JPS5997514A - 太陽電池の製造法 - Google Patents
太陽電池の製造法Info
- Publication number
- JPS5997514A JPS5997514A JP57204923A JP20492382A JPS5997514A JP S5997514 A JPS5997514 A JP S5997514A JP 57204923 A JP57204923 A JP 57204923A JP 20492382 A JP20492382 A JP 20492382A JP S5997514 A JPS5997514 A JP S5997514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- type
- substrate
- amorphous silicon
- silicon film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ月支術分野
本発明は、アモルファスシリコン（以下ａ −８１と記
す）膜の製造法に関する。
す）膜の製造法に関する。
（ロ）背景技術
従来、ａ−８ｉ膜はシラン（ＳｉＨ２）ガスをグロー放
電分解する、いわゆるプラズマＣＶＤ法、あるいはシリ
コン（Ｓｌ）クーゲットを水素を含むアルゴン（Ａｒ）
ガスでスパックする方法で製造されており、ａ−８ｉ膜
を用いた光起電力素子は、光電変換効率が８％を越える
ものが製造されていた。しかしながら、良好な光電変換
効率を得る光起電力素子に用いるａ−８ｉ膜の光学的エ
ネルギーギャップがほぼ１．７５ ｅ Ｖと一定である
ために、長波長光は、エネルギーが小さくａ−８ｉ膜内
で吸収されずに透過してしまう。また、短波長光は、ａ
−８ｉ膜内で吸収されるが、光の持つエネルギーが大き
すぎるため、ａ−８ｉ嘆の光学的エネルギーギャンプ以
」二の過剰エネルギーはすべてエネルギーロスとなると
いう欠点があった１、また従来、前記の欠点を解消せん
と、ａ−８ｉ膜に炭素を添加したいわゆる３ Ｓ Ｉｃ
膜を用い光学的エネルギーギャップを大きくして短波長
光を有効に利用する試みや、ａ−８ｉ膜にケルマニラム
（Ｇｅ）を添加したいわゆるａ−８ｌ膜を用い、光学的
エネルギーギャップを小さくして長波長光を有効に利用
する試みがなされていた。しかしながら、コレらのａ−
８ｉＣ膜や、ａ−８ｉＧｅ膜は、添加に伴ない、光電気
伝導部が大きく低ドするため、光学的エネルギーギヤノ
ブの拡大あるいは縮小の効果が、光電変換効率に大きく
寄与していないという問題点があった。
電分解する、いわゆるプラズマＣＶＤ法、あるいはシリ
コン（Ｓｌ）クーゲットを水素を含むアルゴン（Ａｒ）
ガスでスパックする方法で製造されており、ａ−８ｉ膜
を用いた光起電力素子は、光電変換効率が８％を越える
ものが製造されていた。しかしながら、良好な光電変換
効率を得る光起電力素子に用いるａ−８ｉ膜の光学的エ
ネルギーギャップがほぼ１．７５ ｅ Ｖと一定である
ために、長波長光は、エネルギーが小さくａ−８ｉ膜内
で吸収されずに透過してしまう。また、短波長光は、ａ
−８ｉ膜内で吸収されるが、光の持つエネルギーが大き
すぎるため、ａ−８ｉ嘆の光学的エネルギーギャンプ以
」二の過剰エネルギーはすべてエネルギーロスとなると
いう欠点があった１、また従来、前記の欠点を解消せん
と、ａ−８ｉ膜に炭素を添加したいわゆる３ Ｓ Ｉｃ
膜を用い光学的エネルギーギャップを大きくして短波長
光を有効に利用する試みや、ａ−８ｉ膜にケルマニラム
（Ｇｅ）を添加したいわゆるａ−８ｌ膜を用い、光学的
エネルギーギャップを小さくして長波長光を有効に利用
する試みがなされていた。しかしながら、コレらのａ−
８ｉＣ膜や、ａ−８ｉＧｅ膜は、添加に伴ない、光電気
伝導部が大きく低ドするため、光学的エネルギーギヤノ
ブの拡大あるいは縮小の効果が、光電変換効率に大きく
寄与していないという問題点があった。
（ハ）発明の開示
そこで、本発明者は、］１１１記問題点を解消すべく種
々検討を行なった結果、基板にａ Ｓｉ膜を形成する
方法において、＋ｉｉｆ記基板が導電性で、ａ−８ｉ膜
形成時に前記基板の導電部に直流電圧を印加することに
より、ａ−８ｉ膜の光電気伝導度を低ドすることなく、
光学的エネルギーギャップを自任に制御できることを見
出した・ 本発明の１」的は、光電気伝導度を低下することなく、
光学的エネルギーギヤ・ノブが自在に制御された２−８
ｉ膜の製造方法を提供することにある。
々検討を行なった結果、基板にａ Ｓｉ膜を形成する
方法において、＋ｉｉｆ記基板が導電性で、ａ−８ｉ膜
形成時に前記基板の導電部に直流電圧を印加することに
より、ａ−８ｉ膜の光電気伝導度を低ドすることなく、
光学的エネルギーギャップを自任に制御できることを見
出した・ 本発明の１」的は、光電気伝導度を低下することなく、
光学的エネルギーギヤ・ノブが自在に制御された２−８
ｉ膜の製造方法を提供することにある。
以ＩＪ、本発明をいくつかの実施例に基づき詳細実施例
１ 第１図に本発明によるａ−８ｉ膜の光学的エネルギーギ
ャップと基板の導電部に印加した直流電圧との関係を示
す。基板はカラス板に、厚さ約６０００にの酸化スズ（
Ｓ ｎ ０２ ）からなる透明導電膜を形成したものを
