JPS6013559A - 容量性負荷の駆動回路 - Google Patents
容量性負荷の駆動回路Info
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は圧電素子等の容量性負荷の駆動回路に係り、特
に容量性負荷が短絡する場合等の異常電流からの保護が
可能な容量性負荷の駆動回路に関する。
に容量性負荷が短絡する場合等の異常電流からの保護が
可能な容量性負荷の駆動回路に関する。
容量性負荷例えば圧電素子等の駆動回路には高速、高振
幅のパルス電圧が必要で、このようなパルスを発生する
手段として従来、特開昭58−27427号公報に示さ
れる様なパルス電圧発生回路が知られている。この原理
を第1図に示す。直列に接続された第1のスイッチ1と
第2のスイッチ2との間に出力端子5が設けられ、容量
性負荷8が接続される。入力端子4からの信号φは第1
のスイッチ1を制御し、第2のスイッチ2はインバータ
3を通して得られる信号φによって制御される。このよ
うな構成によシ、各スイッチ1.2の第1.第2の電位
端子6.7をハイレベル、ローレベルと其々に設定する
ことによシ、入力端子4に加えられる信号により、出力
端子5にはH→LやL−+Hのパルス電圧を得ることが
できる。
幅のパルス電圧が必要で、このようなパルスを発生する
手段として従来、特開昭58−27427号公報に示さ
れる様なパルス電圧発生回路が知られている。この原理
を第1図に示す。直列に接続された第1のスイッチ1と
第2のスイッチ2との間に出力端子5が設けられ、容量
性負荷8が接続される。入力端子4からの信号φは第1
のスイッチ1を制御し、第2のスイッチ2はインバータ
3を通して得られる信号φによって制御される。このよ
うな構成によシ、各スイッチ1.2の第1.第2の電位
端子6.7をハイレベル、ローレベルと其々に設定する
ことによシ、入力端子4に加えられる信号により、出力
端子5にはH→LやL−+Hのパルス電圧を得ることが
できる。
しかし、例えばインクジェットプリンタ等に於いて、容
量性代荷である圧電素子がノズルからのインクの飛散に
よって出力端子5が短絡することが生じ、この場合、過
電流によりスイッチ1および/または2が熱破壊すると
いう問題がある。これを防止するため、短絡時に過電流
が流れる径路に抵抗金膜け、短絡電流をスイッチの許容
送流以下とする方法が考えられているが、この方法では
時定数が犬となり、パルスの立上9をなまらせる。
量性代荷である圧電素子がノズルからのインクの飛散に
よって出力端子5が短絡することが生じ、この場合、過
電流によりスイッチ1および/または2が熱破壊すると
いう問題がある。これを防止するため、短絡時に過電流
が流れる径路に抵抗金膜け、短絡電流をスイッチの許容
送流以下とする方法が考えられているが、この方法では
時定数が犬となり、パルスの立上9をなまらせる。
すなわち高速性能を損うこととなる。
チを破壊することのない容量性負荷の駆動回路を提供す
るにある。
るにある。
上記目的を達成する本発明容量性負荷の駆動回路の特徴
とするところは、容量性負荷の電荷を変化させるスイッ
チと、容量性負荷に流れる所定値以上の電流を検出し、
検出信号を出力する電流検出手段と、検出信号に基いて
スイッチの開閉を制御する制御手段とを具備することに
ある。
とするところは、容量性負荷の電荷を変化させるスイッ
チと、容量性負荷に流れる所定値以上の電流を検出し、
検出信号を出力する電流検出手段と、検出信号に基いて
スイッチの開閉を制御する制御手段とを具備することに
ある。
以下図面に基いて本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明の第1の実施例を示すブロック図で、入
力端子4からの信号φの一方は、例えば半導体装置制御
整流器よりなる制御手段11を介して第1のスイッチ1
を開閉するように接続され、他方はインバータ3を介し
、信号φとは相補的な信号φとして第2のスイッチ2を
開閉するように接続されている。すなわち、第1のスイ
ッチ1と第2のスイッチ2とは信号φによって交互に開
閉する構成となっている。第1の電位端子6と第1のス
イッチ1との間には例えば抵抗のような電流検出手段1
0が設けられ、電流検出手段10によって所定値以上の
過電流を検出し、得られた検出信号によって制御手段1
1を制御するように構成されている。
力端子4からの信号φの一方は、例えば半導体装置制御
整流器よりなる制御手段11を介して第1のスイッチ1
を開閉するように接続され、他方はインバータ3を介し
、信号φとは相補的な信号φとして第2のスイッチ2を
開閉するように接続されている。すなわち、第1のスイ
ッチ1と第2のスイッチ2とは信号φによって交互に開
閉する構成となっている。第1の電位端子6と第1のス
イッチ1との間には例えば抵抗のような電流検出手段1
0が設けられ、電流検出手段10によって所定値以上の
過電流を検出し、得られた検出信号によって制御手段1
1を制御するように構成されている。
以上述べた一実施例の構成は第1の電位端子6をハイレ
ベノへ第2の電位端子7をローレベルとし、第1のスイ
ッチ1が導通状態にあシ、容量性負荷に電荷を供給する
とき、出力端子5がローレベルに短絡し、過電流が第1
の電位端子6、スイッチ1、出力端子5の径路を通って
流れ、第1のスイッチ1が破壊することを防止する場合
の構成例であシ、このとき電流検出手段10は上記した
第1の電位端子6、出力端子5を通って容量性負荷8の
他方の端子までの経路にあれば、その位置は問われない
。また、第1の電位端子6がローレベル、第2の電位端
子7がハイレベルにあり、第1のスイッチ1が導通状態
で出力端子5がハイレベルに短絡した場合についても同
じ構成で防1ヒできる。
ベノへ第2の電位端子7をローレベルとし、第1のスイ
ッチ1が導通状態にあシ、容量性負荷に電荷を供給する
とき、出力端子5がローレベルに短絡し、過電流が第1
の電位端子6、スイッチ1、出力端子5の径路を通って
流れ、第1のスイッチ1が破壊することを防止する場合
の構成例であシ、このとき電流検出手段10は上記した
第1の電位端子6、出力端子5を通って容量性負荷8の
他方の端子までの経路にあれば、その位置は問われない
。また、第1の電位端子6がローレベル、第2の電位端
子7がハイレベルにあり、第1のスイッチ1が導通状態
で出力端子5がハイレベルに短絡した場合についても同
じ構成で防1ヒできる。
第1の電位端子6がハイレベル、第2の電位端子7がロ
ーレベルにあシ、第2のスイッチ2が導通状態にあシ、
容量性負荷の電荷を放電させるとき出力端子5がハイレ
ベルに短絡した場合は、短絡することによって流れる過
電流は出力端子5、第2のスイッチ2、第2の電位端子
7の径路を通り第2のスイッチ2を破壊する。このとき
電流検出手段10は出力端子5から第2の電位端子7ま
での径路中に設けられ、制御手段11は線路12゜13
中に設けられるような構成となる。iた、第1の電位端
子6がローレベル、第2の電位端子7がハイレベルにあ
り第2のスイッチ2が導通状態のとき出力端子5がロー
レベルに短絡する場合も同様の構成で防止できる。
ーレベルにあシ、第2のスイッチ2が導通状態にあシ、
容量性負荷の電荷を放電させるとき出力端子5がハイレ
ベルに短絡した場合は、短絡することによって流れる過
電流は出力端子5、第2のスイッチ2、第2の電位端子
7の径路を通り第2のスイッチ2を破壊する。このとき
電流検出手段10は出力端子5から第2の電位端子7ま
での径路中に設けられ、制御手段11は線路12゜13
中に設けられるような構成となる。iた、第1の電位端
子6がローレベル、第2の電位端子7がハイレベルにあ
り第2のスイッチ2が導通状態のとき出力端子5がロー
レベルに短絡する場合も同様の構成で防止できる。
次に第2図に示した構成において、第1の電位端子6が
ハイレベル(例えば電源)、第2の′電位端子7がロー
レベル(例えば接地)状態に設定されている場合につい
て動作を詳細に説明する。
ハイレベル(例えば電源)、第2の′電位端子7がロー
レベル(例えば接地)状態に設定されている場合につい
て動作を詳細に説明する。
今、入力端子4に信号φが加えらマ′シる(信号がある
状態がφ、無い状態がφとなる)と第1のスイッチ1は
導通状態、第2のスイッチ2は開放状態となる。このと
き制御手段11は例えばスイッチが閉じた状態にあるよ
うに信号φを通過させる。
状態がφ、無い状態がφとなる)と第1のスイッチ1は
導通状態、第2のスイッチ2は開放状態となる。このと
き制御手段11は例えばスイッチが閉じた状態にあるよ
うに信号φを通過させる。
第1のスイッチ1が閉じると第1のスイッチ1の特性ど
負荷容量で決まる(1)式に示した値の充電電流i(が
