JPS60131970A - 堆積膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は１機能性膜、殊に半導体デバイス或いは電子写
真用の感光デバイスなどの用途に有用な堆積膜の形成法
に関する。

例えば、水素化、ハロゲン化、或いはハロゲン含有水素
化アモルファスシリコ／（以ｆｆ１ｒＡ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）Ｊと記す）膜、或いは、微細結晶、多結晶のシリコン
膜等のシリコン含有堆積膜の形成には、真空蒸着法、プ
ラズマＣＶＤ法。

ＣＶＤ法９反応スパッタリング法、イオンブレーティン
グ法、光ＣＶＤ法などが試みられており、一般的には、
プラズマＣＶＤ法が広く用いられ、企業化されている。

面乍らシリコン含有堆積膜は電気的、光学的特性及び、
繰返し使用での疲労特性あるいは使用環境特性、災には
均一性、再現性を含めて生産性、量産性の点において、
更に総合的な特性の向上を図る余地がある。又、従来か
ら一般化されているプラズマＣＶＤ法による　Ａ　５ｔ
（ＨｔＸ）堆積膜の形成に於ての反応プロセスは、従来
のＣＶＤ法に比較してかなシ複雑であり、その反応機構
も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の形成パ
ラメーターも多く（例えば、龜板温度、導入ガスの流量
と比、形成時の圧力。

高周波電力、電極構造９反応容器の構造、排気速度、プ
ラズマ発生方式など）これらの多くのパラメータの組み
合せによるため、時にはプ２ズマが不安定な状態になり
、形成された堆積膜に著しい悪影響を与えることが少な
くなかった。

そのうえ、装置特有のパラメータを装置ごとに選定しな
ければならず、したがって製造条件を一般化することが
むずかしいというのが実状であった。

一方、シリコン含有堆積膜として電気的、光学的特性が
各用途を十分に満足させ得るものを発現させるためには
、現状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが最
良とされている０而乍ら、シリコン含有堆積膜の応用用
途によっては、大面積化、膜厚均一性、膜品質の均一性
を十分満足させて再現性のめる量産化を図らねばならな
いため、プラズマＣＶＤ法によるシリコン含有堆積膜の
形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要とな
シ、またその量産の為の管理項目も複雑になり、管理許
容幅も狭くなり、装置の調整も微妙であることから、こ
れらのことが、今後改善すべき問題点として指摘されて
いる。他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では、高
温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得られ
ていなかった。

上述の如く、シリコン含有堆積膜の形成に於て、その実
用可能な特性、均一性を維持させながら低コストな装置
で量産化できる形成方法を開発することが切望されてい
る。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化シリコ
ン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても各々同
様のことがいえる。

本発明の目的は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除
去すると同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積
膜形成法を提供するものである。

本発明の他の目的は堆積膜を形成する堆積膜形成空間内
に於て、従来のプラズマ反応を用いる堆積膜形成法に較
べて低エネルギーで膜形成出来ると同時に形成される膜
の特性を保持し、堆積速度の向上を図シながら、膜形成
条件の管理の簡素化、量産化を容易に達成させることで
ある。

本発明の堆積膜形成法は、所望の基体上にシリコン含有
堆積膜を形成する膜形成空間（４）内に、５ｉｎＸ２ｎ
＋２　（ｎ　＝　１　ｙ　２−・・）で表わされ′るハ
ロゲン化ケイ素を分解することにより得られる活性種（
ａ）と、鎖状シラン、埋伏構造を有するシラン及びこれ
等のハロゲン置換体の中の少なくとも一種とを含むガス
雰囲気を形成し、該ガス雰囲気中に放電を生起させるこ
とによって堆積膜を形成することを特徴とする。

本発明の方法では、所望のシリコン含有堆積膜を形成す
る堆積膜形成空間内で低パワーの放電を利用して堆積膜
を形成することが出来ることから、従来の放電を利用す
るプラズマＣＶＤに於いて問題となっていた放電の乱れ
、放電による膜表面のダメージ等が著しく抑制され、且
つ高堆積速度で膜形成することが出来る。更に堆積膜の
形成パラメーターが、導入する活性種の導入量、基体及
び堆積膜形成空間内の温度。