用い、ａ −Ｓ ｉ １ｉｉｉ’７の形成条件は、水素
希釈シランガス濃度１０チ、シランカス圧力１ＴＯｒｒ
、シランカス流量５［］ＳＣＣＭ。
１ 第１図に本発明によるａ−８ｉ膜の光学的エネルギーギ
ャップと基板の導電部に印加した直流電圧との関係を示
す。基板はカラス板に、厚さ約６０００にの酸化スズ（
Ｓ ｎ ０２ ）からなる透明導電膜を形成したものを
用い、ａ −Ｓ ｉ １ｉｉｉ’７の形成条件は、水素
希釈シランガス濃度１０チ、シランカス圧力１ＴＯｒｒ
、シランカス流量５［］ＳＣＣＭ。
高周波電力５００Ｗ、基板温度２５０で、嘆形成時間１
時間で一定とした。ａ−８ｉ膜形成時に前記基板の導電
部に、−３００Ｖ、−２００Ｖ、−１００Ｖ、ＯＶ、１
００Ｖ、２００Ｖ、 ろＯＯＶの直流電圧を印加し、
形成した膜の光学的エネルギーギャップをそれぞれ測定
した。第１図かられかるように、基板の導電部に直流電
圧を印加することにより、光学的エネルギーギャップを
変化させることができ、正電圧で光学的エネルギーキャ
ップを小さくまた負電圧で光学的エネルキーギャノプを
大きくすることができる。印加する直流電圧が＝ろＯＯ
Ｖから＋ろＯＯＶの範囲では、光学的エネルギーキャッ
プは１．７０ ｅ Ｖから１．８５ｅＶまて変化するこ
とができた。また、光電気伝導度は、いずれの直流１ル
圧を印加した場合でも１×１Ｏ−４（Ω・α）−１とほ
ぼ一定であった。なお、絶縁性のガラス基板上にも種々
直流電圧を印加してａ−８ｉ膜を前記と同じ条件で形成
したが、光学ｎ９ニオ、ルギーキャンブは、いずれのａ
−’Ｓ ｉ ｉｌｌも１、７５ ｅ Ｖと変化はなか
った。
時間で一定とした。ａ−８ｉ膜形成時に前記基板の導電
部に、−３００Ｖ、−２００Ｖ、−１００Ｖ、ＯＶ、１
００Ｖ、２００Ｖ、 ろＯＯＶの直流電圧を印加し、
形成した膜の光学的エネルギーギャップをそれぞれ測定
した。第１図かられかるように、基板の導電部に直流電
圧を印加することにより、光学的エネルギーギャップを
変化させることができ、正電圧で光学的エネルギーキャ
ップを小さくまた負電圧で光学的エネルキーギャノプを
大きくすることができる。印加する直流電圧が＝ろＯＯ
Ｖから＋ろＯＯＶの範囲では、光学的エネルギーキャッ
プは１．７０ ｅ Ｖから１．８５ｅＶまて変化するこ
とができた。また、光電気伝導度は、いずれの直流１ル
圧を印加した場合でも１×１Ｏ−４（Ω・α）−１とほ
ぼ一定であった。なお、絶縁性のガラス基板上にも種々
直流電圧を印加してａ−８ｉ膜を前記と同じ条件で形成
したが、光学ｎ９ニオ、ルギーキャンブは、いずれのａ
−’Ｓ ｉ ｉｌｌも１、７５ ｅ Ｖと変化はなか
った。
実施例２
第２図は、本発明によるａ−８ｉ膜を用いた光起電力素
子の一構造図である。５ｎＯｚからなる透明導電膜２を
形成したカラス板１にホウ素をＳ ｉ １−１４に対す
るＢ２１（６の流量比でｌＸ１０−３ドープしたＰ型ａ
−８１膜６を形成した後、ドープしないｌ型ａ−８１膜
４、さらにリンをＳｉ Ｈ４に対する１月１３の流量比
でｌＸｌ０ ’ ドープしたＩｌ型ａ−Ｓｉ膜５、
最後にアルミ電極６を形成した。ｌ型ａ −Ｓ ｉ １
ｌｉ４４は、６分割し、ｐ／！ｌ！！ａ−８Ｉ膜ろ側か
ら膜形成時に一３００Ｖの直流電圧を印加したｉ型ａ−
８ｉ膜７．０■の直流電圧を印加したｌ型ａ−８ｉ膜８
、」−ろＯＯＶの直流電圧を印加したｌ型ａ−８ｉ膜９
の６種類の膜で構成し、ｐ型ａ−８ｉ膜ろ側（光入射側
）のｌ型ａ−８ｉ膜７の光学的エネルギーギャンプを大
きく、またｎ型ａ−８ｉ膜５側のｉ型ａ−８ｉｌ模９の
光学的エネルギーギャップを小さくした。なお、シラン
ガス濃度、ガス圧力、シランガス流量、高周波電力、基
板温度はｐ型ａ−８ｉ膜６、直型ａ −ｓ Ｉ ＩＩ！
４、ｎ型ａ−８ｉ膜５、すべて実施例１と同じである
。直流電圧を印加しなかった光起電力素子の光電変換効
率が６．８％であったのに対し、本実施例による光起電
力素子の光電変換効率は、７４チであった。
子の一構造図である。５ｎＯｚからなる透明導電膜２を
形成したカラス板１にホウ素をＳ ｉ １−１４に対す
るＢ２１（６の流量比でｌＸ１０−３ドープしたＰ型ａ
−８１膜６を形成した後、ドープしないｌ型ａ−８１膜
４、さらにリンをＳｉ Ｈ４に対する１月１３の流量比
でｌＸｌ０ ’ ドープしたＩｌ型ａ−Ｓｉ膜５、
最後にアルミ電極６を形成した。ｌ型ａ −Ｓ ｉ １
ｌｉ４４は、６分割し、ｐ／！ｌ！！ａ−８Ｉ膜ろ側か
ら膜形成時に一３００Ｖの直流電圧を印加したｉ型ａ−
８ｉ膜７．０■の直流電圧を印加したｌ型ａ−８ｉ膜８
、」−ろＯＯＶの直流電圧を印加したｌ型ａ−８ｉ膜９
の６種類の膜で構成し、ｐ型ａ−８ｉ膜ろ側（光入射側
）のｌ型ａ−８ｉ膜７の光学的エネルギーギャンプを大
きく、またｎ型ａ−８ｉ膜５側のｉ型ａ−８ｉｌ模９の
光学的エネルギーギャップを小さくした。なお、シラン
ガス濃度、ガス圧力、シランガス流量、高周波電力、基
板温度はｐ型ａ−８ｉ膜６、直型ａ −ｓ Ｉ ＩＩ！
４、ｎ型ａ−８ｉ膜５、すべて実施例１と同じである
。直流電圧を印加しなかった光起電力素子の光電変換効
率が６．８％であったのに対し、本実施例による光起電
力素子の光電変換効率は、７４チであった。
なふ・、本実施例では、夏型ａ−８ｉ膜形成時に一５ｏ