、第1の電位(電源)端子6、電流検出手段10、第1
のスイッチ1、出力端子5の径路を通して容量性負荷8
に流れる。
負荷容量で決まる(1)式に示した値の充電電流i(が
、第1の電位(電源)端子6、電流検出手段10、第1
のスイッチ1、出力端子5の径路を通して容量性負荷8
に流れる。
ここで、Cは容量性負荷の静電容量である。
この電流によって容量性負荷に電荷が供給され容量性負
荷が充電されるに従って出力端子5はほぼ第1の電位ま
で上昇する。このときの上昇時間は充電電流力E vl
すれている時間と同じで(2)式で示された時間tであ
る。
荷が充電されるに従って出力端子5はほぼ第1の電位ま
で上昇する。このときの上昇時間は充電電流力E vl
すれている時間と同じで(2)式で示された時間tであ
る。
設定されている。
次に入力端子4に信号φが入力されると第1のスイッチ
1は開放状態、第2のスイッチ2は導通状態となり、容
量性負荷8に充電されていた電荷は放電動作電流となシ
、出力端子5、第2のスイッチ2、第2の電位(接地)
端子7の径路を通して放電される。このときの入出力の
時間関係f、第3図(a)に示す。(1)は入力信号、
(2)は出力端子5の電圧、(3)は容量性負荷8に流
れる充放電動作電流である。15は充電動作電流、16
は放電動作電流で充電電流15とは逆方向に流れている
ことを示している。
1は開放状態、第2のスイッチ2は導通状態となり、容
量性負荷8に充電されていた電荷は放電動作電流となシ
、出力端子5、第2のスイッチ2、第2の電位(接地)
端子7の径路を通して放電される。このときの入出力の
時間関係f、第3図(a)に示す。(1)は入力信号、
(2)は出力端子5の電圧、(3)は容量性負荷8に流
れる充放電動作電流である。15は充電動作電流、16
は放電動作電流で充電電流15とは逆方向に流れている
ことを示している。
以上述べた動作中、入力端子4に信号φが加えられた状
態、すなわち第1のスイッチ1が導通状態にあるとき、
容量性負荷の電極が短絡し出力端子5が第3の電位(例
えば接地レベル)に短絡した場合、第3図(b)の(3
)に破線で示したように第1のスイッチ1の許容電流を
越える過電流が信号φが入力されている時間流れようと
する。このような過電流が流れたとき、電流検出手段1
0が働き過電流が流れたことを検出し、制御子か検出信
号を送る。制御手段11はこれを受けて第1のスイッチ
1を導通状態としている信号φ合しゃ断し、第1のスイ
ッチ1を開放状態とする。それゆえ過電流は阻止され、
第1のスイッチ1の破壊を防ぐことができる。制御手段
llは電流検出手段10の4流が零となった後も入力端
子4に次の信号Tが入力されるまで第1のスイッチ1へ
の信号φの送出阻止の状態を保持し、第1のスイッチ1
は開放状態を保持する。
態、すなわち第1のスイッチ1が導通状態にあるとき、
容量性負荷の電極が短絡し出力端子5が第3の電位(例
えば接地レベル)に短絡した場合、第3図(b)の(3
)に破線で示したように第1のスイッチ1の許容電流を
越える過電流が信号φが入力されている時間流れようと
する。このような過電流が流れたとき、電流検出手段1
0が働き過電流が流れたことを検出し、制御子か検出信
号を送る。制御手段11はこれを受けて第1のスイッチ
1を導通状態としている信号φ合しゃ断し、第1のスイ
ッチ1を開放状態とする。それゆえ過電流は阻止され、
第1のスイッチ1の破壊を防ぐことができる。制御手段
llは電流検出手段10の4流が零となった後も入力端
子4に次の信号Tが入力されるまで第1のスイッチ1へ
の信号φの送出阻止の状態を保持し、第1のスイッチ1
は開放状態を保持する。
次に入力端子4に信号fが加えられると第2のスイッチ
2は導通状態となるが、出力端子5は第3の電位(接地
レベル)にあるため電流は流れず第2のスイッチ2は破
壊しない。同時に制御手段11は入力端子4に入力され
る信号(II−i第1のスイッチ1へ送出できるよう回
路状態を回復させている。次に信号φが入力端子4に入
力されたとき、出力端子5の短絡が回復している場合、
回路は前記したごとく正常な充放電動作を再び開始する
。
2は導通状態となるが、出力端子5は第3の電位(接地
レベル)にあるため電流は流れず第2のスイッチ2は破
壊しない。同時に制御手段11は入力端子4に入力され
る信号(II−i第1のスイッチ1へ送出できるよう回
路状態を回復させている。次に信号φが入力端子4に入
力されたとき、出力端子5の短絡が回復している場合、
回路は前記したごとく正常な充放電動作を再び開始する
。
1
短絡状態が続いていれば、再度制御手段#呑が動作し、
第1のスイッチ1に入力される信号φをしゃ断する。第
3図(b)はこのときの入出力の電圧と出力端子5での
電流を示したものである。
第1のスイッチ1に入力される信号φをしゃ断する。第
3図(b)はこのときの入出力の電圧と出力端子5での
電流を示したものである。
以上述べて来たように本発明の一実施例によれば、出力
短絡時の過電流をしゃ断し、スイッチの破壊を防止する
ことができる。
短絡時の過電流をしゃ断し、スイッチの破壊を防止する
ことができる。
第4図に本発明の具体的な第2の実施例を示す。
同図において、第2図に示したと同一符号の部分は其々
同−物及び相当物を示す。また、“d流検出手段10と
制御手段11とを除いた回路部分は、先に掲げ7’C特
開昭58−27427号公報で知られておバ詳細な回路
動作についてはこれを参照されたい。
同−物及び相当物を示す。また、“d流検出手段10と
制御手段11とを除いた回路部分は、先に掲げ7’C特
開昭58−27427号公報で知られておバ詳細な回路
動作についてはこれを参照されたい。
第4図に示す様に、第1のスイッチ1、第2のスイッチ
2、及びインバータ3はトランジスタ45〜50と抵抗
にょ多構成されている。このなかで、トランジスタ45
と49は其々信号φ、jの入力によって動作する定電流
スイッチを’+’44成しておシ、出力端子5側のトラ
ンジスタ46.50のベース亀流を引き抜いたシ、シゃ
断したりすることによってトランジスタ46,47.5
1−オン状態、若しくはオフ状態にする。
2、及びインバータ3はトランジスタ45〜50と抵抗
にょ多構成されている。このなかで、トランジスタ45
と49は其々信号φ、jの入力によって動作する定電流
スイッチを’+’44成しておシ、出力端子5側のトラ
ンジスタ46.50のベース亀流を引き抜いたシ、シゃ
断したりすることによってトランジスタ46,47.5
1−オン状態、若しくはオフ状態にする。
本実施例の回路において、電流、演出手段1oは第1の
電位(例えば電源)端子6と第1のスイッチ1との間に
設けられ、トランジスタ46のベース・エミッタ間に設
けられた制御手段11は、通常動作に訃いては等価的に
スイッチ開放の状態にあるように構成されている。 ゛ いま、通常動作の場合入力端子4に信号φ(′1″)が
入力されると定電流スイッチを構成しているトランジス
タ45が導通し、トランジスタ46からペース電流を引
き抜き、トランジスタ46を導通させる。トランジスタ
46のコレクタ電流はトランジスタ47のベース成流と
なシ、トランジスタ47を導通させ、出力端子5に接続
される容量性負荷(図示せず)に充電電流を供給する。
電位(例えば電源)端子6と第1のスイッチ1との間に
設けられ、トランジスタ46のベース・エミッタ間に設
けられた制御手段11は、通常動作に訃いては等価的に
スイッチ開放の状態にあるように構成されている。 ゛ いま、通常動作の場合入力端子4に信号φ(′1″)が
入力されると定電流スイッチを構成しているトランジス
タ45が導通し、トランジスタ46からペース電流を引
き抜き、トランジスタ46を導通させる。トランジスタ
46のコレクタ電流はトランジスタ47のベース成流と
なシ、トランジスタ47を導通させ、出力端子5に接続
される容量性負荷(図示せず)に充電電流を供給する。
この充亀成流は第1の電位端子6から電流検出手段l。
全通して供給されるが、過電流を検出し、検出信号を出
力する所定値に満たないため、制御卸手段11は動作し
ない。すなわち等価的にはスイッチ開放の状態にある。
力する所定値に満たないため、制御卸手段11は動作し
ない。すなわち等価的にはスイッチ開放の状態にある。
このときトランジスタ49にはインバータの働きによシ
、信号φ(“0”)が入力され、不導通(開放)状態に
ちる。それゆえトランジスタ50は逆バイアスされ、不
導通(開放)状態であり、出力端子5の電位はほぼ第1
の電位レベルとなる。このように、入力端子4への信号
φの入力により、第1のスイッチ1は導通状態になり第
2のスイッチ2は開放(非導通)状態となることがわか
る。
、信号φ(“0”)が入力され、不導通(開放)状態に
