JPH03214160A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH03214160A JPH03214160A JP2009703A JP970390A JPH03214160A JP H03214160 A JPH03214160 A JP H03214160A JP 2009703 A JP2009703 A JP 2009703A JP 970390 A JP970390 A JP 970390A JP H03214160 A JPH03214160 A JP H03214160A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pattern
- written
- compd
- recording layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトマスクに関し、特に光、及び赤外域で直
接パターン書き込み及び消去が可能なフォトマスクに関
する。
接パターン書き込み及び消去が可能なフォトマスクに関
する。
従来のこの種のフォトマスクの製造方法を第３図（ａ）
〜（ｄ）に示す、まず第３図（ａ）に示すように、石英
板２に金属薄膜５を蒸着し、次いで、レジスト４を塗布
する。
〜（ｄ）に示す、まず第３図（ａ）に示すように、石英
板２に金属薄膜５を蒸着し、次いで、レジスト４を塗布
する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、電子線直接描画を行
い未硬化部を現像により除去し、レジストのパターン４
ａを形成しエツチング用のマスクとする。
い未硬化部を現像により除去し、レジストのパターン４
ａを形成しエツチング用のマスクとする。
次に、第３図（ｃ）に示すように、レジスト４ａをマス
クとして金属薄Ｍ５をエツチング除去し金属薄膜のパタ
ーン５ａを形成する。
クとして金属薄Ｍ５をエツチング除去し金属薄膜のパタ
ーン５ａを形成する。
次に、第３図（ｄ）に示すように、レジストパターン４
ａを剥離除去すると従来のフォトマスクが完成する。
ａを剥離除去すると従来のフォトマスクが完成する。
上述した従来のフォトマスクは、金属薄膜の形成、エツ
チング加工用レジストの塗布、パターン描画、レジスト
現像、金属薄膜のエツチングの工程がある為、工程が長
いという欠点があり、特定用途向は半導体装置などの工
期を短縮を必要とする製品用としては不利である。
チング加工用レジストの塗布、パターン描画、レジスト
現像、金属薄膜のエツチングの工程がある為、工程が長
いという欠点があり、特定用途向は半導体装置などの工
期を短縮を必要とする製品用としては不利である。
また、一般にフォトマスクは支持材に石英を使用して点
などから高価であり、回路修正等の必要が生じた場合に
はフォトマスクを再度作製するコストも高額となり、半
導体装置の製造コストにそのままはねかえる為、安価な
フォトマスクが望まれている。
などから高価であり、回路修正等の必要が生じた場合に
はフォトマスクを再度作製するコストも高額となり、半
導体装置の製造コストにそのままはねかえる為、安価な
フォトマスクが望まれている。
本発明の目的は、フォトマスクの製造工期が短縮でき、
かつ繰り返し使用できコストを削減でき、その上フォト
マスクの修正が容易に実施できるフォトマスクを提供す
ることにある。
かつ繰り返し使用できコストを削減でき、その上フォト
マスクの修正が容易に実施できるフォトマスクを提供す
ることにある。
本発明のフォトマスクは、半導体装夏製造に使用するフ
ォトマスクにおいて、光学的透明な支持体に、紫外域か
ら赤外域において光退色反応及び光発色反応する化合物
が被覆されてなり、直接パターン書き込み及び消去を可
能にしたことを特徴として構成される。
ォトマスクにおいて、光学的透明な支持体に、紫外域か
ら赤外域において光退色反応及び光発色反応する化合物
が被覆されてなり、直接パターン書き込み及び消去を可
能にしたことを特徴として構成される。
本発明のフォトマスクは金属薄膜による微細パターンを
エツチング加工する必要がなく、光、赤外線等で直接描
画でパターンが得られる為、フォトマスクの製造工期が
短縮できる。
エツチング加工する必要がなく、光、赤外線等で直接描
画でパターンが得られる為、フォトマスクの製造工期が
短縮できる。
また、本発明のフォトマスクは描画とは波長の異る光、
赤外線等でパターンが消去できるので、可能なかぎり繰
り返し使用が可能であり、製造コストを安価にできる。
赤外線等でパターンが消去できるので、可能なかぎり繰
り返し使用が可能であり、製造コストを安価にできる。
さらに、パターンを選択的に消去し再書き込みを行うこ
とでフォトマスクの修正が安易にできる為、回路修正が
一部分であった場合、工期短縮、コスト低減の両方が可
能である。
とでフォトマスクの修正が安易にできる為、回路修正が
一部分であった場合、工期短縮、コスト低減の両方が可
能である。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するための縦
断面図である。第１図（ａ）はパターン記録層１を支持
体２に回転塗布したものであり、支持体２としては石英
板を使用しな。
（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するための縦
断面図である。第１図（ａ）はパターン記録層１を支持
体２に回転塗布したものであり、支持体２としては石英
板を使用しな。
また、パターン記録層１はスピロピラン化合物をポリス
チレンに分散させ、塗布あるいは直接スピロピラン化合
物を蒸着して作製した。本実施例では、１，３．３−ト
リメチルインドリノベンゾピリルスピラン誘導体を使用
した。
チレンに分散させ、塗布あるいは直接スピロピラン化合
物を蒸着して作製した。本実施例では、１，３．３−ト
リメチルインドリノベンゾピリルスピラン誘導体を使用
した。
また、スピロピラン化合物にベンゾフェノンなどの添加
物を加えパターン記録層１を形成すると反応の量子効率
が上昇する為、より高速で描画ができ、スルーブツトの
向上となる。膜厚は、解像力の低下を防止する為全て１
０μｍ以下とした。
物を加えパターン記録層１を形成すると反応の量子効率
