媒から再結晶して混合物
から回収する特許請求の範囲第1項記載の方法。 11、 (a)無水硫化ナトリウムおよび4−クロロ−
N−メチルフタルイミドおよび有効量のテトラブチルホ
スホニウムブロマイドの混合物を18時間160°Cに
加熱し、 (b)上記混合物から4,4′−ビス(N−メチルフタ
ルイミド)サルファイドを分離することを特徴とする4
、4′−ビス(N−メチルフタルイミド)サルファイド
の製造法。 12、 (a) IaC化ナトナトリウムび4−クロロ
無水フタル酸および有効量のテトラブチルホスホニウム
ブロマイドおよび16−クラウン−6からなる群から選
択した相転移触媒の混合物を、。 12時間180〜200’Cの温度に加熱し、(b)上
記混合物から4,4′−ビス(無水フタルe)サルファ
イドを分離することを特徴とする4゜−ビス ぎ無水7.“7.酸)ケア、7アイl’o製、ヵ法。 13、 (a3無水硫化ナトリウムおよび4−ニトロ−
N−メチルフタルイミドおよび有効量のテトラブチルホ
スホニウムブロマイドの混合物を18時間205°Cに
加熱し、 (b)上記混合物から4,4′−ビス(N−メチルフタ
ルイミド)サルファイドを分離することを特徴とする4
、4′−ビス(Ei−メチルフタルイミド)サルファイ
ドの製造法。 14、 fal触1JXRのジメチルホルムアミドの存
在下、窒素雰囲気中で140〜240°Cの温度で、5
〜18時間、式M2Sのアルカリ金属硫化物および式M
H3のアルカリ金Mj4水累硫化物からなる群から選択
した無水硫化化合物、および式 %式% の置換芳香族化合物の群の1員の混合物を加熱し、 (b)上記混合物からジアリールチオエーテル生成物を
分離することを特徴とする式 (上記各式中、Rは式 の1価の基からなる群から選択した1員であ 3゜リ
R2は水素であり、あるいはR1とR2は一緒になっ
て、フェニル核と共に環構造を形成する からなる群から選択した式の2価の基を表わし、RはC
,−C,アルキル基およびc6〜Coo芳香族基からな
る群から選択した1価の基であり、R3は式 の1価の基の群の1員であり、Xは塩素、弗素、臭素、
沃素およびニトロ基からなる群から選択した1価の基で
あり、Yは弗素、臭素、沃素および塩素からなる群から
選択した1価の基であり、Mはナトリウム、リチウムお
よびカリウムからなる群から選択したアルカリ金属であ
る)のジアリールチオエーテルの製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/437,937 US4499285A (en) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | Solvent free preparation of diarylthioethers |
| US437937 | 1982-11-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5995261A true JPS5995261A (ja) | 1984-06-01 |
| JPH0336830B2 JPH0336830B2 (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=23738539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195930A Granted JPS5995261A (ja) | 1982-11-01 | 1983-10-19 | 溶媒不存在下にジアリ−ルチオエ−テルを製造する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4499285A (ja) |
| EP (1) | EP0108682B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5995261A (ja) |
| CA (1) | CA1207329A (ja) |
| DE (1) | DE3375482D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4625037A (en) * | 1984-02-02 | 1986-11-25 | General Electric Company | Method for making thioether(bisphthalimide)s |
| US4866184A (en) * | 1986-10-10 | 1989-09-12 | Ethyl Corporation | Producing bis(alicyclic) thioethers |
| JPH0739490B2 (ja) * | 1987-05-20 | 1995-05-01 | 東ソー株式会社 | ポリシアノアリ−ルチオエ−テルおよびその製造方法 |
| US4870194A (en) * | 1987-09-28 | 1989-09-26 | Occidental Chemical Corporation | Process for the preparation and recovery of oxdiphthalic anhydrides |
| US5077415A (en) * | 1990-01-19 | 1991-12-31 | Ciba-Geigy Corporation | Disubstituted aromatic dianhydrides |
| US5907025A (en) * | 1997-05-27 | 1999-05-25 | General Electric Company | Method for conducting Lewis acid-catalyzed reactions |
| US6066743A (en) * | 1999-05-07 | 2000-05-23 | General Electric Company | Solventless preparation of phthalimides |
| WO2009082942A1 (en) | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering, Chinese Academy Of Sciences | Polythioetherimides and method for producing thereof |
| CN108117505A (zh) * | 2016-11-27 | 2018-06-05 | 杜庶铭 | 一种合成二苯醚二酰亚胺的制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3576882A (en) * | 1966-12-27 | 1971-04-27 | Monsanto Co | Production of thioethers and ethers from fluorine aryl compounds |
| US4054584A (en) * | 1973-03-30 | 1977-10-18 | General Electric Company | Method for making bis(thioether anhydride)s |
| GB1498410A (en) * | 1975-05-09 | 1978-01-18 | Ici Ltd | Process for the manufacture of diaryl sulphides and disulphides |
| US3983093A (en) * | 1975-05-19 | 1976-09-28 | General Electric Company | Novel polyetherimides |
| JPS55122757A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-20 | Mitsui Toatsu Chem Inc | Production of thio-di-phthalic acid or anhydride |
-
1982
- 1982-11-01 US US06/437,937 patent/US4499285A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-10-07 CA CA000438627A patent/CA1207329A/en not_active Expired
- 1983-10-19 JP JP58195930A patent/JPS5995261A/ja active Granted
- 1983-10-27 EP EP83402099A patent/EP0108682B1/en not_active Expired
- 1983-10-27 DE DE8383402099T patent/DE3375482D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336830B2 (ja) | 1991-06-03 |
| EP0108682B1 (en) | 1988-01-27 |
| DE3375482D1 (en) | 1988-03-03 |
| CA1207329A (en) | 1986-07-08 |
| US4499285A (en) | 1985-02-12 |
| EP0108682A1 (en) | 1984-05-16 |
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