JPS6049343A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体Ｖご対して無公害であること、更
には固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易
に処理することができること等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内
に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の
使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があシ
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

面乍ら、従来のａ　−Ｓ　ｉで構成された光導電層を有
する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電
気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境
特性の点、更には経時的安定性の点において、結合的な
特性向上を図る必要があるとい、う更に改良される可き
点が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
は石と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発すｊ様になる或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｔは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光をイ■効に使用
し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が
残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体か光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起つて、画像の１′ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電
的特性に問題が生ずる場合がある０ 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｔに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファ
ス材料、所謂水系化アモルファスシリコン、ハロゲン化
アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記として［ａ
−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）　Ｊを使用する〕から構成され、光
導電性を示す光受容層を有する光導電部材の層構成を以
後に説明される様な特定化の下に設計されて作成された
光導電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかシでな
く、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点におい
て凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材とし
て著しく優れた特性を有していること及び長波長側に於
ける吸収スペクトル特性に優れていることを見出した点
に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に４光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ちる光導電部羽を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い画像のボケのない、高品質
画像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部材を
提供することである０ 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、該支
持体上に、ゲルマニウム原子を含む非晶質材料で構成さ
れた第１の層領域（Ｇ）と、シリコン原子を含む非晶質
材料で構成され、光導電性を示す第２の層領域（８）と
が前記支持体側より順に設けられた層構成の光受容層と
を有し、該光受容層は、酸素原子を含有すると共に、伝
導性を制御する物質（Ｃ）を、該光受容層に於いては、
層厚方向の分布濃度の最大値が前記第２の層領域（８）
中にあシ且つ前記第２の層領域（Ｓ）に於いては、前記
支持体側の方に多く分布する状態で含有している事を特
徴とする０上記した様な層４苛成を取る様にして設計さ
れた本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを解
決し得、極めて優れた電気的、光学的。

光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、可干渉光の使用に於いても干渉を充分防止することが
出来るとともに、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比
を有するものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長
け、濃度が高く、ノ・−フトーンが鮮明に出て、且つ解
像度の高い、高品質の画１象を安定して繰返し得ること
ができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明するため
に模式的に示した模式的構成図である０ 第１図に示す光導電部材１００は、光畳電部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２を有し、該光受
容層１０２は自由表面１０５を一方の端面に有している
。

光受容層１０２は、支持体１σ１側よりゲルマニウム原
子と、必要に応じてシリコン層子（Ｓｔ）を水素原子（
Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）の少なくとも１つを含む非晶
質材料（以後［ａ　Ｇ　ｅ　（Ｓ　ｉ）Ｈ＊Ｘ）　Ｊと
略記する）で構成された第１の層領域（Ｇ）１０３とａ
−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され、光導電層を有する第２の
層領域（Ｓ）　１０４とが順に積層された層構造を有す
る。

光受容層１０２は、酸素原子を含有すると共に、伝導特
性を制御する物質（Ｃ）を含有し、該物質（Ｃ）は、光
受容層１０２に於いては、その層厚方向の分布濃度の最
大値が第２の層領域（Ｓ）中にあり且つ第２の層領域（
Ｓ）に於いては支持体１０１側の方に多く分布する状態
で含有される。

第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子は、支
持体の表面と平行な面内方向に於いては、均一な状態で
含有されるが、層厚方向には、均一であっても不均一で
あっても差支えない。

又、第１の層領域（Ｇ）に於けるゲルマニウム原子の分
布状態で層厚方向に不均一な場合には、その層厚方向に
於ける分布濃度ｃｔ−、支持体側或いは第２の層領域（
Ｓ）側に向って、次第に、或いはステップ状に、又は、
線型的に変化させることが望ましい。

殊に、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
の分布状態が、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に
分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支
持体側より第２の層領域（８）に向って減少する変化が
与えられている場合には、第１の層領域（Ｇ）と第２の
層領域（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、且つ後述す
る様に支持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃを極端に大きくすることによシ、半尋体レーザ等を
使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し
切れない長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於いて、
実質的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反
射による干渉を防止することが出来ると共に、層領域（
Ｇ）と層領域（Ｓ）との界面での反射を充分押えること
が出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々
がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので
、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成され
ている０第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層領域（Ｇ）の層厚を
示し、ｔＢは支持体側の第１の層領域（Ｇ）の端面の位
置を、ｔ７は支持体側とは反対側の第１の層領域（Ｇ）
の端面の位置を示す。

即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層領域（Ｇ
）は４側よｐｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示さ
れる。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第１の層領域（Ｇ）が形成される表向と該第１の層領
域（Ｇ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置
までは、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣ１なる一定
の値を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層
領域（Ｇ）に含有され、位置ｔ、よりは旋度Ｃ，より界
面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減少されている。

界面位置ｔＴにおいてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
はＣ１とされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔＴに至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ、において
濃度ＣＩとなる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位ｔｔＢよυ位置ｔ、まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位
置ｔ、と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少
され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とさ
れている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合
である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置１Ｂよシ位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ８よ多連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置−、と位置ｔ８間においては、濃度Ｃ，と
一定値であシ、位置ｔＴにおいては濃度ＣＩＯされる。

位置ｔ、と位置ｔアとの間では、分布濃度Ｃは一次関数
的に位置ｔ、よシ位置ｔアに至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ、
よシ位置ｔ４までは濃度Ｃ□の一定値を取り、位置ｔ４
より位置１Ｔまでは濃度ＣＩ、より濃度Ｃ１３まで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢよシ位置ｔ、に至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ＣＩＡよ
シ実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔＢよシ位置ｔ、に至るまでは
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１ｆｆより濃
度Ｃ３，まで−次間数的に減少され、位置１．と位置ｔ
Ｔとの間においては、濃度ＣＩ６の一定値とされた例が
示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔｆｌにおいて濃度Ｃ１゜であり、位
置ｔ、に至るまではこの濃度ＣＩ？より初めはゆつくシ
と減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔ６では濃度Ｃ１１ｌとされる。

位置ｔ６と位置ｔ、との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ、で
濃度ＣＩ。となシ、位置ｔ、と位置ｔ。

との間では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ
８において、濃度Ｃ７゜に至る。位置ｔ、と位置ｔＴの
間においては、濃度０２０より実質的に零になる様に図
に示す如き形状の曲腺に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領域（Ｇ）
中に含有されるゲル上ニウム原子の層厚方向の分布状態
の典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、
支持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高
い部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃ
は支持体側に較べて可成り低くされた部分を有するゲル
マニウム原子の分布状態がｋｉｌｌの層領域ＣＧ＋に設
けられている。

本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層を構成す
るＭｌの層領域（Ｇ）は好ましくは上記した様に支持体
側の方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１Ｏ
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ、より５
μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
Ｂよシ５μ厚までの全周領域（Ｌ？）とされる場合もあ
るし、又、層領域（Ｌ　Ｔ　）の−郡とされる場合もあ
る。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ、ｒ）、の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に要求される特
性に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコーン原子との和に対して、
好ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃ解以上、より好、適
には５０００　ａｔｏｍｉｃ　１１１１１以上、最。

適にはＩ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ＩＩＪＩＩＩＩ
以上とされる様な分布状態となシ得る様に層形成される
のが望ましい０ 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る層領域（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔ
Ｂから５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが
存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜法められるが、好
ましくは１〜１０×１０’　ａｔｏｍｉｃ解、よシ好ま
しくは１００〜９．５×１０’　ａｔｏｍｉｃ　Ｐｉｌ
ｌ、最適には、５００〜８Ｘ１０６ａｔｏｍｉｃｐμと
されるのが望ましい。