堆積膜形成空間内の内圧及び放電強度と、従来に較べて
パラメーターが少なく、従って堆積膜形成のコントロー
ルが容易になり、再現性、量産性のある堆積膜形成法で
ある。

本発明では、堆積空間囚に導入される分解空間の）から
の活性種（ａ）は、その寿命が数秒以上あるのが好まし
く、この寿命を考慮して、所望の装置が設計される。

本発明に於いてはこの活性種（ａ）の構成要素が堆積空
間囚で形成させる堆積膜を構成する成分を構成するもの
の１つとなる。

本発明の方法が従来のＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法と違
う点の１つは、あらかじめ堆積膜形成空間（８）とは異
なる空間に於いて活性化された活性種（ａ）を使うこと
である。このことにより、従来のＣＶＤ法やプラズマＣ
ＶＤ法より堆積速度を飛躍的に伸ばすことが出来、加え
て堆積膜形成の際の基体温度も一層の低温化を図ること
が可能になり、膜品質の安定した堆積膜を工業的に大量
に、しかも低コストで提供出来る。

更には、＠伏シラン、埋伏構造を有するシラン及びこれ
等のハロゲン置換体の中より選択されて使用される化合
物（以後、「化合物（４）」と記す）を、堆積膜形成空
間（４）内に於いて放電エネルギーによって活性種（ｂ
）に分解される除に、分解速度を大幅に向上させること
ができ、また、分解を低エネルギーでおこなうことがで
きる。

また、従来に比べて、堆積膜を形成する際の堆積速度を
大幅に向上させることができる。

本発明に於いて有効に使用される５ｉｎｘ２ｎ＋２及び
化合曲回としては、具体的には以下に示される化合物を
挙げることが出来る。

（１）ＳｉｎＸ２ｎ＋２ ＳｉＦ％　＋　５ｉｚＦｓ　＊　５ｉｓＦｓ　＋　ＳＬ
Ｆ＋ｏ　ｖ　５ｉｔＣｔ６＋５ｉＦｔＣ４ｒ　５ｔｔＦ
４Ｃ４ｙ　５ｉＢｒｔＦｔ（２）化合物（４） （ａ）鎖状シラン ＳＯＬ　＋　５ＬＨ６’ｔ　５ｉｓＨ８＋　５ｉｉＨ＋
ｏ　＋　５ｉＬＳｉＨ（Ｓ　ｉＨｓ　）Ｓ　ｉ比 （ｂ）ハロゲン化鎖状シラン ５ｉＨｔＣ４＋　５ｉＨｓＣＬ＋　Ｓｔ、Ｈ４Ｃｔ、　
、　Ｓｔ、Ｈ，Ｃ４（ｃ）埋伏シラン ５ｉｓａｏ　ｖ　５ｉｓＨｎ　ｔ　５ｉｓＨｏ　（Ｓｉ
Ｈｓ　）　＋５ｉａＩ（Ｉｔ　（５ｉＨＪ） （由ハロゲン化埋伏シラン ５ＬＨｓＣｔａ　＋　５ｉｓＨｅＢｒａ　ｙ　Ｓｉｓ、
Ｌ（ｓｃ４Ｂｒｔ　＋５ｉ５ＨｅＣ４＋　５ｌｓＨｓＣ
４＋　５ｉｓＨａＢｒｉ　＋　５ｉｓ）ＩａＣｔｔＢｒ
、、 本発明に於いては、上記の具体的な化合曲回の中、その
目的をより効果的に達成する為には、詰り高膜品質の確
保と低エネルギー高速成膜を効率良く具現化する為には
、水素原子数が偶数のものを少なくとも一極選択して使
用するのが望ましい。

本発明の堆積膜形成法に於いては、一般式Ｓ　１ｎＸ２
　ｎ＋２で表わされる化合物は、膜形成空間回内に導入
される前に予め別の空間〔活性種形成空間ａ３）〕に於
いて、所望のエネルギーによって活性化され、次いで活
性状態で膜形成空間（４）内に導入δれることから、例
えば従来、工業的ベースの生産に於いて離しいとされて
いた電気的及び充電□的に優れたハロゲン含有シリコン
堆積膜を形成することが出来る。

