JPS5997149A - アモルフアスシリコン感光体 - Google Patents
アモルフアスシリコン感光体Info
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- JPS5997149A JPS5997149A JP20819982A JP20819982A JPS5997149A JP S5997149 A JPS5997149 A JP S5997149A JP 20819982 A JP20819982 A JP 20819982A JP 20819982 A JP20819982 A JP 20819982A JP S5997149 A JPS5997149 A JP S5997149A
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- JP
- Japan
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- amorphous silicon
- photoreceptor
- layer
- layers
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、たとえば電子写真複写機（＝使用可能な感
光体の技術分野に拠する。
光体の技術分野に拠する。
従来、電子写真複写機（二側用されるアモルファスシリ
コン感光体は、感光体基層上（二、水素含有のアモルフ
ァスシリコン層を高抵抗層で挾持してしかしながら、前
記抵抗層は、たとえばシリコン原子含有の分子とＣＨ４
とを有する混合ガス中で高い高周波電力のグロー放電を
行なうことにより形成されるプラズマを用いて成層され
るので、アモルファスシリコン中の炭素原子はシリコン
原子間（二結合し、いわばシリコン原子の結合ネットワ
ーク（二完全に取り込まれた状態となっている。
コン感光体は、感光体基層上（二、水素含有のアモルフ
ァスシリコン層を高抵抗層で挾持してしかしながら、前
記抵抗層は、たとえばシリコン原子含有の分子とＣＨ４
とを有する混合ガス中で高い高周波電力のグロー放電を
行なうことにより形成されるプラズマを用いて成層され
るので、アモルファスシリコン中の炭素原子はシリコン
原子間（二結合し、いわばシリコン原子の結合ネットワ
ーク（二完全に取り込まれた状態となっている。
そのため、従来のアモルファスシリコン感光体は、光照
射（二よりアモルファスシリコン層中で発生したキャリ
アが感光体基層あるいはアモルファス感光体の表面に完
全（二移動することができないので、複雑な線描や文字
を鮮明（二複写することができない。つまり、従来のア
モルファスシリコン感光体は表面電位保持率の経時的低
下が大きく、さら（二疲労特性が悪い。
射（二よりアモルファスシリコン層中で発生したキャリ
アが感光体基層あるいはアモルファス感光体の表面に完
全（二移動することができないので、複雑な線描や文字
を鮮明（二複写することができない。つまり、従来のア
モルファスシリコン感光体は表面電位保持率の経時的低
下が大きく、さら（二疲労特性が悪い。
この発明は、前記事情（二無みてなされたものであり、
複写画像（ニボケやニジミがなく、表面電位保持率が高
く、また、帯電露光のくり返しにかかわらず疲労効果の
少ないアモルファスシリコン感光体を提供することを目
的とするものである。
複写画像（ニボケやニジミがなく、表面電位保持率が高
く、また、帯電露光のくり返しにかかわらず疲労効果の
少ないアモルファスシリコン感光体を提供することを目
的とするものである。
前記目的を達成するためのこの発明の概要は、少なくと
も水素を含有するアモルファスシリコン層を挾持する高
抵抗層を、アモルファスシリコン層で発生したキャリア
が感光体表面に移動することができるよう（−５１原子
あたりシリコン１原子を結合する炭素と水素とを有する
アモルファスシリコンで構成したことを特徴とするもの
である。
も水素を含有するアモルファスシリコン層を挾持する高
抵抗層を、アモルファスシリコン層で発生したキャリア
が感光体表面に移動することができるよう（−５１原子
あたりシリコン１原子を結合する炭素と水素とを有する
アモルファスシリコンで構成したことを特徴とするもの
である。
この発明に係るアモルファスシリコン感光体の層構成は
、第１図Ｃ二示すように、感光体基層４上に、少なくと
も水素を含有するアモルファスシリコン層２を、高抵抗
層１および３で挾持してなる三層を成層してなる。
、第１図Ｃ二示すように、感光体基層４上に、少なくと
も水素を含有するアモルファスシリコン層２を、高抵抗
層１および３で挾持してなる三層を成層してなる。
７ モルファスシリコン層２は、従来のアモルファスシ
リコン感光体におけるのと同様である。
リコン感光体におけるのと同様である。
高
一抵抗層１および３は、炭素１原子あたりシリコン１原
子を結合する炭素と水素とを有するアモルファスシリコ
ンで形成される。前記アモルファスシリコン中のシリコ
ン原子は、たとえばＣＨ３基、ＣＨ３Ｃ１１２基、ＣＨ
３ＣＨ２ＣＨ２基等の低級アルキル基を有し、好ましく
はＣＨ３基を有しており、５ｉ−ＣＨ２−８＋のような
結合様式を有する炭素の含有量は無視可能の程度に少な
いものである。また、前記アモルファスシリコンは、そ
の赤外分光光度計による赤外吸収スペクトルニより、５
Ｉ−ＣＨ３，５Ｉ−ｃＨ２ｃＩ（３、ｓ ｔ −ＣＨ２
ＣＨ２ＣＨ３が同定可能である。前記アモルファスシリ
コンよりなる高抵抗層１および３は、たとえばＳｉＨ４
とＣＨ４のような低級アルカンとの混合ガス中で２５Ｗ
以下の高周波電力のグロー放電を行ない、抗層１を介し
