JPS63100177A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
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- JPS63100177A JPS63100177A JP24462386A JP24462386A JPS63100177A JP S63100177 A JPS63100177 A JP S63100177A JP 24462386 A JP24462386 A JP 24462386A JP 24462386 A JP24462386 A JP 24462386A JP S63100177 A JPS63100177 A JP S63100177A
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- Japan
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- target
- sputtering
- sputtering target
- backing plate
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- Pending
Links
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業−にの利用分野〕
本発明は、スパッタリング用ターゲットの（Ｉ′７造に
閃する。
閃する。
特に多元素同時スパッタリングにおけるスパッタリング
用ターゲットにおいて、複数の小部分を継ぎ合せ所定の
大きさ、形状を構成するターゲット（以後複合ターゲッ
トと紀ず）が多く提メされている０例えば、特開昭５４
−１４３７８０、特開昭５０−１０９７７３、特ＣＩ昭
５８−１０００７９等がある。金ｒ４間化合物等の脆い
組成でできているターゲットは、加工時の取扱い、ある
いは、スパツタ時の熱歪等により割れ、ヒビ等が入りや
ず（、一枚のターゲットによる大面積化は難しく、」−
記の複合ターゲットによる大面積化がイ「効な手段とな
っている。又複数の組成の小片を組み合せた複合ターゲ
ットも注目されている。
用ターゲットにおいて、複数の小部分を継ぎ合せ所定の
大きさ、形状を構成するターゲット（以後複合ターゲッ
トと紀ず）が多く提メされている０例えば、特開昭５４
−１４３７８０、特開昭５０−１０９７７３、特ＣＩ昭
５８−１０００７９等がある。金ｒ４間化合物等の脆い
組成でできているターゲットは、加工時の取扱い、ある
いは、スパツタ時の熱歪等により割れ、ヒビ等が入りや
ず（、一枚のターゲットによる大面積化は難しく、」−
記の複合ターゲットによる大面積化がイ「効な手段とな
っている。又複数の組成の小片を組み合せた複合ターゲ
ットも注目されている。
しかしこのような複合ターゲットにおいては継ぎＬｌよ
り、ｒｌつ材や、バフ、トングプレート材がスパックさ
れ、成鮫の特性を、著しく低下させるという問題を要し
た。これを解決するため、第２は１（ａ）に示すように
小片を斜めにカットする方法や（ｌ））のように段にし
て組み合せ、ロウ材や、パフキングプレート材が直接ス
パックされないようにする方法が提察されていた。
り、ｒｌつ材や、バフ、トングプレート材がスパックさ
れ、成鮫の特性を、著しく低下させるという問題を要し
た。これを解決するため、第２は１（ａ）に示すように
小片を斜めにカットする方法や（ｌ））のように段にし
て組み合せ、ロウ材や、パフキングプレート材が直接ス
パックされないようにする方法が提察されていた。
しかし、前述の従来技術では第２２Ｒ１（ａ）（ｂ）の
ような形状を製作するのは、金属間化合物等の脆い組成
で、できているターゲットにおいては高度な加工技術が
要求される、又第３図（ａ）（ｂ）のように、エロージ
ョンにより掘り下げられ継ぎ目より、ロウ材、バッキン
グプレート材がスパックされ、ターゲットの使用効率が
低下する問題点を任していた。
ような形状を製作するのは、金属間化合物等の脆い組成
で、できているターゲットにおいては高度な加工技術が
要求される、又第３図（ａ）（ｂ）のように、エロージ
ョンにより掘り下げられ継ぎ目より、ロウ材、バッキン
グプレート材がスパックされ、ターゲットの使用効率が
低下する問題点を任していた。
奇こで、本発明は従来のこのような問題点を解決するた
め、工１−ジ３ンにより掘り下げられても、ＬＩつ材、
バッキングプレート材がスパックされることもなく、高
度の加工技術も必要としないスパッタリング用ターゲッ
トを得ることを目的としている。
め、工１−ジ３ンにより掘り下げられても、ＬＩつ材、
バッキングプレート材がスパックされることもなく、高
度の加工技術も必要としないスパッタリング用ターゲッ
トを得ることを目的としている。
土コご問題点を解決するために、本発明のスパッタリン
グ用ターゲットは、複数の小部分を継ぎ合せることによ
り所定の大きさ、形状を構成するスパッタリング用ター
ゲットにおいて、継ぎ合せ部の真、下のパフ、トングプ
レート上に、溝を形成し、その溝にターゲットと同じ組
成の小片を埋め込むことを特徴とする。
グ用ターゲットは、複数の小部分を継ぎ合せることによ
り所定の大きさ、形状を構成するスパッタリング用ター
ゲットにおいて、継ぎ合せ部の真、下のパフ、トングプ
レート上に、溝を形成し、その溝にターゲットと同じ組
成の小片を埋め込むことを特徴とする。
本発明の」二期の（１■成によれば、工１−ジョンが進
行しても、ロウ材や、バッキングプレート材はプラズム
に対して、直接にあたらないので成臆申ニ、１コウ材や
、バッキングプレート材が混入することがないのである
。
行しても、ロウ材や、バッキングプレート材はプラズム
に対して、直接にあたらないので成臆申ニ、１コウ材や
、バッキングプレート材が混入することがないのである
。
（実施例〕
第１図は本発明の実施例における、スパッタリング用タ
ーゲットの断面図である。バッキングブレー）（１０４
）上に角形の溝を形成し、この溝にスパックリング用タ
ーゲツト材（１０２）を埋め込む、とのｎ！ｉスパッタ
リング用ターゲット材（１０２）は、バッキングプレー
ト（１０４）の面より、０ 、 １ ｍｍ下げ、その真
上に、スパッタリング用ターゲツト材（１０１）の小片
を乗せて、１つ材（１０３）が埋め込んだスパッタリン
グ°用ターゲット材（１０２）の上までこないようにし
て、ボンディングする。
ーゲットの断面図である。バッキングブレー）（１０４
）上に角形の溝を形成し、この溝にスパックリング用タ
ーゲツト材（１０２）を埋め込む、とのｎ！ｉスパッタ
リング用ターゲット材（１０２）は、バッキングプレー
ト（１０４）の面より、０ 、 １ ｍｍ下げ、その真
上に、スパッタリング用ターゲツト材（１０１）の小片
を乗せて、１つ材（１０３）が埋め込んだスパッタリン
グ°用ターゲット材（１０２）の上までこないようにし
て、ボンディングする。
なお溝の形状は、角型以外にも、７字形、あるいはＵ字
形などが有効である。又１■め込み用スパッタリング用
ターゲット（１０２）は、短形のもの壱つなげても有効
である。以下の構成により、スパッタリング用ターゲッ
トの継ぎ合せ部の、真下に、スパッタリング用ターゲッ
トを埋め込むことにより、スパッタリング中に、ロウ材
、又はパフ、トングプレート材が、生成膜に混入しなく
なる。
形などが有効である。又１■め込み用スパッタリング用
ターゲット（１０２）は、短形のもの壱つなげても有効
である。以下の構成により、スパッタリング用ターゲッ
トの継ぎ合せ部の、真下に、スパッタリング用ターゲッ
トを埋め込むことにより、スパッタリング中に、ロウ材
、又はパフ、トングプレート材が、生成膜に混入しなく
なる。
〔発明の効’ＪＳ ）
以上に述べたように本発明によれば、スパックリング用
ターゲットの継ぎ合せ部の、真下に、スパッタリング用
ターゲットを埋め込むことにより、スパッタリング中に
、ロウ材、又はバッキングプレート材が、生成膜に混入
しないという効采壱自°する。
ターゲットの継ぎ合せ部の、真下に、スパッタリング用