ちる。それゆえトランジスタ50は逆バイアスされ、不
導通(開放)状態であり、出力端子5の電位はほぼ第1
の電位レベルとなる。このように、入力端子4への信号
φの入力により、第1のスイッチ1は導通状態になり第
2のスイッチ2は開放(非導通)状態となることがわか
る。
次に入力端子4に信号φが入力された場合、上記とは逆
に第1のスイッチ1は開放状態となシ、第2のスイッチ
2は導通状態となシ、トランジスタ50は容量性負荷に
蓄えられた電荷を放電し、出力端子5の電位を第2の電
位(例えば接地電位)端子7と同レベルまで下げる。こ
のとき第1のスイッチ1は開放(非導通)状態にあるの
で、電流検出手段10に電流は流れない。従って制御手
段11は開放状態のままである。前述したと同様に従来
回路に電流検出手段10、制御手段11を設けても、通
常動作時は出力端子5に設けられる容量性負荷を駆動す
る高電圧のパルスを発生することができる。
に第1のスイッチ1は開放状態となシ、第2のスイッチ
2は導通状態となシ、トランジスタ50は容量性負荷に
蓄えられた電荷を放電し、出力端子5の電位を第2の電
位(例えば接地電位)端子7と同レベルまで下げる。こ
のとき第1のスイッチ1は開放(非導通)状態にあるの
で、電流検出手段10に電流は流れない。従って制御手
段11は開放状態のままである。前述したと同様に従来
回路に電流検出手段10、制御手段11を設けても、通
常動作時は出力端子5に設けられる容量性負荷を駆動す
る高電圧のパルスを発生することができる。
いま、入力端子4に信号φが入力され、第1のスイッチ
1が導通状態におるときに出力端子5が短絡した場合、
第1のスイッチを介して容量性負荷に電流れる過電流は
電流検出手段10によって検出され、制御手段11は等
価的にトランジスタ46のベース・エミッタ間を短絡す
る。それゆえ、トランジスタ45は制御手段11を介し
て電流を引き抜くこととなシ、トランジスタ46にペー
ス電θ;しは流れなくなり、トランジスタ46は開放(
非導通)状態となる。このためトランジスタ47も開放
状態となり、第1のスイッチ1は開放状態となる。すな
わち過電流の径路は開放される。
1が導通状態におるときに出力端子5が短絡した場合、
第1のスイッチを介して容量性負荷に電流れる過電流は
電流検出手段10によって検出され、制御手段11は等
価的にトランジスタ46のベース・エミッタ間を短絡す
る。それゆえ、トランジスタ45は制御手段11を介し
て電流を引き抜くこととなシ、トランジスタ46にペー
ス電θ;しは流れなくなり、トランジスタ46は開放(
非導通)状態となる。このためトランジスタ47も開放
状態となり、第1のスイッチ1は開放状態となる。すな
わち過電流の径路は開放される。
電流検出手段10に過1流が流れなくなっても、制一手
段11は信号φが入力されている間、等価的な短絡(導
通)状態を保持している。
段11は信号φが入力されている間、等価的な短絡(導
通)状態を保持している。
次に信号φが入力端子4に入力されるとトランジスタ4
5は開放状態となシ、制御手段11は等価的に開放状態
となって、元の状態に回復する。
5は開放状態となシ、制御手段11は等価的に開放状態
となって、元の状態に回復する。
このとき(φが人力されているとき)第1のスイッチ1
は開放状態、第2のスイッチ2は導通状態にあるが、出
力端子5の電位はグランドレベルに短絡しており、第2
の電位端子7とほぼ同レベルにあるので、トランジスタ
50に過電流は流れない。
は開放状態、第2のスイッチ2は導通状態にあるが、出
力端子5の電位はグランドレベルに短絡しており、第2
の電位端子7とほぼ同レベルにあるので、トランジスタ
50に過電流は流れない。
以上述べてきたように、本実施例に於いても、出力短絡
時の過電流による第1のスイッチ1の破壊を防止するこ
とができる。
時の過電流による第1のスイッチ1の破壊を防止するこ
とができる。
また、本実施例においては制御手段11をトランジスタ
46のベース・エミッタ間を短絡し、トランジスタ46
にベース電流を流さないように構成したものであるが、
制御手段11をトランジスタ46のコレクタと第2の電
位端子7(本実施例では接地レベル端子)との間に設け
るような構成においても同様な効果を得る。この場合、
出力短絡が発生したときトランジスタ47のベース電流
となるトランジスタ46のコレクタ電流を第2の電位端
子7へ流すことによってトランジスタ47をしゃ断する
ようにしたものであり、その他の動作は前記した場合と
なんら変わらないことが明きらかであろう。
46のベース・エミッタ間を短絡し、トランジスタ46
にベース電流を流さないように構成したものであるが、
制御手段11をトランジスタ46のコレクタと第2の電
位端子7(本実施例では接地レベル端子)との間に設け
るような構成においても同様な効果を得る。この場合、
出力短絡が発生したときトランジスタ47のベース電流
となるトランジスタ46のコレクタ電流を第2の電位端
子7へ流すことによってトランジスタ47をしゃ断する
ようにしたものであり、その他の動作は前記した場合と
なんら変わらないことが明きらかであろう。
第5図は本発明の第3の実施例であシ、第4図に示した
本発明の第2の実施例の具体的な回路例で、同図におい
て第4図に示したと同一符号は其其同−物及び相当物を
示す。
本発明の第2の実施例の具体的な回路例で、同図におい
て第4図に示したと同一符号は其其同−物及び相当物を
示す。
第1のスイッチ1と第2のスイッチ2、それにインバー
タ3はトランジスタと抵抗によシ、図に示すように構成
され、電流検出手段10は抵抗44で構成されている。
タ3はトランジスタと抵抗によシ、図に示すように構成
され、電流検出手段10は抵抗44で構成されている。
また、制御手段11はゲート抵抗43を備えたサイリス
タ41で構成される。なお、40はサイリスタ41が導
通状態となったときの順方向降下を補正するだめのレベ
ルシフトダイオードである。
タ41で構成される。なお、40はサイリスタ41が導
通状態となったときの順方向降下を補正するだめのレベ
ルシフトダイオードである。
いま、入力端子4に信号φが入力されると第1のスイッ
チ1は導通状態、第2のスイッチ2はインバータ3によ
り、開放(非導通)状態となる。
チ1は導通状態、第2のスイッチ2はインバータ3によ
り、開放(非導通)状態となる。
通常動作時、電流検出手段10を構成する抵抗44に流
れる電流icは、出力端子5に設けられる容量性負荷の
静電容量値をCとし、第1のスイッチの特性から定まる
電圧変化率dv/diとすれば、前述した(1)式で示
される値となる。抵抗44の両端には、この電流lcと
抵抗44の抵抗値Rによって(3)式で表わされる電圧
Vmがパルス電圧の過渡時にのみ発生する。
れる電流icは、出力端子5に設けられる容量性負荷の
静電容量値をCとし、第1のスイッチの特性から定まる
電圧変化率dv/diとすれば、前述した(1)式で示
される値となる。抵抗44の両端には、この電流lcと
抵抗44の抵抗値Rによって(3)式で表わされる電圧
Vmがパルス電圧の過渡時にのみ発生する。
Vi−1c −R・・・・・・・・・(3)通常動作時
のこの電圧vRは制御手段11を構成するサイリスタ4
1を導通させネゲート電圧Voより小さいのでサイリス
タ41は非導通状態となっている。一方、出力端子5が
例えば接地レベルに短絡した場合、第1のスイッチ1は
導通状態にあるので過電流Inが第1の電位(例えば電
源)端子6から抵抗44、トランジスタ47を通して出
力端子5へと流れ、抵抗44の両端には(4)式の電圧
■8が発生する。
のこの電圧vRは制御手段11を構成するサイリスタ4
1を導通させネゲート電圧Voより小さいのでサイリス
タ41は非導通状態となっている。一方、出力端子5が
例えば接地レベルに短絡した場合、第1のスイッチ1は
導通状態にあるので過電流Inが第1の電位(例えば電
源)端子6から抵抗44、トランジスタ47を通して出
力端子5へと流れ、抵抗44の両端には(4)式の電圧
■8が発生する。
V*=Ii+ ・R・・・・・・・・・(4)Vs>V
o ・・・・・・・・・(5)この電圧■8がゲート電
圧Vaと(5)式の関係となったときサイリスタ41O
Nゲートから電流が引き抜かれ、サイリスタ41は導通
状態となシ、トランジスタ46のベース・エミッタ間は
短絡され、トランジスタ46は非導通(開放)状態とな
る。それゆえトランジスタ47も非導通(開放)状態と
なり、短絡されることによって生じる過電施工8は第3
図(b)に示したようにしゃ断される。
o ・・・・・・・・・(5)この電圧■8がゲート電
圧Vaと(5)式の関係となったときサイリスタ41O
Nゲートから電流が引き抜かれ、サイリスタ41は導通
状態となシ、トランジスタ46のベース・エミッタ間は
