JPS60105232A - 自動焦点合わせ装置 - Google Patents
自動焦点合わせ装置Info
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- JPS60105232A JPS60105232A JP58212491A JP21249183A JPS60105232A JP S60105232 A JPS60105232 A JP S60105232A JP 58212491 A JP58212491 A JP 58212491A JP 21249183 A JP21249183 A JP 21249183A JP S60105232 A JPS60105232 A JP S60105232A
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- drive
- voltage
- detector
- piezo element
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
- G03F9/7057—Gas flow, e.g. for focusing, leveling or gap setting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体回路素子
製造用の投影焼付装置、特にマスクの一部の像又は全体
の像をウェハー上に形成する結像光学系を使用し、マス
クとウェハーはこの結隊光学系の所定の位置に精度よく
位置決めする技術に関するものである。
製造用の投影焼付装置、特にマスクの一部の像又は全体
の像をウェハー上に形成する結像光学系を使用し、マス
クとウェハーはこの結隊光学系の所定の位置に精度よく
位置決めする技術に関するものである。
半導体回路素子はその構成パターンの最小寸法が微細化
しており、このため投影焼付装置においても高い分解能
が必要とされる。高い分解能を得るためには、結像光学
系のマスク位置およびウェハー位置はその焦点位置に正
確に位置決めされなければならない。
しており、このため投影焼付装置においても高い分解能
が必要とされる。高い分解能を得るためには、結像光学
系のマスク位置およびウェハー位置はその焦点位置に正
確に位置決めされなければならない。
従来この種の装置の焦点合わせ方法は、背面矯正能力の
ある超平面プレート（ウェハーチャック）により平面矯
正されたウェハーの上面を、所定位置にある参照面（ウ
ェハーディスク）の３個所のツメに突き当てて停止させ
ることにより行っていた。その為、ウェハー面上に塗布
されている粘着性のあるレジストが参照面（ウェハーデ
ィスク）のツメに付着され、数多くのウェハーを処理し
た場合レジスト付着により焦点ボケの大きな原因となっ
ていた。またウェハーに突き当っている参照面の３個所
のツメ部分はフォトマスク像が投影されず、半導体素子
の収益率が減小する大きな要因でもあった。
ある超平面プレート（ウェハーチャック）により平面矯
正されたウェハーの上面を、所定位置にある参照面（ウ
ェハーディスク）の３個所のツメに突き当てて停止させ
ることにより行っていた。その為、ウェハー面上に塗布
されている粘着性のあるレジストが参照面（ウェハーデ
ィスク）のツメに付着され、数多くのウェハーを処理し
た場合レジスト付着により焦点ボケの大きな原因となっ
ていた。またウェハーに突き当っている参照面の３個所
のツメ部分はフォトマスク像が投影されず、半導体素子
の収益率が減小する大きな要因でもあった。
更にステッパー等においては、−ウェハーについて何度
も焦点合わせする必要があり、このため焦点合わせに長
時間かかるという問題点があった。
も焦点合わせする必要があり、このため焦点合わせに長
時間かかるという問題点があった。
本発明は上記の点に鑑み提案されたものであり、マスク
やレティクルまたはウェハーを所定の任意の位置に移動
させて迅速に、かつ最良の焦点位置に合わせることを可
能とする自動焦点合わせ装置の提供を目的とする。
やレティクルまたはウェハーを所定の任意の位置に移動
させて迅速に、かつ最良の焦点位置に合わせることを可
能とする自動焦点合わせ装置の提供を目的とする。
以下、図面に従って本発明の詳細な説明する。
まず本発明の実施例に係る縮小投影装置の外観を描いた
第１図で全体の構成を説明する。１ｏは光源１０ａを発
したマスク照明光を収束させるための照明光学系であり
、１は集積回路パターンを具えたマスクである。２はマ
スクチャックで１のマスクを規定位置に高精度に保持し
ている。６は縮小投影レンズ、４は感光層を具えるウェ
ハー、５はウェハーステージである。ウェハーステージ
５はウェハー４を縮小投影レンズ３の光軸に対して直角
な平面ＸＹ面を移動することが出来る。ウェハーステー
ジ５にはウェハー４を縮小投影レンズの光軸方向（２方
向）に移動させる不図示のウェハー２ユニツトが内蔵さ
れている。
第１図で全体の構成を説明する。１ｏは光源１０ａを発
したマスク照明光を収束させるための照明光学系であり
、１は集積回路パターンを具えたマスクである。２はマ
スクチャックで１のマスクを規定位置に高精度に保持し
ている。６は縮小投影レンズ、４は感光層を具えるウェ
ハー、５はウェハーステージである。ウェハーステージ
５はウェハー４を縮小投影レンズ３の光軸に対して直角
な平面ＸＹ面を移動することが出来る。ウェハーステー
ジ５にはウェハー４を縮小投影レンズの光軸方向（２方
向）に移動させる不図示のウェハー２ユニツトが内蔵さ
れている。
第２図に縮小投影レンズ６とウェハー２ユニツトの配置
を示す断面図を示す。６は縮小投影レンズ、４は投影像
が映されるウェハー、２０はウェハーチャックでウェハ
ー４を保持する。２６はピエゾ素子であり、その一端が
ウェハーチャック２０゜他端がピエゾ素子２６の容器の
底部に圧接している。ウェハーチャック２０はピエゾ素
子２６の伸縮により上下に移動する。２７はテコでウェ
ハー、チャックホルダー２４に軸支され、ウェハーチャ