本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（８
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に所
望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際
に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＩｌは、
好ましくは、３０λ〜５０μ、よシ好ましくは、４０λ
〜４０μ、最適には、５０λ〜３０μとされるのが望ま
しい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５
〜９０μ、より好ましくは、１〜８０μ、最適には２〜
５０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域ｔｓ＞の
層厚Ｔの和（Ｔｏ＋Ｔ）としては、両層領域に要求され
る特性と光受容層全体に要求される特性との相互間の有
機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望に
従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＢ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より好適
には１〜８０μ、最適には２〜５０μ本発明のより好ま
しい実施態様例に於いては、上記の層厚ＴＢ及び層厚Ｔ
としては、好ましくはＴｏ／Ｔ≦１ｆｘる関係ｔ−満足
する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選択されるの
が望ましい。

上記の場合に於けるＪ音厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択
に於いて、よシ好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９、最適には
ＴＢ／Ｔ≦０．８　なる関係が満足される様に層厚Ｔｎ
及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましい。

本発明に於１て、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲ
ルマニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０　”ａ　ｔｏｍ
ｉ（：ｐｐｍ以上の場合には、第１の１−領域（Ｇ）の
層厚ＴＢとしては、成可く薄くされるのが望ましく、好
ましくは３０μ以下、よシ好ましくは２５μ以下、最適
には２０μ以下とされるのが望ましいものである。

本発明において、光受容層を構成する第１の層領域（Ｇ
）又は／及び第２の層領域（８）中に必要に応じて含有
される・・ロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ
素、塩緊、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素
を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−Ｇｅ（Ｓｉ、Ｈ，Ｘ）で構成され
る第１の層領域（Ｇ）を形成するには、例えばグロー放
電法、スパッタリング法、或いはイオンブイ−ティング
法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される
。例えば、グロー放電法によって、ａ−Ｇｅ　（Ｓ　ｉ
　、　Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成
するには、基本的にはゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給
し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて、シリコ
ン原子（８１）を供給し得る８ｉ供給用の原料ガス、水
素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／及びＩ・ロゲン原
子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積
室内に所望のガス圧状態で導入して、咳堆積室内にグロ
ー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定
の支持体表面上に層形成すれば良か。ゲルマニウム原子
を不均一に分布させるには、含有されるゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを所望の変化率曲線に従って制御し乍ら
ａ−Ｇｅ　（Ｓ　ｉ　、　Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い０又、スパッタリング法で形成する場合には
１例えばＡｒ、Ｈｅ　等の不活性ガス又はこれ等の一ガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成され
たターゲット、或いは該ターゲットとＧｅで構成された
ターゲットの二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｅの混合
されたターゲットを使用して、必要に応じてＨｅ　−＊
　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガス
又はＳｉ供給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをス
パッタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズ
マ雰囲気を形成すると共に、前記Ｇｅ供給用の原料ガス
又は／及び８ｉ供給用の原料ガスのガス流量を所望の変
化率曲線に従って制御し乍ら、前記のターゲットをスパ
ッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボードに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビ
ーム法（ＢＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物
を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、ス
パッタリング法の場合と同様にする事で行うことが出来
る。

本発明において使用される８ｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、５ＩＨ４、５ｂＨｓ　＋８−札。

５ｉＪ１．等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素
（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、
殊に、層作成作業時の取扱い易さ、８ｉ供給効率の良さ
等の点で５ｉ）Ｌ、　８ｉ、几が好ましいものとして挙
げられる。

伽供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、ＧｅＨ４
，ＧｅｔＨｓ　、　Ｇｅ５Ｈｓ　、　ＧｅａＨｌｅ　、
　Ｑｅ、ＨＨ、ＧｅａＨｔｉ　、　Ｇｅ、）１．＠　。

Ｇｅ、Ｉ（１，、（）ｅ＠凡・等、のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、由
供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨａ　、　ＧｅｔＨｓ　
。

ＧｅｍＨａが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得るハロゲン原子を含む
水素化硅素化合物も有効なものとして本発明においては
挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ンガス、ＢｒＦ、ＣＩＦ、　ＣＩＦ、。

ＢｒＲ、ＢｒＦ５　、　ＩＲ、ＩＲ、ＩＣＩ　、　ＩＢ
ｒ等の２、。ゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例エバ５
ｔＦａ　、　５ｔｔＦ’＠　、　５ｔｃｚ４　、５ＩＢ
ｒａ等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げるこ
とか出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８ｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧｅか
ら成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る〇グロ
ー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領域（
Ｇ）を作成する場合、基本的には例えばＳｉ供給用の原
料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガスと
なる水素化ゲルマニウムとＡｒ　、　Ｌ　、　Ｈｅ等の
ガス等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の
層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれ等のガス、のプラズマ雰囲気を形成するこ
とによって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を形
成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を一
層容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス
又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合して
層形成しても良い０ 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される府中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ，、或いは前記した７ラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良Ｖｓ。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとじて使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　Ｈ（Ｊ。

ＨＢｒ　、　ＨＩ　等の）・ロゲン化水素、　８　ｉＨ
＊　Ｆ−、Ｓ　１）ＬＩ−。

８ｉ＆（Ｊ？　、　８ｉＨ（Ｊｓ　、　５ｉＨｓＢｒ＊
　、　５ｉｔ（Ｂｒ＃等のハロゲン置換水素化硅素、及
びＧｅＨＦａ　、　ＧｅＨｔＦｔ　、　Ｇｅ）ＬＦ。

ＧｅＨＣｌ、　、　ＧｅＨ，Ｃ／、　、　ＧｅＨ，（Ｊ
　、　ＧｅＨｆ３ｒ、　、　ＧｅＨ，Ｂｒ、　。

ＧｅＨｓＢｒ、　ＧｅＨＩｓ　、　ＧｅＨｆ３ｒ　、　
ＧｅＨｓｌ　等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、等の
水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ
４．　ＧｅＣ１ａ。

ＧｅＢｒ１　、　ＧｅＩａ　、　ＧｅＦ、　、　ＧｅＣ
４、ＧｅＢｒ＊　、ＧｅＬ等のハロゲン化ゲルマニウム
、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第
１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出
来る。

これ等の物質の中水素原子を含む・・ロゲン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極め、て有効
な水素原子も導入されるので、本発明においてｔま好適
なハロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨｌ、或いはＳｉＨ４，５ｉｔ１−１．
。

８ｉ＃Ｈｓ、　ｆ３１ａＨｒａ　等の水素化硅素をＧｅ
を供給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と
、或いは、ＧｅＩ（ａ　、　Ｇｅ＊Ｈａ　、　Ｇｅ５Ｈ
ｓ　、　（ＪｅａｌＬｅ　、　ＧｅｄＬｔ　。

＜３ｅａＨ＋ａ　、　ＧｅｙＨｎ　、　（ｍａｌ（＋ａ
　、　ＧｅＪＬ。等の水素化ゲルマニウムとＳｔを供給
する為のシリコン又はシリコ／化合物と、を堆積室中に
共存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例におい〜て、形成される光導電部材
の第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の童の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは０．０１〜４０　
ａｔｏｍｉｃ％、よシ好適には０．０５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｃ％　、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（）１）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例え
ば支持体温度又は／及び水素原子（ｉ（）、或いはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物室の
堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれ
ば良い。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有されない第２の層領域（Ｓ）に必要に応じてゲルマニ
ウム原子の含有される第１の層領域（Ｇ）には伝導特性
を制御する物質（Ｃ）を含有させることによ）、該層領
域（Ｓ）及び該層領域（Ｇ）の伝導特性を所望に従って
任意に制御することが出来る。

