JPS60132256A - 不揮発性記憶装置のデ−タ保障方式 - Google Patents
不揮発性記憶装置のデ−タ保障方式Info
- Publication number
- JPS60132256A JPS60132256A JP58239735A JP23973583A JPS60132256A JP S60132256 A JPS60132256 A JP S60132256A JP 58239735 A JP58239735 A JP 58239735A JP 23973583 A JP23973583 A JP 23973583A JP S60132256 A JPS60132256 A JP S60132256A
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- semiconductor memory
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- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operations
- G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
- G06F11/1415—Saving, restoring, recovering or retrying at system level
- G06F11/1417—Boot up procedures
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、不揮発性記憶装置、例えば半導体記憶装置の
データ保障方式に関し、特に論理的に複数個に分割され
たデータが二つの記憶媒体間を移動する場合に、好適な
データ保障方式に関する。− 〔発明の背景〕 近年、比較的低速な外部記憶装置、例えば磁気ディスク
記憶装置に変えて高速７．Ｃ半導体メモリを外部記憶装
置として使用する例がある。この様な半導体メモリ部を
含む半導体記憶装置は、上位装置からみれば磁気ディス
ク装置と同様１よ命令等で動作するため、キャシュディ
スク装置と呼ばれ、半導体メモリが揮発性のため（電源
断等に対処するため）、不揮発性のｌｊ・型磁気ディス
ク記憶部を内蔵している。
データ保障方式に関し、特に論理的に複数個に分割され
たデータが二つの記憶媒体間を移動する場合に、好適な
データ保障方式に関する。− 〔発明の背景〕 近年、比較的低速な外部記憶装置、例えば磁気ディスク
記憶装置に変えて高速７．Ｃ半導体メモリを外部記憶装
置として使用する例がある。この様な半導体メモリ部を
含む半導体記憶装置は、上位装置からみれば磁気ディス
ク装置と同様１よ命令等で動作するため、キャシュディ
スク装置と呼ばれ、半導体メモリが揮発性のため（電源
断等に対処するため）、不揮発性のｌｊ・型磁気ディス
ク記憶部を内蔵している。
この様に構成された半導体記憶装置に、霜、源の投入及
び切断時に半導体メモリ部と磁気ディスク記憶部との間
で、データ転送が頻繁に行なわれるものであるが、従来
の装置においては前記データ転送時のデータの保障をど
の様に行なうか考慮されていないと言う問題点を招いて
いた。
び切断時に半導体メモリ部と磁気ディスク記憶部との間
で、データ転送が頻繁に行なわれるものであるが、従来
の装置においては前記データ転送時のデータの保障をど
の様に行なうか考慮されていないと言う問題点を招いて
いた。
本発明の目的は、二つの記憶媒体間で論理的に複数個に
分割されたデータが移動する場合に、データ保障を行１
よい、かつ、効率的にデータ転送を行なうことができる
半導体記憶装置のデータ保障方式を提供することである
。
分割されたデータが移動する場合に、データ保障を行１
よい、かつ、効率的にデータ転送を行なうことができる
半導体記憶装置のデータ保障方式を提供することである
。
本発明は、半導体メモリ部の複数イβ１の論理ボＩＪ
ｗ−ムから成るデータを不挿発性記憶媒体に退避、ある
いは不揮発性記憶媒体内 モリ部へデータを回復する場合に、半導体メモリ部内の
データの有効性を示すフラグ、不揮発性記憶媒体内のデ
ータの有効性ケ示１フラグ、及び半導体メモリ内のデー
タが更新されたことを示すフラグを論理ボリューム単位
に設定することで、装置内のデータ保障を行ブ、ｃい、
障害が発生しても、障害に影響のないボリー−−Ａは正
常に使用できることを可能とするものである。
ｗ−ムから成るデータを不挿発性記憶媒体に退避、ある
いは不揮発性記憶媒体内 モリ部へデータを回復する場合に、半導体メモリ部内の
データの有効性を示すフラグ、不揮発性記憶媒体内のデ
ータの有効性ケ示１フラグ、及び半導体メモリ内のデー