本発明に於いて、活性種形成空間０３）で化合物５ｉｎ
Ｘ２ｎ＋２　に与えられる分解エネルギーとしては′、
熱、光、放電等があシ、これ等の分解エネルギーは、使
用される化合物Ｓ　ｔ　ｎｘ２　ｎ＋　２　の分解特性
に併せて適宜選択される。

本発明に於いて利用される活性種（ａ）としては、膜形
成空間（４）に導入され、同時に導入される化合物（４
）の分解反応を効果的に促進し、堆積効率及び堆積速度
を向上させる点でその活性寿命は好ましくは数秒以上、
よシ好ましくは５〜６秒以上あるのが望ましい。

この様な点からすれば、一般式Ｓ　ｉ　ｎｘ２　ｎ＋　
２で表わされる化合物としては、ＳｉＦ、なる活性種を
生成するものを使用するのが好ましい。

本発明に於て堆積膜形成空間（４）に於ける活性種形成
空間（Ｂ）から導入される活性種の量と導入される化合
曲回の墓の割合は、堆積条件、活性種の種類などで適宜
所望に従って決められるが、好ましくは１００　：　１
〜１：１０（導入流量比）が適当であり、より好ましく
は２０：ｌ−１：１とされるのが望ましい。

次に本発明の堆積膜製造方法において形成され、る電子
写真現像形成部材の典型的な例を挙げて本発明を説明す
る。

第１図は、本発明によって得られる典型的な光導電部材
の構成例を説明する為の模式図であるＯ 第１図に示す光導電部材１００は、電子写真用１象形成
部材として適用させ得るものであって、光導電部材用と
しての支持体１０１の上に、光導電層１０３と必要に応
じて設けられる中間層１０２と表面層１０４とで構成さ
れる層構造を有している。。

支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性であって
も良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ　、
ステンレス、　Ａｌ、　Ｏｒ　、　Ｍｏ　、Ａｕ。

Ｉｒ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐ
ｔ　、　Ｐｄ等の金属各はこれ等の合金が挙けられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロビレ／、ボ９ｆｆｌ化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面が導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ。

Ａｌ、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｉｒ　、　Ｎ
ｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ。

Ｐ−ｔ　２　Ｐｄ　１　Ｉｎ、Ｕｓ　ｓ　ＳｎＯ，ｙ　
ＩＴＯ（Ｉｎｔｏｍ　＋　５ｎ０ｔ　）等の薄膜を設け
ることによって導電処理され、或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　ｋ
ｌ　、　Ａｇ　、　Ｐｂ　、　Ｚｎ　、　Ｎｉ。

Ａｕ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ　、　Ｎｂ　、　
Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｔ等の金属で真空蒸着
、電子ビーム蒸着、スパッタリング等で処理し、又は前
記金属でラミネート処理して、その表面が導電処理され
る。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等
、任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定さ
れるが、例えば、Ｃ１図の光導電部材１００を電子写真
用像形成部材として使用するのであれば連続高速複写の
場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい
。

中間層１０２は例えばシリコン原子及び炭素原子又は窒
素原子又は酸素原子又は、ハロゲン原子（Ｘ）を含む、
非光導電性のアモルファス材料で構成され、支持体１０
１の側から光導電層１０３中へのキャリアの流入を効果
的に阻止し且つ電磁波の照射によって光導電層１０３中
に生じ、支持体１０１の側に向って移動するフォトキャ
リアの光導電層ｌｏ３の側から支持体１０１の側への通
過を容易に許す機能を有するものである。

中間層１０２を形成する場合には、光導電層１０３の形
成まで連続的に行うことが出来る。

その場合には、中間層形成用の原料ガスを、必要に応じ
てＨｅ　、Ａｒ等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合し
て、各々を所定の分解空間（ＢＪと分解空間（Ｃ）とに
導入し、所望の励起エネルギーを夫々の空間に加えて、
各々の活性種を生成させ、それらを支持体１０１の設置
しである真空堆積用の堆積空間囚に導入し、導入された
各々の活性種の作用で前記支持体１０１上に中間層１０
２を形成させれば良い。