この際、第２の層領域（Ｓ）に含有される前記物質（Ｃ
）は、層領域（Ｇ）の全領域又は一部の層領域に含有さ
れて良ｉが、いずれの場合も支持体側の方に多く分布す
る状態として含有される必要がある。即ち、第２の層領
域（Ｓ）に設けられる物質（Ｃ）の含有される層領域（
８ＰＮ　）は。

第２の層領域（Ｓ）の全層領域として設けられるか又は
、第２の層領域（Ｓ）の一部として支持体′側端部層領
域（ＳＥ）として設けられる。前者の全層領域として設
けられる場合には、その分布濃度Ｃ（Ｓ）が支持体側の
方向に向って、線型的に又はステップ状に、或いは曲線
的に増大する様に設けられる。

分布濃度Ｃ（Ｓ）が曲線的に増大する場合には支持体側
に向って、単調的に増大する様に伝導性を制御する物質
（Ｃ）を層領域（Ｓ）中に設けるのが望ましい。

層領域（ＳＰＮ）　を第２の層領域（Ｓ）中に、その一
部として設ける場合には５層領域（ＳＰＮ）中に於ける
物質（Ｃ）の分布状態は、支持体の表面と平行な面内方
向に於いては、均一とされるが、層厚方向に於いては、
均一でも不均一でも差支えない。この場合、層領域（５
ＰＮ）に於いて、物質（Ｃ）が層厚方向に不均一に分布
する様に設けるには、前記の第１の層領域（Ｓ）の全層
領域に設ける場合と同様の分布濃度線となる様に設ける
のが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）に伝導性を制御する物質（Ｃ）を含
有させて該物質（Ｃ）の含有される層領域（ＧＰＮ）を
設ける場合も、第２の層領域（８）に層領域（８ＰＮ）
を設ける場合と同様に行うことが出来る。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領
域（Ｓ）のいずれにも伝導特性を制御する物質（Ｃ）を
含有させる場合、両層領域に含有される物質（Ｃ）は同
種でも互いに異種であっても良い。面乍ら、両層領域に
同種の伝導性を制御する物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、該物質（Ｃ）の層厚方向に於ける最大分布濃度が第
２の層領域（Ｓ）にある、即ち、第２の層領域Ｃ８）の
内部又は、第１の層領域（Ｇ）との界面にある様に設け
るのが好ましい。殊に、前記の最大分布濃度が第１の層
領域（Ｇ）との接触界面又は、該界面近傍に設けるのが
望ましい。

本発明に於いては、上記の様に光受容層中に伝導特性を
制御する物質（Ｃ）を含有させて該物質（Ｃ）を含有す
る層領域（ＰＮ）を、第２の層領域（Ｓ）の少なくとも
一部の層領域を占める様に、好ましくは、第２の層領域
（Ｓ）の支持体側端部層領域（ＢＢ）として設ける。

層領域（ＰＮ）が第１の層領域（Ｓ）及び第２の層領域
（Ｇ）の両者に跨る様に設けられる場合には、伝導特性
を制御する物質（Ｃ）の層領域（ＧＰＮ）に於ける最大
分布濃度Ｃ（Ｇ　）　ｍａｘと、層領域（８ＰＮ）　に
於ける最大分布濃度Ｃ（Ｓ）ｍａｘ　との間には、Ｃ（
Ｇ）　ｍａｘ　（Ｃ（Ｓ）　ｍａｘなる関係式が成立す
る様に物質（Ｃ）が光受容層中に含有される０ 層領域（ＰＮ）に含有される伝導性を制御する物質（Ｃ
）としては、所謂、半導体分野で言われる不純物を挙げ
ることが出来ｉ本発明に於いては、Ｓｉ又は伽に対して
、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物、及びｎ型伝導特性
を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａ−ｌ（
アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム
）、Ｔｌタリウム）等があシ、殊に好適に用いられるの
は、ｆｌ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）　、Ａｓ（砒素）％８ｂ
（アンチモン）％”（ビスマス）等であシ、殊に好適に
用いられるのは、Ｐ　、　Ａｓである。

本発明において、光受容層中に設けられる層領域（ＰＮ
）に含有される伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含有量
は、該層領域（ＰＮ）Ｋ要求される伝導特性、或いは該
層領域（ＰＮ）が直に接触して設けられる支持体或いは
他の層領域との接触界面における特性との関係等、有機
的関連性において、適宜選択することが出来る。又、前
記層領域に直に接触して設けられる他の層領域の特性や
、該他の層領域との接触界面における特性との関係も考
覗されて、伝導特性を制御す本発明において、層領域（
ＰＮ　）中に含有される伝導特性を制御する物質（Ｃ）
の含有量としては、好ましくは、０．０１〜５　Ｘ　１
０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、　より好適には０．５〜
Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ１最適には１〜
５　Ｘ　１０”ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍとされルノがｉｔ
しい。

本発明において、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）を第１の層領域（Ｓ）と第２の層
領域（Ｇ）の接触界面に接して、或いは、層領域（ＰＮ
　）の一部が第１の層領域（Ｇ）の少なくとも一部を占
める様にし、且つ層領域（ＰＮ　）における該物質（Ｃ
）の含有量を、好ましくは３　ｇ　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ
以上、よシ好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐ戸以上、最
適には１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることに
よって、例えば該含有させる物質が前記のＰ型不純物の
場合に鉱、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受
けた際に支持体側から第２の層領域（Ｇ）中へ注入され
る電子の移動を効果的に阻止することが出来、又、前記
含有させる物質が前記のｎ型不純物の場合には、光受容
層の自由表面がｅ極性Ｋｆ電処理を受けた際に、支持体
側から第２の層領域（Ｇ）中へ注入される正孔の移動を
効果的Ｋｍ止することが出来る。

上記の様な場合には、不発明の前述した基本第４成の下
に前記層領域（ＰＮ　）を除いた部分の層領域＠）には
、層領域（ＰＮ　）に含有される伝導特性を支配する物
質の極性とは別の極性の伝導特性を支配する物質を含有
させても良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する
物質を、層領域（ＰＮ）に含有される実際の量よシも一
段と少ない量にして含有させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
　）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望
に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは、０
．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、よシ好適に
は０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適に
は０．１〜２０　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるの
が望ましい。

本発明において、層領域（ＰＮ　）及び層領域＠）に同
種の伝導性な支配する物質を含有させる場合には、層領
域（Ｚ）における含有量としては、好ましくは、　３　
Ｑ　ａｔｏｍｔｅ　ＰＰｍ以下とするのが望ましい。上
記した場合の他に、本発明においては、光受容層中に、
一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有させた
層領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質を
含有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触
領域に所謂璧乏層を設けることも出来る。つまシ、例え
ば光受容層中に、前記のＰ型不純物を含有する層領域と
前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する様
に設けて所謂Ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を設けるこ
とが出来る。

第１１図乃至第２４図には、光受容層中に含有される伝
導特性を制御する物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の典
型的例が示される。

これ等の図に於いて、横軸は、物質（Ｃ）　（２）層厚
方向の分布濃度Ｃ（ＰＮ）ｆｔ縦軸は、光受容層の支持
体側からの層厚ｔを示しである。ｔｏは、層領域（Ｇ）
と層領域（８）の接触界面の位置金示す。又、横軸、縦
軸に於いて使用する記号は、殊に断ららない限、す、第
２図乃至第１０図に於いて使用した記号と同様の意味を
持つ。

第１１図には、光受容層中に含有される伝導特性を制御
する物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の第１の典捜例が
一定される。第１１図に示される例では、物質（Ｃ）は
、層領域（Ｇ）には含有されておらず、層領域（Ｓ）に
のみ、濃度Ｃ０の一定分布濃度で含有されている。詰シ
、層領域（Ｓ）は、ｔｏとｔ。

