JPS60126882A - 分布帰還型半導体レ−ザ装置 - Google Patents
分布帰還型半導体レ−ザ装置Info
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- JPS60126882A JPS60126882A JP58234238A JP23423883A JPS60126882A JP S60126882 A JPS60126882 A JP S60126882A JP 58234238 A JP58234238 A JP 58234238A JP 23423883 A JP23423883 A JP 23423883A JP S60126882 A JPS60126882 A JP S60126882A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
- H01S5/106—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying thickness along the optical axis
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- H—ELECTRICITY
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- H01S5/1215—Multiplicity of periods
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、単−縦モード発振する分布帰還型半導体レー
ザに係わる。
ザに係わる。
Ｃ発明の背景〕
半導体レーザの縦モードを制御するために素子内部に回
折格子をつくりつけた外布帰還型（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔ
ｅｄ ｐｅｅｄｂａｃｋ ： Ｄ Ｐ Ｂ ）半導体し
〒ザが研究されてｈるが、従来のｆ）Ｆ’Ｂレーザでは
、原理的に同一のしきｂ値利得を持つ２本のモードが存
在する。実際の発振においてはこのうちの員ずれかのモ
ードで発振することとなる。このため素子作成のばらつ
きなどから、単一モード発振を再現性良く得ることは難
かし込。
折格子をつくりつけた外布帰還型（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔ
ｅｄ ｐｅｅｄｂａｃｋ ： Ｄ Ｐ Ｂ ）半導体し
〒ザが研究されてｈるが、従来のｆ）Ｆ’Ｂレーザでは
、原理的に同一のしきｂ値利得を持つ２本のモードが存
在する。実際の発振においてはこのうちの員ずれかのモ
ードで発振することとなる。このため素子作成のばらつ
きなどから、単一モード発振を再現性良く得ることは難
かし込。
本発明の目的は、安定して単一モードで発振するＤＦＢ
レーデを提供することにある。
レーデを提供することにある。
ＤＦＢレーザにおいては、注入されたキャリアが発光す
る活性層、およびこのキャリアを活性層内に閉込めるだ
めのクラッド層、また分布帰還を生じさせるための回折
格子が基本的な構成要素である。ところで従来のＤＦＢ
レーザでは、回折格子の周期によって決まるブラック波
長に最も近い縦モードが最小しきい値利得を持つが、こ
の縦モードは、ブラッグ波長の両側に１本ずつ存在する
。
る活性層、およびこのキャリアを活性層内に閉込めるだ
めのクラッド層、また分布帰還を生じさせるための回折
格子が基本的な構成要素である。ところで従来のＤＦＢ
レーザでは、回折格子の周期によって決まるブラック波
長に最も近い縦モードが最小しきい値利得を持つが、こ
の縦モードは、ブラッグ波長の両側に１本ずつ存在する
。
このため完全に単一モード化する。ことが困難になって
いる。これを防ぐためには、素子の光軸方向にブラッグ
波長の異なる２つの領域を設け、一方の領域の最小利得
を持つ縦モード１本と、他方の領域の最小利得を持つ縦
モード１本を重ね合わせるようにする。これによ如重ね
合わせた縦モードが他のどのモードよりもしきい値利得
が小さいのて、安定な単一モード発振が得られる。
いる。これを防ぐためには、素子の光軸方向にブラッグ
波長の異なる２つの領域を設け、一方の領域の最小利得
を持つ縦モード１本と、他方の領域の最小利得を持つ縦
モード１本を重ね合わせるようにする。これによ如重ね
合わせた縦モードが他のどのモードよりもしきい値利得
が小さいのて、安定な単一モード発振が得られる。
更に詳しく本発明を説明する。
分布帰還型レーザの縦モードは前述した通り第１図（ａ
）の如く、ブラッグ波長（λｂ）を中心にλ１１．λ１
２・・・・・・、λ２１ 、λ２３・・・・・・等のモ
ードを有している。通常の分布帰還型レーザでは各モー
ド中しきい値利得の小さｂλ１！、λ２１のいずれかが
発振することとなる。
）の如く、ブラッグ波長（λｂ）を中心にλ１１．λ１
２・・・・・・、λ２１ 、λ２３・・・・・・等のモ