ｏｖ、０■、＋３００Ｖと離散的に直流電圧を変化させ
たが、−ろ００ｖから＋３００Ｖ−１で連続的に変化さ
せても良いことは言うまでもない。
ｏｖ、０■、＋３００Ｖと離散的に直流電圧を変化させ
たが、−ろ００ｖから＋３００Ｖ−１で連続的に変化さ
せても良いことは言うまでもない。
実施例６
第６図は、本発明によるａ−８１膜を用いた光起電力素
子の一構造図である。８１１０２からなる透明導電膜１
１を形成したガラス板１０に、ｐ型ａ −Ｓ ｉ膜１２
、ｌ型ａ−８ｉ膜１６、ｎ型ａ−８ｉ膜ｇ１４、ｐ型ａ
−８ｉｌｆＩ！１５．１型ａ−８ｉ膜１６、ＩＩ型ａ−
８ｉ膜１７、アルミ電極１８の順に形成した。ｐ型ａ−
８ｉ膜１２および１５のホウ素のドープ量、ｎ型ａ−８
Ｉ膜１４および１７のリンのドープははいずれ本ガスの
流量比で１×１０−３である。また１型ａ−８ｉ膜１６
ふ・よび１６は、膜形成時にそれぞれ−ろ００ｖ、＋ろ
ＯＯ■の直流電圧を印加し、光学的エネルギーギャップ
を各４人きくおよび小さくした。
子の一構造図である。８１１０２からなる透明導電膜１
１を形成したガラス板１０に、ｐ型ａ −Ｓ ｉ膜１２
、ｌ型ａ−８ｉ膜１６、ｎ型ａ−８ｉ膜ｇ１４、ｐ型ａ
−８ｉｌｆＩ！１５．１型ａ−８ｉ膜１６、ＩＩ型ａ−
８ｉ膜１７、アルミ電極１８の順に形成した。ｐ型ａ−
８ｉ膜１２および１５のホウ素のドープ量、ｎ型ａ−８
Ｉ膜１４および１７のリンのドープははいずれ本ガスの
流量比で１×１０−３である。また１型ａ−８ｉ膜１６
ふ・よび１６は、膜形成時にそれぞれ−ろ００ｖ、＋ろ
ＯＯ■の直流電圧を印加し、光学的エネルギーギャップ
を各４人きくおよび小さくした。
なお、シランガス濃度、ガス圧力、シランガス流量、高
周波電力、基板温度はすべてのａ−８ｉ膜ともに実施例
１と同じである。実施例ろと同構造で直流電圧を印加し
なかった場合、および本実施例の場合、それぞれ光起電
力素子の光電変換効率は６，９係および７．８チであっ
た。
周波電力、基板温度はすべてのａ−８ｉ膜ともに実施例
１と同じである。実施例ろと同構造で直流電圧を印加し
なかった場合、および本実施例の場合、それぞれ光起電
力素子の光電変換効率は６，９係および７．８チであっ
た。
なお実施例では、１型ａ−８Ｉ膜の形成時のみに直流電
圧を印加する如く述べたが、ｐ型、ｉ型およびｎ型ａ−
８ｉ膜のうち少なくとも１つ以上の膜の形成時に直流電
圧を印加しても同様の効果が得られることは言うまでも
ない。
圧を印加する如く述べたが、ｐ型、ｉ型およびｎ型ａ−
８ｉ膜のうち少なくとも１つ以上の膜の形成時に直流電
圧を印加しても同様の効果が得られることは言うまでも
ない。
以上詳細に説明したように、本発明により、光電気伝導
度を低下することなく光学的エネルギーギャップを１」
任に制御されたａ Ｓ＋膜を製造することができる。
度を低下することなく光学的エネルギーギャップを１」
任に制御されたａ Ｓ＋膜を製造することができる。
又上述はプラズマＣＤＶの例で説明したが、前述スパッ
ター法でも同様の効果がある。
ター法でも同様の効果がある。
第１図は本説明によるａ−８ｉ膜の光学的エイ、ルギー
キャンプと基板の導電部に印加した直流電圧との関係を
示す図であり、第２図は本発明によるａ−８ｉ膜を用い
た光起電力素子の一構造図であり、第６図は本発明によ
るａ−８ｉ膜を用いた光起電力素子の一構造図である。 １ ガラス板 ５・ｎ型ａ−８ｉ膜２−・−透明
導電膜 ６−アルミ電極３− ｐ型ａ−８ｉ膜
７・−１型ａ−８ｉ膜４ Ｉ型ａ−８ｉ膜 ８ Ｉ型
ａ−８ｉ膜９ ｌ型ａ−８ｉ膜 １４− ｎ型ａ−８ｉ
膜１０ カラス板 １５・・・ｐ型ａ−８ｉ膜１
１ 透明導電膜 １６・１型ａ−８ｉ膜１２−
ｐ型ａ−８ｉ膜 ｉ７− ｎ型ａ−８ｉ膜１３・・・ｌ
型ａ−８ｉ膜 １８ アルミ電極＄１ 図 −３０００３００ 直滝電圧 （Ｖ） 才２図 ；ｔ７３図 伊丹市昆陽北１丁目１番１号住 友電気工業株式会社伊丹製作所 内 ＠発 明 者 用合弘 伊丹市昆陽北１丁目１番１号住 友電気工業株式会社伊丹製作所 内 ■出 願 人 住友電気工業株式会社 大阪市東区北浜５丁目１５番地
キャンプと基板の導電部に印加した直流電圧との関係を
示す図であり、第２図は本発明によるａ−８ｉ膜を用い
た光起電力素子の一構造図であり、第６図は本発明によ
るａ−８ｉ膜を用いた光起電力素子の一構造図である。 １ ガラス板 ５・ｎ型ａ−８ｉ膜２−・−透明
導電膜 ６−アルミ電極３− ｐ型ａ−８ｉ膜
７・−１型ａ−８ｉ膜４ Ｉ型ａ−８ｉ膜 ８ Ｉ型
ａ−８ｉ膜９ ｌ型ａ−８ｉ膜 １４− ｎ型ａ−８ｉ
膜１０ カラス板 １５・・・ｐ型ａ−８ｉ膜１
１ 透明導電膜 １６・１型ａ−８ｉ膜１２−
ｐ型ａ−８ｉ膜 ｉ７− ｎ型ａ−８ｉ膜１３・・・ｌ
型ａ−８ｉ膜 １８ アルミ電極＄１ 図 −３０００３００ 直滝電圧 （Ｖ） 才２図 ；ｔ７３図 伊丹市昆陽北１丁目１番１号住 友電気工業株式会社伊丹製作所 内 ＠発 明 者 用合弘 伊丹市昆陽北１丁目１番１号住 友電気工業株式会社伊丹製作所 内 ■出 願 人 住友電気工業株式会社 大阪市東区北浜５丁目１５番地
Claims (3)
- （１）基板にアモルファスシリコン膜を形成する方法ニ
オイテ、 ｉｉｉ 記基板が導電性で、アモルファスシ
リコンＨＱ形成時に、前記基板の導電部に直流電圧を印
