JPS6011314A - ペレタイジング方法 - Google Patents
ペレタイジング方法Info
- Publication number
- JPS6011314A JPS6011314A JP58119918A JP11991883A JPS6011314A JP S6011314 A JPS6011314 A JP S6011314A JP 58119918 A JP58119918 A JP 58119918A JP 11991883 A JP11991883 A JP 11991883A JP S6011314 A JPS6011314 A JP S6011314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor wafer
- sheet
- pellets
- dividing grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 title claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 54
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 13
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は複数の半導体素子を形成した半導体ウニ八を個
々の半導体ペレットに分離するベレタイジング方法に関
する。
々の半導体ペレットに分離するベレタイジング方法に関
する。
背景技術
半導体ウェハを分ＭＬ″′Ｃ複数の半導体ペレットを得
るペレタイジング法として、半導体ウニ八を粘着シート
に貼付し、タイ９ング又はスクライビングにより半導体
ウニへの表面に分割溝を形成、し、ローラ等によって半
導体ウエノ１に分割溝部分から押し割る等の手段により
半導体ベレットに分割し、粘着シートを展延して各半導
体ペレット間を分離する方法が知られている。
るペレタイジング法として、半導体ウニ八を粘着シート
に貼付し、タイ９ング又はスクライビングにより半導体
ウニへの表面に分割溝を形成、し、ローラ等によって半
導体ウエノ１に分割溝部分から押し割る等の手段により
半導体ベレットに分割し、粘着シートを展延して各半導
体ペレット間を分離する方法が知られている。
これを第１図乃至第３図から説明する。先ず、第１図に
示すように複数の半導体素子（図示せず）が形成された
半導体ウニ八１を粘着シート２に貼付ける。そして第２
図に示すように半導体ウエノ１１の表面の半導体素子境
界部分にダイザ３により分割溝４を形成する。さらに第
３図に示すように半導体ウェハ１にローラ５を押し当て
、溝４部分から半導体ウェハ１を個々の半導体ベレット
６に分割する。そして分割された個々の半導体ペレット
６の取り出しを容易にするため粘着シート２を放射状に
引き延し各半導体ペレット６を分離しペレツタイジング
を完了する。
示すように複数の半導体素子（図示せず）が形成された
半導体ウニ八１を粘着シート２に貼付ける。そして第２
図に示すように半導体ウエノ１１の表面の半導体素子境
界部分にダイザ３により分割溝４を形成する。さらに第
３図に示すように半導体ウェハ１にローラ５を押し当て
、溝４部分から半導体ウェハ１を個々の半導体ベレット
６に分割する。そして分割された個々の半導体ペレット
６の取り出しを容易にするため粘着シート２を放射状に
引き延し各半導体ペレット６を分離しペレツタイジング
を完了する。
ここで第２図工程でダイサ３で半導体ウニ八１を完全カ
ットすれば第３図工程のローラ５による押し割り作業は
不要である。
ットすれば第３図工程のローラ５による押し割り作業は
不要である。
この方法は簡単かつ確実であるが、ウエノ１１の種類に
よっては不適当であった。即ち、第４図に示すように両
面にバンブ電極６，６を形成した半導体ウェハ１１では
、これを粘着シートに貼着しても接着面がバンブ電極６
の一部たけであるため接着力が弱く、ダイサで切断する
際に完全カットできず、またローラで押し割る際にも半
導体ウエノ＼の支持が不安定となり複数の半導体素子が
ノブロックとなって分割され、これを個々の半導体ペレ
ットに分割しようとすれば分割溝から外れた部分にクラ
ックを生じ半導体ペレットを破損する等の問題があった
。
よっては不適当であった。即ち、第４図に示すように両
面にバンブ電極６，６を形成した半導体ウェハ１１では
、これを粘着シートに貼着しても接着面がバンブ電極６
の一部たけであるため接着力が弱く、ダイサで切断する
際に完全カットできず、またローラで押し割る際にも半
導体ウエノ＼の支持が不安定となり複数の半導体素子が
ノブロックとなって分割され、これを個々の半導体ペレ
ットに分割しようとすれば分割溝から外れた部分にクラ
ックを生じ半導体ペレットを破損する等の問題があった
。
発明の開示
本発明は上記問題点に鑑み提案されたもので両面にバン
プｔｉが形成された半導体ウエノ１でも良好なペレタイ
ジングができる方法を提供する。
プｔｉが形成された半導体ウエノ１でも良好なペレタイ
ジングができる方法を提供する。
本発明は熱収縮性を有するシート上に半導体ウェハを貼
着し、半導体ウニへの表面にダイシング又はスクライビ
ングにより分割溝を形成した後、上記シートを加熱して
熱収縮させ半導体ウェハを個々のペレットに分割するよ
うにしたことを特徴とする。
着し、半導体ウニへの表面にダイシング又はスクライビ
ングにより分割溝を形成した後、上記シートを加熱して
熱収縮させ半導体ウェハを個々のペレットに分割するよ
うにしたことを特徴とする。
本発明によれば、粘着シートに対して密着性の劣る半導
体ウェハでも簡単かつ確実にペレタイジングできる。
体ウェハでも簡単かつ確実にペレタイジングできる。
発明を゛実施するための最良の形態
