JPS6027510A - ペレツタイジング方法 - Google Patents
ペレツタイジング方法Info
- Publication number
- JPS6027510A JPS6027510A JP58137124A JP13712483A JPS6027510A JP S6027510 A JPS6027510 A JP S6027510A JP 58137124 A JP58137124 A JP 58137124A JP 13712483 A JP13712483 A JP 13712483A JP S6027510 A JPS6027510 A JP S6027510A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- semiconductor
- adhesive sheet
- divided
- tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000005453 pelletization Methods 0.000 title description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 53
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
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Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は複数の半導体素子を形成した半導体ウェハを個
々の半導体ベレットに分離するベレタイジング方法に関
する。
々の半導体ベレットに分離するベレタイジング方法に関
する。
背景技術
半導体ウェハを分離して複数の半導体ベレ9.トヲtG
ルペレタイジング法として、半導体ウェハを粘’ft
rソートに貼付し、ダイシング又はヌクワイピングによ
り半導体ウェハの表面に分割溝を形成し、ローラ等によ
って半導体ウェハを分割溝部分から押し割る等の手段に
より半導体ベレットに分割し、粘着シートを展延して各
半導体ベレ、1−間を分離する方法が知られている。
ルペレタイジング法として、半導体ウェハを粘’ft
rソートに貼付し、ダイシング又はヌクワイピングによ
り半導体ウェハの表面に分割溝を形成し、ローラ等によ
って半導体ウェハを分割溝部分から押し割る等の手段に
より半導体ベレットに分割し、粘着シートを展延して各
半導体ベレ、1−間を分離する方法が知られている。
これを第1図乃至第8図から説明する。先ず、第1図に
示すように複数の半導体素子(図示せず)が形成された
半導体ウェハ1を粘着シート2に貼イス]ける。そして
第2図に示すように半導体ウェハlの表面の半導体素子
境界部分にダイザ3により分割溝4を形成する。さらに
第3図に示すように半導体ウェハlにロー″y5を押し
当て、溝4部分から半導体ウェハ1を個々の半導体ベレ
J1・6に分割する。そして分割された個々の半導体ベ
レ。
示すように複数の半導体素子(図示せず)が形成された
半導体ウェハ1を粘着シート2に貼イス]ける。そして
第2図に示すように半導体ウェハlの表面の半導体素子
境界部分にダイザ3により分割溝4を形成する。さらに
第3図に示すように半導体ウェハlにロー″y5を押し
当て、溝4部分から半導体ウェハ1を個々の半導体ベレ
J1・6に分割する。そして分割された個々の半導体ベ
レ。
1−6の取り出しを容易にするため粘着シーI・2を放
射状に引き延し各半導体ベレット6を分離しベレノタイ
ジングを完了する。
射状に引き延し各半導体ベレット6を分離しベレノタイ
ジングを完了する。
ここで第2図工程でダイサ3で半導体ウェハ]を完全カ
ットすれば第3図工程のローラ5に」:る押し割り作業
は不要である。
ットすれば第3図工程のローラ5に」:る押し割り作業
は不要である。
この方法は簡単かつ確実であるが、ウェハlの種類によ
っては不適当で為った。即ち、第4図に示すように画面
にバンブ電極6.6を形成した半導体ウェハ1′では、
これを粘着シートに貼着しても接着面がバンブ電極6の
一部だけであるため接着力が弱く、ダイサで切断する際
に完全力・ノドできず、またローラで押し割る際にも半
導体ウェハの支持が不安定となり複数の半導体素子が/
ブロックとなって分割され、これを個々の半導体ベレッ
トに分割しようとすれば分割溝から外れた部分にクラッ
クを生じ半導体ペレットを破損する等の問題があった。
っては不適当で為った。即ち、第4図に示すように画面
にバンブ電極6.6を形成した半導体ウェハ1′では、
これを粘着シートに貼着しても接着面がバンブ電極6の
一部だけであるため接着力が弱く、ダイサで切断する際
に完全力・ノドできず、またローラで押し割る際にも半
導体ウェハの支持が不安定となり複数の半導体素子が/
ブロックとなって分割され、これを個々の半導体ベレッ
トに分割しようとすれば分割溝から外れた部分にクラッ
クを生じ半導体ペレットを破損する等の問題があった。