短絡され、トランジスタ46は非導通(開放)状態とな
る。それゆえトランジスタ47も非導通(開放)状態と
なり、短絡されることによって生じる過電施工8は第3
図(b)に示したようにしゃ断される。
過電流I8がしゃ断され、ゲート電圧Voが零となって
も、入力端子4に信号φが入力されている間トランジス
タ45は導通状態にあり、第1の電位端子6、サイリス
タ41、トランジスタ45の径路で電流が流帆、サイリ
スタ41はトランジスタ46.47の開放状態を保持し
ている。
も、入力端子4に信号φが入力されている間トランジス
タ45は導通状態にあり、第1の電位端子6、サイリス
タ41、トランジスタ45の径路で電流が流帆、サイリ
スタ41はトランジスタ46.47の開放状態を保持し
ている。
入力信号φがなくなる(φが入力される)とトランジス
タ45は非導通(開放)状態となシ、第2のスイッチ2
が導通状態になる。しかし第2の電位端子7は接地レベ
ルであるので電流は流れず、第2のスイッチ2の破壊は
起こらない。サイリスタ41には電流が流れなくなシ非
導通状態を回復する。以下、上記の動作が繰シ返される
。
タ45は非導通(開放)状態となシ、第2のスイッチ2
が導通状態になる。しかし第2の電位端子7は接地レベ
ルであるので電流は流れず、第2のスイッチ2の破壊は
起こらない。サイリスタ41には電流が流れなくなシ非
導通状態を回復する。以下、上記の動作が繰シ返される
。
第3図(b)かられかるように出力が短絡した時、トラ
ンジスタ47には瞬間的には通常の動作電流よシも大き
な電流が流れるが、この期間は非常に短かい。それゆえ
トータルすれば通常電流よりも少なく、トランジスタの
破壊が熱破壊によるものであるので、累積の少ない方が
負担が少なく、ピークが大きくてもトランジスタ47の
破壊には至らない。
ンジスタ47には瞬間的には通常の動作電流よシも大き
な電流が流れるが、この期間は非常に短かい。それゆえ
トータルすれば通常電流よりも少なく、トランジスタの
破壊が熱破壊によるものであるので、累積の少ない方が
負担が少なく、ピークが大きくてもトランジスタ47の
破壊には至らない。
第6図は第5図における各部の動作波形を示したもので
、(1)は入力端子4への入力信号、(2)は電流検出
手段10からの検出信号、(3)はサイリスタ41のア
ノード・カソード間の電位、(4)はトランジスタ46
のベース電流、(5)は出力端子5に流れる電流である
。
、(1)は入力端子4への入力信号、(2)は電流検出
手段10からの検出信号、(3)はサイリスタ41のア
ノード・カソード間の電位、(4)はトランジスタ46
のベース電流、(5)は出力端子5に流れる電流である
。
同図において、入力信号62の時刻Tにおいて出力短絡
が起きた場合を考える。時刻T以前は正常動作をしてお
シ、入力信号60.61に対し、第6図(2)に示す様
に検出信号は負荷に充電される電流分によるVl (6
5,66,67)があられれているが、この電圧はサイ
リスタ41のゲート電圧Voよシ小さいので、サイリス
タ41は非導通状態であり、第6図(3)に示す様にア
ノード・カソード間の電圧(6)はハイレベルのままで
ある。したがって第6図(4)に示す様にトランジスタ
46のベース電流は入力に従って発生、停止を行なう。
が起きた場合を考える。時刻T以前は正常動作をしてお
シ、入力信号60.61に対し、第6図(2)に示す様
に検出信号は負荷に充電される電流分によるVl (6
5,66,67)があられれているが、この電圧はサイ
リスタ41のゲート電圧Voよシ小さいので、サイリス
タ41は非導通状態であり、第6図(3)に示す様にア
ノード・カソード間の電圧(6)はハイレベルのままで
ある。したがって第6図(4)に示す様にトランジスタ
46のベース電流は入力に従って発生、停止を行なう。
この電流に従って出力端子5には高圧パルスが発生する
。第6図(5)に示す様に、容量性負荷に流れる電流の
負側のパルス80.81は第2のスイッチ2が導通状態
になって容量性負荷に蓄積された電荷が放電されて流れ
る電流である。
。第6図(5)に示す様に、容量性負荷に流れる電流の
負側のパルス80.81は第2のスイッチ2が導通状態
になって容量性負荷に蓄積された電荷が放電されて流れ
る電流である。
時刻Tにおいて出力短絡した場合、出力端子5には第6
図(5)の破線に示すような過電流82が流れようとす
るが、検出手段10によシ検出されて、第6図(2)に
示す様な検出電圧−■s (68)が発生する。
図(5)の破線に示すような過電流82が流れようとす
るが、検出手段10によシ検出されて、第6図(2)に
示す様な検出電圧−■s (68)が発生する。
この電圧vllはサイリスタ41のゲート電圧VaとV
G<Vllの関係があり、サイリスタ41は導通状態に
なる。従ってサイリスタ41のアノード・カソード間は
第6図(3)に示す様にローレベルとなシ、トランジス
タ46は非導通状態となシ、第6図(4)に示す様にト
ランジスタ46のベース電流は零となる。ゆえに過電流
も直ちにしゃ断され、第6図(5)に示す様に波形83
のごとく出力端子5即ち容量性負荷に流れる電流は短時
間で零となる。
G<Vllの関係があり、サイリスタ41は導通状態に
なる。従ってサイリスタ41のアノード・カソード間は
第6図(3)に示す様にローレベルとなシ、トランジス
タ46は非導通状態となシ、第6図(4)に示す様にト
ランジスタ46のベース電流は零となる。ゆえに過電流
も直ちにしゃ断され、第6図(5)に示す様に波形83
のごとく出力端子5即ち容量性負荷に流れる電流は短時
間で零となる。
第6図(3)に示す様にサイリスタ41の両端の電位は
信号φが入力されている間は、ローレベル林態を保持し
、信号fが入力されることによって、元のハイレベル状
態に戻る。以後、信号φ63゜64が入力されたとき、
出力短絡が続いていたならば、入力の初めから回路は上
記したと同様の動作により第6図に示す様に過電流をし
ゃ断する。
信号φが入力されている間は、ローレベル林態を保持し
、信号fが入力されることによって、元のハイレベル状
態に戻る。以後、信号φ63゜64が入力されたとき、
出力短絡が続いていたならば、入力の初めから回路は上
記したと同様の動作により第6図に示す様に過電流をし
ゃ断する。
以上述べてきたように、第5図及び第6図に示した本実
施例によれば、出力短絡時の過電流によるスイッチの破
壊が、サイリスタと抵抗による簡単な回路構成によシ防
止できる。なお本実施例では制御手段11にサイリスタ
41を用いた例を述べたが、後述するようにnpn 、
209% トランジスタやホトトランジスタ、またリレ
ー等を用いて構成することによっても過電流を防止でき
る。
施例によれば、出力短絡時の過電流によるスイッチの破
壊が、サイリスタと抵抗による簡単な回路構成によシ防
止できる。なお本実施例では制御手段11にサイリスタ
41を用いた例を述べたが、後述するようにnpn 、
209% トランジスタやホトトランジスタ、またリレ
ー等を用いて構成することによっても過電流を防止でき
る。
第7図は第4図に於ける制御手段11の他の実施例を示
したもので、新たに設けられたダイオード42は、ノイ
ズ等によるサイリスタ41のNゲート電位の急激な上昇
によって漏れ込む′電流によシサイリスタ41が誤動作
するのを防止する効果を有する。このような回路におい
ても、ダイオード42の順方同降下のみを考慮すること
により、第5図における制御手段11と同等の特性が得
られることは明らかである。
したもので、新たに設けられたダイオード42は、ノイ
ズ等によるサイリスタ41のNゲート電位の急激な上昇
によって漏れ込む′電流によシサイリスタ41が誤動作
するのを防止する効果を有する。このような回路におい
ても、ダイオード42の順方同降下のみを考慮すること
により、第5図における制御手段11と同等の特性が得
られることは明らかである。
第8図に本発明の第4の実施例を示す。同図において、
第4図の第2の実施例と同一符号の部分は其々同−物及
び相当物を示す。また、制御手段11を除いた回路部分
は第4図に示したものと同じで、これらの部分の〜力作
は前述したと同様である。
第4図の第2の実施例と同一符号の部分は其々同−物及
び相当物を示す。また、制御手段11を除いた回路部分
は第4図に示したものと同じで、これらの部分の〜力作
は前述したと同様である。
第8図において、電流検出手段10は第1の電位(例え
ば電源電位) r’i#j子6と第1のスイッチ1との
間に設けられ、制御手段11はトランジスタ46のベー
ス返流が流れるライン90に直列に設けられている。第
8図において、制御手段11は第4回に示したものとは
異なり、通常時は等測的に導通(閉路)υ、態を維持し