ックホルダー２４に対してウェハーチャックベース２１
を、ピエゾ素子２６の容器とボールを介して上下に移動
、させる。なお、ウェハーチャックホルダー２４はウェ
ハーステージ５に固定されている。２５と２６はボール
ブツシュガイドであり、ウェハーチャックベース２１を
ウェハーチャックホルダー２４に対して精度よくｚ軸方
向の移動を行なわせる。
を示す断面図を示す。６は縮小投影レンズ、４は投影像
が映されるウェハー、２０はウェハーチャックでウェハ
ー４を保持する。２６はピエゾ素子であり、その一端が
ウェハーチャック２０゜他端がピエゾ素子２６の容器の
底部に圧接している。ウェハーチャック２０はピエゾ素
子２６の伸縮により上下に移動する。２７はテコでウェ
ハー、チャックホルダー２４に軸支され、ウェハーチャ
ックホルダー２４に対してウェハーチャックベース２１
を、ピエゾ素子２６の容器とボールを介して上下に移動
、させる。なお、ウェハーチャックホルダー２４はウェ
ハーステージ５に固定されている。２５と２６はボール
ブツシュガイドであり、ウェハーチャックベース２１を
ウェハーチャックホルダー２４に対して精度よくｚ軸方
向の移動を行なわせる。
２８はウェハーチャックホルダー２４に固着するナツト
、２９はこれに係合するネジ棒、６０はネジ棒２９に取
付けられた歯車、６１は軸方向の厚みのあるアイドラー
歯車、６２はステッピングモータの出力軸に取付けられ
た駆動歯車、６３はステッピングモーターである。この
ステッピングモーター６６が回転すると歯車列を介して
ネジ棒２９が回転して上下に移動し、これによりテコ２
７の一端がボールを介して押されてウェハー４の面が縮
小レンズの投影レンズの結像面へと移行するのである。
、２９はこれに係合するネジ棒、６０はネジ棒２９に取
付けられた歯車、６１は軸方向の厚みのあるアイドラー
歯車、６２はステッピングモータの出力軸に取付けられ
た駆動歯車、６３はステッピングモーターである。この
ステッピングモーター６６が回転すると歯車列を介して
ネジ棒２９が回転して上下に移動し、これによりテコ２
７の一端がボールを介して押されてウェハー４の面が縮
小レンズの投影レンズの結像面へと移行するのである。
２２はウェハーチャックベース２１に取付けられたピエ
ゾ素子２６による駆動量を検知するための渦電流型位置
検知器であり、ウェハーチャックベース２１とウェハー
チャック２０との距離を測定する。６４・６５は縮小投
影レンズ６に取付けられたエアマイクロセンサーのノズ
ルであり、ノズルから吹出す空気の流量または圧力の変
化によりウニへ−表面までの距離を測定する。
ゾ素子２６による駆動量を検知するための渦電流型位置
検知器であり、ウェハーチャックベース２１とウェハー
チャック２０との距離を測定する。６４・６５は縮小投
影レンズ６に取付けられたエアマイクロセンサーのノズ
ルであり、ノズルから吹出す空気の流量または圧力の変
化によりウニへ−表面までの距離を測定する。
第３図に縮小投影レンズ６とエアマイクロセンサーのノ
ズルおよびウェハー４の上面図を示す。
ズルおよびウェハー４の上面図を示す。
６４〜６７は縮小投影レンズに取付けられた４ケのエア
マイクロセンサーのノズルであり、４のウェハー表面ま
での距離を測定している。ノズル６４〜６７で測定した
縮小投影レンズの端面から４のウェハー表面までの距離
を各々ｄ１．ｄ２．ｄ３．ｄ４とすると、その平均距離
は（ｄ＋ ＋ ｄ２＋ ｄ３＋ ｄ４）／４となる。所
定の縮小投影レンズ乙の結像面位置と縮小投影レンズ乙
の端面間の距離をｄ。とすると、結像面位置にウェハー
を移動させるのにはΔｄ ＝ ｄｏ７ （ｄ＋ ＋ ｄ
２＋ ｄ３−１− ｄ＋ ）／４なる量Δｄだけウェハ
ー２機構を移動させれば良い。この結果ウェハーの平均
面が結像面位置となる。
マイクロセンサーのノズルであり、４のウェハー表面ま
での距離を測定している。ノズル６４〜６７で測定した
縮小投影レンズの端面から４のウェハー表面までの距離
を各々ｄ１．ｄ２．ｄ３．ｄ４とすると、その平均距離
は（ｄ＋ ＋ ｄ２＋ ｄ３＋ ｄ４）／４となる。所
定の縮小投影レンズ乙の結像面位置と縮小投影レンズ乙
の端面間の距離をｄ。とすると、結像面位置にウェハー
を移動させるのにはΔｄ ＝ ｄｏ７ （ｄ＋ ＋ ｄ
２＋ ｄ３−１− ｄ＋ ）／４なる量Δｄだけウェハ
ー２機構を移動させれば良い。この結果ウェハーの平均
面が結像面位置となる。
第４図は本発明の実施例の自動焦点合わせ装置の駆動制
御機構の構成を示すブロック図である。
御機構の構成を示すブロック図である。
４０はマイクロプロセッサ−で各種判断処理を行い、各
々の場合に応じた指令を出す。４１はレジスタであり、
マイクロプロセッサ−４０からステッピングモーター６
６への回転方向２回転量２回転速度などの指令情報を記
憶する。４２はステッピングモーター制御回路であり、
レジスタ４１の指令情報に基づき、ステッピングモータ
ー６６のオープンループ制御を行う。初期状態において
、ウェハーの表面位置は結像面位置より例えば２ｗｎ以
上離れている。これはウェハーの厚みが規定より厚かっ
た場合でも縮小投影レンズ乙に衝突しないためである。
々の場合に応じた指令を出す。４１はレジスタであり、
マイクロプロセッサ−４０からステッピングモーター６
６への回転方向２回転量２回転速度などの指令情報を記
憶する。４２はステッピングモーター制御回路であり、
レジスタ４１の指令情報に基づき、ステッピングモータ
ー６６のオープンループ制御を行う。初期状態において
、ウェハーの表面位置は結像面位置より例えば２ｗｎ以
上離れている。これはウェハーの厚みが規定より厚かっ
た場合でも縮小投影レンズ乙に衝突しないためである。
なお、エアセンサーノズルで精度よく測定できる範囲は
、ノズルの端面からウェハー表面までの距離が約０．２
期以内のときである。
、ノズルの端面からウェハー表面までの距離が約０．２
期以内のときである。
従って所定の焦点面位置がノズルの端面から帆ＩＵのと
ころにあると仮定すると、精度よく測定できるのはウェ