発明の開示
本発明は上記問題点に鑑み提案されたもので両面にバン
ブ電極が形成された半導体ウェハでも良好ナペレタイジ
ングができる方法を提供する。
ブ電極が形成された半導体ウェハでも良好ナペレタイジ
ングができる方法を提供する。
本発明は表面にダイシング又はスクライビングにより分
割/、l、7を形成した半導体ウェハを回転槽内に固定
し、回転槽を回転させることにより生じる遠心力にて半
導体ウェハを個々のペレ71’に分割するようにしたこ
とを特徴とする。
割/、l、7を形成した半導体ウェハを回転槽内に固定
し、回転槽を回転させることにより生じる遠心力にて半
導体ウェハを個々のペレ71’に分割するようにしたこ
とを特徴とする。
本発明によれば、粘着シートに71シて密着性の劣る半
導体ウェハでも簡単かつ確実にペレクイシングできる。
導体ウェハでも簡単かつ確実にペレクイシングできる。
発明を実施するだめの最良の形態
以下に、本発明の一実施例を第5図乃〒第7図から説明
する。図において7は半導体ウェハで二1′導体素子(
図示せず)に71応じて表裏面にバンブ電極8.8が形
成され、粘着シー1−9の粘着面9aに貼着されている
(第5図)。次に第6図に示すようにダイサlOを用い
半導体ウェハ7の表面に分割溝11を形成する。分割〃
411は半導体ウェハ7を完全カフ1−シない深さに形
成される。そしてこの粘着シー1−9を第7図に示す回
転槽12内に固定する。この回転槽12は有底筒状で軸
を中心にして回転自在で、内周面に粘着シート9の固定
部13を形成している。固定部13は第8図に示すよう
に四球面状に形成された四部1d(lの周縁に粘着シー
1−9を固定する平坦部1.3 bを形成している・第
9図は粘着シート9の固定状態を示すもので、半導体ウ
ェハ7の表面を他の可撓性シート14で覆った粘着シー
ト9を、その裏面を槽中1しに向は周囲を平坦部18b
に抑圧体15で押圧して固定している。この状態で回転
槽12を回転させる。回転数を徐々に上昇させると半導
体ウェハ7にかかる遠心力も徐々に増加して、半導体ウ
ェハ7を外方に撓ませ、さらに回転数を上昇させると、
半導体ウェハ7は分割ffl;txから割れて第10図
に示すように四部1812に沿って押し付けられる。四
部13aの曲事中心を回転槽12の中心と一致させると
、凹部13a」ニのウエノ\全面に作用する遠心力は均
一となり分割されたベレノ1−が乱散することが防止さ
れる・ 凹部1g1zに半導体ウェハ7の分割溝11を対向させ
て固定すると、分割後ベレノt’同志が周r隔するため
不所望なりラックが防止され欠片の発生が防止される。
する。図において7は半導体ウェハで二1′導体素子(
図示せず)に71応じて表裏面にバンブ電極8.8が形
成され、粘着シー1−9の粘着面9aに貼着されている
(第5図)。次に第6図に示すようにダイサlOを用い
半導体ウェハ7の表面に分割溝11を形成する。分割〃
411は半導体ウェハ7を完全カフ1−シない深さに形
成される。そしてこの粘着シー1−9を第7図に示す回
転槽12内に固定する。この回転槽12は有底筒状で軸
を中心にして回転自在で、内周面に粘着シート9の固定
部13を形成している。固定部13は第8図に示すよう
に四球面状に形成された四部1d(lの周縁に粘着シー
1−9を固定する平坦部1.3 bを形成している・第
9図は粘着シート9の固定状態を示すもので、半導体ウ
ェハ7の表面を他の可撓性シート14で覆った粘着シー
ト9を、その裏面を槽中1しに向は周囲を平坦部18b
に抑圧体15で押圧して固定している。この状態で回転
槽12を回転させる。回転数を徐々に上昇させると半導
体ウェハ7にかかる遠心力も徐々に増加して、半導体ウ
ェハ7を外方に撓ませ、さらに回転数を上昇させると、
半導体ウェハ7は分割ffl;txから割れて第10図
に示すように四部1812に沿って押し付けられる。四
部13aの曲事中心を回転槽12の中心と一致させると
、凹部13a」ニのウエノ\全面に作用する遠心力は均
一となり分割されたベレノ1−が乱散することが防止さ
れる・ 凹部1g1zに半導体ウェハ7の分割溝11を対向させ
て固定すると、分割後ベレノt’同志が周r隔するため
不所望なりラックが防止され欠片の発生が防止される。
このように本発明によれば、両面にバンブ電極8.8を
形成し粘着シート9に列する接着面積が小さくて接着力
の弱い半導体ウニ/Sの場合でも、半導体ウェハ自体を
変形させることができ、不要なりう・ツクを生じること
なく完全に分割することができる。
形成し粘着シート9に列する接着面積が小さくて接着力
の弱い半導体ウニ/Sの場合でも、半導体ウェハ自体を
変形させることができ、不要なりう・ツクを生じること
なく完全に分割することができる。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されるものではなく
、例えば半導体ウェハは両面にバンブ電極を有するもの
だけで々く、片面にバンブ電極を有するものでもよいし
、バンブ電極のないものでもよい。1だ粘着シート9や