タが更新されたことを示すフラグを論理ボリューム単位
に設定することで、装置内のデータ保障を行ブ、ｃい、
障害が発生しても、障害に影響のないボリー−−Ａは正
常に使用できることを可能とするものである。
以下、本発明の実施例を図面にノ、（２な、説明−４″
ろ。９；’、’ １ｐａｌは、本発明の一実施例で・ら
、５直置の構成はＩであり、１は単層体外部記憶装置、
２は該装置１を制御するマイクロブｌｊセンサ、３は上
位裏面ｉｏｏとのインタフーーースな仁なラインターフ
−−ス制回回路、４（′Ｉ、十位埃Ｈ，ｑｉｏ−。
ろ。９；’、’ １ｐａｌは、本発明の一実施例で・ら
、５直置の構成はＩであり、１は単層体外部記憶装置、
２は該装置１を制御するマイクロブｌｊセンサ、３は上
位裏面ｉｏｏとのインタフーーースな仁なラインターフ
−−ス制回回路、４（′Ｉ、十位埃Ｈ，ｑｉｏ−。
と半纏体メモリ５との間でデータ転送を行／工うデータ
転送回路、５は挿見［１の半導体メモリ、６は揮発性半
々１体メモリ５内にイｆ圧−「ろ制御・ｆｆｉ報エリア
、７は不揮光性の磁気ティスフ装置、８は磁気ディスク
部Ｚ内に存在する制御情報格納用セクタ、９は半４体メ
モリ５内のデータを磁気ティスフ部７に転送（以１、ア
ンロードと呼ぶ）、あるいは磁気ディスク部Ｚ内のデー
タを半導体メモリ５に伝送（以下、■」−ドと呼ぶ）す
る際の制御ン１１なう、ロード／′アンロード制御回路
、１０はロード／アン■コード峙Ｖこ死生−号一る障害
を装置外部に示すためのエラー表示器である。
転送回路、５は挿見［１の半導体メモリ、６は揮発性半
々１体メモリ５内にイｆ圧−「ろ制御・ｆｆｉ報エリア
、７は不揮光性の磁気ティスフ装置、８は磁気ディスク
部Ｚ内に存在する制御情報格納用セクタ、９は半４体メ
モリ５内のデータを磁気ティスフ部７に転送（以１、ア
ンロードと呼ぶ）、あるいは磁気ディスク部Ｚ内のデー
タを半導体メモリ５に伝送（以下、■」−ドと呼ぶ）す
る際の制御ン１１なう、ロード／′アンロード制御回路
、１０はロード／アン■コード峙Ｖこ死生−号一る障害
を装置外部に示すためのエラー表示器である。
なお、前記制御情報エリア５には、半導体メモリ５内の
データが有効であることを示すフラグ（以下、メモリバ
リッドフラグと呼ぶ）、磁気ディスク部７内のデータが
４１効であることを示１″フラグ（以１−、メモリバリ
ッドフラグと呼ぶ）、及び半導体メモリ５内のデータが
イイ効であることを示すフラグ（以下、ディスクバリッ
ドフラグと呼ぶ）かあり、これは半導体メモリ５の論理
ポリｘ−ム対応に存在する。ただし、磁気ディスク部７
内の制御情報格納用セクタ８に格納されろ情報は、ディ
スクバリッドフラグのツノ、侶在する。
データが有効であることを示すフラグ（以下、メモリバ
リッドフラグと呼ぶ）、磁気ディスク部７内のデータが
４１効であることを示１″フラグ（以１−、メモリバリ
ッドフラグと呼ぶ）、及び半導体メモリ５内のデータが
イイ効であることを示すフラグ（以下、ディスクバリッ
ドフラグと呼ぶ）かあり、これは半導体メモリ５の論理
ポリｘ−ム対応に存在する。ただし、磁気ディスク部７
内の制御情報格納用セクタ８に格納されろ情報は、ディ
スクバリッドフラグのツノ、侶在する。
この様に構成された半導体記憶装置１の動作を第２図及
び第３−を用いて説明する。本実施例に１６いては、三
種類のフラグを用いて半導体メモリ５と磁気ディスク部
７間のデー タ転送を行なうゾーケノス動作７説明すイ
〕、。
び第３−を用いて説明する。本実施例に１６いては、三
種類のフラグを用いて半導体メモリ５と磁気ディスク部
７間のデー タ転送を行なうゾーケノス動作７説明すイ
〕、。
まず、ロード時１１では第２図に示す如く、磁気ディス
ク部７かも制御情報セクタ８の内容を半導体メモリ５の
制御情報エリア６に取込む（ステップ１１１）。次に制
御情報エリア６内に存在する論理ボＩＪ、−ムＯ番に対
応するディスクバリッドフラグＺチェックしくステップ
１１２）本フラグがオンであれば、磁気ディスク部７内
のデータを半導体メモリ５に転送′１−る（ステップ１
１３）。１ポリ・・−人分のロードが完了した時点で、
メモリバリッドフラグをオンにし、ディスクバリッドフ
ラグをオンにする（ステップ１１Ａ）。以上の動作を論
理ボリー−ム個数分繰り返すことによ、す、全データの
ロードを行なう（ステップ１１２〜１１６ のくり返し
〕。
ク部７かも制御情報セクタ８の内容を半導体メモリ５の
制御情報エリア６に取込む（ステップ１１１）。次に制
御情報エリア６内に存在する論理ボＩＪ、−ムＯ番に対
応するディスクバリッドフラグＺチェックしくステップ
１１２）本フラグがオンであれば、磁気ディスク部７内
のデータを半導体メモリ５に転送′１−る（ステップ１
１３）。１ポリ・・−人分のロードが完了した時点で、
