JPH0637128A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH0637128A
JPH0637128A JP21097492A JP21097492A JPH0637128A JP H0637128 A JPH0637128 A JP H0637128A JP 21097492 A JP21097492 A JP 21097492A JP 21097492 A JP21097492 A JP 21097492A JP H0637128 A JPH0637128 A JP H0637128A
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JP
Japan
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resin
lead frame
mold
semiconductor device
burr
Prior art date
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Pending
Application number
JP21097492A
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English (en)
Inventor
Mutsumi Sasaki
睦 佐々木
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Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Akita Shindengen Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Akita Shindengen Co Ltd
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Publication date
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 樹脂封止工程で発生した樹脂の薄バリが、
樹脂封止工程以後樹脂バリ取り工程まで脱落せず、環境
の悪化がなく、樹脂封止後のリードフレーム搬送時の障
害とならない樹脂封止技術を提供する。 【構成】 パッケージとリードフレームに囲まれた空
間に一定の厚さの樹脂を流出させたことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂バリが、樹脂封止工
程以後、樹脂バリ取り工程まで脱落しない樹脂封止型半
導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の半導体装置の製造方法と
しては、樹脂流入時の樹脂封止金型内のガス抜きとパッ
ケージ1内のボイド残留防止のため、図2に示すように
パッケージ1とリードフレーム2に囲まれた空間から樹
脂封止金型に浅い溝エアベント4を配置していた。
【0003】しかし、樹脂封止金型の摩耗や上金型と下
金型の平行度が悪い時、パッケージ1内に樹脂が流入し
た後、樹脂がエアベント4にまで流出し、ごく薄い樹脂
の薄バリ7が発生していた。樹脂封止工程では、リード
フレーム2にリードフレーム2と同じ厚さの厚バリ6が
形成されるため、後工程の樹脂バリ取り工程にて厚バリ
6と薄バリ7を樹脂バリ取り金型にて分離除去してい
た。しかし薄バリ7が途中工程で脱落し、環境の悪化,
樹脂封止後のリードフレーム搬送時の障害になる等様々
な問題となっていた。(2)
【0004】図2は従来の製造方法で、(a)は樹脂封
止状態図、(b)は(a)の断面斜視図であり、1はパ
ッケージ、2はリードフレーム、4はエアベント、5は
樹脂流入口、6は厚バリ、7は薄バリである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止工程で発生し
た樹脂の薄バリが樹脂封止工程以後、樹脂バリ取り工程
まで脱落せず、環境の悪化がなく、樹脂封止後のリード
フレーム搬送時の障害とならない樹脂封止技術を提供す
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】パッケージとリードフレ
ームに囲まれた空間に、樹脂バリ取り工程で分離が容易
な一定の厚さの樹脂を流出させ、エアベントは樹脂流入
口と対面するリードフレーム上から樹脂封止金型に浅い
溝を設ける事により形成したことを特徴とする。
【0007】
【実施例】図1は本発明の一実施例であり本発明の要部
は、パッケージ1とリードフレーム2に囲まれた空間に
一定の厚さの樹脂バリ3を流出させ、エアベント4は樹
脂流入口と対面するリードフレーム上から樹脂封止金型
に浅い溝を設ける事により形成したことを特徴とする。
【0008】樹脂封止金型の構造は、一定の厚さの樹脂
バリが、樹脂封止工程以後、樹脂バリ取り工程まで脱落
せず、樹脂バリ取り金型で分離除去が容易な厚さ、例え
ば0.2ミリ程度とし、樹脂封止時に樹脂封止金型のパ
ッケージ1とリードフレーム2に囲まれる部分の隙間が
上記厚さとなるよう樹脂封止金型に凹部を設けた。又、
エアベント4は樹脂流入口5と対面するリードフレーム
2上に樹脂が流出しない深さ例えば0.03ミリ程度の
溝を樹脂封止金型に設けた。(3)
【0009】上記樹脂封止金型にリードフレーム2を配
置し、樹脂流入口5から樹脂をパッケージ1に流入させ
ると、まずパッケージ1内のガスがパッケージ1とリー
ドフレーム2に囲まれる部分の隙間を通り、エアベント
4から樹脂封止金型の外に排出される。さらに樹脂がパ
ッケージ1に充填されると余分な樹脂がパッケージ1と
リードフレーム2に囲まれる部分の隙間に流出し、一定
の厚さの樹脂バリが形成される。
【0010】図1は本発明の一実施例で、(a)は樹脂
封止状態図、(b)は(a)の断面斜視図であり、3は
一定の厚さの樹脂バリである。
【0011】
【発明の効果】本発明により、樹脂バリが後工程の樹脂
バリ取り工程まで脱落することがないため、環境を悪化
させず、搬送時の障害とならない。以上述べたように産
業上の利用可能性大なるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の一実施例、(b)は(a)の
断面斜視図
【図2】(a)は従来の製造方法、(b)は(a)の断
面斜視図
【符号の説明】
1 パッケージ 2 リードフレーム 3 一定の厚さの樹脂バリ 4 エアベント 5 樹脂流入口 6 リードフレーム厚さの樹脂バリ 7 薄バリ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子を搭載したリードフレームを、
    上金型と下金型からなる樹脂封止金型内に配置し、上金
    型と下金型を合わせ、樹脂を充填する樹脂封止型半導体
    装置の製造方法において、前記上金型と下金型を合わせ
    たときにリードフレームとパッケージに囲まれた部分に
    一定の厚さの隙間が出来るよう前記上金型と下金型の一
    方に凹部を設け、一定の厚さの樹脂を流出させた事を特
    徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
JP21097492A 1992-07-15 1992-07-15 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH0637128A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6302672B1 (en) * 1996-12-17 2001-10-16 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit chip mold seal

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6302672B1 (en) * 1996-12-17 2001-10-16 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit chip mold seal

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