JPS60110120A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS60110120A JPS60110120A JP58218268A JP21826883A JPS60110120A JP S60110120 A JPS60110120 A JP S60110120A JP 58218268 A JP58218268 A JP 58218268A JP 21826883 A JP21826883 A JP 21826883A JP S60110120 A JPS60110120 A JP S60110120A
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- Japan
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- resist
- pattern
- electron beam
- resist film
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- Pending
Links
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 11
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体素子が微細化するにつれて、段差基板上における
レジストパターンのパターン幅変化が問題とされるよう
になった。この問題を解決するために二層レジスト法が
提姦されている〇従来の二層レジスト法は、まず基板上
に下層レジストとして遠紫外線用レジストを塗布した後
、上層レジストとして通常の紫外線用レジストを塗布す
る。次に、紫外線を用いて露光、現像を行うことにより
、上層レジストにパターンを形成する。
レジストパターンのパターン幅変化が問題とされるよう
になった。この問題を解決するために二層レジスト法が
提姦されている〇従来の二層レジスト法は、まず基板上
に下層レジストとして遠紫外線用レジストを塗布した後
、上層レジストとして通常の紫外線用レジストを塗布す
る。次に、紫外線を用いて露光、現像を行うことにより
、上層レジストにパターンを形成する。
さらに、この上層レジストをマスクとして、遠紫外線露
光を行い、現像することにより、下層レジストのパター
ンニングを行い、二層レジストパターンを作る。
光を行い、現像することにより、下層レジストのパター
ンニングを行い、二層レジストパターンを作る。
この方法では、高精細度加工が可能な遠紫外線露光ある
いは電子ビーム露光を用いて、上層レジストをパターン
ニングすることができず、したがって、半導体装置など
の超微細加工に不通である。
いは電子ビーム露光を用いて、上層レジストをパターン
ニングすることができず、したがって、半導体装置など
の超微細加工に不通である。
このような理由から、遠紫外線露光または電子ビーム露
光による段差基板上のパターン形成が望まれていた。
光による段差基板上のパターン形成が望まれていた。
発明の目的
本発明は、この問題を解決するものであり、本発明の目
的は段差基板上に高精細度のレジストパターンを遠紫外
線露光あるいは電子ビーム露光を用いて形成するパター
ン形成方法を提供せんとするものである。
的は段差基板上に高精細度のレジストパターンを遠紫外
線露光あるいは電子ビーム露光を用いて形成するパター
ン形成方法を提供せんとするものである。
発明の構成
本発明は基板上に二層の薄膜を形成し、遠紫外光重たは
′電子ビーム光で上層の薄膜にパターンを形成した後、
上層薄膜をマスクとして、遠紫外光を照射しパターンを
形成することを特徴とするパターン形成方法である。
′電子ビーム光で上層の薄膜にパターンを形成した後、
上層薄膜をマスクとして、遠紫外光を照射しパターンを
形成することを特徴とするパターン形成方法である。
実施例の説明
以下に第１図に基づいて本発明の実施例について説明す
る。
る。
０・５μｍの段差を持つ半導体基板１に、ＰＭ１４Ａ（
ポリメチルメタクリレート）レジスト２を、１μｍの厚
さに塗布し、１７０°Ｃ１３０分プリベークを行う。そ
の上に、ネガ形電子ビーム用レジストＣＭＳ （ノロロ
メチル化ポリスチレン）３を０．５μｍの厚さに塗布し
、１２０°Ｃ５３０分のプリベークを行う（第１図ａ）
。
ポリメチルメタクリレート）レジスト２を、１μｍの厚
さに塗布し、１７０°Ｃ１３０分プリベークを行う。そ
の上に、ネガ形電子ビーム用レジストＣＭＳ （ノロロ
メチル化ポリスチレン）３を０．５μｍの厚さに塗布し
、１２０°Ｃ５３０分のプリベークを行う（第１図ａ）
。
次に波長２５０ｎｍ、光出力１０ｍ’Ｖ／ｃ瀘の光源を
用いて約１分間露光し、酢酸イソアミル・エチルアルツ
ルブー１＝３の現像を行い０ＭＳレジスト３にパターン
を形成する（第１図ｂ）。
用いて約１分間露光し、酢酸イソアミル・エチルアルツ
ルブー１＝３の現像を行い０ＭＳレジスト３にパターン
を形成する（第１図ｂ）。
なお、Ｐｌｖ１ＭＡレジスト２の上記光源に対する感度
は、０ＭＳレジスト３のそれの約 ／ 倍であ６ るから、０ＭＳレジスト３のパターン形成時にはＰＭＭ
Ａレジスト２にパターンは形成されない。経験によると
、光源に対する感度がＰＭＭＡ／ＣＭ、Ｓ・＝１／ 以
下であれば十分であった。ｉたミ上記現０ 保液でＰＭＭＡレジスト２を１分間現像した場合、その
膜減りは１００Å以下であった。
は、０ＭＳレジスト３のそれの約 ／ 倍であ６ るから、０ＭＳレジスト３のパターン形成時にはＰＭＭ
Ａレジスト２にパターンは形成されない。経験によると
、光源に対する感度がＰＭＭＡ／ＣＭ、Ｓ・＝１／ 以
下であれば十分であった。ｉたミ上記現０ 保液でＰＭＭＡレジスト２を１分間現像した場合、その
膜減りは１００Å以下であった。
次に、０ＭＳレジスト３のパターンをマスクドして上記