メモリバリッドフラグをオンにし、ディスクバリッドフ
ラグをオンにする（ステップ１１Ａ）。以上の動作を論
理ボリー−ム個数分繰り返すことによ、す、全データの
ロードを行なう（ステップ１１２〜１１６ のくり返し
〕。
なお、ステップ１１２ｉＣおいてディスクバリッドフラ
グがオフ（ディスク内のデータが不正）のボリー−ムに
対しては、不ボリ一一ムを上位装置から使用可能とする
ためにイニシャライズ処理を行なう（ステップ１１８に
よって、半導体メモリ５上の該当ボＩＪ 、−−広領域
に、上位装置１００かものアクセスを可能とする情報を
書く）。このイニシャライズが正常終了したら、メモリ
バリッドフラグ、データデニンジンラグ火オン（ステッ
プ１１４に戻る）にし、（正常終了しなげれば、両フラ
グともオフのまま）次のポリニームの処理を行なう。
グがオフ（ディスク内のデータが不正）のボリー−ムに
対しては、不ボリ一一ムを上位装置から使用可能とする
ためにイニシャライズ処理を行なう（ステップ１１８に
よって、半導体メモリ５上の該当ボＩＪ 、−−広領域
に、上位装置１００かものアクセスを可能とする情報を
書く）。このイニシャライズが正常終了したら、メモリ
バリッドフラグ、データデニンジンラグ火オン（ステッ
プ１１４に戻る）にし、（正常終了しなげれば、両フラ
グともオフのまま）次のポリニームの処理を行なう。
また磁気ディスク部７に障害が発生して、ロード不可能
になった場舒には、有効なデータは存在しないが、半導
体メモリ５は使用可能であるから、該当ポリニームのイ
ニシャライズを行ない、ディスクバリッドフラグをオフ
にして次のポリ−８−ムの処理を行なう。また半導体メ
モ１７５に障害が発生して１＊ −）不可能に７よった
場合にはディスクバリッドフラグはオンのままで次の処
理を行なう。この場合有効なデータは磁気ティスフ装置
ｌ内に保存される。伺、このステップは図示していな℃
・。
になった場舒には、有効なデータは存在しないが、半導
体メモリ５は使用可能であるから、該当ポリニームのイ
ニシャライズを行ない、ディスクバリッドフラグをオフ
にして次のポリ−８−ムの処理を行なう。また半導体メ
モ１７５に障害が発生して１＊ −）不可能に７よった
場合にはディスクバリッドフラグはオンのままで次の処
理を行なう。この場合有効なデータは磁気ティスフ装置
ｌ内に保存される。伺、このステップは図示していな℃
・。
Ｖζにロードが完了して、）ＩＴＩ ７トの運用状態１
２となり（ステップ１１７）、あるボリー−ムに対して
上位装置からデータの更新があるかどうかステップ１１
９により判定し、あった場合には、データチェンジフラ
グをステップ１２０によりオン（初期値はオフ）にする
。
２となり（ステップ１１７）、あるボリー−ムに対して
上位装置からデータの更新があるかどうかステップ１１
９により判定し、あった場合には、データチェンジフラ
グをステップ１２０によりオン（初期値はオフ）にする
。
最後に、アンロード時１３では、第６図に示す如く論理
ボリュームをステップｉ３０により０番に設定し、該０
番に対応するメモリバリッドフラグとデータチェンジフ
ラグをステップ１３１及び１３２によってチェックし、
両フラグがオンである場合には、半導体メモリ５内のデ
ータが有効であり、かつ更新されているので、半導体メ
モリ５内のデータを磁気ディスク部７にステップ１６３
によって転送し、完了したらディスクバリッドフラグを
オンステップ１３４によりにする。
ボリュームをステップｉ３０により０番に設定し、該０
番に対応するメモリバリッドフラグとデータチェンジフ
ラグをステップ１３１及び１３２によってチェックし、
両フラグがオンである場合には、半導体メモリ５内のデ
ータが有効であり、かつ更新されているので、半導体メ
モリ５内のデータを磁気ディスク部７にステップ１６３
によって転送し、完了したらディスクバリッドフラグを
オンステップ１３４によりにする。
ここでもディスクバリッドフラグがステップ１３４によ
ってオンとなり、データチェンジフラグがステップ１６
２によってオフと判定された場合には、半導体メモリ５
内６データは有効であるが、上位装置からの更新がなが
ったため、磁気ディスク部７内のデータと同じである。
ってオンとなり、データチェンジフラグがステップ１６
２によってオフと判定された場合には、半導体メモリ５
内６データは有効であるが、上位装置からの更新がなが
ったため、磁気ディスク部７内のデータと同じである。
したがってデータの転送は行なわず（ステップ１３３を
介さない）にディスクバリッドフラグのみをオンステッ
プ１３４によってにする。また、メモリバリッドフラグ
がオフとステップ１３１により判定された場合には、半
導体メモリ５上のデータは有効ではないので、前記同様
にアンロード処理をスキップする。