、出力端絡が発生した場合に、検出手段10が発生する
検出信号により非導通(開路)状態になるよう設定され
ている。
ば電源電位) r’i#j子6と第1のスイッチ1との
間に設けられ、制御手段11はトランジスタ46のベー
ス返流が流れるライン90に直列に設けられている。第
8図において、制御手段11は第4回に示したものとは
異なり、通常時は等測的に導通(閉路)υ、態を維持し
、出力端絡が発生した場合に、検出手段10が発生する
検出信号により非導通(開路)状態になるよう設定され
ている。
通常時の動作は制御手段11が等測的に導通状態にりる
こと以外は第4図に示す第2の実施例において述べたと
同様、入力端子4に入力される信号φに従って出力端子
5に高電圧パルスを発生できる。
こと以外は第4図に示す第2の実施例において述べたと
同様、入力端子4に入力される信号φに従って出力端子
5に高電圧パルスを発生できる。
いま、出力端子5が高電位にあるとき短絡が発生したと
すれば、過電流は第1の電位端子6、電流検出手段10
、トランジスタ47、出方端子5、容量性負荷(図示せ
ず)を経て第3の電位(例えば、グランド)へと流れる
。電流検出手段1oは過電Rを検出し、制御手段11へ
検出信号を送る。
すれば、過電流は第1の電位端子6、電流検出手段10
、トランジスタ47、出方端子5、容量性負荷(図示せ
ず)を経て第3の電位(例えば、グランド)へと流れる
。電流検出手段1oは過電Rを検出し、制御手段11へ
検出信号を送る。
制御手段11はこれを受けて急速にスイッチを非導通(
開放)状態にする。従ってl・ランジスタ46のベース
電流はしゃ断され、第1のスイッチ1は非導通(開放)
状態となり、過電流はしゃ断される。従って検出信号も
零となる。等測的に非導通(開放)状態となっている制
御手段11は入力端子4に信号φが入力されている期間
、非導通状態を維持している。
開放)状態にする。従ってl・ランジスタ46のベース
電流はしゃ断され、第1のスイッチ1は非導通(開放)
状態となり、過電流はしゃ断される。従って検出信号も
零となる。等測的に非導通(開放)状態となっている制
御手段11は入力端子4に信号φが入力されている期間
、非導通状態を維持している。
次に信号φが入力端子4に入力されると制御手段11は
導通状態となるが、第1のスイッチ1は非導通状態とな
るため過電流は流れない。このときs2のスイッチ2が
導通状態であるが、第2の! 位4 子7 ハローレベ
ル(グランドレベル)テあるのでやはシ過電流は流れな
い。
導通状態となるが、第1のスイッチ1は非導通状態とな
るため過電流は流れない。このときs2のスイッチ2が
導通状態であるが、第2の! 位4 子7 ハローレベ
ル(グランドレベル)テあるのでやはシ過電流は流れな
い。
以上述べたように、第8図に示す本実施例においても、
出力短絡時の過電流によるスイッチ1゜2の破壊を防止
できることがわかる。また、本実施例においては制御手
段11をトランジスタ46のベース電流をしゃ断するよ
°うにライン9oに設けたが、短絡時に過1・電流が流
れる側のスイッチを非導通状態にできる位置、例えば9
1〜97のライン上のいずれに設けても同様の効果が得
られることは明らかでるろう。
出力短絡時の過電流によるスイッチ1゜2の破壊を防止
できることがわかる。また、本実施例においては制御手
段11をトランジスタ46のベース電流をしゃ断するよ
°うにライン9oに設けたが、短絡時に過1・電流が流
れる側のスイッチを非導通状態にできる位置、例えば9
1〜97のライン上のいずれに設けても同様の効果が得
られることは明らかでるろう。
第9図は本発明の第5の実彪例であシ、第8図に示した
本発明の第4の実施例の具・体向な回路で、同図におい
て、第4図に示したと同一符号の部分は其々同−物及び
相当物を示す。本実施例では第2図に示す記号を用い、
略図で示しである。電流検出手段10は抵抗44で構成
され、制御手段11はnpn)ランジスタiooと論理
回路101とで構成され、npnトランジスタ100の
エミッタ・コレクタはライン90に図示するように接続
される構成となっている。また論理回路101はトラン
ジスタ102、インバータ103、NANDゲート10
4、フリップフロップiosで図示のように構成されて
いる。
本発明の第4の実施例の具・体向な回路で、同図におい
て、第4図に示したと同一符号の部分は其々同−物及び
相当物を示す。本実施例では第2図に示す記号を用い、
略図で示しである。電流検出手段10は抵抗44で構成
され、制御手段11はnpn)ランジスタiooと論理
回路101とで構成され、npnトランジスタ100の
エミッタ・コレクタはライン90に図示するように接続
される構成となっている。また論理回路101はトラン
ジスタ102、インバータ103、NANDゲート10
4、フリップフロップiosで図示のように構成されて
いる。
さらに、電源ライン2oとトランジスタ100のエミッ
タ間は論理回路の動作電圧になるようレベルシフトダイ
オード4oによって電圧が設定されている。
タ間は論理回路の動作電圧になるようレベルシフトダイ
オード4oによって電圧が設定されている。
第10図は第9図に示した制御手段11の各部の動作波
形を示したものである。第10図(1)は入力端子4に
入力される信号パルス、第10図(2)はフリップフロ
ップ105へのクロックパルス(cp)入力端子へ加わ
る信号、第10図(3)はCLR端子への入力信号即ち
電流検出手段1oがらの検出信号、第10図(4)はd
端子の出力信号、第10図(5)はスイッチ用トランジ
スタ100のベース電位の信号、第10図(6)はトラ
ンジスタ100の導通(ON)、非導通(OFF>の状
態を表わし次ものである。
形を示したものである。第10図(1)は入力端子4に
入力される信号パルス、第10図(2)はフリップフロ
ップ105へのクロックパルス(cp)入力端子へ加わ
る信号、第10図(3)はCLR端子への入力信号即ち
電流検出手段1oがらの検出信号、第10図(4)はd
端子の出力信号、第10図(5)はスイッチ用トランジ
スタ100のベース電位の信号、第10図(6)はトラ
ンジスタ100の導通(ON)、非導通(OFF>の状
態を表わし次ものである。
以下第10図に従って第9図の回路動作を説明する。通
常動作時、入力端子4へ入力される信号φ、φに従って
Cp端子への入力1言号は第10図(2)に示すように
同位相で変化する。このとき通電流は流れていないのと
負荷電流によシ発生する電位はツェナーダイオードZD
のツェナー電位以下に設定されているので第10図(3
)に示す様にCLR端子への入力はハイレベルとなって
いる。
常動作時、入力端子4へ入力される信号φ、φに従って
Cp端子への入力1言号は第10図(2)に示すように
同位相で変化する。このとき通電流は流れていないのと
負荷電流によシ発生する電位はツェナーダイオードZD
のツェナー電位以下に設定されているので第10図(3
)に示す様にCLR端子への入力はハイレベルとなって
いる。
ゆえにQ出力はローレベルでありトランジスタ1000
ベース電位は常にハイレベルにある。従って通常動作の
ときトランジスタ100は入力端子4に入力される信号
φ、φに従って導通または非導通状態となり、回路は正
常に動作し、出力端子5には高l配圧パルスを発生する
。
ベース電位は常にハイレベルにある。従って通常動作の
ときトランジスタ100は入力端子4に入力される信号
φ、φに従って導通または非導通状態となり、回路は正
常に動作し、出力端子5には高l配圧パルスを発生する
。
いま、時刻Pにおいて、出力短絡が発生すると、過電流
による、ツェナー電圧より大きな電圧が検出信号として
第10図(3)に示すようにCL几端子に入力される。
による、ツェナー電圧より大きな電圧が検出信号として
第10図(3)に示すようにCL几端子に入力される。
検出信号がCL几端子に入力されることによυQ出力は
反転し、第10図(4)に示す様にハイレベルとなる。
反転し、第10図(4)に示す様にハイレベルとなる。
ゆえに第10図(5)に示すiK)ランジスタ100の
ベース電位はローレベルとなり、トランジスタ100は
非導通状態となる。従って第9図に於けるトランジスタ
46のベース電流はしゃ断され第1のスイッチ1は開放
状なくなると検出信号は零とな、9、CI、R入力は再
びハイレベルとなるが、Q出力はcpが入力されテイル
間ハイレベルを維持しておシ1.トランジスタ100を
非導通状態にし続ける。この状態で、信号φが入力端子
4に入力されてもQが追従してローレベルとなるがトラ
ンジスタ45が信号φ入力により非導通状態にちるので
トランジスタ100は非導通状態を続ける。再び信号が
入力端子4に入力されると検出信号が発生し、CI、R
に入力され、Qはハイレベルとなシトランジスタ100
