JPS6013745U - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

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JPS6013745U
JPS6013745U JP10586283U JP10586283U JPS6013745U JP S6013745 U JPS6013745 U JP S6013745U JP 10586283 U JP10586283 U JP 10586283U JP 10586283 U JP10586283 U JP 10586283U JP S6013745 U JPS6013745 U JP S6013745U
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JP
Japan
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integrated circuit
heat sink
hybrid integrated
power transistor
protruding
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JP10586283U
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JPS6311735Y2 (ja
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風見　明
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を説明する断面図、第２図および第３図
は本考案者による従来の改良例を説明する上面図および
断面図、第４図および第５図は本考案を説明する上面図
および断面図である。 主な図番の説明、１１は基板、１３はヒートシンク、１
４はパワートランジスタ、１５は枠体、′１６は封止樹
脂層、１８は蓋体、２０は間隔片、２２はひさし部であ
る。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁基板上にヒートシンクを介して固着したパワートラ
    ンジスタを具備する混成集積回路に於いて、゛前記ヒー
    トシンクを取り囲み且つ内側に突出した間隔片と下部に
    設は前記ヒートシンク近傍まで突出されたひさし部とを
    備え前記ヒートシンクより離間して配置した枠体と、該
    枠体内に充填され前記パワートランジスタを完全に被覆
    する封止樹脂層とを有することを特徴とする混成集積回
    路。
JP10586283U 1983-07-06 1983-07-06 混成集積回路 Granted JPS6013745U (ja)

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JP10586283U JPS6013745U (ja) 1983-07-06 1983-07-06 混成集積回路

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JP10586283U JPS6013745U (ja) 1983-07-06 1983-07-06 混成集積回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6013745U true JPS6013745U (ja) 1985-01-30
JPS6311735Y2 JPS6311735Y2 (ja) 1988-04-05

Family

ID=30247967

Family Applications (1)

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JP10586283U Granted JPS6013745U (ja) 1983-07-06 1983-07-06 混成集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6013745U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0229529U (ja) * 1988-08-12 1990-02-26

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0229529U (ja) * 1988-08-12 1990-02-26

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6311735Y2 (ja) 1988-04-05

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