介さない）にディスクバリッドフラグのみをオンステッ
プ１３４によってにする。また、メモリバリッドフラグ
がオフとステップ１３１により判定された場合には、半
導体メモリ５上のデータは有効ではないので、前記同様
にアンロード処理をスキップする。
以上の処理を論理ポリニーム数分ステップ１３６を介し
て繰り返すことにより、全データのアンロードを行なう
。なお、磁気ディスク部７に障害が発生してアンロード
不可能になった場合には、メモリバリッドフラグがオン
であるボリュームのデータチェンジフラグをすべてオン
にし、アンロード処理を中断して、エラー表示器１０
Ｋ 磁気ディスク部７が不良のエラー表示を行ない、磁
気ディスク部７の交換要求をオペレータに対して行なう
。新しい磁気ディスク部７に交換完了後、アンロード指
示が与えられると、半導体メモリ５内のデータは、磁気
ディスク部Ｚ内に保存されろ。また半導体メモリ５に障
害が発生して、アンロード不可能となった場合には、該
当ボリューノ、には、有効なデータは存在しないので、
本ボリュームのアンロード処理をスキップして、次のポ
リニームの処理を行なう。尚、これらステップは１ｇ１
示していない。
て繰り返すことにより、全データのアンロードを行なう
。なお、磁気ディスク部７に障害が発生してアンロード
不可能になった場合には、メモリバリッドフラグがオン
であるボリュームのデータチェンジフラグをすべてオン
にし、アンロード処理を中断して、エラー表示器１０
Ｋ 磁気ディスク部７が不良のエラー表示を行ない、磁
気ディスク部７の交換要求をオペレータに対して行なう
。新しい磁気ディスク部７に交換完了後、アンロード指
示が与えられると、半導体メモリ５内のデータは、磁気
ディスク部Ｚ内に保存されろ。また半導体メモリ５に障
害が発生して、アンロード不可能となった場合には、該
当ボリューノ、には、有効なデータは存在しないので、
本ボリュームのアンロード処理をスキップして、次のポ
リニームの処理を行なう。尚、これらステップは１ｇ１
示していない。
μ上、各処理１１．１２及び１３の各７−ケンスにより
、ロード／アンロード時に有効なデータが存在する媒体
が明確に７′Ｃｊｐ、どちらかの媒体に部分的な障害が
発生しても、全データが失われろことがなく、正常な論
理ポリニームのデータを保障することが可能となり、信
頼性が高い装置が実現できろ。
、ロード／アンロード時に有効なデータが存在する媒体
が明確に７′Ｃｊｐ、どちらかの媒体に部分的な障害が
発生しても、全データが失われろことがなく、正常な論
理ポリニームのデータを保障することが可能となり、信
頼性が高い装置が実現できろ。
またアンロード時に、更新のないホ゛す・・−ムに対し
ては、アンロードをメモノブする方式であるから、読出
し専用ポリ−−−ムとして１史用する場合には、アンロ
ードに要する時間が大幅に短縮される。
ては、アンロードをメモノブする方式であるから、読出
し専用ポリ−−−ムとして１史用する場合には、アンロ
ードに要する時間が大幅に短縮される。
本発明によれば、二つの記・Ｌは媒体間で、論理的に複
数個に分割されたデー４の移ｔ、ｂを行なう場合、デー
タの保障を論理分割単位に行なうことにより、記憶媒体
の部分的な障害に対して、障害箇所を含む領域だけを閉
塞し、他の領域のデータを保障して、データを使用する
ことができるので、非常に信頼性の高い装置を実現する
ことができろ。
数個に分割されたデー４の移ｔ、ｂを行なう場合、デー
タの保障を論理分割単位に行なうことにより、記憶媒体
の部分的な障害に対して、障害箇所を含む領域だけを閉
塞し、他の領域のデータを保障して、データを使用する
ことができるので、非常に信頼性の高い装置を実現する
ことができろ。
第１図は、本発明の一実施例である半導体記憶装置の構
成ケ示すブロック図、第２図及び第３図は本実施例の処
理フローチャート図である。 １・・・半導体外部記憶装置、２・・・マイクロプロセ
ッサ、５・・・インタフェース制御回路、４・データ転
送制御回路、５・・・揮発性半導体メモリ、６・・・制
御情報エリア、７・・・磁気ディスク装置、８・・・制
御情報格納セクタ、９・・・ロード／アンロード制御回
路、１１・・・ロードシーケンス、１２・・データチェ
ン？フラグ更新シーケンス、１３・・・アンロードシー
ケンス。 第２図 第３図
成ケ示すブロック図、第２図及び第３図は本実施例の処
理フローチャート図である。 １・・・半導体外部記憶装置、２・・・マイクロプロセ
ッサ、５・・・インタフェース制御回路、４・データ転
送制御回路、５・・・揮発性半導体メモリ、６・・・制
御情報エリア、７・・・磁気ディスク装置、８・・・制
御情報格納セクタ、９・・・ロード／アンロード制御回
路、１１・・・ロードシーケンス、１２・・データチェ
ン？フラグ更新シーケンス、１３・・・アンロードシー
