JPS60141135U - トランジスタ装置 - Google Patents

トランジスタ装置

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JPS60141135U
JPS60141135U JP2672784U JP2672784U JPS60141135U JP S60141135 U JPS60141135 U JP S60141135U JP 2672784 U JP2672784 U JP 2672784U JP 2672784 U JP2672784 U JP 2672784U JP S60141135 U JPS60141135 U JP S60141135U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor device
terminal
dielectric material
conductive substrate
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP2672784U
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English (en)
Inventor
武 沢田
真一 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS60141135U publication Critical patent/JPS60141135U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の小信号用ＧａＡｓＦＥＴを上方からみた
図、第２図は第１図に示した小信号用ＧａＡｓＦ　ＥＴ
を用いたソース接地増幅回路のバイアス供給方式を説明
するための図、第３図は第１図に示した小信号用ＧａＡ
ｓＦＥＴの接地方式の従来例の断面図、第４図は本考案
の高周波トランジスタ装置の一実施例の上蓋をとった平
面図、第５図は第４図に示した本考案の一実施例のＡ　
−Ａ’断面図である。 １・・・ゲート端子、２・・・ドレイン端子、３・・・
ソース端子、５・・・パッケージ、６・・・コンデンサ
、７・・・スルーホール、８・・・誘電体、９・・・導
体パターン、１０・・・地導体、１１・・・抵抗、１２
・・・可変抵抗、１，２３・・・トランジスタチップ、
１４・・・導体基板、１５．１６・・・誘電体フレーム
、１８・・・ボンデングワイヤ、１９・・・上蓋、２１
・・・ゲート端子、２２・・・ドレイン端子、２３・・
・ソース端子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 地気に接続された導体暴漢と、この導体基板上に設−さ
    れたトランジスタチップと、このトランジスタチップよ
    り導出される端子と、この端子と前記導体基板との間に
    容量素子として介在する高誘電率の誘電体とを具備する
    ことを特徴とするトランジスタ装置。
JP2672784U 1984-02-28 1984-02-28 トランジスタ装置 Pending JPS60141135U (ja)

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JP2672784U JPS60141135U (ja) 1984-02-28 1984-02-28 トランジスタ装置

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JP2672784U JPS60141135U (ja) 1984-02-28 1984-02-28 トランジスタ装置

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JPS60141135U true JPS60141135U (ja) 1985-09-18

Family

ID=30523009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2672784U Pending JPS60141135U (ja) 1984-02-28 1984-02-28 トランジスタ装置

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