以下に１本発明の一実施例を第５図乃至第７図から説明
する。図において７は半導体ウェハで半導体素子（図示
せず）に対応して表裏面にバンプ電極８，８が形成され
、粘着シート９の粘着面９ａに貼着されている（第５図
）。粘着シート９は裏面に熱収縮性の第２シー）１０が
積層されている。
する。図において７は半導体ウェハで半導体素子（図示
せず）に対応して表裏面にバンプ電極８，８が形成され
、粘着シート９の粘着面９ａに貼着されている（第５図
）。粘着シート９は裏面に熱収縮性の第２シー）１０が
積層されている。
次に第６図に示すようにダイサ１１を用い半導体ウェハ
７の表面に分割ｍ１２を形成する。分割溝１２は半導体
ウェハ９を完全カットしない深さに形成される。そして
第７図に示すように第２シー）１０を加熱して熱収縮さ
せ粘着シート９を変形させる。これにより半導体ウェハ
７は断面円弧状に尺り分割溝１２から裏面にかけてクラ
ックし半導体ペレッ）１３に分１１１１ｒされる。半導
体ウェハｌの反りは曲率中心が分割溝１２を形成した面
と反対の面側即ち裏面側にあるため、クラック後各半導
体ペレッ）１３は離隔するため半導体素子の損傷が防止
されて分離される。
７の表面に分割ｍ１２を形成する。分割溝１２は半導体
ウェハ９を完全カットしない深さに形成される。そして
第７図に示すように第２シー）１０を加熱して熱収縮さ
せ粘着シート９を変形させる。これにより半導体ウェハ
７は断面円弧状に尺り分割溝１２から裏面にかけてクラ
ックし半導体ペレッ）１３に分１１１１ｒされる。半導
体ウェハｌの反りは曲率中心が分割溝１２を形成した面
と反対の面側即ち裏面側にあるため、クラック後各半導
体ペレッ）１３は離隔するため半導体素子の損傷が防止
されて分離される。
このように本発明によれば両面例バンプ電極８゜８を形
成し粘着シート９に対する接着面積が小さくて接着力の
弱い半導体ウェハ７の場合でも第２シート１０を加熱す
るたけて分割でき、ローラで押し割る場合に各半導体素
子がバンブ電極８で支持されているため傾き易く割れる
方向が一定しないことにより個々の半導体素子に分割し
難いたけでなく隣接する半導体素子の分割溝１２側壁が
接触して不要なりラックを生じ易い等の問題が解決でき
る。
成し粘着シート９に対する接着面積が小さくて接着力の
弱い半導体ウェハ７の場合でも第２シート１０を加熱す
るたけて分割でき、ローラで押し割る場合に各半導体素
子がバンブ電極８で支持されているため傾き易く割れる
方向が一定しないことにより個々の半導体素子に分割し
難いたけでなく隣接する半導体素子の分割溝１２側壁が
接触して不要なりラックを生じ易い等の問題が解決でき
る。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されるものではなく
、例えば半導体ウェハは両面にバンブ電極を有するもの
たけでなく、片面にバンブ電極全有するものでもよいし
、バンブ電極のないものでもよい。
、例えば半導体ウェハは両面にバンブ電極を有するもの
たけでなく、片面にバンブ電極全有するものでもよいし
、バンブ電極のないものでもよい。
また、分割溝１２は等しい深さに形成するだけでなく、
第８図太［１２’で示すように半導体ウェハ７の周縁部
の不定形素子部分に対して特に深く形成するＣとにより
、この部分全容易に除去できるＯ さらに粘着シート９に熱収縮性のシートｌｏを貼付した
シートを用いるだけでなく、熱収縮性のシート１０に粘
着面を形成し粘着シート９を省くこともできる。
第８図太［１２’で示すように半導体ウェハ７の周縁部
の不定形素子部分に対して特に深く形成するＣとにより
、この部分全容易に除去できるＯ さらに粘着シート９に熱収縮性のシートｌｏを貼付した
シートを用いるだけでなく、熱収縮性のシート１０に粘
着面を形成し粘着シート９を省くこともできる。
また熱収縮性シー）１０の加熱手段は平面状でも凸球面
状でもよく、平面状の場合には半導体ウェハ７に対し中
央部と周辺部とで温度勾配をもたせるようにしてもよい
。
状でもよく、平面状の場合には半導体ウェハ７に対し中
央部と周辺部とで温度勾配をもたせるようにしてもよい
。
第１図乃至第３図は半導体ウニへのペレタイズ法の一例
を示す側断面図、第４図は両面バンブ電極を有する半導
体素子を示す側断面図、第５図乃至第７図は本発明によ
るペレタイズ法グ法を示す側断面図、第８図は半導体ウ
エノＸに形成する分割溝の一例全示す平面図である０ ７・・・・・・半導体ウニ八、 １０・・・・・・熱収縮性を有するシート、１２．１２
’・・・・・分割溝。 図
を示す側断面図、第４図は両面バンブ電極を有する半導
体素子を示す側断面図、第５図乃至第７図は本発明によ
るペレタイズ法グ法を示す側断面図、第８図は半導体ウ
エノＸに形成する分割溝の一例全示す平面図である０ ７・・・・・・半導体ウニ八、 １０・・・・・・熱収縮性を有するシート、１２．１２
’・・・・・分割溝。 図
Claims (1)
- 熱収縮性を有するシート上に半導体ウニへを貼着し、半
導体ウニへの表面にダイシング又はスクライビングによ
り分割溝を形成した後、上記シートを加熱して熱収縮さ
せ半導体ウェハを個々のペレットに分割するようにした
ことを特徴とするペレタイジング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119918A JPS6011314A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | ペレタイジング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119918A JPS6011314A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | ペレタイジング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6011314A true JPS6011314A (ja) | 1985-01-21 |
