JPS60113948A - ゲ−トアレイ集積回路装置 - Google Patents

ゲ−トアレイ集積回路装置

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JPS60113948A
JPS60113948A JP58222684A JP22268483A JPS60113948A JP S60113948 A JPS60113948 A JP S60113948A JP 58222684 A JP58222684 A JP 58222684A JP 22268483 A JP22268483 A JP 22268483A JP S60113948 A JPS60113948 A JP S60113948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
logic
gate array
mask
lsi
mask rom
Prior art date
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Pending
Application number
JP58222684A
Other languages
English (en)
Inventor
Mamoru Iwatsuki
岩附 守
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS60113948A publication Critical patent/JPS60113948A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/90Masterslice integrated circuits

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半製品段階では論理構成に十分な自由度をも
たせておき、顧客の要求に応じた論理構成が実現可能な
ゲートアレイ集積回路装置(以下[ゲートアレイLSI
」という。)に関するものである。
〔従来技術〕
第1図は従来のゲートアレイLSIのレイアウトパター
ンの概念図で、illは論理ゲートが配置された論理ブ
ロック、(2)は顧客の要求に合わせた論理を構成する
ための配線領域、(3)はこのLEi■の入出力となる
ポンディングパッド部である。
この従来のゲートアレイLSIはセミカスタム製品と言
われるように、LSI製造工程において途中の工程まで
作りだめができ論理ブロック+11とポンディンパッド
部(3)とにそれぞれ必要なマスクは共通マスクと呼ば
れ最終製品の仕様にかかわらず、固定したパターンを形
成する。
一方、配線領域(2)は通常顧客の要求に合った論理を
構成するためCAD(Computer Aided 
Design)により人力された論理構成情報をもとに
製作するマスクを用いて、論理ブロック+1j間を自動
配線によって配線する領域で、−、 中智− 4井このマスクは通常カスタムマスクとも呼ばれている
。カスタムマスクは必ずしも1枚とは限らず配線を行う
種類(例えはAt配線2層)によって2層間を接続する
スルーホール用マスクも必要である。
従って、フルカスタムLSIに比べ少ないマスク枚数、
即ち短期間にカスタムLSIを開発できるので、その需
要は年々増加している。
しかし、上述の従来のゲートアレイLSIでは論理ゲー
トのみによる論理構成しかできず、その機能規模はさほ
ど大きくなく、しかもその論理動作のシーケンス制御は
外部メモリなどからの制御に依存せねはならなかった。
従って、その用途は何らかのシステムに組み込んで用い
られる複合論理機能素子の域を出なかった。
〔発明の概を〕 この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、ゲ
ートアレイLSIにマスク読出し専用メモリ(Read
 0nly Memory : ROM)を内蔵させる
ことによって、1つのLSIチップでの機能の大幅拡大
が可能で、実効的に集積度の向上したしかも、独立して
成程度の論理動作の可能なゲートアレイLSIを提供す
るものである。
〔発明の実施例〕
第2図はこの発明の一実施例のレイアウトパターンの概
念図で、第1図の従来例と同一符号は同等部分を示すも
ので、その説明は重複を避ける。
図において、(4)はマスクROM部で、論理ブロック
il+と同様に最初から設けられており、その内容は論
理ブロック(1)による論理構成と同様に顧客の要求に
応じて書き込むものである。勿論、マスクROM部はゲ
ートアレイの構成上チップのどの部分に置いてもよい。
このマスクROM部(4)は、従来のゲートアレイLE
IIと同じ手順で製作することができる、すなわち、配
線領域(21QOADにより論理ブロック(1)間を自
動配線したように、マスクROM部(4)のアドレス部
分と論理ブロック+l+とはあらかじめ定義された論理
接続情報によって自動的に結線される。一方、マスクR
OM部(4)の内容は、マイコンの応用プログラムの内
容であり、通常デノくラグ用に消去書込可能ROM (
lPROM )で試作した内容をマスクROMパターン
自動発生装置で論理ブロック配線後出力することができ
、ゲートアレイ結線用マスク(カスタムマスク)に合成
することが可能である。
」二記実施例ではマスクROMt内蔵したゲートアレイ
LSIの場合について説明したがROMの部分は、EP
ROM、電気的書き換え可能B、 OM (K ARO
M)、フィールドプログラマブルRoM(FpnorA
)等であってもよく上記実施例と同様もしくはそれ以上
の効果を生じる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明になるゲートアレイL8
工ではそのチップ内にマスクROM部を設け、ゲートア
レイによる論理構成と、マスクROMへの書き込みとを
顧客の要求に応するように行うようにしたので、1つの
LSIチップでの機能は大幅に拡大でき、実効的に集積
度を向上したことになる。これに伴って小量多品種のセ
ミカスタムの1チツプのマイクロコンピュータも開発可
能となり、しかも、論理部とROM部とに同時に開発で
きるので開発所袈期間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のゲートアレイLSIのレイアウトパター
ンを示す概念図、第2図はこの発明の一実施例のレイア
ウトパターンを示す概念図である0図において、(1)
は論理ゲートか配置された論理ブロック、(2)は配線
領域、(3)はポンディンクツくラド部、(4)はマス
クROM部である。 なお、図中同一符号は同一または和尚部分を示す0 代理人 大岩増雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 半製品段階においては複数個の論理ゲートが相
    互間の接続に自由度をもった状態で配置された論理ブロ
    ック部と上記論理ゲート間の接続か可能なように設けら
    れた配線領域とを1つの半導体チップ内に備え、顧客の
    要求に応じて上記配線領域を介して上記論理ゲート間に
    接続を施し上記要求に合致した論理構成を完成させるも
    のにおいて、上記半導体チップ内にマスク読出し専用メ
    モリを設け、上記顧客の要求に応じて上記論理ゲート間
    の接続と同時に上記マスク読み出し専用メモリの内容を
    書込むようにしたことを特徴とするゲートアレイ集積回
    路装置。
JP58222684A 1983-11-26 1983-11-26 ゲ−トアレイ集積回路装置 Pending JPS60113948A (ja)

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