ードを有している。通常の分布帰還型レーザでは各モー
ド中しきい値利得の小さｂλ１！、λ２１のいずれかが
発振することとなる。
ブラッグ波長（λｂ）は回折格子の周期をΔとすると
λｂ ” ２ ”ｅｆｆＡ
と表わされる。
Ｉス
ここでｎ、１１ｖｔ有効屈折率で、
β
ｎ・ｔｔ” −
Ｒ（１
（但し、Ｒｏ＝２π／λ、λ：発振波長、β：伝播定数
） と表わされる。
） と表わされる。
これらの定数に関しては光導波路或いは半導体レーザに
関する基礎理論の文献に説明されている。
関する基礎理論の文献に説明されている。
たとえば”ＨＥＴＥＲＯ８ＴＲＵＣＴＵＲ，Ｅ ＬＡＳ
ＥＲ８”Ｈ，Ｃ，Ｃａ５ｅｙ、Ｍ、Ｂ、ｐａｎｉｓｈ、
ＡＣＡＤＥＭＩＣＰＲＥ８８等を参酌すれば良い。
ＥＲ８”Ｈ，Ｃ，Ｃａ５ｅｙ、Ｍ、Ｂ、ｐａｎｉｓｈ、
ＡＣＡＤＥＭＩＣＰＲＥ８８等を参酌すれば良い。
ところで、この状態ではλ１！とλ２１のモードは同一
のしきい値利得なので安定な単一モード発振は実現出来
ない。
のしきい値利得なので安定な単一モード発振は実現出来
ない。
そこで、たとえばブラッグ波長（λｂ）の異なる２つの
領域■（λ、□）、■（λ、Ｉ［）を光軸方向に縦列に
接続し、且■領域と■領域の各々の最小しきい値利得の
モードλｂＡ１とλｂＢ１とが重なるように設定する。
領域■（λ、□）、■（λ、Ｉ［）を光軸方向に縦列に
接続し、且■領域と■領域の各々の最小しきい値利得の
モードλｂＡ１とλｂＢ１とが重なるように設定する。
第１図（ｂ）にこの状態を示す。このように設定される
と領域■と領域Ｈの各モードの合成したモードのうち単
一のモードだけが最小しきい値利得を有することとなる
。この状態を第１図（Ｃ）に例示する。従って、必ずこ
のモードで発振することとなり、完全単一モード化が可
能となる。
と領域■と領域Ｈの各モードの合成したモードのうち単
一のモードだけが最小しきい値利得を有することとなる
。この状態を第１図（Ｃ）に例示する。従って、必ずこ
のモードで発振することとなり、完全単一モード化が可
能となる。
なお、ブラッグ波長（たとえばλｂ人）と隣接するモー
ド（たとえばλｂＡｔ ）との間隔はλｂＡ” ／ ｎ
＠ｆｆ−Ｌ Ｌ：共振器長 で表わされる。
ド（たとえばλｂＡｔ ）との間隔はλｂＡ” ／ ｎ
＠ｆｆ−Ｌ Ｌ：共振器長 で表わされる。
ブラッグ波長を領域によって異ならしめるには前述のλ
ｂ ” ２ｎ＊ｔｔ Ａ の関係より明らかな如く、原
理的Ｋｎ６１ｇを変化させるか、Ａを変化させるかの２
つの方法がある。
ｂ ” ２ｎ＊ｔｔ Ａ の関係より明らかな如く、原
理的Ｋｎ６１ｇを変化させるか、Ａを変化させるかの２
つの方法がある。
更、”ｏｆｆを変化させるには導波路を構成している積
層体の厚さや組成等を変化させることで実現することが
できる。たとえば活性層自身の厚みを変化させる方法、
光ガイド層やクラッド層の厚みを変化せしめる方法等で
ある。より具体的な構造は実施例によって説明する。
層体の厚さや組成等を変化させることで実現することが
できる。たとえば活性層自身の厚みを変化させる方法、
光ガイド層やクラッド層の厚みを変化せしめる方法等で
ある。より具体的な構造は実施例によって説明する。
又、これまでの説明では共振器内の回折格子の分割は２
つの領域として説明したが、更に多数領域に分割しても
勿論良い。
つの領域として説明したが、更に多数領域に分割しても
勿論良い。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。
第２図はＤＦＢレーザの光の進行方向に平行な面での断
面図である。第２図に示す如く、ｎ型ＩｎＰ基板１上に
ｎ型ＩｎＰ層（バッファ層で厚さは約２μｍとなす）
２ 、 Ｉ ｎａｓｓ２ＧＧｏ、４ｔｓＡｌｏ、ａｅａ
Ｐａｘｏｇ層（活性層、厚み０．１μｍ）３、ｐ型Ｉ
ｎ ０．７１７０ ａ Ｏ，２８３Ａ ｓ ｏ、ｅｌｓ
Ｐｏ、３８７層（光ガイド層１厚み〜０．１μｍ）４
を順次周知の液相成長法で成長させる。ｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ 光ガイド層４の表面にフォトレジスト層を形成し
、干渉露光法によって所望の周期的凹凸のパターンを露
光する。この場合、第２図に図示した如く、領域■と領
域■での周期を異ならしめる。この例では領域■の周期
は２３００人、領域■では２３１５人となした。次いで
、前述のフォトレジストをマスクとし、ＨＢｒとＨＮ
ＯｓとＨ２Ｏ９混液より成る食刻液によってｐ型ＩｎＧ
ａＡ８Ｐ層４０表面を選択食刻し、周期的凹凸を形成す
る。四部の深さは〜３００人である。
面図である。第２図に示す如く、ｎ型ＩｎＰ基板１上に
ｎ型ＩｎＰ層（バッファ層で厚さは約２μｍとなす）
２ 、 Ｉ ｎａｓｓ２ＧＧｏ、４ｔｓＡｌｏ、ａｅａ
Ｐａｘｏｇ層（活性層、厚み０．１μｍ）３、ｐ型Ｉ
ｎ ０．７１７０ ａ Ｏ，２８３Ａ ｓ ｏ、ｅｌｓ
Ｐｏ、３８７層（光ガイド層１厚み〜０．１μｍ）４
