JPS60122921A - 絶縁層を設けたｅｃｄ - Google Patents
絶縁層を設けたｅｃｄInfo
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- JPS60122921A JPS60122921A JP58230401A JP23040183A JPS60122921A JP S60122921 A JPS60122921 A JP S60122921A JP 58230401 A JP58230401 A JP 58230401A JP 23040183 A JP23040183 A JP 23040183A JP S60122921 A JPS60122921 A JP S60122921A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1533—Constructional details structural features not otherwise provided for
- G02F2001/1536—Constructional details structural features not otherwise provided for additional, e.g. protective, layer inside the cell
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
素子である工Ｉ／クトロク口ミンク（以下ＥＣと略す）
表示素子（ Ｅ Ｃ Ｉ） ）に関する。
表示素子（ Ｅ Ｃ Ｉ） ）に関する。
■シＣ表示素子は視野角依存性の少ないことおよび視認
性の良い（表示が明るい）ことを特徴として最近時計そ
の他の分野での表示素子として注目されている。ＥＣ表
示素子の中で薄膜を積層して成る固体型素子が素子の薄
型化等の有利性から盛んに研究されて来て℃・る。本発
明はこの固体型ＥＣ表示素子の表示品質の改善に関する
。
性の良い（表示が明るい）ことを特徴として最近時計そ
の他の分野での表示素子として注目されている。ＥＣ表
示素子の中で薄膜を積層して成る固体型素子が素子の薄
型化等の有利性から盛んに研究されて来て℃・る。本発
明はこの固体型ＥＣ表示素子の表示品質の改善に関する
。
第１図に従来の固体型ＥＣ表示素子の基本構成を模式断
面図により示す、基板ガラス１上に下部電極となるイン
ジウム−錫酸化物（ＩＴＯと略す）２、酸化着色ＥＣ物
質である水酸化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）ｎ’）３−固
体電解質である五酸化タンタル（’Ｉ”ａ２０，）４一
還元着色型ＥＣ物質である三酸化タングステン（ＷＯｓ
） ５および上部ＩＴＯ電極６を順次真空蒸着または
イオンプレーティング法により形成する。この構造にお
いて還元着色型ＥＣ物質であるＷＯ，は一 ＷＯ，十ｘ Ｈ＋＋ ｘ ｅ− →Ｉ−Ｉ Ｘ ＷＯ３
で示されるプロトン（１−１＋）と電子（ｅ−）の二重
注入により着色するいまた酸化着色ＥＣ物質であるＩｒ
（ＯＨ）ｎは Ｉｒ（０１］） 一ｘＨ”−ｅ −＋ ＩｒｅＸ（ＯＨ
）ｎ。
面図により示す、基板ガラス１上に下部電極となるイン
ジウム−錫酸化物（ＩＴＯと略す）２、酸化着色ＥＣ物
質である水酸化イリジウム（Ｉｒ（ＯＨ）ｎ’）３−固
体電解質である五酸化タンタル（’Ｉ”ａ２０，）４一
還元着色型ＥＣ物質である三酸化タングステン（ＷＯｓ
） ５および上部ＩＴＯ電極６を順次真空蒸着または
イオンプレーティング法により形成する。この構造にお
いて還元着色型ＥＣ物質であるＷＯ，は一 ＷＯ，十ｘ Ｈ＋＋ ｘ ｅ− →Ｉ−Ｉ Ｘ ＷＯ３
で示されるプロトン（１−１＋）と電子（ｅ−）の二重
注入により着色するいまた酸化着色ＥＣ物質であるＩｒ
（ＯＨ）ｎは Ｉｒ（０１］） 一ｘＨ”−ｅ −＋ ＩｒｅＸ（ＯＨ
）ｎ。
で示される（１−１＋）と（ｅ”）の二重放出により着
色する。
色する。
そしてこれらの２つのＥＣ物質は相補的にプロトンのや
り取りを行ない同時に着消色し一透明な’ｌ’ ａ２０
．層を通して二重に着色が観察される。
り取りを行ない同時に着消色し一透明な’ｌ’ ａ２０
．層を通して二重に着色が観察される。
この構成においてはＩｒ（ＯＨ）ｎとＷＯ２が重ね合わ
さった部分のみが着色する。即ち表示パターンは表示部
形状に形成されたＩｒ（ＯＨ）ｎによって規制される。
さった部分のみが着色する。即ち表示パターンは表示部
形状に形成されたＩｒ（ＯＨ）ｎによって規制される。
ところでこのように構成された固体型ＥＣ表示素子にお
いて一消色時に表示部のみ十分に消色しない色残りの問
題がある。この事により素子の表示品質は著しく損われ
実用上大いに問題となる、本発明はこの色残りの改善に
関する。以下実施例により説明する。
いて一消色時に表示部のみ十分に消色しない色残りの問
題がある。この事により素子の表示品質は著しく損われ
実用上大いに問題となる、本発明はこの色残りの改善に
関する。以下実施例により説明する。
第２図に本発明固体型ＥＣ表示素子の構成の模式断面図
を示す。ガラス基板１１上に下部ＩＴＯ電極１２を形成
する。その上に表示パターン形状にＩｒ（（井１）ｒ１
３を、また下部ＩＴＯ電極の外部導通のための引出し部
とＩｒ（ＯＨ）ｎ積層部（表示部）以外の下部１１”０
電極上全面にアルミナ（ΔＪ２０３ ）絶縁膜２０を形
成する。、Ｉｒ（ＯＨ）ｎおよびＡ４□Ｏ８のバターニ
ングはエツチング法又はリフトオフ法により行なわれる