は非導通状態を続ける。
ベース電位はローレベルとなり、トランジスタ100は
非導通状態となる。従って第9図に於けるトランジスタ
46のベース電流はしゃ断され第1のスイッチ1は開放
状なくなると検出信号は零とな、9、CI、R入力は再
びハイレベルとなるが、Q出力はcpが入力されテイル
間ハイレベルを維持しておシ1.トランジスタ100を
非導通状態にし続ける。この状態で、信号φが入力端子
4に入力されてもQが追従してローレベルとなるがトラ
ンジスタ45が信号φ入力により非導通状態にちるので
トランジスタ100は非導通状態を続ける。再び信号が
入力端子4に入力されると検出信号が発生し、CI、R
に入力され、Qはハイレベルとなシトランジスタ100
は非導通状態を続ける。
以上述べてきたように、第9図に示した実施例において
も出力短絡時の過電流によるスイッチの破壊の防止が可
能である。しかも制御部分全論理回路101で製作でき
るので回路の自由度が太きいという効果がある。なお本
実施例ではスイッチングを司るトランジスタ100にn
pnトランジスタを用いたが、これに限られることは無
い。すなわち、pnpトランジスタやホトトランジスタ
、サイリスタを用いても同様の動作を行ない得ることは
明らかでちろう。
も出力短絡時の過電流によるスイッチの破壊の防止が可
能である。しかも制御部分全論理回路101で製作でき
るので回路の自由度が太きいという効果がある。なお本
実施例ではスイッチングを司るトランジスタ100にn
pnトランジスタを用いたが、これに限られることは無
い。すなわち、pnpトランジスタやホトトランジスタ
、サイリスタを用いても同様の動作を行ない得ることは
明らかでちろう。
さらに、第11図は本発明の第6の実施例を示す図で第
9図と略同−構成である。
9図と略同−構成である。
新たに設けられたホトダイオード110とホトトランジ
スタ111は図示のように構成され、ホトトランジスタ
111が、入力端子4に入力される信号φによって発光
するホトダイオード110によって導通状態に々ると7
リツプ70ツブ105のcp端子に信号が入力される。
スタ111は図示のように構成され、ホトトランジスタ
111が、入力端子4に入力される信号φによって発光
するホトダイオード110によって導通状態に々ると7
リツプ70ツブ105のcp端子に信号が入力される。
ゆえに第11図の回路動作は第10図に示したと同様の
入出力関係を示し、過電流を防止する。
入出力関係を示し、過電流を防止する。
本実施例においては回路の構成部品を少なくできる効果
を有する。また、第9図、第11図に示す実施例におい
て論理回路101はD71jツブフロップ105を主体
に論理を構成しているが、他の論理素子を用いても同様
の働きをさせ得ることは明らかであろう。
を有する。また、第9図、第11図に示す実施例におい
て論理回路101はD71jツブフロップ105を主体
に論理を構成しているが、他の論理素子を用いても同様
の働きをさせ得ることは明らかであろう。
第12図は本発明の第7の実施例を示し、電流検出手段
10の他の具体的な実施例を示す図である。また、同図
において、第5図に示したと同一符号の部分は其々同−
物及び相当*Jを示す。さらに電流検出手段10を除い
た他の部分は第5図に示したと同じ回路であシ、前述し
たと同様の動作を行ない、出力端子5に高電圧のパルス
を発生できる。
10の他の具体的な実施例を示す図である。また、同図
において、第5図に示したと同一符号の部分は其々同−
物及び相当*Jを示す。さらに電流検出手段10を除い
た他の部分は第5図に示したと同じ回路であシ、前述し
たと同様の動作を行ない、出力端子5に高電圧のパルス
を発生できる。
新たに電流検出手段よして設けられたコンデンサ12,
0と抵抗121は直列接続しており、これが第1の電位
端子6と第1のスイッチ1間に設けられた抵抗44に並
列に接続され′Cいる。またコンデンサ120の端子の
一方は制御手段11を構成するサイリスタ41のアノー
ド端子へ、他方はダイオード42を介してNゲートへ接
続される。
0と抵抗121は直列接続しており、これが第1の電位
端子6と第1のスイッチ1間に設けられた抵抗44に並
列に接続され′Cいる。またコンデンサ120の端子の
一方は制御手段11を構成するサイリスタ41のアノー
ド端子へ、他方はダイオード42を介してNゲートへ接
続される。
ナオダイオード42は雑音による誤動作がなければ省略
してもさしつかえない。
してもさしつかえない。
第13図は第12図に示す本発明筒7の実施例の各部の
波形を示したものであシ、第13図(1)は端子4への
入力信号φ、第13図(2)は抵抗44に流れる電流、
第13図(3)は抵抗121と抵抗44との接続点aの
電位、第13図(4)はコンデンサ120と抵抗121
との接続点すの電位、第13図(5)はサイリスタ41
ONゲートの電流波形である。
波形を示したものであシ、第13図(1)は端子4への
入力信号φ、第13図(2)は抵抗44に流れる電流、
第13図(3)は抵抗121と抵抗44との接続点aの
電位、第13図(4)はコンデンサ120と抵抗121
との接続点すの電位、第13図(5)はサイリスタ41
ONゲートの電流波形である。
本実施例に示す回路構成において、通常時は信号φの入
力によシ容量性負荷(図示せず)が駆動され、抵抗44
には(1)式によって定まる電流icが、(2)式で示
されるtの期間流れ、第13図(3)に示す様に接続点
aの電圧は降下する。しかし、この期間が短かいためコ
ンデンサ120と抵抗121とからなる時定数を備えた
遅れ要素を持っているため接続点すの電位は急速には追
従できず、電位変動(電圧降下)は少ない。このためサ
イリスタ41の点弧電圧Vyに至らず、サイリスタ41
は導通状態にはならない。従がって第1のスイッチ1は
通常の動作を行ない、出力端子5は高電位となる。
力によシ容量性負荷(図示せず)が駆動され、抵抗44
には(1)式によって定まる電流icが、(2)式で示
されるtの期間流れ、第13図(3)に示す様に接続点
aの電圧は降下する。しかし、この期間が短かいためコ
ンデンサ120と抵抗121とからなる時定数を備えた
遅れ要素を持っているため接続点すの電位は急速には追
従できず、電位変動(電圧降下)は少ない。このためサ
イリスタ41の点弧電圧Vyに至らず、サイリスタ41
は導通状態にはならない。従がって第1のスイッチ1は
通常の動作を行ない、出力端子5は高電位となる。
い甘、時刻Kにおいて出力短絡が起きた場合を考えると
、抵抗44に過電流が流れ、(このときの値は抵抗44
の値と第1の電位端子6の電圧で定まる。ここではic
のピーク値と同じ電流に設定されている)、第13図(
2)の破線で示すような電流が信号φが入力端子4に入
力されている間流れようとする。しかし第13図(3)
に示す様に接続点aの電位は急激に下がり、第13図(
4)に示す様に接続点すの電位はコンデンサ120の容
量Cと抵抗121の値Rとの時定数CRを持って指数関
数的に低下する。to時間後、この点の電位がサイリス
タ41をオンさせるにたる電位VFに達したとき、第1
3図(5)に示す様にNゲートから電流が引き抜かれ、
サイリスタ41は導通状態となる。
、抵抗44に過電流が流れ、(このときの値は抵抗44
の値と第1の電位端子6の電圧で定まる。ここではic
のピーク値と同じ電流に設定されている)、第13図(
2)の破線で示すような電流が信号φが入力端子4に入
力されている間流れようとする。しかし第13図(3)
に示す様に接続点aの電位は急激に下がり、第13図(
4)に示す様に接続点すの電位はコンデンサ120の容
量Cと抵抗121の値Rとの時定数CRを持って指数関
数的に低下する。to時間後、この点の電位がサイリス
タ41をオンさせるにたる電位VFに達したとき、第1
3図(5)に示す様にNゲートから電流が引き抜かれ、
サイリスタ41は導通状態となる。
従がって第1のスイッチlは非導通(開放)状態となり
、過電流はしゃ断される。過電流のしゃ断に伴って接続
点aの電位は上昇するとともに接続点すの電位も上昇し
、定常状態に戻り、再度信号φが入力されて、過電流が
流れるまでこの状態を維持する。
、過電流はしゃ断される。過電流のしゃ断に伴って接続
点aの電位は上昇するとともに接続点すの電位も上昇し
、定常状態に戻り、再度信号φが入力されて、過電流が
流れるまでこの状態を維持する。
以上述べたように本実極側になる時間遅れ要素を備えた
電流検出手段10を用いても過電流をしゃ断し、スイッ
チの破壊を防止できる。
電流検出手段10を用いても過電流をしゃ断し、スイッ
チの破壊を防止できる。
本実施例の回路構成によれば短絡が起きた時点から時間
to遅れた時点で電流検出手段10が動作する。すなわ