間の端部層領域に物質（Ｃ）が濃度Ｃ，の一定の分布濃
度で含有されている。

第１２図の例では、層領域（Ｇ）には、物質（Ｃ）は万
偏無く含有されてはいるが、層領域（Ｓ）には物質（Ｃ
）は含有されてない。そして、物質（Ｃ）は、魁とｔ、
の間の層領域には、分布計度が０２と一定濃度で含有さ
れ、１．とｔＴＯ間の層領域には、Ｃ１よシは、遥かに
低い製度Ｃｓの一定濃度で含有されている。

この様な分布濃度Ｃ（ＰＮ）て物￥Ｅ（Ｃ）を光受容層
を構成する層領域（Ｓ＞に含有させることで、層領域（
Ｇ）よりｉ領域（Ｓ）に注入される電荷の表面方向への
移動を効果的に阻止することが出来ると同時に、光感度
及び暗抵抗の向上を計ることが出来る。

第１３図の同では、層領域（Ｇ）に物質（Ｃ）が万偏無
く含有されてはいるが、ｔｏに於ける濃度Ｃ４よシ上表
面方向に単調的に減少してｔＴに於いて濃度Ｏとなる様
に分布濃度Ｃ（ＰＮ）が変化している状態で物質（Ｃ）
が含有されている。層領域（Ｇ）には物質（Ｃ）は含有
されてない。

第１４図及び第１５図の例の場合は、物質Ｃ）が層領域
（Ｓ）の下部端部層領域に偏在的に含有されてしる例で
ある。即ち、第１４図及び第１５図の同の場合は、層領
域（Ｓ）は、物質（Ｃ）の含有されて−る層領域と、物
質（Ｃ）の含有されてない層領域とが、この順で支持体
側よ多積層され九層構造を有する。

第１４図と第１５図の例の場合に於いて、異なる点は、
第１４図の場合が分布濃度Ｃ（ＰＮ）がｔｏとｔ８間に
於いて、ｔＯの位置での濃度Ｃ５ｊＤｔ８の位置での濃
度Ｏｔで単調的に減少しているのに対して、第１５図の
場合は、ｔｏとｔ４間に於いて、ｔｏの位置での濃度Ｃ
０よシｔ４の位置での濃ＩＫＯまで線形的に連続に減少
していることである。第１４図及び第１５図の例の場合
も、層領域（Ｇ）には、物質（Ｃ）は含有されてない。

第１７図乃至第２４図の例に於いては、層領域（Ｇ）及
び層領域（Ｓ）の両者に伝導性を制御する物質（Ｃ）が
含有されている場合が示される。

第１７図乃至第２２図の例の場合は、層領域（Ｓ）は、
物質（Ｃ）が含有されている層領域と、物質（Ｃ）が含
有されてない層領域が支持体側よシこの順で積層された
２層構造を有しているのが共通している。その中で第１
７図乃至第２１図の例に於いては、いずれも層領域（Ｇ
）に於ける物質（Ｃ）の分布状態は第２の層領域（８）
との界面位置１．よシ支持体側に向って減少している分
布濃度Ｃ（ＰＮ　）の変化状態を有していることである
。

第２３図及び第２４図の例の場合は、光受容層の全層領
域に亘って層厚方向に物質（Ｃ）が万偏無く含有されて
いる。加えて第２３図の場合は、層領域（Ｇ）に於いて
は、ｉＢに於ける濃度ＣｔＳよりｔ。

に於ける濃度ＣＷｔ″！、でｔＢよ！７ｔ０に向って線
形的に増加し、層領域（Ｓ）に於いては、ｔｏに於ける
濃度ＣＷｔよＪ）　ｔＴに於ける濃度０まで１．よりｔ
Ｔに向って単調的に連続して減少している。

第２４図の場合は、ｔＢとｔ□の間の層領域に於いては
、濃度ｃａ４の一定分布濃度で物質（Ｃ）が含有され、
ｊ１３とｔＴの間の層領域に於いては、濃度Ｃ１ｌよシ
線形的に減少して、ｔＴに於いて０に至っている。

以上第１１図乃至第２４図に於いて、光受容層中に於け
る伝導性を制御する物質（Ｃ）の分布濃度Ｃ（ＰＮ）の
変化例の代表的な場合を説明した様に、いずれの例に於
いても、物質（り）の最大分布濃度が第２の層領域（Ｓ
）に有する様に物質（Ｃ）が光受容層中に含有される。

本発明に於いて、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
０層領域（Ｓ）を形成するには前記した第１の層領域（
Ｇ）形成用の出発物質（すの中よシ、Ｇ供給用の原料ガ
スとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領域（Ｓ
）形成用の出発物質（ＩＩ）　、ｌを使用して、第１０
層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に従っ
て行うことが出来る。

即ち、本発明に於いてＮ　ａ　Ｓｌ　（Ｈ２Ｘ、）で構
成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，
Ｘ）で構成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、
基本的には前記したシリコン原子（Ｓｔ）を供給し得る
Ｓｉ供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（
６）導入用の又は／及びハ目ゲン原子■導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置され
である所定の支持体表面上にａ−８ｔ（■（、Ｘ）から
なる層を形成させれば良い。又、スパッタリング法で形
成する場合には、例えば、Ａｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガ
ス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの芽囲気中
でＳｔで構成されたターゲットをスパッタリングする際
、水素原子斡）又は／及びノ飄ロゲン原子（３）導入用
のガスをスパッタリング用の堆積室に導入しておけば良
い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（ロ）の量又はハ
ロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｙ
ｎｉｃ　Ｘ、よシ好適には５〜３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％
、最適には５〜２５　ａｔｏｒｎｉｃ％とされるのが望
ましい。

光受容層を構成する層領域中に、伝導特性−全制御する
物質（Ｃ）、例えば、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構
造的に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（Ｐ
Ｎ　）を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入
用の出発物質或いは第■族原子導入用の出発物質をガス
状態で堆私室中に、光受容層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い。この様な第■族原子導入
用の出発物質と成シ得るものとしては、常温常圧でガス
状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。

その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的には
硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６、ＢｄＬ。。

Ｂ５Ｈ１ｌ　、ＢｓＨｓｔ　、ＢａＨ＋ｏ　−ＢｓＨｓ
ｔ　−Ｂ６ＨＩ４等の水素化硼素、ＢＦｓ　＋　ＢＣＬ
ｓ　ｔ　ＢＢｒｓ　、等のハｔｌゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、人ｔＪ：Ｌｓ　、　ＧａＣム＋　Ｇａ　
（ＣＨｓ　）ａ　＊　ＩｎＣｔａ　ｌＴにｔ３等も挙げ
ることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐似子導入用としては、ＰＨ，、
Ｐ、Ｈ，等の水素北隣、　ＰＨ４Ｉ　−ＰＦｓ　。

ＰＦｓ　ｙ　ＰＣＬｓ　ｒ　ＰＯ２、ＰＢｒｓ　＃　Ｐ
Ｉ　ｒｓ　ｒ　Ｐ　Ｉｓ等のハロゲン北隣が挙げられる
。この他、ＡａＨａ　ＨＡｓＦｌ　ｔ　ＡｓＣ４。

ＡａＢｒｓ　ｅ　Ａ８Ｆｌ　ｔ　５ｂＨｓ　ｔ　５ｂＦ
ｓ　ｐ　５ｂＦｓ　＃　５ｂＣｔ３ｅ　５ｂＣ４ｉ　ｔ
Ｂｉｎｓ　ａ　Ｂ１Ｃ４５＊　Ｂ１Ｂｒ５等も第Ｖ族原
子導入用の出発物質の有効なものとして挙けることが出
来る。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
計る目的の為に、光受容層中には、酸素原子が含有され
る。光受容層中に含有される酸素原子は、光受容層の全
層領域に刃側なく含有されてや良いし、或いは、光受容
層の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い。