ハー表面が上方向に移動して結像面位置より下側ｏ、ｉ
ｍｍ以内に入ってからである。
ころにあると仮定すると、精度よく測定できるのはウェ
ハー表面が上方向に移動して結像面位置より下側ｏ、ｉ
ｍｍ以内に入ってからである。
５０はエアセンサーノズル６４〜６７の流体流量の変化
を電圧に変換する回路であり、縮小投影レンズ６とウェ
ハー面落の距離ｄ１．ｄ２．ｄ３．ｄ４に対応した電圧
出力ｖ、 、 ｖ２ 、 ｖ３． Ｖ４を発生する。
を電圧に変換する回路であり、縮小投影レンズ６とウェ
ハー面落の距離ｄ１．ｄ２．ｄ３．ｄ４に対応した電圧
出力ｖ、 、 ｖ２ 、 ｖ３． Ｖ４を発生する。
４９はアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）であり、電
圧変換回路５０で発生シタ電圧Ｖｌｅ、 Ｖ２ 、 Ｖ
３ 、 Ｖ４をデジタル信号に変換してマイクロプロセ
ッサ−４０に送る。ここでウエノ・−４の初期位置が結
像面位置より２′ＩＩＵ１以上離れているので、マイク
ロプロセッサ−４０はウエノ’ｉ−Ｚ軸が上昇し、エア
センサーノズルの測定範囲に入るまでレジスタ４１にス
テッピングモーターの駆動指令を与え続ける。
圧変換回路５０で発生シタ電圧Ｖｌｅ、 Ｖ２ 、 Ｖ
３ 、 Ｖ４をデジタル信号に変換してマイクロプロセ
ッサ−４０に送る。ここでウエノ・−４の初期位置が結
像面位置より２′ＩＩＵ１以上離れているので、マイク
ロプロセッサ−４０はウエノ’ｉ−Ｚ軸が上昇し、エア
センサーノズルの測定範囲に入るまでレジスタ４１にス
テッピングモーターの駆動指令を与え続ける。
ステッピングモーター６６の回転によりウエハ−Ｚ軸が
上昇し、ウェハー４が焦点面位置より０．１期以内に入
ると、エアセンサーノズル６４〜６７゜電圧変換回路５
０およびアナログ−デジタル反換回路４９を通じてマイ
クロプロセッサ−４０は測定範囲に入った事を検知し、
レジスタ４１ヘヌテツピングモーター６６に停止指令を
送り、ウエノＸ−４の上昇を停める。次にマイクロプロ
セッサ−４０は、再びエアセンサーノズル６４〜６７、
電圧変換回路５０およびアナログ−デジタル変換回路４
９を介してウェハー４の表面位置の測定を行い、ウェハ
ーｚ機構の移動量Δｄ＋ ＝ ｄｏ （ｄ＋ ＋ ｄ２
＋ｄｓ＋ｄ４）／４を算出する。ステッピングモーター
６６による移動分解能は２μｍであり、マイクロプロセ
ッサ−４０は２μｍ単位の移動量Δｄ１をレジスタ４１
に与えウェハー２軸を上昇させる。この結果ウェハー４
の表面位置は焦点面位置に対して約２μｍ以内の精度で
位置する。ここで、またウェハー４の表面までの距離を
測定する。エアセンサーノズル６４〜６７による測定距
離をそれぞれｄ９〜ｄ＋２ とすれば、マイクロプロセ
ッサ−４０はレジスタ４６にΔｄ２” ｄｏ （ｄｏ
十ｄ＋ｏ ＋ ｄｏ ＋ ｄ＋２）／４なるピエゾ素子
２３の駆動方向、駆動量の指令を出す。レジスタ４３は
この指令およびピエゾ素子駆動の要否指令を記憶すると
ともに、その指令をそれぞれデジタルアナログ変換器４
４およびピエゾ駆動電圧発生回路４６に出力する。
上昇し、ウェハー４が焦点面位置より０．１期以内に入
ると、エアセンサーノズル６４〜６７゜電圧変換回路５
０およびアナログ−デジタル反換回路４９を通じてマイ
クロプロセッサ−４０は測定範囲に入った事を検知し、
レジスタ４１ヘヌテツピングモーター６６に停止指令を
送り、ウエノＸ−４の上昇を停める。次にマイクロプロ
セッサ−４０は、再びエアセンサーノズル６４〜６７、
電圧変換回路５０およびアナログ−デジタル変換回路４
９を介してウェハー４の表面位置の測定を行い、ウェハ
ーｚ機構の移動量Δｄ＋ ＝ ｄｏ （ｄ＋ ＋ ｄ２
＋ｄｓ＋ｄ４）／４を算出する。ステッピングモーター
６６による移動分解能は２μｍであり、マイクロプロセ
ッサ−４０は２μｍ単位の移動量Δｄ１をレジスタ４１
に与えウェハー２軸を上昇させる。この結果ウェハー４
の表面位置は焦点面位置に対して約２μｍ以内の精度で
位置する。ここで、またウェハー４の表面までの距離を
測定する。エアセンサーノズル６４〜６７による測定距
離をそれぞれｄ９〜ｄ＋２ とすれば、マイクロプロセ
ッサ−４０はレジスタ４６にΔｄ２” ｄｏ （ｄｏ
十ｄ＋ｏ ＋ ｄｏ ＋ ｄ＋２）／４なるピエゾ素子
２３の駆動方向、駆動量の指令を出す。レジスタ４３は
この指令およびピエゾ素子駆動の要否指令を記憶すると
ともに、その指令をそれぞれデジタルアナログ変換器４
４およびピエゾ駆動電圧発生回路４６に出力する。
４４はデジタルアナログ変換器（ＤＡＣ）であり、マイ
クロプロセッサ−４０の指令をアナログ電圧として差動
増幅器４５の指令電圧として出力する。
クロプロセッサ−４０の指令をアナログ電圧として差動
増幅器４５の指令電圧として出力する。
４６はピエゾ駆動電圧発生回路であり、ピエゾ素子２６
に印加する最大電圧■Ｈの約２分の１の電圧を中心にし
て上下に電圧を、差動増幅器４５の出力に応じて発生す
る。ピエゾ素子２６の駆動によりウェハー４が上下する
と、その駆動量はエアセンサーノズル３４ 、３５ 、
３６ 、３７ 、および渦電流型位置検知器２２で検知
し、測定することが出来る。渦電流型位置検知器２２の
出力は変位電圧変換回路４８により変位量に比例した電
圧に変換され、差動増幅器４５およびアナログデジタル
変換器４７に出力される。差動増幅器４５は渦電流型位
置検知器２２によって検出されたピエゾ素子２６による
ウェハー４の駆動量とマイクロプロセッサ−４０により
指示された駆動量と逐次比較し、その差が誤差範囲内に
納まるまで駆動する。
に印加する最大電圧■Ｈの約２分の１の電圧を中心にし
て上下に電圧を、差動増幅器４５の出力に応じて発生す
る。ピエゾ素子２６の駆動によりウェハー４が上下する
と、その駆動量はエアセンサーノズル３４ 、３５ 、
３６ 、３７ 、および渦電流型位置検知器２２で検知
し、測定することが出来る。渦電流型位置検知器２２の
出力は変位電圧変換回路４８により変位量に比例した電