光源を用い約１０分間露光する。ここで０ＭＳレジスト
３のパターン直下のＰＭＭＡレジスト２が露光されるこ
とはない。その理由として、第２図に０ＭＳレジスト３
の遠紫外線の透過率をボすように、０ＭＳレジスト３は
遠紫外線露光後、透過率が３チ以下となり、ＰＭＭＡレ
ジスト２の遮光マスクとなるからである０ 次に、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）：ＩＰＡ（
イソゾロビルアルコール）＝３：１の現像液で１分現像
を行うことによりＰＭＭＡレジスト２へのノくター／ユ
ングが完了する（第１図Ｃ）、なお、上層の０ＭＳレジ
スト３のパターンは、ＭＩＢＫ／ＩＰＡ現像液に溶解し
ない０ 壕だ、この時現像ｆ：１分以上行うとＰＭＭＡレジスト
２はオーパーツ・ング状に形成される（第１図ｄ）。こ
のオーパーツ〜ング量は、下層レジスト膜厚および現像
時間の制御により、任意に設定可能である。
光源を用い約１０分間露光する。ここで０ＭＳレジスト
３のパターン直下のＰＭＭＡレジスト２が露光されるこ
とはない。その理由として、第２図に０ＭＳレジスト３
の遠紫外線の透過率をボすように、０ＭＳレジスト３は
遠紫外線露光後、透過率が３チ以下となり、ＰＭＭＡレ
ジスト２の遮光マスクとなるからである０ 次に、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）：ＩＰＡ（
イソゾロビルアルコール）＝３：１の現像液で１分現像
を行うことによりＰＭＭＡレジスト２へのノくター／ユ
ングが完了する（第１図Ｃ）、なお、上層の０ＭＳレジ
スト３のパターンは、ＭＩＢＫ／ＩＰＡ現像液に溶解し
ない０ 壕だ、この時現像ｆ：１分以上行うとＰＭＭＡレジスト
２はオーパーツ・ング状に形成される（第１図ｄ）。こ
のオーパーツ〜ング量は、下層レジスト膜厚および現像
時間の制御により、任意に設定可能である。
なお、本実施例においては、上層レジストのノくターン
ニングは、遠紫外線露光を用いて行っているが、上層の
レジストを電子ビーム露光を用いてパターン形成グする
こともできる。
ニングは、遠紫外線露光を用いて行っているが、上層の
レジストを電子ビーム露光を用いてパターン形成グする
こともできる。
発明の効果
以上に詳細したように本発明は、基板上に二層の薄膜を
形成し、上層の薄膜に遠紫外線透過率たは電子ビーム露
光を用いてパターンを形成した後、上層薄膜をマスクと
して遠紫外線を照射、現像することを特徴とするパター
ン形成方法であって、本発明を用いることにより、遠紫
外線露光あるいは電子ビーム露光を用いて、段差基板上
に高精細度のレジストパターンまたはオーパーツ・ング
を形成することができる。
形成し、上層の薄膜に遠紫外線透過率たは電子ビーム露
光を用いてパターンを形成した後、上層薄膜をマスクと
して遠紫外線を照射、現像することを特徴とするパター
ン形成方法であって、本発明を用いることにより、遠紫
外線露光あるいは電子ビーム露光を用いて、段差基板上
に高精細度のレジストパターンまたはオーパーツ・ング
を形成することができる。
第１図ａ ＝ ｄは本発明の詳細な説明するだめの断面
図、第２図は０ＭＳレジストの遠紫外線透過率と遠紫外
光照射時間の間係を表す特性図である０ １・・・・・・基板、２・・・・・・ＰＭＭＡレジスト
、３・・・・・・０ＭＳレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆｆ
１１図 第２図 照射時間 （９）
図、第２図は０ＭＳレジストの遠紫外線透過率と遠紫外
光照射時間の間係を表す特性図である０ １・・・・・・基板、２・・・・・・ＰＭＭＡレジスト
、３・・・・・・０ＭＳレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｆｆ
１１図 第２図 照射時間 （９）
Claims (1)
- （１） 基板上に二層のレジスト薄膜を形成し、遠紫外
線または電子ビームで、上層のレジスト膜にパターンを
形成した後、前記上層のレジスト膜をマスクとして下層
のレジスト膜に遠紫外瞭を照射し現像処理して、前記二
層状のパターンを形成することを特徴とするパターン形
成方法。 （功 上層のレジスト膜の遠紫外線透過率がその遠紫外
線入射強度の１割以下で、その感度が下部レジストの１
０倍以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のパターン形成方法。 （→ 下〕曽のレジスト膜開孔部が上層レジストの開化
部より大きく、アンダーカット形状となることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58218268A JPS60110120A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58218268A JPS60110120A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60110120A true JPS60110120A (ja) | 1985-06-15 |
Family
ID=16717203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58218268A Pending JPS60110120A (ja) | 1983-11-18 | 1983-11-18 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60110120A (ja) |
-
1983
- 1983-11-18 JP JP58218268A patent/JPS60110120A/ja active Pending
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