中間層１０２を形成する為に膜形成を間囚に導入される
有効な出発物質はＳｉとＨとを構成原子とする、ＳｉＨ
４、８ｉ１Ｈ，、Ｓｔ、Ｈ８，８ｉ４Ｈ，ｏなどの鎖状
シランに加えて、Ｎを構成原子とする、或いはＮ（！：
Ｈとを構成原子とする例えば窒素（Ｎ）。

アンモニア（ｈ）、ヒドラジン（Ｈ，ＮＮＨ，）　、ア
ジ化水素（ＨＮｓ）　、アジ化アンモニウム（ＮＨａＮ
ｓ）等のガス状の又はカス化し得る、蟹素、窒化物及び
アジ化物等の窒素化合物、ＣとＨを構成原子とする例え
ば炭素数１〜５の飽和膨化水素、炭素数２〜５のエチレ
ン系炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等
、具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）
　、エタン（Ｃ，Ｈａ）　ｔプロパン（ｃａｚ）　ｔ　
ｎ−フ゛タン（ｎ−Ｃ４Ｈａ０）　ｅペンタン（ＣｉＨ
ｔｔ）　ｓエチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ
ｔＨａ）　、プロピレン（ｃｓＨ，）　）ブテン−１（
Ｃ４１Ｎ、）、ブテン−２（Ｃ４几）、イソブチレン（
Ｃ４ＨＩ）ペンテン（ＣＩＨＩＯ）−アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（ｃｔａ）　ｐメチルアセチ
レン（ｃｓｘ）　ｔブチン（Ｃ４Ｈ＠）等、更に、これ
等の他に例えば、酸素（ｏｔ）ｔオゾン（ｏｓ）　を−
酸化炭素（ＣＯ）　？二酸化縦索（ＣＯｔ）　−一酸化
窒素（ＮＯ）　＊二酸化窒素（Ｎｅｔ）　、−酸化二窒
素（Ｎ、Ｏ）等を混合して使用することを拳げることが
出来る。

これらの中間層１０２形成用の出発物質は、所定の原子
が構成原子として、形成される中間層１０２中に含まれ
る様に、層形成の際に適宜選択されて使用される。

一方、中間層１０２を形成する際に活性種形成空間ｆＢ
）に導入されて活性種を生成し得る出発物質としては、
８ｉＦ、　、　Ｓｔ、Ｆ、等が有効なものとして挙げら
れ、これ等は高温下で容易にＳｉＦ、の如き活性種を生
成する。

中間層１０２の層厚としては、好ましくは、３０〜５Ｘ
１０４Ａ、ヨシ好適には５０〜１Ｘ１０４Ａとされるの
が望ましい。光導電層１０３は、電子写真用像形成部材
としての機能を十分に発揮することができるような光導
電特性を持つようにシリコン原子を母体とし、ハロゲン
ＩＸ）を含み、必要に応じて水素原子ｆＨ）を含むアモ
ルファスシリコンａ−８ｉＸ（６）で構成される。光導
電層１０３の形成も、中間層１０２と同様に、活性種形
成空間ｔＢ）に５１Ｆ４　ｊ　８１ｍＦｌｌなどの原料
ガスが導入され、高温下にてこれ等を分解することで活
性種＋８１が生成される。この活性種１ｍ）は堆積膜形
成空間ＩＡＩに導入される。他方、膜形成、空間（ＡＪ
に鉱、８ｉ１Ｈｅ　ｔ　５ｉｓＨｓなどの原料カスが導
入され、先の活性種ｔｍｌと共に所定の励起エネルギー
が与えられて分解され、活性種を生成する。この活性種
は堆積膜形成空間囚に於いて活性種体）と化学的相互作
用を起し所望の光導電層１０３が堆積される。光導電層
１０３０層厚としては、適用するものの目的に適合させ
て所望に従って適宜決定される。

第１図に示される光導電層１０３の層厚としては、光導
電層１０３の機能及び中間層１０２０機能が各々有効罠
活されてる様に中間層１０２との層厚関係に於いて適宜
所望に従って決められるものであル、通常の場合、中間
層１０２の層厚に対して数百〜数千倍以上の層厚とされ
るのが好ましい。