て形成した、水素含有のアモルファスシリコン層２の表
面に接触させること（二より、成層することができる。
子を結合する炭素と水素とを有するアモルファスシリコ
ンで形成される。前記アモルファスシリコン中のシリコ
ン原子は、たとえばＣＨ３基、ＣＨ３Ｃ１１２基、ＣＨ
３ＣＨ２ＣＨ２基等の低級アルキル基を有し、好ましく
はＣＨ３基を有しており、５ｉ−ＣＨ２−８＋のような
結合様式を有する炭素の含有量は無視可能の程度に少な
いものである。また、前記アモルファスシリコンは、そ
の赤外分光光度計による赤外吸収スペクトルニより、５
Ｉ−ＣＨ３，５Ｉ−ｃＨ２ｃＩ（３、ｓ ｔ −ＣＨ２
ＣＨ２ＣＨ３が同定可能である。前記アモルファスシリ
コンよりなる高抵抗層１および３は、たとえばＳｉＨ４
とＣＨ４のような低級アルカンとの混合ガス中で２５Ｗ
以下の高周波電力のグロー放電を行ない、抗層１を介し
て形成した、水素含有のアモルファスシリコン層２の表
面に接触させること（二より、成層することができる。
次Ｃ二、この発明の一実験例を具体的ベニ説明する。
実施例
Ｓ ｔＨ４７５８ＣＣＭとＣＨ４／ＳｉＨ４流量比が２
００％であるＣＨ４ガスとの混合ガスに、Ｑ、４’ｌ’
ｏｒｒの圧力下、２２０ｔｌ’ｌ二加熱しながら、２５
Ｗの高周波電力のグロー放電をすること（二よって、プ
ラズマを形成し、該プラズマを感光体基板の表面（二１
０分間接触させること（二よって、感光体基板の表面（
二約３００ＡＩの厚みの第１の高抵抗層を形成した。
００％であるＣＨ４ガスとの混合ガスに、Ｑ、４’ｌ’
ｏｒｒの圧力下、２２０ｔｌ’ｌ二加熱しながら、２５
Ｗの高周波電力のグロー放電をすること（二よって、プ
ラズマを形成し、該プラズマを感光体基板の表面（二１
０分間接触させること（二よって、感光体基板の表面（
二約３００ＡＩの厚みの第１の高抵抗層を形成した。
次いで、８ｉＨ４１８０ＳＣＣＭに、０．５Ｔｏｒｒの
圧力下、２２０Ｃ１二加熱しながら、２５Ｗの高周波電
力のグロー放電をすることによって、プラズマを形成し
、該プラズマを前記第１の高抵抗層表面（＝５時間接触
させること（＝よって、前記第１の高抵抗層上（：水素
含有のアモルファスシリコン層を約１５μｍの厚みＣ二
形成した。
圧力下、２２０Ｃ１二加熱しながら、２５Ｗの高周波電
力のグロー放電をすることによって、プラズマを形成し
、該プラズマを前記第１の高抵抗層表面（＝５時間接触
させること（＝よって、前記第１の高抵抗層上（：水素
含有のアモルファスシリコン層を約１５μｍの厚みＣ二
形成した。
その後、第１の高抵抗層を形成するのと同様の条件下で
、前記水素含有のアモルファスシリコン層上Ｃ１約３０
０Ｘの厚みの第２の高抵抗層を形成した。
、前記水素含有のアモルファスシリコン層上Ｃ１約３０
０Ｘの厚みの第２の高抵抗層を形成した。
以上のようにして感光体基板上に三層を形成してなるア
モルファスシリコン感光体を得た。
モルファスシリコン感光体を得た。
前記第１および第２の高抵抗層の赤外吸収スペクトルを
第２図じ示す。第２図に示すようＣ二、８１−ＣＨ２−
８ｉの結合様式におけるＣ−Ｈ結合（＝基づく吸収ピー
クがなく、５ｌ−ＣＨ３に基づく大きな吸収ピークがあ
る。このことは、高抵抗層（：おけるアモルファスシリ
コンは、そのシリコン原子の結合ネットワーク（＝炭素
原子を取り込んでいないか、取り込んでいたとしてもそ
の量は無視可能の程度であることを示す。
第２図じ示す。第２図に示すようＣ二、８１−ＣＨ２−
８ｉの結合様式におけるＣ−Ｈ結合（＝基づく吸収ピー
クがなく、５ｌ−ＣＨ３に基づく大きな吸収ピークがあ
る。このことは、高抵抗層（：おけるアモルファスシリ
コンは、そのシリコン原子の結合ネットワーク（＝炭素
原子を取り込んでいないか、取り込んでいたとしてもそ
の量は無視可能の程度であることを示す。
次（−１以上のようにして得たアモルファスシリコン感
光体（＝負帯電を行なったところ、第３図に示すよう（
ニー６００ｖの表面型１位を得、しかも負帯電後１５秒
が経過しても表面電位はもとの値の６０チ以上を保持し
ており、表面電位保持率はきわめて良好である。また、
以上のようにして得たアモルファスシリコン感光体は、
２ Ａ’ｕｘのタングステン光照射（＝対し、０．７
ＪＳの高い感度を示した。さらＣ二、以上のようＣニジ
て得たアモルファスシリコン感光体は、第４図（＝示す
ように、帯電と露光とのくり返えしにもかかわらず、つ
まり複写コピーな伺枚とっても、表面電位Ａの低下およ
び残留電位Ｂの上昇が認められなかった。以上のよう（
ニして得たアモルファスシリコン感光体を装填した電子
複写機を用いて複雑な線描の原稿を複写したところ、複
写画像にポケやニジミが発生しなかった。
光体（＝負帯電を行なったところ、第３図に示すよう（
ニー６００ｖの表面型１位を得、しかも負帯電後１５秒
が経過しても表面電位はもとの値の６０チ以上を保持し
ており、表面電位保持率はきわめて良好である。また、
以上のようにして得たアモルファスシリコン感光体は、
２ Ａ’ｕｘのタングステン光照射（＝対し、０．７
ＪＳの高い感度を示した。さらＣ二、以上のようＣニジ
て得たアモルファスシリコン感光体は、第４図（＝示す
ように、帯電と露光とのくり返えしにもかかわらず、つ
まり複写コピーな伺枚とっても、表面電位Ａの低下およ
び残留電位Ｂの上昇が認められなかった。以上のよう（
ニして得たアモルファスシリコン感光体を装填した電子
複写機を用いて複雑な線描の原稿を複写したところ、複
写画像にポケやニジミが発生しなかった。
この発明によると、複写画像にボケやニジミがなく、か
つ、表面電位保持率が高く、帯電露光のくり返しく−か
かわらず疲労効果の殆んどない優れたアモルファスシリ