圧に変換され、差動増幅器４５およびアナログデジタル
変換器４７に出力される。差動増幅器４５は渦電流型位
置検知器２２によって検出されたピエゾ素子２６による
ウェハー４の駆動量とマイクロプロセッサ−４０により
指示された駆動量と逐次比較し、その差が誤差範囲内に
納まるまで駆動する。
この結果ウェハー４の表面は所定の焦点面位置に対して
精度よく位置することが出来る。４７はアナログデジタ
ル変換器（ＡＤＣ）であり、渦電流型位置検知器２２に
より検知したピエゾ素子２６の駆動量をデジタル量に変
換してマイクロプロセッサー４０に伝送する。なお、第
２の検知器として渦電流型位置検知器を使用した理由は
その反応速度が速いからである。もしエアセンサーを使
用してサーボループを形成すれば、収れんするまでの時
間は長くなるであろう。
精度よく位置することが出来る。４７はアナログデジタ
ル変換器（ＡＤＣ）であり、渦電流型位置検知器２２に
より検知したピエゾ素子２６の駆動量をデジタル量に変
換してマイクロプロセッサー４０に伝送する。なお、第
２の検知器として渦電流型位置検知器を使用した理由は
その反応速度が速いからである。もしエアセンサーを使
用してサーボループを形成すれば、収れんするまでの時
間は長くなるであろう。
第５図は本発明の実施例に係るサーボ回路図である。回
路素子６０〜８６は第４図のピエゾ駆動電圧発生回路４
６を形成している。６０は鋸歯状波発生回路で約１０
ＫＨ２の鋸歯状波の発振を行っている。６２は比較器（
コンパレータ）であり、差動増幅器４５の出力と６０の
鋸歯状波発生回路の比較を行い、この結果を０または１
のデジタル出力として反転器（インバーター）６４に与
える。
路素子６０〜８６は第４図のピエゾ駆動電圧発生回路４
６を形成している。６０は鋸歯状波発生回路で約１０
ＫＨ２の鋸歯状波の発振を行っている。６２は比較器（
コンパレータ）であり、差動増幅器４５の出力と６０の
鋸歯状波発生回路の比較を行い、この結果を０または１
のデジタル出力として反転器（インバーター）６４に与
える。
この比較器６２により差動増幅器４５と鋸歯状波発生回
路６Ｉ］との比較を行うことでパルス幅変調された出力
が得られる。
路６Ｉ］との比較を行うことでパルス幅変調された出力
が得られる。
反転器６４は比較器６２の出力を反転させて論理積回路
（アンド回路）６６と６７に与えている。
（アンド回路）６６と６７に与えている。
レジスタ４６の内容がピエゾ素子駆動の不要出力０ （
ＯＦＦ）のとき、差動増幅器４５の出力と無関係に論理
積回路６６・６７の出力はＯとされる。
ＯＦＦ）のとき、差動増幅器４５の出力と無関係に論理
積回路６６・６７の出力はＯとされる。
これによりピエゾ素子２３を放電状態にすることができ
る。ピエゾ素子２３をサーボループで駆動する場合、レ
ジスタ４６のピエゾ素子駆動必要出力１ （ＯＮ）をマ
イクロプロセッサ−４０より与える。この結果、論理積
回路６６・６７は差動増幅器４５の出力を比較器６２で
パルス幅変調した信号として変換された形で通過させて
光結合器（フォトカプラー）７０・７８に与える。論理
積回路６６が出力０ （ＯＦＦ）のとき光結合器７０は
ＯＦＦ 。
る。ピエゾ素子２３をサーボループで駆動する場合、レ
ジスタ４６のピエゾ素子駆動必要出力１ （ＯＮ）をマ
イクロプロセッサ−４０より与える。この結果、論理積
回路６６・６７は差動増幅器４５の出力を比較器６２で
パルス幅変調した信号として変換された形で通過させて
光結合器（フォトカプラー）７０・７８に与える。論理
積回路６６が出力０ （ＯＦＦ）のとき光結合器７０は
ＯＦＦ 。
トランジスタ７６はＯＮ、）ランジスタフ５もＯＮ。
トランジスタ７６はＯＦＦとなり、ピエゾ素子２６は充
電されない。また論理積回路６６が出力１（ＯＮ）のと
き光結合回路１０はＯＮ、トランジスタ７６はＯＦＦ
、 ）ランジスタフ５はＱＦＦ、）ランジスタフ６はＯ
Ｎとなリピエゾ素子２６は充電される。
電されない。また論理積回路６６が出力１（ＯＮ）のと
き光結合回路１０はＯＮ、トランジスタ７６はＯＦＦ
、 ）ランジスタフ５はＱＦＦ、）ランジスタフ６はＯ
Ｎとなリピエゾ素子２６は充電される。
一方論理積回路６７が出力０（ＯＦＦ’）のとき、光結
合器７８はｏＦＦ、 ）ランジヌタ８１はＯＮ 。
合器７８はｏＦＦ、 ）ランジヌタ８１はＯＮ 。
トランジスタ８２はＯＮとなり、ピエゾ素子２６は放電
される。また論理積回路６７が出力１ （ＯＮ）のとき
、光結合器７８はＯＮ、）ランジスタ８１はＯＦＦ 、
）ランジスタ８２はＯＦＦとなり、ピエゾ素子２３は
放電されない。ここで論理積回路６６・６７の出力の組
み合せはＯと０かまたは１と１の組み合せしかないので
、この組み合せを表１にまとめる。
される。また論理積回路６７が出力１ （ＯＮ）のとき
、光結合器７８はＯＮ、）ランジスタ８１はＯＦＦ 、
）ランジスタ８２はＯＦＦとなり、ピエゾ素子２３は
放電されない。ここで論理積回路６６・６７の出力の組
み合せはＯと０かまたは１と１の組み合せしかないので
、この組み合せを表１にまとめる。
表 １
ここでピエゾ素子２６はピエゾスタックと呼ばれている
ものを使用する。ピエゾスタックは厚さ約０．５ ｗＬ
のピエゾ素子が１００枚程変種層されてし）るもので、
もし数百Ｖの電圧を加えると３０μｍの変位が得られる
。またピエゾ素子は電気の等何回路としては蓄電器（コ
ンデンサー）として表わ也この寸法では帆０１μＦの容
量を持っている。ピエゾ素子２６はトランジスタ７６が
ＯＮでトランジスタ８６がＯＦＦのとき電源■Ｈから抵
抗７６を通じて充電され、光軸方向に伸びる。またトラ
ンジスタ７６がＯＦＦでトランジスタ８６がＯＮのとき
抵抗８６を通じて蓄わえられた電荷が放電され、電位が
下がり光軸方向に縮む。ここで電圧電源ｖＨは例えば４
００Ｖで、抵抗６８は電圧降下用抵抗。
ものを使用する。ピエゾスタックは厚さ約０．５ ｗＬ
のピエゾ素子が１００枚程変種層されてし）るもので、
もし数百Ｖの電圧を加えると３０μｍの変位が得られる
。またピエゾ素子は電気の等何回路としては蓄電器（コ