可撓性シー1−14は必ずしも必要ではなく、方向1生
を無視し得る例えばトリガ素子舌では半導体ウェハl′
l、独で回転槽12に装着してもよく、この場合、凹部
1311+下方に容器を配置しておくことにより、回転
槽12の回転を停止後、分用された?1パ導体ベレ、1
−を容器に回収することができる。また第11図に示す
ように、半導体ウェハ7の分割を助長する抑圧体16を
弾性部材17を介し回転槽12の直径方向に移動可能に
配置して半導体ウェハ7を強制的に分割するようにして
もよいし、凹部13aに開口する吸気孔を設け、真空吸
着により可撓性シー1−の変刀ネを助長させてもよい。
、例えば半導体ウェハは両面にバンブ電極を有するもの
だけで々く、片面にバンブ電極を有するものでもよいし
、バンブ電極のないものでもよい。1だ粘着シート9や
可撓性シー1−14は必ずしも必要ではなく、方向1生
を無視し得る例えばトリガ素子舌では半導体ウェハl′
l、独で回転槽12に装着してもよく、この場合、凹部
1311+下方に容器を配置しておくことにより、回転
槽12の回転を停止後、分用された?1パ導体ベレ、1
−を容器に回収することができる。また第11図に示す
ように、半導体ウェハ7の分割を助長する抑圧体16を
弾性部材17を介し回転槽12の直径方向に移動可能に
配置して半導体ウェハ7を強制的に分割するようにして
もよいし、凹部13aに開口する吸気孔を設け、真空吸
着により可撓性シー1−の変刀ネを助長させてもよい。
また凹部13a周縁形状を方形とすることにより、半導
体ウェハ7の周縁部の不定形素子部分を分割せずに残す
こともできる。
体ウェハ7の周縁部の不定形素子部分を分割せずに残す
こともできる。
第1図乃至第3図は半導体ウェハのベレタイジング法の
一例を示す側断面図、第4図は両面パン1屯(i7+を
イ〕する半導体素子を示す側断面図、第5図乃至第10
図は本発明によるベレタイジング法を示す側断面図、第
11図は回転槽の変形例を示す平断面図である。 7 ・・・・ 半導体ウェハ、 9・・・−可撓性シー1−1 11・・・・分割溝、 12・・・ 回転槽。 し゛之j 第 8 図 第]O図( 第11図
一例を示す側断面図、第4図は両面パン1屯(i7+を
イ〕する半導体素子を示す側断面図、第5図乃至第10
図は本発明によるベレタイジング法を示す側断面図、第
11図は回転槽の変形例を示す平断面図である。 7 ・・・・ 半導体ウェハ、 9・・・−可撓性シー1−1 11・・・・分割溝、 12・・・ 回転槽。 し゛之j 第 8 図 第]O図( 第11図
Claims (1)
- 半導表面にダイシング又はヌクライビングにより分割溝
を形成した半導体ウェハを回転槽内に固定し、回転槽を
回転させることにより生じる遠心力にて半導体ウェハを
個々のペレットに分割するようにしたことを特徴とする
ベレクイジング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137124A JPS6027510A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | ペレツタイジング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137124A JPS6027510A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | ペレツタイジング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027510A true JPS6027510A (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=15191374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137124A Pending JPS6027510A (ja) | 1983-07-27 | 1983-07-27 | ペレツタイジング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027510A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012182342A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体基板のエキスパンド装置およびエキスパンド処理方法 |
-
1983
- 1983-07-27 JP JP58137124A patent/JPS6027510A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012182342A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体基板のエキスパンド装置およびエキスパンド処理方法 |
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