又、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（０）が光受容層
の層厚方向に於いては、均一であっても、分布濃度Ｃ（
０）が層厚方向には不均一であっても良い。

本発明に於いて、光受容層に設けられる酸素原子の含有
されている層領域（０）は、光感度と暗抵抗の向上を主
たる目的とする場合には、光受容層の全層領域を占める
様に設けられ、支持体と光受容層又は第１の層領域′（
Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）との間の密着性の強化を計る
のを主たる目的とする場合には、光受容層の支持体側端
部層領域または、第１と第２の層領域界面近傍の領域を
占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（０）中に含有される酸素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、眉間の密着性の強化を確実に計る為に比
較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的低濃度に分布させ、光受容層の
自由表−面側に於いて比較的低濃度に分布させるか、或
いは、光受容層の自由表面側の表層領域には、酸素原子
を積極的には含有させない様な酸素原子の分布状態を層
領域（０）中に形成すれば良い。

又、さらに支持体ま九は第１の層領域（Ｇ）から第２の
層領域（Ｓ）への電荷の注入を防止して見掛は上階抵抗
を上げることを目的とする場合は、第１０層領域（Ｇ）
の支持体側端部に高濃度に酸素原子を分布させるか第１
の層領域と第２の層領域の界面近傍を高濃度に酸素原子
を分コ；せる。

第２５図乃至第４０図には、光受容　体としての酸素原
子の分布状態の典型的例が県される。尚、これ等の図の
説明に当って断わることなく使用される記号は、第２図
乃至第１０図に於いて使用したのと同様の意味を持つ。

第２５図に示される例では、位置ｔＢよシ位置ｔ＋’！
では酸素原子分布濃度Ｃ１と一定値とされ、位置ｔ１か
ら位置ｔＴｔで酸素原子分布濃度Ｃ１と一定とされてい
る。

第２６図で示される例では、位置ｔＢよ多位置ｔ、まで
は酸素原子分布濃度Ｃ１と一定値とされ、位置ｔ、よ多
位置ｊｓｌでは酸素原子分布濃度ｃ４とされ、位置ｔ。

から位置ｔＴまでは酸素原子分布濃度Ｃ３とされて３段
階で酸素原子分布濃度を減少させている。

第２７図の例では、位置ｔｎよシ位Ｒｔ、まで酸素原子
分布濃度Ｃ・とし、位置ｔ４から位置ｔＴまで酸素原子
分布濃度Ｃ１とされている。

第２８図の例では、位置ｔｎｊニジ位置ｔＩｔで酸素原
子分布濃度Ｃ８とじ、位置ｔ、がら位置ｔ６　まで酸素
原子分布濃度Ｃｏとし、位置ｔ６から位置ｔＴまで酸素
原子分布濃度ＣＩＯとしている。このように３段階で酸
素原子分布濃度を増加している。

第２９図の例では、位置ｔＢよ多位置ｔ？　まで酸素原
子分布濃度ＣＷｔとし、位置１．から位置ｔ６まで酸素
原子分布濃度Ｃ４とじ、位置ｔ、から位置ｔＴまで酸素
原子分布濃度Ｃ１８としている。支す体側および自由表
面側で酸素原子分布濃度が高くなるようにしである。

第３０図に示される例では、位置ｔＢより位置ｔ＠まで
は酸素原子分布濃度Ｃ１４とされ、位置ｔ、から位置ｔ
１・まで酸素原子分布濃度ＣＢとし１１位置ｔ、ｓ。

から位置ｔＴまで酸素原子分布濃度ＣＩ４としている。

第３１図に示される例では、位置ｔＢから位置１１１ま
で酸素原子分布濃度ｅｔａとし位置ｔ□から位置ｔ１２
まで酸素原子分布濃度をＣ１？と階段状に増加させ、位
置ｔ１２から位置ｔＴまで酸素原子分布濃度ＣＩ’ｌと
減少させている。

第３２図の例では、位置ｔＢから位置ｔｌ１１まで酸素
原子分布濃度Ｃｌ１１とし、装置ｔ１３から位ｔ　Ｌｓ
ａまで酸素原子分布濃度をＣｔ◎と階段状に増加させ、
位置ｔ１４から位置ｔＴまで酸素原子分布濃度を初期の
濃度よシも少ない濃度Ｃ！ｌとしている。

第３３図に示される例では、位置ｔＢから位置ｔ１６ま
で酸素原子分布濃度ＵＣ，ｔとし、位置ｔ工から位置ｔ
１６まで酸素原子分布濃度をＣｔＳに減少させ、位＠ｔ
８．から位置ｔｌ？まで酸素原子分布濃度Ｃオ。と階段
状に増加させ、位置ｔｔａから位置を丁まで酸素原子分
布濃度をＣ２３まで減少させている。

第３４図に示される飼では、酸素原子の分布濃ＫＣ（０
）は、位置ｔＢよ多位置ｔＴに至って分布濃度０からＣ
□まで連続的に単調増加している。

第３５図に示される例では、酸素原子の分４布、濃度Ｃ
（０）は、位置１Ｂに於いて、分布濃度ａ２ｅで、該分
布濃度Ｃｔａよシ、位置ｔｌｌに至るまでは単調的に連
続して減少し、位置ｔｔａで分布級度Ｃｗｔ　となって
いる。位置ｔ□よ多位置ｔＴＯ間に於いては、酸素原子
の分布濃度Ｃ（０）は、位置ｔ＋ａｊｊ）連続して単調
的に増加し、位置ｔＴに於いて分布濃度Ｃ□となってい
る。

第３６図の例に於いては、第３５図の例と比較的類似し
ているが、異なるのは、位置ｔ□と位置１．に於いて、
酸素原子が含有されてないことである。

位置ｔＢと位置ｔｌＧの間では、位置ｔＢに於ける分布
濃度Ｃ２ｏよ多位置ｔｌＧに於ける分布濃度０まで連続
的に単調減少し、位置１．と位置ｔＴの間では、位置ｔ
！ｏに於ける分布濃度Ｏよ多位置ｔＢに於ける分布濃度
Ｃ３゜まで連続的に単調増加している。

本発明の光導電部材に於いては、第３４図乃至第３６図
にその典型例が示される様に、光受容層の下部表面又は
／及び上部表面側により多く酸素原子を含有させ且つ光
受容層の内部に向ってはよシ少なく酸素原子を含有させ
ると共に、酸素原子の層厚方向への分布濃度Ｃ（０）を
連続的に変化させることで、例えば光受容層の高光感度
化、高暗抵抗化を図っている。

その他、第３４図乃至第３６図に於いては、酸素原子の
分布濃度Ｃ（ｏ）を、連続的に変化させることで酸素原
子Ａ含有による層厚方向に於ける屈折率の変化を緩やか
にしてレーザ光等の可干渉光によって生ずる干渉を効果
的に防止している。

第３７図に示される例では、位置ｔＢよ多位置ｔｘｔま
では酸素原子濃度Ｃｓｔとされ、位置ｔ２１から位置ｔ
２ｔまで増加し位置ｔ７．で酸素原子濃度はピーク値Ｃ
Ｓｔになる。位置ｔｕから位置ｔ２ｍまで酸素原子濃度
は減少し位置ｔＴで酸素原子濃度Ｃ□となる。