ンデンサー）として表わ也この寸法では帆０１μＦの容
量を持っている。ピエゾ素子２６はトランジスタ７６が
ＯＮでトランジスタ８６がＯＦＦのとき電源■Ｈから抵
抗７６を通じて充電され、光軸方向に伸びる。またトラ
ンジスタ７６がＯＦＦでトランジスタ８６がＯＮのとき
抵抗８６を通じて蓄わえられた電荷が放電され、電位が
下がり光軸方向に縮む。ここで電圧電源ｖＨは例えば４
００Ｖで、抵抗６８は電圧降下用抵抗。
ツェナーダイオード６９は光結合器７０・７８に過大な
電圧を与えないための定電圧源、抵抗７１・７２・７４
・７９・８０は各トランジスタのコレクタ抵抗である。
電圧を与えないための定電圧源、抵抗７１・７２・７４
・７９・８０は各トランジスタのコレクタ抵抗である。
抵抗７７はピエゾ素子充電用抵抗、抵抗８６は放電用抵
抗で２００〜３００にΩを使用して挙り、従ってピエゾ
素子の充放電時定数は２〜３ｍ５ｅｃとなる。
抗で２００〜３００にΩを使用して挙り、従ってピエゾ
素子の充放電時定数は２〜３ｍ５ｅｃとなる。
次に実施例に係るサーボ回路の動作を説明する。
初期状態ではレジスタ４３から制御不要信号が出され、
ピエゾ素子２６は完全に放電状態になっている。次にレ
ジスタ４６から制御必要信号が出され、かつデジタルア
ナログ変換器４４に最大駆動量の２分の１に相当する駆
動量すなわち１５μｍを与える。デジタルアナログ変換
器４４は駆動量１５μｍに相当するアナログ電圧５Ｖを
出力し、差動増幅器４５に与える。一方、渦電流型位置
検知器２２の出力は、１５μｍの変位を検知したとき変
位電圧変換回路４８より５Ｖの電圧が出力される様に調
整されている。
ピエゾ素子２６は完全に放電状態になっている。次にレ
ジスタ４６から制御必要信号が出され、かつデジタルア
ナログ変換器４４に最大駆動量の２分の１に相当する駆
動量すなわち１５μｍを与える。デジタルアナログ変換
器４４は駆動量１５μｍに相当するアナログ電圧５Ｖを
出力し、差動増幅器４５に与える。一方、渦電流型位置
検知器２２の出力は、１５μｍの変位を検知したとき変
位電圧変換回路４８より５Ｖの電圧が出力される様に調
整されている。
しかし最初の状態付近ではまだピエゾ素子２６は放電状
態にあり、伸びの変位がないため変位電圧変換器４８は
出力ＯＶを出力し、差動増幅器４５に与える。従って差
動増幅器４５は、変位電圧変換器４８からの帰還量が少
ないため大きなプラス電圧を出力として発生する。比較
器６２は、鋸歯状波発生回路６０の出力電圧より差動増
幅器４５の出力が大きいためほとんどＯ（ＯＦＦ）出力
な発生し、従って論理積回路６６・６７の出力をともに
１としピエゾ素子２３を充電し続ける。ピエゾ素子２６
は充電されて伸びの変位を発生するので変位電圧変換回
路４８から変位に比例した電圧を発生し、やがて変位は
１５μｍに近づき、変位電圧変換回路４８からは５Ｖに
近い電圧が発生する。
態にあり、伸びの変位がないため変位電圧変換器４８は
出力ＯＶを出力し、差動増幅器４５に与える。従って差
動増幅器４５は、変位電圧変換器４８からの帰還量が少
ないため大きなプラス電圧を出力として発生する。比較
器６２は、鋸歯状波発生回路６０の出力電圧より差動増
幅器４５の出力が大きいためほとんどＯ（ＯＦＦ）出力
な発生し、従って論理積回路６６・６７の出力をともに
１としピエゾ素子２３を充電し続ける。ピエゾ素子２６
は充電されて伸びの変位を発生するので変位電圧変換回
路４８から変位に比例した電圧を発生し、やがて変位は
１５μｍに近づき、変位電圧変換回路４８からは５Ｖに
近い電圧が発生する。
デジタルアナログ変換器４４の出力（駆動指令電圧）に
近い電圧が変位電圧変換回路４８の出力（変位電圧）か
ら帰還されてくると、差動増幅器４５の出力はＯＶに近
づく。差動増幅器４５の出力がＯｖに近づくと鋸歯状波
発生回路６０の出力電圧のほぼ中心電圧となり、比較器
６２はほとんど時間幅の等しいＯ（ＯＦＦ）とｔ （Ｏ
Ｎ）出力を繰り返し、鋸歯状波発生回路６０の発振周波
数で発／ＪＥする。比較器６２の出力がほとんど時間幅
の等しい０と１信号の繰り返しとなると、ピエゾ素子２
６の充電量と放電量は相等しくなり、ピエゾ素子２６の
端子電圧は収束してくる。
近い電圧が変位電圧変換回路４８の出力（変位電圧）か
ら帰還されてくると、差動増幅器４５の出力はＯＶに近
づく。差動増幅器４５の出力がＯｖに近づくと鋸歯状波
発生回路６０の出力電圧のほぼ中心電圧となり、比較器
６２はほとんど時間幅の等しいＯ（ＯＦＦ）とｔ （Ｏ
Ｎ）出力を繰り返し、鋸歯状波発生回路６０の発振周波
数で発／ＪＥする。比較器６２の出力がほとんど時間幅
の等しい０と１信号の繰り返しとなると、ピエゾ素子２
６の充電量と放電量は相等しくなり、ピエゾ素子２６の
端子電圧は収束してくる。
この様にして回路に帰還が行なわれ、駆動指令電圧と変
位電圧が等しくなった所で安定し、ピエゾ素子２６は所
望の駆動量（１５μｒｎ）の駆動を行ったことになる。
位電圧が等しくなった所で安定し、ピエゾ素子２６は所
望の駆動量（１５μｒｎ）の駆動を行ったことになる。
このように最大駆動量の２分の１の１５μｍを最初に設
定することにより、この後の調整の迅速化を図ることが
できる。ここで再びウェハー４の表面位置をエアセンサ
ーノズル６４〜６７で測定し、その時の距離をｄ９〜ｄ
１２とすればピエゾ素子２３の新たな設定駆動量はΔｄ
２−ｄｏ （ｄｏ＋ｄ＋ｏ ＋ ｄ＋＋ ＋ ｄｕ）／
４ として与えられる。ここで前述のようにΔｄ２は２
μｍ以内の量にすでに位置決めされている。そこでマイ
クロプロセッサ−４０は、すでに駆動の済んだ初期駆動
量（１５μｍ）に新たな駆動量Δｄ２を加えた値をレジ
スタ４３に与える。レジスタ４６は新たな駆動指令電圧
を発生し、差動増幅器４５で誤差増幅を行う。変位電圧
変換器！１８４８の出力（変位電圧）が駆動指令電圧と
等しくなるとピエゾ端子電圧は収束し、所定の駆動が終
了する。
定することにより、この後の調整の迅速化を図ることが
できる。ここで再びウェハー４の表面位置をエアセンサ