。その上にＴａ、０．層１３−ＷＯ，層１４および上部
ＩｒＯ層１５を順次積層し素子を構成する。
を示す。ガラス基板１１上に下部ＩＴＯ電極１２を形成
する。その上に表示パターン形状にＩｒ（（井１）ｒ１
３を、また下部ＩＴＯ電極の外部導通のための引出し部
とＩｒ（ＯＨ）ｎ積層部（表示部）以外の下部１１”０
電極上全面にアルミナ（ΔＪ２０３ ）絶縁膜２０を形
成する。、Ｉｒ（ＯＨ）ｎおよびＡ４□Ｏ８のバターニ
ングはエツチング法又はリフトオフ法により行なわれる
。その上にＴａ、０．層１３−ＷＯ，層１４および上部
ＩｒＯ層１５を順次積層し素子を構成する。
第１図構造の固体型ＥＣ表示素子の消色時の表示部の光
透過率（６３３ｎｍ Ｈｅ−Ｎｅレーザー測定）は８１
％で非表示部の光透過率９５％に比較してかなり低く−
目視で色残りがはっきり認識される。
透過率（６３３ｎｍ Ｈｅ−Ｎｅレーザー測定）は８１
％で非表示部の光透過率９５％に比較してかなり低く−
目視で色残りがはっきり認識される。
第２図構造−即ち非表示部にＡｌ２Ｏ３絶縁膜２０を配
した構造においては消色時の光透過率は表示部で９４％
、非表示部で９５％で目視−ヒ殆んど区別されず、全く
色残りがないと判定される。
した構造においては消色時の光透過率は表示部で９４％
、非表示部で９５％で目視−ヒ殆んど区別されず、全く
色残りがないと判定される。
このようにＩｒ（ＯＨ）ｎ積層面において電極引き出し
部およびＩｒ（ＯＨ）ｎ積層部（表示部）以外の部分、
即ち非表示部に絶縁膜を配することにより。
部およびＩｒ（ＯＨ）ｎ積層部（表示部）以外の部分、
即ち非表示部に絶縁膜を配することにより。
素子の消色時の表示特性を著しく改善することが出来る
、 また非表示部に絶縁膜を配することにより素子のリーク
電流が低減されメモリーも改善される。
、 また非表示部に絶縁膜を配することにより素子のリーク
電流が低減されメモリーも改善される。
本発明の実施例において絶縁層としてＡｌ、Ｕ３が用い
られてイルが−Ｚ、ｒＵ３− Ｔｉ０２＝ Ｙ２０Ｂ＝
Ｓ ｉ０２＋ ｌ１ｆ（Ｊ２− Ｃｅ０２− Ｌａ２０
．オヨびＮｂ２０４の透明性酸化物、 ＭｇＦ２− Ｌ
ｉＦ−ＣａＦ２− ＳｎＦ２およびＭｎＦ、等の非潮解
性ハロゲン化物も絶縁層として用（・ることかできる。
られてイルが−Ｚ、ｒＵ３− Ｔｉ０２＝ Ｙ２０Ｂ＝
Ｓ ｉ０２＋ ｌ１ｆ（Ｊ２− Ｃｅ０２− Ｌａ２０
．オヨびＮｂ２０４の透明性酸化物、 ＭｇＦ２− Ｌ
ｉＦ−ＣａＦ２− ＳｎＦ２およびＭｎＦ、等の非潮解
性ハロゲン化物も絶縁層として用（・ることかできる。
第１図は従来の固体型エレクトロクロミック表示素子の
模式断面図、第２図は本発明の固体型エレクトロクロミ
ック表示素子の模式断面図である。 １．１１・・・・・・基板ガラス− ２−１２・・・・・・下部Ｉ Ｔ Ｏ電極。 ６．１３・・・・・水酸化イリジウム−４，１４・・・
・・五酸化タンタル− ５，１５・・・・・・三酸化タングステン−６−１６・
・・・・・土部ＩＴＯ電極−２０・・・・・・アルミナ
絶縁層。 第１図 第２図 １
模式断面図、第２図は本発明の固体型エレクトロクロミ
ック表示素子の模式断面図である。 １．１１・・・・・・基板ガラス− ２−１２・・・・・・下部Ｉ Ｔ Ｏ電極。 ６．１３・・・・・水酸化イリジウム−４，１４・・・
・・五酸化タンタル− ５，１５・・・・・・三酸化タングステン−６−１６・
・・・・・土部ＩＴＯ電極−２０・・・・・・アルミナ
絶縁層。 第１図 第２図 １
Claims (1)
- 基板ガラスの上面に、下部電極、水酸化イリジウム層、
五酸化タンタル層、三酸化タングステン層、上部電極を
順次積層してなるＥＣＤにおいて、前記下部電極と前記
五酸化タンタル層との間に前記水酸化イリジウム層の介
在する部分を除いて絶縁層を介在させたことを特徴とす
る絶縁層を設けたＩ’： Ｃｌ） 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58230401A JPS60122921A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 絶縁層を設けたｅｃｄ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58230401A JPS60122921A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 絶縁層を設けたｅｃｄ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60122921A true JPS60122921A (ja) | 1985-07-01 |
Family
ID=16907298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58230401A Pending JPS60122921A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 絶縁層を設けたｅｃｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60122921A (ja) |
-
1983
- 1983-12-06 JP JP58230401A patent/JPS60122921A/ja active Pending
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