ケンス。 第２図 第３図
Claims (1)
- 複数個の論理ボＩＪ ｘ−ムを持つ揮発性記録媒体と、
該揮発性記録媒体内の全データを保持するための不揮発
性記録媒体と、前記揮発性及び不揮発性記憶媒体間のデ
ータ転送を行なう転送回路から成り、前記二つの記憶媒
体内の各々のデータの有効性を示すフラグと、揮発性記
録媒体内のデータに対して上位装置からの更新の有無を
示すフラグを論理ボリューム単位に設け、該フラグを参
照することにより、部分的な記憶媒体障害に対して、障
害箇所を含む論理ポリニームだけを切離して、他の有効
な論理ボＩＪ −Ｌ −ムを使用可能とすると共に、更
新のなかった論理ボリー−ムＶこ対して、データの転送
を行なわずに、データの保障を行なうことを特徴とする
揮発性記憶装置のデータ保障方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239735A JPS60132256A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 不揮発性記憶装置のデ−タ保障方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58239735A JPS60132256A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 不揮発性記憶装置のデ−タ保障方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60132256A true JPS60132256A (ja) | 1985-07-15 |
Family
ID=17049147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58239735A Pending JPS60132256A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | 不揮発性記憶装置のデ−タ保障方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60132256A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154263A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-16 | Fujitsu Ltd | アクセス制御システム |
| JPH02501602A (ja) * | 1988-03-14 | 1990-05-31 | ベ，マン，ヒー | ミラーディスクｒａｍシステム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693198A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Main memory control system |
| JPS56153460A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Backup method for file |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP58239735A patent/JPS60132256A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693198A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Main memory control system |
| JPS56153460A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-27 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Backup method for file |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154263A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-16 | Fujitsu Ltd | アクセス制御システム |
| JPH02501602A (ja) * | 1988-03-14 | 1990-05-31 | ベ，マン，ヒー | ミラーディスクｒａｍシステム |
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