を順次周知の液相成長法で成長させる。ｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ 光ガイド層４の表面にフォトレジスト層を形成し
、干渉露光法によって所望の周期的凹凸のパターンを露
光する。この場合、第２図に図示した如く、領域■と領
域■での周期を異ならしめる。この例では領域■の周期
は２３００人、領域■では２３１５人となした。次いで
、前述のフォトレジストをマスクとし、ＨＢｒとＨＮ
ＯｓとＨ２Ｏ９混液より成る食刻液によってｐ型ＩｎＧ
ａＡ８Ｐ層４０表面を選択食刻し、周期的凹凸を形成す
る。四部の深さは〜３００人である。
この周期的凹凸を形成後、再びｐ型ＩｎＰクラッド層（
厚さ〜１．θμｍ）５、ｐ型 Ｉ ｎ ａｓｘ＋Ｇ ａ ０．１８６ＡＳ０．４０５
Ｐｏ、ｓｓｓ層６（コンタクト層１厚さ〜０．５μｍ）
を順次成長する。ｎ型ＩｎＰ基板側にＡｕ−８ｎより辰
るｎ側電極９、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ 側にＣｒ −Ａ
ｕより成るｐ側電極第３図は本発明の他の実施例である
。第１図の例と同じく、光ガイド層４まで成長し、この
後、選択食刻によシ、領域ｌの部分のみ光ガイド層を薄
くする。次に全領域とも同一の周期の凸凹を形成する。
厚さ〜１．θμｍ）５、ｐ型 Ｉ ｎ ａｓｘ＋Ｇ ａ ０．１８６ＡＳ０．４０５
Ｐｏ、ｓｓｓ層６（コンタクト層１厚さ〜０．５μｍ）
を順次成長する。ｎ型ＩｎＰ基板側にＡｕ−８ｎより辰
るｎ側電極９、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ 側にＣｒ −Ａ
ｕより成るｐ側電極第３図は本発明の他の実施例である
。第１図の例と同じく、光ガイド層４まで成長し、この
後、選択食刻によシ、領域ｌの部分のみ光ガイド層を薄
くする。次に全領域とも同一の周期の凸凹を形成する。
領域Ｉと■では、光ガイド層の厚みが異なるので有効屈
折率が異なり、従ってブラッグ波長も異なる。このこと
から、光ガイド膚の厚みを違えることは、等価的に有効
屈折率（ｎ＊ｔｔ ）を変えることに等しい。−例とし
て、凸凹の周期を２３００人とし、領域■の光ガイド層
の厚みを０．１μｍ１領域Ｈの光ガイド層の厚みを０．
１５μｍとした。この素子でも第４図に示すように、波
長１．５５μｍの完全単一モード発振が得られた。
折率が異なり、従ってブラッグ波長も異なる。このこと
から、光ガイド膚の厚みを違えることは、等価的に有効
屈折率（ｎ＊ｔｔ ）を変えることに等しい。−例とし
て、凸凹の周期を２３００人とし、領域■の光ガイド層
の厚みを０．１μｍ１領域Ｈの光ガイド層の厚みを０．
１５μｍとした。この素子でも第４図に示すように、波
長１．５５μｍの完全単一モード発振が得られた。
なお、第３図において第１図と同一符号は同一部位を示
している。
している。
第５図〜第１１図も更に別々実施例を示す半導体レーザ
装置の断面図である。いずれも第１図と同様レーザ光の
進行方向に平行な面での断面図である。又、同一符号は
同一部位を示している。
装置の断面図である。いずれも第１図と同様レーザ光の
進行方向に平行な面での断面図である。又、同一符号は
同一部位を示している。
第５図は周期的凹凸７．８を活性層に対し基板１側に設
けた例である。半導体層１１が光ガイド層であり）たと
えばｎ型Ｉｎ（１７ｔ７Ｇａａ２ｓｓＡｓｏ、ａｘａＰ
ｏ、ａａｙ層を用いれば良い。他の層の組成は第１図の
例と同様で良い。なお、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ 層１１の
厚さは０，１μｍとなした。
けた例である。半導体層１１が光ガイド層であり）たと
えばｎ型Ｉｎ（１７ｔ７Ｇａａ２ｓｓＡｓｏ、ａｘａＰ
ｏ、ａａｙ層を用いれば良い。他の層の組成は第１図の
例と同様で良い。なお、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ 層１１の
厚さは０，１μｍとなした。
第６図はやはり周期的凹凸７．８を基板側に設け、且光
ガイド層１１の厚さを領域りおよび■で変えたものであ
る。この例では周期的凹凸７，８の周期は同一で２３０
０人である。光ガイド層１１はたとえば前述のｎ型Ｉｎ
０．７１７０ａ０．２８３ＡＩｉ ０．６１３Ｐ０．３
８７層を用い、領域■および領域■での厚さは各λ０．
２μｍ、０．１μｍとなした。
ガイド層１１の厚さを領域りおよび■で変えたものであ
る。この例では周期的凹凸７，８の周期は同一で２３０
０人である。光ガイド層１１はたとえば前述のｎ型Ｉｎ
０．７１７０ａ０．２８３ＡＩｉ ０．６１３Ｐ０．３
８７層を用い、領域■および領域■での厚さは各λ０．
２μｍ、０．１μｍとなした。
第７図は周期的凹凸の異なる領域を３つの領域としたも
ので、この例では左右の領域■と■における光ガイド層
４の厚みが同一、領域■のそれが厚い層とガっている。
ので、この例では左右の領域■と■における光ガイド層