ターゲットを埋め込むことにより、スパッタリング中に
、ロウ材、又はバッキングプレート材が、生成膜に混入
しないという効采壱自°する。
第１図は、本発明のスパッタリング用ターゲットの継ぎ
合せ部の一実施例を示す主要断面図。 第２図（ａ）（ｂ）は、従来のスパックリング用ターゲ
、）壱示す主要断面図１゜ ７５３１￥１（＾）、（ｂ）は、スパッタリング川ター
’ｔ’ 、）の、エロージョンにより掘り下げの様子
を示す主要断面図。 以 」―
合せ部の一実施例を示す主要断面図。 第２図（ａ）（ｂ）は、従来のスパックリング用ターゲ
、）壱示す主要断面図１゜ ７５３１￥１（＾）、（ｂ）は、スパッタリング川ター
’ｔ’ 、）の、エロージョンにより掘り下げの様子
を示す主要断面図。 以 」―
Claims (1)
- 複数の小部分を継ぎ合せることにより所定の大きさ、形
状を構成するスパッタリング用ターゲットにおいて、継
ぎ合せ部の真下のバッキングプレート上に、溝を形成し
、その溝にターゲットと同じ組成の小片を埋め込むこと
を特徴とするスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24462386A JPS63100177A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24462386A JPS63100177A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100177A true JPS63100177A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17121499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24462386A Pending JPS63100177A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100177A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5372694A (en) * | 1992-12-14 | 1994-12-13 | Leybold Aktiengesellschaft | Target for cathode sputtering |
| US7316763B2 (en) * | 2005-05-24 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Multiple target tiles with complementary beveled edges forming a slanted gap therebetween |
| GB2485603A (en) * | 2010-11-22 | 2012-05-23 | Plastic Logic Ltd | Segmented target for vapour deposition process |
| US20140110249A1 (en) * | 2011-03-04 | 2014-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sputtering target, method for manufacturing same, and method for manufacturing thin film transistor |
| US8961867B2 (en) | 2008-09-09 | 2015-02-24 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| US9108273B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-08-18 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints |
| US10615011B2 (en) * | 2011-06-30 | 2020-04-07 | View, Inc. | Sputter target and sputtering methods |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP24462386A patent/JPS63100177A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5372694A (en) * | 1992-12-14 | 1994-12-13 | Leybold Aktiengesellschaft | Target for cathode sputtering |
| US7316763B2 (en) * | 2005-05-24 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Multiple target tiles with complementary beveled edges forming a slanted gap therebetween |
| US8961867B2 (en) | 2008-09-09 | 2015-02-24 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| GB2485603A (en) * | 2010-11-22 | 2012-05-23 | Plastic Logic Ltd | Segmented target for vapour deposition process |
| US9556509B2 (en) | 2010-11-22 | 2017-01-31 | Flexenable Limited | Vapour deposition |
| GB2498909B (en) * | 2010-11-22 | 2017-04-26 | Flexenable Ltd | Segmented target for vapour deposition process |
| GB2485603B (en) * | 2010-11-22 | 2017-06-14 | Flexenable Ltd | Segmented target for vapour deposition process |
| US20140110249A1 (en) * | 2011-03-04 | 2014-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sputtering target, method for manufacturing same, and method for manufacturing thin film transistor |
| US10615011B2 (en) * | 2011-06-30 | 2020-04-07 | View, Inc. | Sputter target and sputtering methods |
| US9108273B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-08-18 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets using interlocking joints |
| US9120183B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-01 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets |
| US9412568B2 (en) | 2011-09-29 | 2016-08-09 | H.C. Starck, Inc. | Large-area sputtering targets |
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