ーノズル６４〜６７で測定し、その時の距離をｄ９〜ｄ
１２とすればピエゾ素子２３の新たな設定駆動量はΔｄ
２−ｄｏ （ｄｏ＋ｄ＋ｏ ＋ ｄ＋＋ ＋ ｄｕ）／
４ として与えられる。ここで前述のようにΔｄ２は２
μｍ以内の量にすでに位置決めされている。そこでマイ
クロプロセッサ−４０は、すでに駆動の済んだ初期駆動
量（１５μｍ）に新たな駆動量Δｄ２を加えた値をレジ
スタ４３に与える。レジスタ４６は新たな駆動指令電圧
を発生し、差動増幅器４５で誤差増幅を行う。変位電圧
変換器！１８４８の出力（変位電圧）が駆動指令電圧と
等しくなるとピエゾ端子電圧は収束し、所定の駆動が終
了する。
第６図は第５図で示す鋸歯状波電圧発生回路６゜から出
力される信号が比較器６２によりパルス幅変調される状
態を説明するための信号波形図である。第６図（イ）は
ピエゾ素子の伸びが駆動指令値より小さい場合である。
力される信号が比較器６２によりパルス幅変調される状
態を説明するための信号波形図である。第６図（イ）は
ピエゾ素子の伸びが駆動指令値より小さい場合である。
駆動指令′電圧より変位電圧が低いため差動増幅器４５
は高い電圧を発生し、コンパレータは鋸歯状波電圧と比
較してルベルの時間幅の狭い出力を発生する。論理枯回
路ではこの信号が反転されてルベルの時間幅の広い信号
、つまりピエゾ素子を充電する信号となる。第６図（ロ
）はピエゾ素子の伸びが駆動指令値とほとんど一致した
場合である。駆動指令電圧と変位′電圧がほとんど等し
いため差動増幅器は中間電圧を発生し、コンパレータは
鋸歯状波電圧と仕較してルベルとＯレベルの時間幅のほ
ぼ等しい出力を発生する。論理積回路ではこの信号を反
転するが、ルベルとＯレベルの時間幅の差が少ないため
ピエゾ素子の充放電が平衡する信号となる。第６図（ハ
）はピエゾ素子の伸びが駆動指令値より大きい場合であ
る。駆動指令電圧より変位電圧が高いため差動増幅器は
低い電圧を発生し、コンパレータは鋸歯状波電圧と比較
してルベルの時間幅の広い出力を発生する。論理積回路
ではこの信号が反転されてルベルの狭い信号、つまりピ
エゾ素子を放電する信号となる。
は高い電圧を発生し、コンパレータは鋸歯状波電圧と比
較してルベルの時間幅の狭い出力を発生する。論理枯回
路ではこの信号が反転されてルベルの時間幅の広い信号
、つまりピエゾ素子を充電する信号となる。第６図（ロ
）はピエゾ素子の伸びが駆動指令値とほとんど一致した
場合である。駆動指令電圧と変位′電圧がほとんど等し
いため差動増幅器は中間電圧を発生し、コンパレータは
鋸歯状波電圧と仕較してルベルとＯレベルの時間幅のほ
ぼ等しい出力を発生する。論理積回路ではこの信号を反
転するが、ルベルとＯレベルの時間幅の差が少ないため
ピエゾ素子の充放電が平衡する信号となる。第６図（ハ
）はピエゾ素子の伸びが駆動指令値より大きい場合であ
る。駆動指令電圧より変位電圧が高いため差動増幅器は
低い電圧を発生し、コンパレータは鋸歯状波電圧と比較
してルベルの時間幅の広い出力を発生する。論理積回路
ではこの信号が反転されてルベルの狭い信号、つまりピ
エゾ素子を放電する信号となる。
第７図はウェハー４」二のショット配列、縮小投影レン
ズ６およびエアセンサーノズル３４〜６７の配置を示し
た図である。図中Ｐで示した領域はｌショットで露光さ
れるパターン領域である。スアツプアンドリピートタイ
プの投影焼付機はこの様にウェハーステージ５に載った
ウェハー４をＸＹ軸方向に移動させて分割焼付を行う。
ズ６およびエアセンサーノズル３４〜６７の配置を示し
た図である。図中Ｐで示した領域はｌショットで露光さ
れるパターン領域である。スアツプアンドリピートタイ
プの投影焼付機はこの様にウェハーステージ５に載った
ウェハー４をＸＹ軸方向に移動させて分割焼付を行う。
ところで領域Ｑを焼付ける場合、ウェハー４に対して縮
小投影レンズ６、エアセンサーノズル６４〜６７は図の
様に位置し−Ｃいるのでエアセンサーノズル６５・６６
・６７はウェハー表面位置を検知測定出来るが、エアセ
ンサーノズル６４はウェハー表面位置を検知測定出来な
い。すなわちウェハー４を縮小投影レンズ６に近づけて
いくと、マイクロプロセッサ−４０はエアセンサーノズ
ル６５・３６・６７が十分測定範囲内に入った事を検知
することが出来るが、エアセンサーノズル６４からは応
答入力がない。そこでマイクロプロセッサ−４０はエア
センサーノズル３４が測定不能と判断して、エアセンサ
ーノズル６５・６６・６７の測定値ｄ２・ｄ３・ｄ４の
値を取り出し平均してウエノ・−４までの平均距離を（
ｄ２＋ ｄ３＋ ｄ４）／３として算出する。焦点位置
合せはこの算出値を基に行われる。
小投影レンズ６、エアセンサーノズル６４〜６７は図の
様に位置し−Ｃいるのでエアセンサーノズル６５・６６
・６７はウェハー表面位置を検知測定出来るが、エアセ
ンサーノズル６４はウェハー表面位置を検知測定出来な
い。すなわちウェハー４を縮小投影レンズ６に近づけて
いくと、マイクロプロセッサ−４０はエアセンサーノズ
ル６５・３６・６７が十分測定範囲内に入った事を検知
することが出来るが、エアセンサーノズル６４からは応
答入力がない。そこでマイクロプロセッサ−４０はエア
センサーノズル３４が測定不能と判断して、エアセンサ
ーノズル６５・６６・６７の測定値ｄ２・ｄ３・ｄ４の
値を取り出し平均してウエノ・−４までの平均距離を（
ｄ２＋ ｄ３＋ ｄ４）／３として算出する。焦点位置
合せはこの算出値を基に行われる。
露光領域Ｑの露光が終了して次にＲの露光パターン領域
の露光を行う場合、Ｑの露光終了時にあらかじめエアセ
ンサーノズル６５によって露光領域Ｒのウェハー表面位
置を検知して距離を測定しておき、この値をマイクロプ
ロセッサ−４０はレジスタ４６に駆動指令量として与え
る。ウエノ・−４が移動して露光領域Ｒが縮小レンズ乙
の下に位置する以前又は直後にピエゾ素子２６は駆動を
開始し、渦電流型位置検知器２２で駆動用を確認して駆
動を終了させる。この様にしてウェハー４が露光領域Ｑ
から露光領域Ｒへ移動する間に次の露光領域Ｒでの焦点