４の厚みが同一、領域■のそれが厚い層とガっている。
又各領域１．ｎ、Ｉｌｌでの周期的凹凸の周期は同一と
した。
した。
又、第８図の例は光ガイド層の厚い領域１５と薄い領域
１４の交互に多数個設けた例である。他の構成は第１図
或いは第７図の例と同様で良い。
１４の交互に多数個設けた例である。他の構成は第１図
或いは第７図の例と同様で良い。
これ壕での例で分割された各領域の有効屈折率（ｎｅｆ
ｆ）を異ならしめるに回折格子の周期的凹凸の周期を異
ならしめる方法、或いは光ガイド層の厚さを異ならしめ
る方法を用いる′例を示した。この両方法は適宜組み合
わせて用いることも勿論可能である。
ｆ）を異ならしめるに回折格子の周期的凹凸の周期を異
ならしめる方法、或いは光ガイド層の厚さを異ならしめ
る方法を用いる′例を示した。この両方法は適宜組み合
わせて用いることも勿論可能である。
第９図は光共振器内の分割された領域のブラッグ波長（
λｂ）を異ならしめるに当って、回折格子の周期的凹凸
７の周期は同一、光ガイド層１１の厚さも一定とするが
、一方のクラッド層１２の厚さを周期的に異々らせた例
である。
λｂ）を異ならしめるに当って、回折格子の周期的凹凸
７の周期は同一、光ガイド層１１の厚さも一定とするが
、一方のクラッド層１２の厚さを周期的に異々らせた例
である。
第１０図は活性層の厚さを異ならせた例である。
たとえば０．１μｍ、０．１５μｍとして領域Ｉ、領領
域を構成する。更に活性層の厚さは一定とし、その組成
を変化せしめて同様の目的を達することも出来る。
域を構成する。更に活性層の厚さは一定とし、その組成
を変化せしめて同様の目的を達することも出来る。
第１１図は光ガイド層１４．１５の組成を変化せしめた
例である。たとえば光ガイド層１４をバンド・ギャップ
波長１．３μｍ１同１５を波長１．２５μｍとなる様組
成を選択すれば良い。
例である。たとえば光ガイド層１４をバンド・ギャップ
波長１．３μｍ１同１５を波長１．２５μｍとなる様組
成を選択すれば良い。
これまでの例はＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レー
ザであるがＧａＡｓ−ＧａＡｔＡｓ 系のレーザ等化合
物半導体レーザにおいて広く本発明を実施出来ることは
いうまでもない。
ザであるがＧａＡｓ−ＧａＡｔＡｓ 系のレーザ等化合
物半導体レーザにおいて広く本発明を実施出来ることは
いうまでもない。
第１２図は（］ａＡｓ−ＧａＡｔＡｓ 系の例である。
基本的構造は第７図と同様である。
ｎ型Ｑ ａ Ａ Ｓ基板２１上にｎ型Ｇ ａｏ、ａ Ａ
ｔ（１，４Ａ ＠クラッド層（厚さ２．０μｍ）、アン
ドープＧａｏ、ｅｓｋｔｏ、ｏｓＡＳ 活性層（厚さ０
．１μｍ）、ｐ型Ｇａｏ、ｇＡｔａ４Ａｓブロック層（
厚さ０．０５μｍ）、ｐ型Ｇ ａ ｏ、ｓ ｋｌ αｚ
Ａ ｓ光ガイド層、ｐ型Ｇ ａ ｏ、ａ Ａ ｔ Ｏ
，４Ａ １１クラッド層（厚さ１．０μｍ）、ｐ型Ｑ
ａ Ａ ８キャップ層（厚さ０．５μｍ）が配置されて
いる。この例では共振器が１．ｎ、ｍの領域に分割され
、各々の領域の厚さは０．１μｍ、０．２μｍ、０．１
μｍとなされている。周期的凹凸のピッチは２３７０人
、高さは５００人である。
ｔ（１，４Ａ ＠クラッド層（厚さ２．０μｍ）、アン
ドープＧａｏ、ｅｓｋｔｏ、ｏｓＡＳ 活性層（厚さ０
．１μｍ）、ｐ型Ｇａｏ、ｇＡｔａ４Ａｓブロック層（
厚さ０．０５μｍ）、ｐ型Ｇ ａ ｏ、ｓ ｋｌ αｚ
Ａ ｓ光ガイド層、ｐ型Ｇ ａ ｏ、ａ Ａ ｔ Ｏ
，４Ａ １１クラッド層（厚さ１．０μｍ）、ｐ型Ｑ
ａ Ａ ８キャップ層（厚さ０．５μｍ）が配置されて
いる。この例では共振器が１．ｎ、ｍの領域に分割され
、各々の領域の厚さは０．１μｍ、０．２μｍ、０．１
μｍとなされている。周期的凹凸のピッチは２３７０人
、高さは５００人である。
なお、電極２９はＣｒ−Ａｕ、電極２８はＡＬＳＯｅＮ
ｉ−Ａ ｕの積層で構成される。
ｉ−Ａ ｕの積層で構成される。
本発明によれば、素子ばらつきによらず、再現性良く単
−縦モード発振が実現できる。
−縦モード発振が実現できる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は本
発明によるＤＦＢレーザの側断面図、第３図は本発明の
他の実施例のＤＦＢレーザの側断面図、第４図は本発明
による素子の発振スペクトルを示す図、第５図〜第１２
図は本発明の他の実施例を示す側断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・クラッド層、３・・・活
性層、４・・・光ガイド層、５・・・クラッド層、６・
・・キ４′ツブ竿１囚 入１３λ１’ｌ ７’−＋ｌ入し入ｚ１人２２入２３吸
長 ”ｋＡ ｌ 入しＡ − 入Ａ６ □ ＼ 芽、２の １．５ｖ集 戒長 竿５０ ′Ｖ−４図 茅ｑ園 第１頁の続き ０発 明 者 平 尾 元 尚 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