Family
ID=14773398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58119918A Pending JPS6011314A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | ペレタイジング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6011314A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7156528B2 (en) | 2004-01-21 | 2007-01-02 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective elements and articles |
| US7168815B2 (en) | 2004-01-21 | 2007-01-30 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective elements and articles |
| JP2011086866A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2015126088A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58119918A patent/JPS6011314A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7156528B2 (en) | 2004-01-21 | 2007-01-02 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective elements and articles |
| US7168815B2 (en) | 2004-01-21 | 2007-01-30 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective elements and articles |
| US7413316B2 (en) | 2004-01-21 | 2008-08-19 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective elements and articles |
| US7458693B2 (en) | 2004-01-21 | 2008-12-02 | 3M Innovative Properties Company | Retroreflective elements and articles |
| JP2011086866A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP2015126088A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000049391A (ja) | 熱電モジュールの製造法と熱電モジュール | |
| JP2001094127A (ja) | 太陽電池用基板、太陽電池および太陽電池モジュールならびにこれらの製造方法 | |
| JPS6011314A (ja) | ペレタイジング方法 | |
| JPH02301155A (ja) | Ｉｃモジュールの固定方法 | |
| JPS6282008A (ja) | 半導体ウエハ−ブレイク装置 | |
| JPS6211611A (ja) | 半導体ペレツトの製造方法 | |
| JPH11233459A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR890701363A (ko) | 동일평면의 다이 대 기판의 접착방법 | |
| CN105269693A (zh) | 贴合基板的分断方法及分割刀 | |
| JPS63100177A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
| JPS58181022A (ja) | フレキシブル表示素子の製造方法 | |
| JPS61222703A (ja) | 半導体ウエ−ハ分割方法 | |
| JPS60122113A (ja) | 半導体ウエ−ハの分割方法 | |
| JPS6027510A (ja) | ペレツタイジング方法 | |
| JPH01289188A (ja) | 低熱抵抗回路基板の製造方法 | |
| JPH02102565A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2857302B2 (ja) | 拡散ウェーハの製造方法 | |
| JPS59172740A (ja) | 半導体ウエ−ハの分割方法 | |
| JPS58182241A (ja) | 単結晶のウエハの切断方法 | |
| JPH0677316A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0444469A2 (en) | High density internconnect | |
| JP3097410B2 (ja) | 電子部品の熱圧着装置 | |
| JPS5833706Y2 (ja) | 半導体ペレット | |
| JPS6056512A (ja) | 化合物半導体基板の分割方法 | |
| JPH10223571A (ja) | 半導体装置の製造方法 |