ち、第5図に示した電流検出手段10は直流の波高値に
よって検出するのに対し、本実極側では時間によって検
出するようにしたものである。遅れ時間toはCl−1
,によって設定でき、容量荘負荷の駆動時間tよシも長
く、また、長時間過電流を流すことによってスイッチが
熱破壊を生ずる時間よシは短かく設定される。
to遅れた時点で電流検出手段10が動作する。すなわ
ち、第5図に示した電流検出手段10は直流の波高値に
よって検出するのに対し、本実極側では時間によって検
出するようにしたものである。遅れ時間toはCl−1
,によって設定でき、容量荘負荷の駆動時間tよシも長
く、また、長時間過電流を流すことによってスイッチが
熱破壊を生ずる時間よシは短かく設定される。
以上述べてきた本実施例によれば、容量性負荷の静電容
量値等のばらつきによるicのピーク変動を無視でき、
負荷駆動の電流と短絡時の過渡電流を明確に区別できる
効果がある。すなわち、ある程度の抵抗値をまじえて短
絡が発生し、過電流値が負荷駆動電流icのピーク値よ
p低い場合においても短絡の発生を検出することができ
る。
量値等のばらつきによるicのピーク変動を無視でき、
負荷駆動の電流と短絡時の過渡電流を明確に区別できる
効果がある。すなわち、ある程度の抵抗値をまじえて短
絡が発生し、過電流値が負荷駆動電流icのピーク値よ
p低い場合においても短絡の発生を検出することができ
る。
さらに、このことは後述するように多数のスイッチを並
列に駆動するさいトータルの負荷電流のピーク値が、1
ケの駆動回路の出力短絡電流よシも大きな場合において
も、正常時と短絡時の電流を明確に区別できる効果があ
る。
列に駆動するさいトータルの負荷電流のピーク値が、1
ケの駆動回路の出力短絡電流よシも大きな場合において
も、正常時と短絡時の電流を明確に区別できる効果があ
る。
第14図は本発明の第8の実施例を示すものであシ、第
12図に示した時間遅れ要素を設えた電流検出手段10
の他の実施例である。ホトダイオード140は第1の電
位端子6と第1のスイッチ1との間に設けられ、この信
号を受けるホトトランジスタ141がサイリスタ41の
Nゲートとカソード間に図示のごとく設けられる。上記
のように構成された電流検出回路においても定常駆動電
流と過電流とを時間的に区別することが可能である。す
なわち、ホトダイオード140は本質的に遅れ要素であ
るため、定常駆動の電流icが流れるt程度の時間では
発光動作をせず、検出信号は生じない。しかし、出力が
短絡し、電流が10時間流れたときは発光し、検出信号
を発生する。ホトダイオード141はこれを受けて導通
状態となシ、Nゲートから電流を引き抜き、サイリスタ
41を導通状態にし第1のスイッチ1を非導通状態にし
、過電流を停止させる。
12図に示した時間遅れ要素を設えた電流検出手段10
の他の実施例である。ホトダイオード140は第1の電
位端子6と第1のスイッチ1との間に設けられ、この信
号を受けるホトトランジスタ141がサイリスタ41の
Nゲートとカソード間に図示のごとく設けられる。上記
のように構成された電流検出回路においても定常駆動電
流と過電流とを時間的に区別することが可能である。す
なわち、ホトダイオード140は本質的に遅れ要素であ
るため、定常駆動の電流icが流れるt程度の時間では
発光動作をせず、検出信号は生じない。しかし、出力が
短絡し、電流が10時間流れたときは発光し、検出信号
を発生する。ホトダイオード141はこれを受けて導通
状態となシ、Nゲートから電流を引き抜き、サイリスタ
41を導通状態にし第1のスイッチ1を非導通状態にし
、過電流を停止させる。
本実施例においては部品数を少なくでき、抵抗44を無
くすることによって消費電力を減らすことができ、かつ
、光で信号を受授するためノイズによる誤動作を防止で
きるなどの効果がある。
くすることによって消費電力を減らすことができ、かつ
、光で信号を受授するためノイズによる誤動作を防止で
きるなどの効果がある。
以上本実施例では、時間遅れ要素に抵抗及びコンデンサ
とホトトランジスタとの2例を挙げたが、その他、すV
−や論理回路ダイオード、カレントミラー回路等を時間
遅れ要素とすることが可能でおる。
とホトトランジスタとの2例を挙げたが、その他、すV
−や論理回路ダイオード、カレントミラー回路等を時間
遅れ要素とすることが可能でおる。
第15図は本発明の第9の実施例を示す。同図において
、第2図、第4図に示したものと同一符号の部分は其々
同−物及び相当物を示す。また、チャンネル150,1
51,152は第4図において、電流検出手段10と制
御手段11とを除いた回路部分でおυ、各チャンネルは
第1の電位(例えば′区源電位)端子6と第2の電位(
例えば接地電位)端子7間に並列に設けられている。電
流検出手段10は、各チャンネルの第1のスイッチ1に
図に示すように接続される。さらに制御手段11=km
5’2しているサイリスタ41のアノードは新たに設け
られたダイオード153,154゜155を介し、各チ
ャンネルのライン90に接続に示すように第1の電位端
子160から各チャネルに供給される。電流検出手段1
0は第12図に示す第7の実施例と同様に時間遅れ要素
を備えたものが用いられる構成となっている。
、第2図、第4図に示したものと同一符号の部分は其々
同−物及び相当物を示す。また、チャンネル150,1
51,152は第4図において、電流検出手段10と制
御手段11とを除いた回路部分でおυ、各チャンネルは
第1の電位(例えば′区源電位)端子6と第2の電位(
例えば接地電位)端子7間に並列に設けられている。電
流検出手段10は、各チャンネルの第1のスイッチ1に
図に示すように接続される。さらに制御手段11=km
5’2しているサイリスタ41のアノードは新たに設け
られたダイオード153,154゜155を介し、各チ
ャンネルのライン90に接続に示すように第1の電位端
子160から各チャネルに供給される。電流検出手段1
0は第12図に示す第7の実施例と同様に時間遅れ要素
を備えたものが用いられる構成となっている。
各チャネルは通常動作時、各チャネルの入力端子4へ入
力される信号φによシ個別に駆動でき、出力端子5には
其々高電圧パルスを発生できる。
力される信号φによシ個別に駆動でき、出力端子5には
其々高電圧パルスを発生できる。
いま各チャネルが同じタイミングで信号φにより駆動さ
れたとき、抵抗44には各チャネルの負荷電流の合計が
流れる。この合計電流のピーク値は1チヤネルが短絡し
たときに流れる過電流のピーク値よりも大きい。しかし
第13図に示した時間tの期間のみしか流れないので、
遅れ要素を備えた電流検出手段10は動作しない。
れたとき、抵抗44には各チャネルの負荷電流の合計が
流れる。この合計電流のピーク値は1チヤネルが短絡し
たときに流れる過電流のピーク値よりも大きい。しかし
第13図に示した時間tの期間のみしか流れないので、
遅れ要素を備えた電流検出手段10は動作しない。
次に各チャネルの出力が高電位となっているとき、チャ
ネル150のみに出力短絡が発生した場合、短絡電流(
過電流)は信号φが入力されている期間流れようとする
。この詩仙のチャネルの負荷電流はすでに零となってい
る。電流検出手段10は第13図に示した10時間たっ
た時2点で短絡′電流を検出しサイリスタ41′1を導
通状態にさせる。これにより各チャネルのトランジスタ
46のベース・エミッタ間は短絡され、各チャネルの第
1のスイッチ1は開放状態になυ過電流はしゃ断される
。ダイオード153.1φ−4,155は各チャネルが
個別に動作しているとき、一方のチャネルのライン90
がハイレベルとなり他方がローレベルとなったとき、一
方のチャネルから電流が逆流してくるのを防止している
。
ネル150のみに出力短絡が発生した場合、短絡電流(
過電流)は信号φが入力されている期間流れようとする
。この詩仙のチャネルの負荷電流はすでに零となってい
る。電流検出手段10は第13図に示した10時間たっ
た時2点で短絡′電流を検出しサイリスタ41′1を導
通状態にさせる。これにより各チャネルのトランジスタ
46のベース・エミッタ間は短絡され、各チャネルの第
1のスイッチ1は開放状態になυ過電流はしゃ断される
。ダイオード153.1φ−4,155は各チャネルが
個別に動作しているとき、一方のチャネルのライン90
がハイレベルとなり他方がローレベルとなったとき、一
方のチャネルから電流が逆流してくるのを防止している
。
以上述べてきたように、上記した本実施例においても、
短絡時の過電流を防止できることがわがる。
短絡時の過電流を防止できることがわがる。
本実施例によれば、1組の電流検出手段10と制御手段
41によって多数のチャネルを保護できる効果含有する
。
41によって多数のチャネルを保護できる効果含有する