発明によるＤＦＢレーザの側断面図、第３図は本発明の
他の実施例のＤＦＢレーザの側断面図、第４図は本発明
による素子の発振スペクトルを示す図、第５図〜第１２
図は本発明の他の実施例を示す側断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・クラッド層、３・・・活
性層、４・・・光ガイド層、５・・・クラッド層、６・
・・キ４′ツブ竿１囚 入１３λ１’ｌ ７’−＋ｌ入し入ｚ１人２２入２３吸
長 ”ｋＡ ｌ 入しＡ − 入Ａ６ □ ＼ 芽、２の １．５ｖ集 戒長 竿５０ ′Ｖ−４図 茅ｑ園 第１頁の続き ０発 明 者 平 尾 元 尚 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光共振器内に周期的凹凸によって光帰還を行う回折
格子を設けた分布帰還型半導体レーザ装置におりて、前
記回折格子はブラッグ波長の異なる少なくとも２つの領
域に分けられ、且これら各領域が光軸方向の縦列に配置
されて成ることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ装
置。 ２、前記回折格子の複数領域は異なった周期の周期的凹
凸を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の分布帰還型半導体レーザ装置。 ｊ、前記回折格子の複数領域は活性層と周期的凹凸面と
の距離が相違することを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項記載の分布帰還型半導体レーザ装置。 ４、前記回折格子の複数領域は、活性層を中心とし周期
的凹凸のある側と反対側に存在する活性層と比較して屈
折率の小なる半導体層の厚さに差を有して成ることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の分布帰還型半導体
レーザ装置。 ５、前記回折格子の複゛数′領域はその活性層の厚さが
相違することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
分布帰還型半導体レーザ装置。 ６、前記回折格子の複数領域はその光ガイド層の組成を
異にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
分布帰還型半導体レーザ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58234238A JPH0666509B2 (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 |
| GB08431202A GB2151402B (en) | 1983-12-14 | 1984-12-11 | Distributed-feedback semiconductor laser device |
| US06/681,820 US4665528A (en) | 1983-12-14 | 1984-12-14 | Distributed-feedback semiconductor laser device |
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS62259489A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-11 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置及び光増幅装置 |
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| DE3686785T2 (de) * | 1985-06-10 | 1993-04-29 | Nippon Electric Co | Halbleiterlaservorrichtung mit verteilter rueckkopplung. |
| JPH0712102B2 (ja) * | 1985-06-14 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体レ−ザ装置 |
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| US4740987A (en) * | 1986-06-30 | 1988-04-26 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Distributed-feedback laser having enhanced mode selectivity |
| DE3751548T2 (de) * | 1986-07-25 | 1996-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaser. |