具体的な値としては、好ましくは１〜１００μ、より好
適には２〜５０μの範囲とされるのが望ましい。

第１図に示す光導電部材の光導電層中に含有されるＨ又
はＸ（Ｘ＝Ｆなどのハロゲン原子）の量は好ましくは１
〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、よル好適には５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

５ｇ１図の光導電部材の表面層１０４は必要に応じて、
中間層１０２、及び光導電層１０３と同様に形成される
。例えば表面層１０４がシリコンカーバイド膜であれば
、例えば、活性種形成空間（Ｂ）に８ｉＦ、を、堆積膜
成空間囚にｓｉ、ｎ。

とＣＨ４とＨ３あるいは８１＊＆とｓｉ為（ｃＨ，ルな
どの原料ガスを導入し、空間ｔＢｌでは分解エネルギー
で８ｉＦ４を励起させて活性種を生成し、それを堆積膜
形成空間囚へ導入させ、放電を生起させることにより表
面層１０４が堆積される。又、表面層１０４としては、
窒化シリコン、酸化シリコン膜などのバンドギャップの
広い堆積膜が好ましく、光導電層１０３から表面層１０
４へその膜形成を連続的に変えることも可能である。

表面層１０４の層厚は、好ましくｐｏ、ｏｘμ〜５μ、
よシ好ましくは、０．０５μ〜１μの範囲が望ましい。

光導電層１０３を必要に応じてｎ型又はｐ型とするには
、層形成の際に、ｎ型不純物又は、ｐ型不純物、或いは
両不純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によって成される。

光導電層中にドーピングされる不純物としては、ｐ型不
純物として、周期律表第■族Ａの元素、例えば、Ｂ　、
　Ａｌ、　Ｇａ　、　Ｉｎ　、　Ｔ１等が好適なものと
して挙けられ、ｎ型不純物としては、周期律表第■族Ａ
の元素、例えばＮ　、　Ｐ　、　Ａｓ　。

Ｓｂ　、　Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、殊
にＢ　、　Ｇａ　、　Ｐ　、　８ｂ等が最適である。

本発明に於いて所望の伝導型を有する為に光導電層１０
３中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■族Ａの不純物の場合３　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃチ以
下の量範囲でドーピングしてやれは良く、周期律表第Ｖ
族Ａの不純物の場合には５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ
％以下の量範囲でドーピングしてやれば良い。

光導電層１０３中に不純物をド・−ピ／グするには、層
形成の際に不純物導入用の原料物質をガス状態で膜形成
空間固成いは活性種形成空間（Ｂ）、又は勇空藺５．１
２に導入してやれば良い。その際には、むしろ、活性種
形成空間（Ｂ）の方ではなく、膜形成空間図の方へ導入
する方が好ましい。この様な不純物導入用の原料物質と
して紘、常温常圧でガス状態の又は、少なくとも層形成
条件下で容易にガス化し得るものが採用される。

その様な不純物導入用の出発物質として具体的には、Ｐ
Ｈ，、Ｐ、山、　ＰＦ、　、　ＰＦ、　、　Ｐｃｔ、、
　ＡｓＨｓ。

ＡｓＦ５　ｔ　ＡｓＦＢ　ｊ　ＡｌＣ１，２ｓｂｕ、　
ｇ　８ｂＦ＠　ｇ　ｓｔｎ、　ｔ　ＢＦｍｔＢＣＩＨ、
ＢＢｒ、Ｉ　ｎ、Ｈ，ｔ　ＢａＨｔｏ　ｔ　Ｂ＊Ｈ＊　
＊　Ｂ＊Ｈｏ　ｔ　ＢａＨ＋ｏ　ｐＢ、Ｈｎ　ｅ　Ａｌ
Ｃｌ２　を等を挙げることが出来る。