。
以上述べたように、本発明によれば、過電流を鴫
防止し、出力短絡時、においてもスイッチを破壊するこ
とのない容量性負荷の駆動回路を得ることができる。
とのない容量性負荷の駆動回路を得ることができる。
第1図は従来例であるパルス電圧発生回路図、第2図は
本発明の第1の実施例を示すブロック図、第3図は第2
図の動作を説明するための図、第4図は本発明の第2の
実施例を示す回路図、第5図は本発明の第3の実施例を
示す回路図、第6図は第5図の動作波形を示す図、第7
図は制御手段の他の実施例を示す図、第8図は本発明の
第4の実施例を示す図、第9図は本発明の第5の実Am
例を示す回路図、第10図は第9図の動作波形を示す図
、第11図は本発明の第6の実施例を示す図、第12図
は不発明の第7の実施例を示す図、第13図は第12図
の動作波形を示す図、第14図は本発明の第8の実施例
を示す図、第15図は本第 1 図 (3) 第 2 図 / 子 3 図 (d) (−1!) 第 4 図 第 5 図 第 乙 pり / 第 7 m 第 8 図 第 9 図 第 70 図 ′)餐”orr” − 第 // In 第 72 図 第 /31 (52: 竿 /4 図
本発明の第1の実施例を示すブロック図、第3図は第2
図の動作を説明するための図、第4図は本発明の第2の
実施例を示す回路図、第5図は本発明の第3の実施例を
示す回路図、第6図は第5図の動作波形を示す図、第7
図は制御手段の他の実施例を示す図、第8図は本発明の
第4の実施例を示す図、第9図は本発明の第5の実Am
例を示す回路図、第10図は第9図の動作波形を示す図
、第11図は本発明の第6の実施例を示す図、第12図
は不発明の第7の実施例を示す図、第13図は第12図
の動作波形を示す図、第14図は本発明の第8の実施例
を示す図、第15図は本第 1 図 (3) 第 2 図 / 子 3 図 (d) (−1!) 第 4 図 第 5 図 第 乙 pり / 第 7 m 第 8 図 第 9 図 第 70 図 ′)餐”orr” − 第 // In 第 72 図 第 /31 (52: 竿 /4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、容量性負荷の電荷を変化させるスイッチと、上記容
量性負荷に流れる所定値以上の電流を検出し、検出信号
を出力する一流検出手段と、上記検出1g号に基いて上
記スイッチの開閉を制御する制御手段とを具備すること
を特徴とする容量性負荷の駆動回路。 2、特許請求の範囲第1項に於いて、上記スイッチは上
記容量性負荷に電荷を供給するスイッチであることヲ椅
徴とする容量性負荷の駆動回路。 3゜特許請求の範囲第1項に於いて、上記スイッチは上
記容量性負荷の電荷を放電させるスイッチであることを
特徴とする容量性負荷の駆動回路。 4、特許請求の範囲第1項に於いて、上記制御手段はサ
イリスタであることを特徴とする容量性負荷の駆動回路
。 5、特許請求の範囲第1項に於いて、上記制御手段はノ
リツブフロッグを含む論理回路よシ構成されることを特
徴とする容量性負荷の駆動回路。 6、特許請求の範囲第5項に於いて、上記制御手段はホ
トダイオード、ホトトランジスタを具備することを特徴
とする容量性負荷の駆動回路。 7、特許請求の範囲第1項、第2項、または第4項に於
いて、上記制御手段は上記スイッチと並列接続されるこ
とを特徴とする容量性負荷の駆動回路。 8、%許請求の範囲第1項、第2項、第5項または第6
項に於いて、上記制御手段は上記スイッチと直列接続さ
れることを特徴とする容量性負荷の駆動回路。 9、特許請求の範囲第1項に於いて、上記電流検出手段
は所定値以上の電流の波高値を検出する電流検出手段で
あることを特徴とする容量性負荷の駆動回路。 10、特許請求の範囲第9項に於いて、上記電流検出手
段は抵抗であることを特徴とする容量性負荷の駆動回路
。 11、特許請求の範囲第1項または第4項に於いて、上
記電流検出手段は、所定値以上の電流が流れる時間を検
出する電流検出手段であることを特徴とする容量性負荷
の駆動回路。 12、特許請求の範囲第11項に於いて、上記電流検出
手段は時間遅れ要素を具備することを特徴とする容量性
負荷の駆動回路。 13、特許請求の範囲第12項に於いて、上記電流検出
手段は抵抗及びコンデンサより構成されることを特徴と
する容量性負荷の駆動回路。 14、特許請求の範囲第12項に於いて、上記1流検出
手段はホトダイオード及びホトトランジスタより構成さ
れることを特徴とする容量性負荷の駆動回路。 15、特許請求の範囲第4項に於いて、上記制御手段は
、Nゲートにダイオードを備えるサイリスタでめること
を特徴とする容量性負荷の駆動回路。 16、特許請求の範囲第1項または第4項に於いて、上
記制御手段はダイオードを介して上記スイッチに接続さ
れることを特徴とする容量性負荷の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58122542A JPS6013559A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 容量性負荷の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58122542A JPS6013559A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 容量性負荷の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013559A true JPS6013559A (ja) | 1985-01-24 |
| JPH0442848B2 JPH0442848B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=14838447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58122542A Granted JPS6013559A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 容量性負荷の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013559A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63280651A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 圧電素子の保護方式 |
| JPH02208055A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-17 | Hitachi Ltd | インクジェット記録装置 |
| US7064945B2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitive load driving circuit and liquid crystal display |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759220U (ja) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP58122542A patent/JPS6013559A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5759220U (ja) * | 1980-09-25 | 1982-04-07 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63280651A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 圧電素子の保護方式 |
| JPH02208055A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-17 | Hitachi Ltd | インクジェット記録装置 |
| US7064945B2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitive load driving circuit and liquid crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442848B2 (ja) | 1992-07-14 |
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