JPS59980A - 熱電素子 - Google Patents

熱電素子

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Publication number
JPS59980A
JPS59980A JP57110241A JP11024182A JPS59980A JP S59980 A JPS59980 A JP S59980A JP 57110241 A JP57110241 A JP 57110241A JP 11024182 A JP11024182 A JP 11024182A JP S59980 A JPS59980 A JP S59980A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermoelectric element
electrode extraction
type semiconductor
sandblasting
extraction surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP57110241A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Nakajima
隆 中島
Makoto Suzuki
誠 鈴木
Mitsuteru Sugano
菅野 光輝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP57110241A priority Critical patent/JPS59980A/ja
Publication of JPS59980A publication Critical patent/JPS59980A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、鉄珪化物等のP型半導体とN型半導体とを接
合一体化した熱電素子に関する。
本出願Δより先に鉄珪化物等の焼結体の熱電半導体を用
いた熱電素子が提案されているが、この場合その熱電素
子に対するリード線の接続が問題となっていた。すなわ
ち、鉄珪化物焼結体を半導体とするために成形、焼結後
に大気中で7エール処理を行うが、このため熱電素子を
構成する焼結体表面に酸化膜が生成しており、絶縁性を
持っているからである。従って、電極取出に際し、この
酸化膜を除去しないと電気導通がとれない。このため、
従来は、熱電素子の電極取出面にペルトゲライングや研
削盤で切削研摩を施していたが、これでは作業性が悪く
、しかも焼結体に応力を加えることになるため切削研摩
工程で破損させてしまうおそれがあった。
本発明は、上記の欠点を除去し、P型半導体及びN型半
導体の電極取出面をサンドブラストによる梨地面に形成
することにより、電気接続を確実かつ容易に実行でき、
しかも電極取出面の加工作業が容易な熱電素子を提供し
ようとするものである。
以下、本発明の熱電素子の実施例を図面に従って説明す
る。
第1図に示すように、熱電素子1は、鉄珪化物焼結体の
P型半導体2及びN型半導体3を、一端部にPN接合4
が形成される如く接合一体化した構造である。この場合
、P型及びN型半導体装置3の脚部端面を夫々電極取出
面5とするのが一般的であり、該電極取出面5には研摩
粉(砂)6をエアーにより吹付けるサンドブラスト法に
よる加工が施される。この結果、第2図に示される電極
取出面5は熱電素子製造工程で生じた酸化膜が除去され
た梨地面となる。
第3図は熱電素子1の梨地面となった電極取出面5に超
音波はんだ付けによってリード線10を接続する工程を
示す。この場合、はんだごて11は超音波振動をしなが
らはんだ(lけを行うものであり、超音波の作用により
電極取出面5の皮膜を破壊して良好なはんだ付けを行う
ことができる。
上記実施例の構成によれば、次のような効果を上げるこ
とがで鰺る。
(1)熱電素子1の電極取出面5をサンドブラストによ
り磨鰺、梨地面としているので、従来のグラインダや研
削盤の場合の如く応力による破損が生じる恐れがなく、
作業性も良好である。
(2)サンドブラスト加工は、P型半導体2の脚部とN
型半導体3の脚部との高さが不均一であっても支障なく
実行で軽る。
(3)サンドブラストの際の研摩粉(砂)6の粒度を適
当に選べば、超音波はんだfりけに適した表面粗さを得
ることができる。
第4図は本発明の他の実施例を示す。この場合、P型及
びN型半導体2.3の脚部端面のみならず該脚部端面に
接する数關幅の脚部側面部分を夫々電極取出面5Aとす
る。従って、該電極取出面5Aの脚部端面及び該脚部端
面に接する脚部側面にも数町6幅で研摩粉(砂)をエア
ーにより吹イー1けるサンドブラスト法による加工が施
される。このと外、加工を施さない部分はマスクで覆っ
ておく。この第4図の場合には、梨地面が脚部側面にも
形成されるため、リード線を接続する際にはんだが脚部
側面にもまわり込み、取(;1強度を大きくする、二と
ができる。
なお、熱電素子の形状は適宜変更可能であり、電極取出
面もP型及びN型半導体の脚部端面の代りに脚部側面と
してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、P型半導体及び
N型半導体の電極取出面をサンドブラストによる梨地面
に形成することにより、電気接続を確実かつ容易に実行
でき、なおかつ電極取出面の加工の作業性が良好な熱電
素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る熱電素子の実施例であってサンド
ブラストにより電極取出面を梨地面とする工程を示す概
略説明図、第2図は電極取出面を示す斜視図、第3図は
電極取出面にリード線を超音波はんだ付けする工程を示
す断面図、第4図は本発明の他の実施例を示す斜視図で
ある。 1・・・熱電素子、2・・・P型半導体、3・・・N型
半導体、4・・・PN接合、5・・・電極取出面、10
・・・リード線。 特許出願人 東京電気化学工業株式会社 代理人 弁理士 村 井  隆 FsA 2,3 379−

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)P型半導体及びN型半導体を、PN接合が形成さ
    れる如く接合一体化した熱電素子であって、該熱電素子
    の電極取出面をサンドブラストによる梨地面としたこと
    を特徴とする熱電素子。
  2. (2)前記梨地面には超音波はんだイ」けによってリー
    ド線が接続されている特許請求の範囲第1項記載の熱電
    素子。
JP57110241A 1982-06-26 1982-06-26 熱電素子 Pending JPS59980A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT410492B (de) * 2000-05-02 2003-05-26 Span Gerhard Dipl Ing Dr Thermoelektrisches element mit mindestens einer n-schicht und mindestens einer p-schicht
WO2016050588A1 (de) * 2014-09-30 2016-04-07 Mahle International Gmbh Thermoelektrische vorrichtung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT410492B (de) * 2000-05-02 2003-05-26 Span Gerhard Dipl Ing Dr Thermoelektrisches element mit mindestens einer n-schicht und mindestens einer p-schicht
US6762484B2 (en) 2000-05-02 2004-07-13 Gerhard Span Thermoelectric element
WO2016050588A1 (de) * 2014-09-30 2016-04-07 Mahle International Gmbh Thermoelektrische vorrichtung

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