加することを特徴とするアモルファスシリコン膜の製造
法。 - （２）アモルファスシリコン膜が光起電力素子用の膜で
あることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
アモルファスシリコン膜の製造法。 - （３）アモルファスシリコン膜を形成する方法がプラズ
マＣＶ Ｉ）又はスパック−法であることを特徴とする
特許請求の範囲士（１）項記載のアモルファスシリコン
膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204923A JPS5997514A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 太陽電池の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57204923A JPS5997514A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 太陽電池の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997514A true JPS5997514A (ja) | 1984-06-05 |
| JPH0445991B2 JPH0445991B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=16498601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57204923A Granted JPS5997514A (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 太陽電池の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5997514A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113673A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-21 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 光起電力デバイス |
| JPH0195770U (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | ||
| JPH02122575A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-10 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| US7534628B2 (en) | 2006-10-12 | 2009-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming semiconductor device and method for forming photovoltaic device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130466A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-13 | Canon Inc | Film forming method |
| JPS56130465A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-13 | Canon Inc | Film forming method |
| JPS5855328U (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | 三洋電機株式会社 | 切換装置 |
| JPS58144470A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-08-27 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 光応答性無定形合金の化学相沈着製造方法 |
| JPS5913617A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 微結晶シリコンを含むシリコン薄膜の製造法 |
-
1982
- 1982-11-22 JP JP57204923A patent/JPS5997514A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130465A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-13 | Canon Inc | Film forming method |
| JPS56130466A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-13 | Canon Inc | Film forming method |