第３８図に示される例では、位置ｔＢから位置ｔ、４ま
では酸素原子濃度Ｃおとされ位置ｔ２４から位置ｔａｌ
＋まで急激に増加し位置ｔｏで酸素原子濃度はピーク値
Ｃｓ４をと多位置ｔ２５から位置ｔＴまで酸素原子濃度
がほとんど零になるまで減少する。

第３９図に示される例では、位置ｔＢから位置ｔ、＠ま
で酸素原子濃度がＣ８１１から０３１１までゆるやかに
増加し、位置ｔ２６で酸素原子濃度はピーク値Ｃｓａと
なる。位置ｔヨから位置ｔＴまで酸素原子濃度は急激に
減少して位置ｔＴで酸素原子濃度Ｃａｌ＋となる。

第４０図に示される例では、位置ｔＢで酸素原子濃度Ｃ
Ｉ？で位置ｔ２０まで酸素原子濃度は減少し酸素原子濃
度Ｃｓｉとなる位置ｔ２１１から位置ｔ２１まで酸素原
子濃度Ｃｔｓで一定である。位置ｔｔｓから位置ｔｏま
で酸素原子濃度は増加し、位置ｔｔｓで酸素原子濃度は
ピーク値Ｃ８゜をとる。位置ｔ、。から位置１＝まで酸
素原子濃度は減少し位置ｔＴで酸素原子濃度Ｃｓｓとな
る。

本発明に於いて、層領域（０）が光受容層の全域を占め
るか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層領域
（０）の層厚Ｔ０の光受容層の層厚Ｔに占める割合が充
分多い場合には、層領域（０）に含有される酸素原子の
含有量の上限は、前記の値よシ充分少なくされるのが望
ましい。

本発明の場合には、層領域（０）の層厚Ｔｏが光受容層
の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様な
場合には、層領域（０）中に含有される酸素原子の量の
上限としては、シリコン原子。

ゲルマニウマ原子、酸素原子の３者の和（以後「Ｔ　（
５ｔＧｅＯ）　Ｊと記す）に対シテ、好マシくハ、３　
Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％以下、よシ好ましくは、２９　ａｔ
ｏｍｉｃ％以下、最適にはＩ　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　Ｘ以
下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する酸素原子の含有さ
れる層領域（０）は、上記した様に支持体側及び自由表
面近傍の方に酸素原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域［Ｆ］）を有するものとして設けられるのが望
ましく、前者の場合には、支持体と光受容層との間の密
着性をよシ一層向上させること及び受容電位の向上を計
ることが出来る。

上記局在領域の）は、第２５図乃至第４０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢまたは自由表面ｔＴ
よシ５μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域［Ｆ］）は、界面位置
ｔＢまたは自由表面ｔＴよシ５μ厚までの全層領域（Ｌ
Ｔ）とされる場合もあるし、又、層領域（ＬＴ）の一部
とされる場合もおる。

局在領域［Ｆ］）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜法められる。

局在領域［Ｆ］）はその中に含有される酸素原子の層厚
方向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値Ｃｍ
ａｘが、好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上
、よシ好適にはＢ　００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、
最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、とされ
る様な分布状態となシ得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
（０）は、支持体側または自由表面からの層厚で５μ以
内（ｔＢｔだはｔＴから５μ厚の層領域）に分布濃度の
最大値Ｃｍａｘが存在する様に本発明に於いて、層領域
（０）が光受容層の全域を占めるか、或いは、光受容層
の全域を占めなくとも、層領域（０）の層厚ＴＯの光受
容層の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域
（０）に含有される酸素原子の含有量の上限は、前記の
値より充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（０）の層厚ＴＯが光受容層
の層厚Ｔに対して占め−る割合が５分の２以上となる様
な場合には、層領域（０）中に含有される酸素原子の量
の上限としてはＴ　（ＳｉＧｅＯ）に対して好ましくは
、３０　ａｔｏｍｉｃ％以下、より好ましくは、２０　
ａｔｏｍｉｃ％以下、最適には１０ａｔｏｍｉｃ％以下
とされるのが望ましい。

本発明に於いては、本発明の目的をより効果的に達成す
る為に層領域（０）に於ける酸素原子の層厚方向に於け
る分布濃度線は、全領域に於いて滑らかであって且つ連
続している様に層領域（０）中に酸素原子が含有される
のが望ましい。

又、前記分布濃度線が、その最大分布濃度Ｃｍａｘを光
受容層の内部に存在する様に設計されることにより、後
述される効果が顕著に発揮される。

本発明に於いては、前記の最大分布濃度Ｃｍａｘは、好
ましくは、光受容層の支持体とは反対の表面（第１図で
は自由表面側）の近傍に設けられるのが望ましい。この
場合、最大分布濃度（：ｍａｘを適当に選ぶことで光受
容層の自由表面側より帯電処理を受けた際に該表面から
光受容層内部に電荷が注入されるのを効果的に阻止する
ことが出来る。

又、前記自由表面近傍に於いては、酸素原子の分布濃度
が自由表面に向って最大分布濃度Ｃｍａｘより急峻に減
少する様に酸素原子を光受容層に含有されることにより
、多湿雰囲気中での耐久性を一層向上させることが出来
る。

酸素原子の分布濃度曲線を最大分布濃度Ｃｍａｘを光受
容層の内部に有する場合には、更に分布濃度の極大値が
支持体側の方に存する様に分布濃度曲線を設計して、酸
素原子を含有させることにより支持体と光受容層との間
の密着性と電荷注入阻止を向上させることが出来る。

本発明に於いて、酸素原子は、光受容層の中央部層領域
に於いては、暗抵抗の増大を努めるも光感度を低下させ
ない程度の量範囲で含有させることが望ましい。

本発明に於いて、酸素原子の最大分布濃度Ｃｍａｘとし
ては、Ｔ　（８ｉＧｅＯ）に対して、好ましくは６７　
ａｔｏｍｉｃ％以下、より好ましくは５０ａｔｏｍｉｃ
％以下、最適には４０　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるの
が望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（０）に
含有される酸素原子の含有量は、層領域（０）自体に要
求される特性、或いは該層領域（０）が支持体に直に接
触して設けられる場合には、該支持体との接触界面に於
ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含有量が適宜選択される。

層領域（０）中に含有される酸素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、Ｔ　（８ｉＧｅＯ）に対して好ましく
は０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは
０．００２〜４０　ａｔｏｍｉ　ｃ％、最適には０．０
０３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に酸素原子の含有された層領
域（０）を設けるには、光受容層の形成の際に酸素原子
導入用の出発物質を光受容層形成用の出発物質と共に使
用して、形成される層中にその量を制御し乍ら含有して
やれば良い。

層領域（０）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、光受容層形成用の出発物質の中から所望に従って
選択されたものに酸素原子導入用の出発物質が加えられ
る。その様な酸素原子導入用の出発物質としては、少な
くとも酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のものが使用
され得る。

例えばシリコン原子（８ｉ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子と
する原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）、酸素原子（０
）及び水素原子（）１）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（０ρ、オゾン（Ｏｓ）−一酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（Ｎｏ、）、−二酸化窒素
（ＮｔＯ）、三二酸化窒素（ＮｔＯｓ）　、四二酸化窒
素（ＮｔＯ４）−三二酸化窒素（Ｎ２０１１）−三酸化
窒魚ＮＯ，）。

シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原僧とを
構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ，５ｉＯ８
ｉｌｌ、）　ｔ　）　！Ｊ　シｏ　＋　４）　ン（Ｈ，
５ｉＯ８ｉＨ，０８ｉＨ３）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層領域
（０）を形成するには単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ
ー又はＳｉｎ、ウェーハー、又はＳｉと５ｉｎｓが混合
されて含有されているウェーハーをターゲットとして、
これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタリングすること
によって行えば良い。