| GB2197531B (en) * | 1986-11-08 | 1991-02-06 | Stc Plc | Distributed feedback laser |
| JP2700312B2 (ja) * | 1987-01-07 | 1998-01-21 | シャープ株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ装置 |
| US4745617A (en) * | 1987-03-27 | 1988-05-17 | Hughes Aircraft Company | Ideal distributed Bragg reflectors and resonators |
| JPS63244694A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Sony Corp | 分布帰還形半導体レ−ザ |
| JP2768940B2 (ja) * | 1987-07-08 | 1998-06-25 | 三菱電機株式会社 | 単一波長発振半導体レーザ装置 |
| GB2209408B (en) * | 1987-09-04 | 1991-08-21 | Plessey Co Plc | Optical waveguide device having surface relief diffraction grating |
| US4904045A (en) * | 1988-03-25 | 1990-02-27 | American Telephone And Telegraph Company | Grating coupler with monolithically integrated quantum well index modulator |
| DE3817326A1 (de) * | 1988-05-20 | 1989-11-30 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von gitterstrukturen mit um eine halbe gitterperiode gegeneinander versetzten abschnitten |
| US5147825A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Bell Telephone Laboratories, Inc. | Photonic-integrated-circuit fabrication process |
| FR2639773B1 (fr) * | 1988-11-25 | 1994-05-13 | Alcatel Nv | Laser a semi-conducteur accordable |
| US4905253A (en) * | 1989-01-27 | 1990-02-27 | American Telephone And Telegraph Company | Distributed Bragg reflector laser for frequency modulated communication systems |
| US4908833A (en) * | 1989-01-27 | 1990-03-13 | American Telephone And Telegraph Company | Distributed feedback laser for frequency modulated communication systems |
| US5238785A (en) * | 1989-08-18 | 1993-08-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a diffraction grating for a semiconductor laser |
| DE3934865A1 (de) * | 1989-10-19 | 1991-04-25 | Siemens Ag | Hochfrequent modulierbarer halbleiterlaser |
| NL9000164A (nl) * | 1990-01-23 | 1991-08-16 | Imec Inter Uni Micro Electr | Laseropbouw met gedistribueerde terugkoppeling en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| US5091916A (en) * | 1990-09-28 | 1992-02-25 | At&T Bell Laboratories | Distributed reflector laser having improved side mode suppression |