が上昇する為、より高速で描画ができ、スルーブツトの
向上となる。膜厚は、解像力の低下を防止する為全て１
０μｍ以下とした。
第１図（ｂ）は、パターン記録層１にＨｅＣｄレーザー
の３２５ ｎｍ光を使用した直接描画方により描画パタ
ーン３を書き込んだものである。描画パターン３は現在
縮少投影露光装置に広く使用されている露光波長である
４３６ｎｍ光に光学的不透明となる。描画パターン３の
光学濃度は分散させるスピロピラン化合物の重量モル濃
度及びパターン記録層１の膜厚で調整した。スピロピラ
ン化合物を直接蒸着した場合は、膜厚によって、光学濃
度を調整した。
の３２５ ｎｍ光を使用した直接描画方により描画パタ
ーン３を書き込んだものである。描画パターン３は現在
縮少投影露光装置に広く使用されている露光波長である
４３６ｎｍ光に光学的不透明となる。描画パターン３の
光学濃度は分散させるスピロピラン化合物の重量モル濃
度及びパターン記録層１の膜厚で調整した。スピロピラ
ン化合物を直接蒸着した場合は、膜厚によって、光学濃
度を調整した。
第１図（ｃ）は、フォトマスク全面に赤外線照射を行っ
たものである。これにより描画パターン３は消去され再
び４３６ｎｍに透明となる。
たものである。これにより描画パターン３は消去され再
び４３６ｎｍに透明となる。
また、第１図（ｄ）は、−度描画パターン３を消去した
後、再度Ｈｅ−Ｃｄレーザーの３２５ｎｍ光でパターン
を書き込んだものである。この時、第１図（ｂ）で描画
したパターンを修正し書き込むことができる。
後、再度Ｈｅ−Ｃｄレーザーの３２５ｎｍ光でパターン
を書き込んだものである。この時、第１図（ｂ）で描画
したパターンを修正し書き込むことができる。
第２図（ａ、）、（ｂ）は本発明の他の実施例の説明用
の縦断面図である。第２図（ａ）は、従来のフォトマス
ク上にパターン記録層１を回転塗布したものである。
の縦断面図である。第２図（ａ）は、従来のフォトマス
ク上にパターン記録層１を回転塗布したものである。
また、第２図（ｂ）は金属薄膜５で作成されているパタ
ーンのＢ部分及びＣ部分を接続する為に、Ｈｅ−Ｃｄレ
ーザーで選択的にＡ部分にパターンを書き込んだもので
ある。この実施例では、従来のフォトマスクに描かれて
いるパターンを容易に修正ができるという利点を持って
いる。
ーンのＢ部分及びＣ部分を接続する為に、Ｈｅ−Ｃｄレ
ーザーで選択的にＡ部分にパターンを書き込んだもので
ある。この実施例では、従来のフォトマスクに描かれて
いるパターンを容易に修正ができるという利点を持って
いる。
以上説明したように本発明は、光及び赤外線を用いて書
き込み及び消去可能とすることで、フォトマスクの製造
工期を短縮し、かつ繰り返し使用することでコストが低
減できる。
き込み及び消去可能とすることで、フォトマスクの製造
工期を短縮し、かつ繰り返し使用することでコストが低
減できる。
また、回路パターンの一部を選択的に消去または書き込
みすることでフォトマスクの修正が容易に実施できる効
果がある。
みすることでフォトマスクの修正が容易に実施できる効
果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例およびその作
用を説明するためのフォトマスクの縦断面図、第２図（
ａ）、（ｂ）は本発明の他の実施例およびその作用を説
明するためのフォトマスクの縦断面図、第３図＜ａ）〜
（ｄ）は従来のフォトマスクの製造方法説明用の縦断面
図である。 １・・・パターン記録層、２・・・石英板、３・・・描
画パターン、４・・・レジスト、５・・・金属薄膜、Ａ
・・・パターン修正部、Ｂ・・・金属薄膜で作成されて
いるパターン、Ｃ・・・金属薄膜で作成されているパタ
ーン。
用を説明するためのフォトマスクの縦断面図、第２図（
ａ）、（ｂ）は本発明の他の実施例およびその作用を説
明するためのフォトマスクの縦断面図、第３図＜ａ）〜
（ｄ）は従来のフォトマスクの製造方法説明用の縦断面
図である。 １・・・パターン記録層、２・・・石英板、３・・・描
画パターン、４・・・レジスト、５・・・金属薄膜、Ａ
・・・パターン修正部、Ｂ・・・金属薄膜で作成されて
いるパターン、Ｃ・・・金属薄膜で作成されているパタ
ーン。
Claims (1)
- 半導体装置製造に使用するフォトマスクにおいて、光学
的透明な支持体に、紫外域から赤外域において光退色反
応及び光発色反応する化合物が被覆されてなり、直接パ
ターン書き込み及び消去を可能にしたことを特徴とする
フォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009703A JPH03214160A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009703A JPH03214160A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03214160A true JPH03214160A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11727600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009703A Pending JPH03214160A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03214160A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2009703A patent/JPH03214160A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US7125651B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-10-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device optical mask therefor, its manufacturing method, and mask blanks |
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