| JPS5855328U (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-14 | 三洋電機株式会社 | 切換装置 |
| JPS58144470A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-08-27 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 光応答性無定形合金の化学相沈着製造方法 |
| JPS5913617A (ja) * | 1982-07-16 | 1984-01-24 | Agency Of Ind Science & Technol | 微結晶シリコンを含むシリコン薄膜の製造法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6113673A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-21 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 光起電力デバイス |
| JPH0195770U (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-26 | ||
| JPH02122575A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-10 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| US7534628B2 (en) | 2006-10-12 | 2009-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming semiconductor device and method for forming photovoltaic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0445991B2 (ja) | 1992-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108321239A (zh) | 一种太阳能异质结电池及其制备方法 | |
| JP2002076409A (ja) | 光起電力装置 | |
| CN209561421U (zh) | 一种p型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池 | |
| JPS5846074B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6150378A (ja) | 非晶質太陽電池の製法 | |
| JPH0595126A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2009117463A (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
| CN110797428A (zh) | 异质结太阳能电池 | |
| JP2680579B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0346377A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2775460B2 (ja) | 非晶質太陽電池の製造方法 | |
| JPH0364973A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH0445991B2 (ja) | ||
| JPS62106670A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS62209871A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6152992B2 (ja) | ||
| JPS6095977A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS62165374A (ja) | アモルフアス光起電力素子 | |
| JPS632385A (ja) | 多層構造ｐ型シリコン膜および太陽電池 | |
| JPS61224368A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01211980A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2883231B2 (ja) | 積層型光起電力装置の製造方法 | |
| JPH03218683A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH0714072B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPS618979A (ja) | 光起電力装置の製造方法 |