コン感光体を提供することができる。
つ、表面電位保持率が高く、帯電露光のくり返しく−か
かわらず疲労効果の殆んどない優れたアモルファスシリ
コン感光体を提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す部分断面図、第２図
はこの発明の一実施例における高抵抗層であるアモルフ
ァスシリコンの赤外吸収スペクトルを示すスペクトルチ
ャート、第３図はこの発明（二係るアモルファスシリコ
ン感光体の表面電位保持特性を示す特性図、および第４
図はこの発明（＝係るアモルファスシリコン感光体の疲
労特性を示す特性図である。 １．３・・・高抵抗層、 ２・・・水素含有のアモルフ
ァスシリコン層、 ４・・・感光体基板。 代理人 弁理士 三 澤 正 義Ｉ−ｉ！ｉ−
間（５ｅｅ） コじ・−Ｆ１校
はこの発明の一実施例における高抵抗層であるアモルフ
ァスシリコンの赤外吸収スペクトルを示すスペクトルチ
ャート、第３図はこの発明（二係るアモルファスシリコ
ン感光体の表面電位保持特性を示す特性図、および第４
図はこの発明（＝係るアモルファスシリコン感光体の疲
労特性を示す特性図である。 １．３・・・高抵抗層、 ２・・・水素含有のアモルフ
ァスシリコン層、 ４・・・感光体基板。 代理人 弁理士 三 澤 正 義Ｉ−ｉ！ｉ−
間（５ｅｅ） コじ・−Ｆ１校
Claims (4)
- （１）少なくとも水素を含有するアモルファスシリコン
層を高抵抗層で挾持してなる感光層を有するアモルファ
スシリコン感光体Ｃ二おいて、１原子あたりシリコン１
原子を結合する炭素と水素とを有するアモリファスシリ
コンで高抵抗層を形成してなるアモルファスシリコン感
光体。 - （２）前記高抵抗層は、シリコン原子含有の分子と炭素
原子含有の分子とを含む混合ガスより現出した、ＣＨ３
ラジカルの含有量がＣ）Ｉラジカルの含有量よりも大き
いプラズマ状態下で成層してなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載のアモルファスシリコン感光体
。 - （３）前記プラズマ状態は、前記混合ガスを２５ｗ以下
の放電（二より現出することを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項Ｃ：記載のアモルファスシリコン
感光体。 - （４）前記高抵抗層は、赤外分光光度計（二より検出可
能なＣＨ３ラジカルを含有することを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載のアモル
ファスシリコン感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20819982A JPS5997149A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | アモルフアスシリコン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20819982A JPS5997149A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | アモルフアスシリコン感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997149A true JPS5997149A (ja) | 1984-06-04 |
| JPH0310091B2 JPH0310091B2 (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=16552298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20819982A Granted JPS5997149A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | アモルフアスシリコン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5997149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0310075A (ja) * | 1989-02-27 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | 水素化アモルファスシリコン膜 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717952A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-11-27 JP JP20819982A patent/JPS5997149A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5717952A (en) * | 1980-07-09 | 1982-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0310075A (ja) * | 1989-02-27 | 1991-01-17 | Fujitsu Ltd | 水素化アモルファスシリコン膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0310091B2 (ja) | 1991-02-12 |
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