| JPH0567848A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JP2986604B2 (ja) * | 1992-01-13 | 1999-12-06 | キヤノン株式会社 | 半導体光フィルタ、その選択波長の制御方法及びそれを用いた光通信システム |
| JP3194503B2 (ja) * | 1992-06-04 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| DE4334525A1 (de) * | 1993-10-09 | 1995-04-13 | Deutsche Bundespost Telekom | Optoelektronisches Bauelement mit verteilter Rückkopplung und variierbarem Kopplungskoeffizienten |
| JP2000137126A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Toshiba Corp | 光機能素子 |
| US6501777B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-12-31 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser emitting device having asymmetrical diffraction gratings |
| DE10132231C2 (de) | 2001-06-29 | 2003-08-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur in-situ Herstellung von DFB-Lasern |
| GB2379084B (en) * | 2001-08-24 | 2006-03-29 | Marconi Caswell Ltd | Surface emitting laser |
| US7366220B2 (en) * | 2005-03-17 | 2008-04-29 | Fujitsu Limited | Tunable laser |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3970959A (en) * | 1973-04-30 | 1976-07-20 | The Regents Of The University Of California | Two dimensional distributed feedback devices and lasers |
| US4178604A (en) * | 1973-10-05 | 1979-12-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
| US4096446A (en) * | 1976-02-02 | 1978-06-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Distributed feedback devices with perturbations deviating from uniformity for removing mode degeneracy |
| NL7900668A (nl) * | 1978-11-08 | 1980-05-12 | Philips Nv | Inrichting voor het opwekken of versterken van coheren- te electromagnetische straling, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting. |
| JPS58197788A (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分布帰還形半導体レ−ザ装置の製造方法 |
-
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62259489A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-11 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置及び光増幅装置 |
| JPS63122188A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
| JP2013140842A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 |
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