合わせを終了させる事が出来る。
の露光を行う場合、Ｑの露光終了時にあらかじめエアセ
ンサーノズル６５によって露光領域Ｒのウェハー表面位
置を検知して距離を測定しておき、この値をマイクロプ
ロセッサ−４０はレジスタ４６に駆動指令量として与え
る。ウエノ・−４が移動して露光領域Ｒが縮小レンズ乙
の下に位置する以前又は直後にピエゾ素子２６は駆動を
開始し、渦電流型位置検知器２２で駆動用を確認して駆
動を終了させる。この様にしてウェハー４が露光領域Ｑ
から露光領域Ｒへ移動する間に次の露光領域Ｒでの焦点
合わせを終了させる事が出来る。
このため他の動作時間を利用した無駄時間の少ない露光
装置が達成出来る。またエアセンサーノズルの配置の関
係で、ノズルが次の露光領域Ｒに入り込まない場合は最
も近傍にあるもので代用することもできる。
装置が達成出来る。またエアセンサーノズルの配置の関
係で、ノズルが次の露光領域Ｒに入り込まない場合は最
も近傍にあるもので代用することもできる。
なお実施例ではウェハーについて記述されているが、マ
スクまたはレティクルにも応用可能であり、またウェハ
ーを上下する替りに投影光学系を上下方向に動かしても
良い。第１の検知器としては実施例で用いたエアマイク
ロセンサー変位計の他に、光電反射形変位計などを用い
てもよい。第２の検知器としては渦電流形変位計の他に
、静電容量形変位計などを用いても精度よく測定できる
。
スクまたはレティクルにも応用可能であり、またウェハ
ーを上下する替りに投影光学系を上下方向に動かしても
良い。第１の検知器としては実施例で用いたエアマイク
ロセンサー変位計の他に、光電反射形変位計などを用い
てもよい。第２の検知器としては渦電流形変位計の他に
、静電容量形変位計などを用いても精度よく測定できる
。
また駆動源としては実施例のピエゾ素子やリニアモータ
などの直線運動駆動源を用いて直接駆動すればメカニカ
ルリンク機構を不要としバックラッシュなどの不感帯が
なくなるので、精密な位置制御と速い応答速度が得られ
るが、回転運動源を用いても勿論可能である。
などの直線運動駆動源を用いて直接駆動すればメカニカ
ルリンク機構を不要としバックラッシュなどの不感帯が
なくなるので、精密な位置制御と速い応答速度が得られ
るが、回転運動源を用いても勿論可能である。
以上説明したように、本発明によれば前の焦点合わせ時
の複数の検知器の位置データの一つを利用し、所定の領
域への水平方向移動中に、所定の距離だけ垂直方向に移
動して焦点合わせを１」えるものであるから、特別な焦
点合わせのための時間を省略することができ、あるいは
計測のための時間を省略できて、正確でかつ迅速な焦点
合わせが可能となる。
の複数の検知器の位置データの一つを利用し、所定の領
域への水平方向移動中に、所定の距離だけ垂直方向に移
動して焦点合わせを１」えるものであるから、特別な焦
点合わせのための時間を省略することができ、あるいは
計測のための時間を省略できて、正確でかつ迅速な焦点
合わせが可能となる。
第１図は本発明の実施例に係る縮小投影装置の外観を示
す斜視図、第２図は本発明の実施例に係る縮小投影レン
ズおよびウェハー２ユニツトの配置を示す断面図、第６
図は本発明の実施例に係る縮小投影レンズとエアマイク
ロセンザーのノズルおよびウェハーの上面図である。第
４図は本発明の実施例に係る自動焦点合わせ装置の駆動
機構の構成を示すブロック図、第５図は本発明の実施例
に係るサーボ回路図、第６図は第５図で示す鋸歯状波電
圧発生回路６０から出力される信号が比較器６２により
パルス幅変調される状態を説明するだめの信号波形図、
第７図はウェハー」二のショット配列、縮小レンズおよ
びエアセンサー７ノズルの配置を示す図である。 ６・・・・・・・縮小投影レンズ ４ ・・・・ ウェハー ５ ・・・・・・・・・ウェハーステージ２０ ・・・
・・・・・・・ウェハーチャック２１ ・・・・・・・
・・・・ウェハーチャンクベース２２ ・・・・・・・
・・・渦電流型位置検知器２６ ・・・・・・・ ピエ
ゾ素子 ２４・・・・・・・・・・・・ウェハーチャックホルダ
ー２７・・・・・・・・・・・・てこ ６６ ・・・・・・・・・・ ステッピングモーター６
４〜６７・・・エアマイクロセンサーノズル４０・・・
・・・・・・・・・マイクロプロセッサ−４１・４６・
・・ レジツタ ４２・・・・・・・・・・・・ステッピングモーター制
御回路４４・・・・・・・・・・・・デジタルアナログ
変換器４５・・・・・・・・・・・・差動増幅器４６・
・・・・・・・・・・・ピエゾ素子駆動電圧発生回路４
７・４９・・・アナログデジタル変換器４８・・・・・
・・・・・・変位電圧変換回路５０・・・・・・・・・
・・・電圧変換回路６０・・・・・・・・・鋸歯状波電
圧発生回路６２・・・・・・・・・・・・比較器 ６４・・・・・・・・・・・・反転器 ６６・６７・・・論理積回路 ６８〜８６・・・ピエゾ素子駆動電圧発生回路４６の構
成回路素子 （１） （八） 第６図 第７図
す斜視図、第２図は本発明の実施例に係る縮小投影レン
ズおよびウェハー２ユニツトの配置を示す断面図、第６
図は本発明の実施例に係る縮小投影レンズとエアマイク
ロセンザーのノズルおよびウェハーの上面図である。第
４図は本発明の実施例に係る自動焦点合わせ装置の駆動
機構の構成を示すブロック図、第５図は本発明の実施例
に係るサーボ回路図、第６図は第５図で示す鋸歯状波電
圧発生回路６０から出力される信号が比較器６２により
パルス幅変調される状態を説明するだめの信号波形図、
第７図はウェハー」二のショット配列、縮小レンズおよ
びエアセンサー７ノズルの配置を示す図である。 ６・・・・・・・縮小投影レンズ ４ ・・・・ ウェハー ５ ・・・・・・・・・ウェハーステージ２０ ・・・
・・・・・・・ウェハーチャック２１ ・・・・・・・
・・・・ウェハーチャンクベース２２ ・・・・・・・
・・・渦電流型位置検知器２６ ・・・・・・・ ピエ
ゾ素子 ２４・・・・・・・・・・・・ウェハーチャックホルダ