例えば、ＳＳウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又ハ／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスブフズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッタリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＳｉｎ、とは別々のターゲットとし
て、又は８４と５ｉｎ２の混合した一枚のターゲットを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（史又は／
及びハロゲン原子（３）を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッタリングすることによって成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、酸素原子の含
有される層領域（０）を設ける場合、該層領域（０）に
含有される酸素原子の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向に変
化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒ
ｏｆｉＩ！ｅ　）を有する層領域（０）を形成するには
、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（０）を変化させ
るべき酸素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流
量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら、堆積
室内に導入することによって成される。例えば手動ある
いは外部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方
法により、ガス流路系の途中に設けられた所定のニード
ルパルプの開口を漸次変化させる操作を行えば良い。こ
のとき、流量の変化率は線型である必要はなく、例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線
に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることも
できる。

層領域（０）をスパッタリング法によって形成する場合
、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向で
変化させて酸素原子の層厚方向の所望の分布状態（ｄｅ
ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｅｅ　）を形成するには、第一には
、グロー放電性による場合と同様に、酸素原子導入用の
出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ導入
する際のガス流量を所望に従って適宜変化させることに
よって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲットを、例えばＳ
ｔと８ｉ０．との混合されたターゲットを使用するので
あれば、Ｓｉと８ｉ０．との混合比を、ターゲットの層
厚方向に於いて、予め変化させておくことによって成さ
れる。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ　＋ステンレス。

Ａｔ’＋ＣｒｔＭｏ、Ａｕ＊Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｖ＋Ｔｉ　、
Ｆｉｎｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては−ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の′電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を４
亀処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けら
れるのが望ましい。

例えば、ガラスであれは、その表面に、Ｎｒ　Ｃｒ　ｔ
Ａｅ、ＣｒｔＭｏ＋Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ＋Ｔａ、Ｖ、’ｌ
’ｉ　、Ｐｔ、Ｐｄ＋Ｉｎ、０３ａ　ＳｎＯ，、Ｉ’Ｉ
”０　（Ｉｎ、０．＋　５ｎ０２）等から成る簿膜を設
けることによって導電性が付与され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｒＣｒ　
＊　Ａｅ　、Ａｇ　、Ｐｂ　、Ｚｎ　ｒ　Ｎｉ　、Ａｕ
。

ｃｒ　、Ｍｏ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ　
、ＰＬ等の金属の薄膜を真空蒸着、′１ｔ　Ｆビート蒸
着、スパッタリング等でその表面に設り、又は前記金属
でその表面をラミイ・−ト処理して、その表面に導′亀
性がイー、］与される。支持体の形状としては、円筒状
、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、
その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部組
１００を電子写真用像形成部材と して使用するのであれは連醋高速複写の場合には、無端
ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さ
は、所望通りの光導電部材が形成される様に適宜決定さ
れるが、光導電部材として可撓性が要求される場合には
、′支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれ
ば可能な限り薄くされる。面乍ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は
、１０ａ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１４図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の２０２〜２０６のガスボンベには、本発明の光導
電部材・を形成するための原料ガスが密封されており、
その−例としてたとえば２０２は、Ｈｅで稀釈されたＳ
ｉＦ４ガス（純度９９．９９９％。

以下ＳｉＦ、／Ｈｅと略す。）ボンベ、２０３はＨｅで
稀釈されたＧｅＦ、ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇ
ｅＦ。

／　Ｈｅと略す。）ボンベ、２０４はＮＯガス（純度９
９．９９％、以下ＮＯと略す。）ボンベ、２０５はＨｅ
で稀釈されたＢ、Ｉ（、ガス（純度９９．９９９％。

以下Ｂ、Ｈ，／Ｈｅと略す。）ボンベ、２０６はＨ，ガ
ス（純度！、９９ｃ＋％）ボンベである。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６のパルプ２２２〜２２６、リークパル
プ２３５が閉じられていることを確認し、又、流入パル
プ２１２〜２１６、流出バルブ２１７〜２２１、補助バ
ルブ２３２゜２３３が開かれていることを確認して、先
ずメインパルプ２３４を開いて反応室２０１、及び各ガ
ス配管内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５　
Ｘ　１０’　ｔｏｒｒになった時点で補助ノ々ルブ２３
２．２３３、流出バルブ２１７〜２２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２３７上に光受容層を形成する場
合の一例をあげると、ガスボンベ２０２より８ｉＦ、／
Ｈｅガス、ガスボンベ２０３よりＧｅＦ、／Ｈｅガス、
ガスボンベ２０４よりＮＯガス、ガスボンベ２０６より
Ｈ２バルブ２２２，２２３゜２２４．２２６を夫々間い
て出口圧ゲージ２２７゜２２８．２２９．２３１の圧を
ｌｌｃｇ／ｄに調整し、流入バルブ２１２．２１３．２
１４．２１６を徐々に開けて、マスフロコントローラ２
０７゜２０８．２０９．２１１内に夫々を流入させる。

引き続いて流出バルブ２１７，２１８，２１９゜２２１
、補助バルブ２３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室
２０１に流入させる。このときのＳｉＦ、／Ｈｅガス流
量とＧｅＦ４／　Ｈｅガス流量とＮＯガス流量とＨ２ガ
ス流量との比が所望の値になるように流出パルプ２１７
　、２１８，２１９，２２１を調整し、又、反応室２０
１内の圧力が所望の値になるように真空計２３６の読み
を見ながらメインパルプ２３４の開口を調整する。そし
て基体２３７の温度が加熱ヒータ２３８により５０〜４
００℃の範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源２４０を所望の電力に設定して反応室２０１内
にグロー放電を生起させて基体２３７上に第１の層領域
（Ｇ）を形成する。

所望の層厚に第１の層領域（Ｇ）が形成された時点に於
いてすべてのバルブを完全に閉じる。

８ｉＦ、／ＨｅガスボンベをＳｉＦ’４／Ｈｅ　（Ｓｉ
Ｈ，純度９９．９９９％）ボンベにがえて、８ｉＨ，／
Ｈｅガスボンベライン、Ｂ、Ｈ，／Ｈｅガスボンベライ
ン、Ｎｏガスボンベラインを使用して第１の層領域０の
形成と同様なバルブ操作を行って所望のグリ−放電条件
に設定して、所望時間グロー放電を維持することで、前
記の第１の層領域（Ｇ）上にゲルマニウム原子が実質的
に含有されていない第２の層領域（８）を形成すること
ができる。

この様にして、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）とで構成された光受容層が基体２３７上に形成される
。

層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため基体
２３７はモータ２３９により一定速度で回転させてやる
のが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第４１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ／
基体上に第１表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料Ａ１−１〜６−１３）を夫々作成した（
第２表）。

各試料に於ける不純物原子（ＢｏｒＰ）の含有分布濃度
は第４２図に、又、酸素原子の含有分布濃度は第４３Ａ
図及び第４３Ｂ図に示される。

各原子の分布濃度は各対応するガスの流量比を予め設計
された変化率線に従って変化させることによって制御し
た。

こうして得られた各試料材を、帯電露光実験装置に設置
し■５．　ＯＫＶで０．３　ｓｅｃ間コｐす帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光
源を用い、２　ｅｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を各試料の光受容層表面をカスケードすること
によって、光受容層表面上に良好なトナー画像を得た。

光受容層上のトナー画像を、■５．　ＯＫＶのコレナ帯
電で転写紙上に転写した所、各試料ともにＭ像カに優れ
、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