実施例１ 第２図に示す装置を使い、以下の如き操作によってドラ
ム状の電子写真用像形成部材を作成した。

第２図において、１は堆積膜形成空間（５）、２は活性
棹空間＋８）、３は予備空間（Ｃ）、４は電気炉、５は
固体Ｓｉ粒、６は８ｉＦ４等の導入管、７は活性種導入
管、８は予備加熱用の電気炉、９，１゜は化合物置の導
入管、１１はモーター、１２は加熱ヒーター、１３．１
４は吹き出し管、１５はＡＩｌシリンダー、１６は排気
バルブを示している０ 堆積膜形成空間（ＡＪｌにＡＪシリンダー１５をっシ′
下げその内側に加熱ヒーター１２を設け、モーター１１
により回転で色るようにした。活性種形成空間（Ｂ）２
からの活性種を、導入管７を経て、吹き出し管１３から
、予備加熱空間（ｃ）３からの化合物体１を導入管１ｏ
を経て、吹き出し管１４から、夫々、膜形成空間（５）
に導入した。

即ち活性種形成空間（Ｂ）２に固体Ｓｉ粒５を詰めて、
電気炉４によシ加熱して１１００℃に保って、Ｓｔを溶
融し、そこへ導入管６を介してボンベからＳｉＦ４ガス
を活性種形成空間（Ｂ）に吹き込むことにより、ＳｉＦ
、等の活性種を生成し、導入管７を介して、吹き出し管
１３を通じて膜形成空間囚に導入した。一方、予備加熱
空間（Ｃ）３に、導入管９から５ｉＨ４を導入し、次い
で導入管１０から吹き出し管１４へ導入した。導入管７
の長さは、装置上、可能な限り短縮し、その活性種の有
効効率を落さないようにした。堆積膜形成空間回内のＡ
Ｊシリンダーは２７０°０にヒーター１２により加熱、
保持すると同時に回転させた。排カスは、排気パルプ１
６を通じて排気した。このようにしてＡｌｌ’７９ｌｌ
−上に光導電層を形成した試料を１０本作成し、夫々の
試料ドラムに就て通常のカールソンプロセスに従ってＡ
４版の転写紙上にベタ黒のトナー画像を形成して、画像
欠陥（白ボテ）を数えて、１０本当りの平均画像欠陥を
測定した。又、これとは別に、夫々の試料に就て、通常
の方法に従って受容電位ムラを、ドラムの局方向及び母
線方向に於いて測定した。

これ等の結果を第１表に示す。

実施例２〜９ ４４１表、第２表に示す条件にした以外は、実施例１と
同様の作成条件及び手順に従って、試料を各実施例に於
いて、１０本づつ作成し、実施例１と同様に評価を行っ
た。

その結果を第１表、第２表に示した。又、比較例１〜４
を第３表に示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の方法を用いて作成される光導電部材
の１実施態様例を説明するために、層構造を示しだ模式
図である。第２図は、本発明の製造法を具現化するため
の装置の１例を示す模式的説明図である。 １：堆積膜形成空間（Ａｌ　２：活性種形成空間（Ｂ）
３：予備加熱空間ｆｃ）４：電気炉　５：固体８１粒　
ｓ　ａ　８ｔＦ４の導入管　７：前駆体導入管　８：′
ｗＬ気炉　９　ｓ　１０　：　５ｉｎＸ１ｎ＋１の導入
管１１：モーター　１２：加熱ヒーター　１３：吹き出
し管　１４：吹き出し管　１５：ＡＪシリアＦ−１６：
排気バルブ　１７：回転機構を備えた移動式置台　１８
：冷却空間　１９：加熱空間　２０：堆積空間　２１：
外側電極　２２：高周波電源　１００：光導電部材　１
０１：支持体　１０２　：中間層　ＩＯ２：光導電層　
１０４：表面層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 所望の電体上にシリコン含有堆積膜を形成させる膜形成
   空間内に、５ｉｎＸ２ｎ＋２　（ｎ＝　１．２　％”曲
   −１Ｘはハロゲン）で表わされるハロゲン化ケイ素を分
   解することによって得られる活性種（ａ）と。 鎖伏シラン、埋伏構造を有するシラン及びこれ等のハロ
   ゲン置換体の中の少なくとも一種とを導入して含むガス
   雰囲気を形成し、該ガス雰囲気中に放電を生起させるこ
   とによって、堆積膜を□形成することを特徴とする堆積
   膜形成法。