ー２７・・・・・・・・・・・・てこ ６６ ・・・・・・・・・・ ステッピングモーター６
４〜６７・・・エアマイクロセンサーノズル４０・・・
・・・・・・・・・マイクロプロセッサ−４１・４６・
・・ レジツタ ４２・・・・・・・・・・・・ステッピングモーター制
御回路４４・・・・・・・・・・・・デジタルアナログ
変換器４５・・・・・・・・・・・・差動増幅器４６・
・・・・・・・・・・・ピエゾ素子駆動電圧発生回路４
７・４９・・・アナログデジタル変換器４８・・・・・
・・・・・・変位電圧変換回路５０・・・・・・・・・
・・・電圧変換回路６０・・・・・・・・・鋸歯状波電
圧発生回路６２・・・・・・・・・・・・比較器 ６４・・・・・・・・・・・・反転器 ６６・６７・・・論理積回路 ６８〜８６・・・ピエゾ素子駆動電圧発生回路４６の構
成回路素子 （１） （八） 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 平板状物体を水平方向にステップ移動させるとともに垂
直方向（光軸方向）にも移動させ、該物体面の各領域を
順次投影光学系の結［象面に一致することを可能とする
自動焦点合わせ装置において、投影光学系の結像面と物
体面との距離を測定する複数の位置検知手段と、 前記平板物体が水平方向に位置移動すべき次の領域内又
はその最も近傍の前記位置検知手段の一つにより得られ
た位置情報を設定駆動量とし、前記物体または前記投影
光学系を光軸方向に駆動する駆動手段とを具え、次の領
域の焦点合わせな行う様にしたことを特徴とする自動焦
点合わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58212491A JPS60105232A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 自動焦点合わせ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58212491A JPS60105232A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 自動焦点合わせ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60105232A true JPS60105232A (ja) | 1985-06-10 |
Family
ID=16623529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58212491A Pending JPS60105232A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 自動焦点合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60105232A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346434A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Canon Inc | 自動焦点合せ方法 |
| JPS63228719A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 縮小露光装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255472A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Mask photo repeater |
| JPS56130707A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Canon Inc | Photo-printing device |
| JPS57130027A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-12 | Zeiss Jena Veb Carl | Overlapping of packing type projection lithography |
| JPS583227A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Fujitsu Ltd | チップアライメント方法 |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP58212491A patent/JPS60105232A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255472A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Mask photo repeater |
| JPS56130707A (en) * | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Canon Inc | Photo-printing device |
| JPS57130027A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-12 | Zeiss Jena Veb Carl | Overlapping of packing type projection lithography |
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| JPS63228719A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 縮小露光装置 |
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