上記１に於いて光源をタングステンランプの代りに８１
０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用い
て、静電像の形成を行った以外は上記と同様にして各試
料に就いてトナー転写画像の画質評価を行またところ、
いずれの試料も解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な
高品位の画像が得られた。

実施例２ 第４１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ／
基体上に第３表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料Ａ　２１−１〜２６−１０）を夫々作成
した（＠４表）。

各試料に於ける不純物原子の含有分布濃度は第４２図に
、又、酸素原子の含有分布濃度は第４４図に示される。

これ等の試料の夫々に就で、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就で３８℃、８０％Ｒ
Ｈの環境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行った
ところ、いずれの試料も画像品質の低下は見られなかっ
た。

実施例３ 第４１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｅ
基体上に第５表に示す条件で電子写真用像形成部材層し
ての試料（試料！３１１〜３６−１６）を夫々作成した
（第６表）。

各試料に於ける不純物原子の含有分布濃度は化４２図に
、又、酸素原子の含有分布濃度は第４３Ａ図、第４３Ｂ
図及び第４４図に示される。

これ等の試料の夫々に就で、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就で、３８°０，８０
％Ｒｌｌ−１の環境に於いて２０万回の繰返し使用テス
トを行ったところ、いずれの試料も画像品質の低下は見
られなかった。

実施例４ 第４１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡ／
基体上に第７表に示す条件で電子写真用像形成部材とし
ての試料（試料Ａ４１１〜４６−１６’）を夫々作成し
た（第８表）。

第１の層領域（Ｇ）の形成時のＧｅＨ４ガスの流量比を
予め設計された変化率線に従って変化させて第４５図に
示すＧｅ分分布変度なる様に層領域（Ｇ）を彫成し、ま
た第２の層領域（Ｓ）の形成時のＢ、Ｈ６ガス及びＰＨ
，ガスの流量比を予め設計された変化率線に従って変化
させて第４２図に示す不純物分布濃度となる様に層領域
（Ｓ）を形成した。

又、第１の層領域（Ｇ）の形成時のＮｏガスの流量比を
予め設計された変化率線に従って変化させて第４３Ａ図
及び第４３Ｂ図に示すＯ分布β度となる様に層ｊ頂域（
Ｇ）を形成した。

これ等の試＞：′：８＋の夫々に就で実施例１と同様の
画像評価を行ったところ、いずれの試料も高品質の画像
を得ることが出来る。

実施例５ 第４１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｅ
基体上に第９表に示す条件で実施例１と同様に各ガス流
量比を制御して電子写真用像形成部材としての試料（試
料Ａ３１１〜５６−１２）を夫々作成した（第ｉｏ表）
。

各試料に於ける不純物原子の含有分布濃度は第４２１Ｊ
に、又、酸素原子の含有分布濃度は第４４図に、ゲルマ
ニウム原子の含有分布濃度は第４５図に示される。

これ等の試料の夫々に就で、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就で、３８℃、８０％
ＲＨの環境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行っ
たところ、いずれの試料も画像品質の低下は見られなか
った。

実施例６ 第４１図に示した製造装置により、シリンダー状のｈｅ
基体上に第１１表に示す条件で実施例１と同様に各ガス
の流量比を制御して電子写真用像形成部材としての試料
（試料Ａ６１１〜６１０−１３）を夫々作成した（第１
２表）。

各試料に於ける不純物原子の含有分布濃度は第４２図に
、又、酸素原子の含有分布濃度は第４３Ａ図、第４３Ｂ
図及び第４４図に示され、ゲルマニウム原子の含有分布
濃度が第４５図に示される。

これ等の試料の夫々に就で、実施例１と同様の画像評価
テストを行ったところ、いずれの試料も高品質のトナー
転写画像を与えた。又、各試料に就℃３８°Ｃ１８０％
Ｒ，Ｈの環境に於いて２０万回の繰返し使用テストを行
ったところ、いずれの試料も画像品質の低下は見られな
がっ以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を
以下に示す。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ）含有量・・・・・
・約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有量・・・
約２５０℃放電周波数：１３．５６恥 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の層構成を説明する為の模
式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々層領域（Ｇ）
中のゲルマニウム原子の第１１図乃至第２４図は夫々不
純物原子の、第２５図乃至第４０図は、夫々酸素原子の
分布状態を説明する為の説明図、第４１図は本発明で使
用された装置の模式的説明図で、第４２図乃至第４５図
は夫々本発明の実施例に於ける各原子の分布状態を示す
説明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体　１０２
・・・光受容層１０３・・・層領域（Ｇ）　１０４・・
・層領域（Ｓ）出願人　キャノン株式会社 代理人　丸　島　儀　」ｊ胛費 ｐＨｉｌ剪 Ｃ Ｃ □Ｃ Ｑ　Ｃｒ −一一一一一□−Ｃ（ＰＮ） 一一一一一□□□−−−１−Ｃ＜ｆ’Ｎン一−一−−−
−ラＣ（ＰＮＩ ＣとＰＮ） 一−−−−−−−−−−−−−−−−−□□→−−Ｃ（
ＰＮノー□□□□□−−一□−−−−−−Ｃ（ＰＮ〕Ｃ
（ｐＮ） 一−シＣ（ｐＮ） ｃ′（ＰＮ） 一一一一一一一一嘩−と〕（ＰＮ） □と：（ｐｎ） −Ｃ（ＰＮ） −Ｃ（ＰＮ） 一一一一一一ンＣ（ＰＮＪ ３６１− 一一−−−−−、イ×０） Ｃ（０） ＣＬＬ／ノ Ｃ（０） Ｃ６０ 乙（Ｕ） θＣｓｘ　Ｑ斧 □　Ｃ（０ン ０　にｓｓ　しｊ７　しＪｒ −一一一−デＤ（Ｄ） 手続補正書（目先 昭和５９年１１月９日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１５７５８１号 ２、発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１０’
Ｏ）キャノン株式会社 代表者　賀　来　龍　三　部 ４、代理人 居所　〒１４６東京都大田区下丸子３−３０−２明　細
　書 ６、補正の内容 （１）明細書第８２頁第８表のｒＧｅ及びＯの分布状態
図」の欄の４３１１と４３１２の間の空欄にｒ４５０３
４を加入する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　光導電部材用の支持体と、該支持体上に、ゲル
   マニウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層領
   域（Ｇ）と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され
   、−光導電性を示す第２の層領域（８）とが前記支持体
   側よシ順に設けられた層構成の光受容層とを有し、該光
   受容層は、酸素原子を含有すると共に、伝導性を制御す
   る物質（Ｃ）を、該光受容層に於いては、層厚方向の分
   布濃度の最大値が前記第２の層領域（８）中ｖｃあり且
   つ前記第２の層領域（Ｓ）に於いては、前記支持体側の
   方に多く分布する状態で含有している事を特徴とする光
   導電部材。 （２）第１の層領域（Ｇ）中にシリコン原子が含有され
   ている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （３）　第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原
   子の分布状態が層厚方向に不均一である特許請求の範囲
   第１項に記載の光導電部材。 （４１Ｍ１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が層厚方向に均一である特許請求の範囲第１
   項に記載の光導電部材。 （５）第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （６）　第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の
   少なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有されてい
   る特許請求の範囲第１項及び同第５項に記載の光導電部
   材。 （７）　第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原
   子の分布状態が前記支持体側の方に多く分布する分布状
   態である特許請求の範囲第２項に記載の光導電部材。 （８）　伝導性を支配する物質（Ｃ）が周期律表第第１
   族に属する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光
   導電部材。 （９）　伝導性を支配する物質（Ｃ）が周期律表第Ｖ族
   に践する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導
   電部材。