JPS60148111A - 半導体ウエハの冷却機構 - Google Patents
半導体ウエハの冷却機構Info
- Publication number
- JPS60148111A JPS60148111A JP59004318A JP431884A JPS60148111A JP S60148111 A JPS60148111 A JP S60148111A JP 59004318 A JP59004318 A JP 59004318A JP 431884 A JP431884 A JP 431884A JP S60148111 A JPS60148111 A JP S60148111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- holder
- cooling
- cooling mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P30/00—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices
- H10P30/20—Ion implantation into wafers, substrates or parts of devices into semiconductor materials, e.g. for doping
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハの冷却機構に関する。
イオン注入表置には、ウェノ１の昇温を押えるために何
らかの半尋本つェノ・冷却手段が用いられることが多い
、冷却の方式は、熱伝導によって半導体ウェハ裏面から
熱を奪うのが一般的である。熱伝導媒体には大別して、
）ＬＴＶゴムか低圧のガスが用いられているが、これら
にはそれぞれ次のような欠点がある・ ＲＴ Ｖゴムの場合は （ｔ−ａ）：半導体ウェハとゴムとの接触部の熱抵抗を
下けるために、半導体ウェハ をゴムに押付ける必要がある。この 力のために、半導体ウェハが変形し、 破損しやすくなる。また、相当の力 で（ψ付けても、半尋体つェノ１％部を均一に冷却する
ことＦｉ、Ｓかしい。
らかの半尋本つェノ・冷却手段が用いられることが多い
、冷却の方式は、熱伝導によって半導体ウェハ裏面から
熱を奪うのが一般的である。熱伝導媒体には大別して、
）ＬＴＶゴムか低圧のガスが用いられているが、これら
にはそれぞれ次のような欠点がある・ ＲＴ Ｖゴムの場合は （ｔ−ａ）：半導体ウェハとゴムとの接触部の熱抵抗を
下けるために、半導体ウェハ をゴムに押付ける必要がある。この 力のために、半導体ウェハが変形し、 破損しやすくなる。また、相当の力 で（ψ付けても、半尋体つェノ１％部を均一に冷却する
ことＦｉ、Ｓかしい。
（１−ｂ）：大気圧による吸賂効果あるいはフアンデル
ワールス力により半導体ウェ ハとゴムが張フつくことがある。
ワールス力により半導体ウェ ハとゴムが張フつくことがある。
一示低圧ガスの場合は。
（２−ａ ） ：処理中に半導体ウェノ・が割れた場合
。
。
処理具を室内の真空度に影＃會与え
る（冷却用ガスがウェハ裏面とシー
ル材によって処理室の臭突とは絶縁
されている方式の場合）。
（２−ｂ）：処理室の真空度が高く保てない（冷却用ガ
スが、ウェハ裏面に沿って流 れて、処理室内に放散される方式の 場合）。
スが、ウェハ裏面に沿って流 れて、処理室内に放散される方式の 場合）。
これらの欠点を改良し、冷却効果も、ガス冷却に近いも
のとするために、不発明では、真空容器内に置かれた半
導体ウェハーを冷却用ガスをプラスチックフィルムで真
壁室とは絶縁している。その結果、前記（２−８）、（
２−ｂンの欠点はその構造からして起こりえない、また
（１−ａ）に関しては、ウェハ処理中には、カスの圧力
によって、グラスチックフィルムがウェハ裏面に、はぼ
均一に押付けられ、またその力も、）ＬＴＶゴム使用時
のウェハ押付力よりもはるかに小さいため。
のとするために、不発明では、真空容器内に置かれた半
導体ウェハーを冷却用ガスをプラスチックフィルムで真
壁室とは絶縁している。その結果、前記（２−８）、（
２−ｂンの欠点はその構造からして起こりえない、また
（１−ａ）に関しては、ウェハ処理中には、カスの圧力
によって、グラスチックフィルムがウェハ裏面に、はぼ
均一に押付けられ、またその力も、）ＬＴＶゴム使用時
のウェハ押付力よりもはるかに小さいため。
大幅な改善が可能である。さらに（１−ｂ）の吸盤効果
によるウェハの張フつきも、その構造上極めておこりに
＜＜、加え−〔ウェノ１との接触面が金ＦＡがで覆われ
ているため、プラスチックフィルムとウェハの密着が良
くな夛すぎて、分子間力で接層することや、加塑剤のし
み出しによる接層も起こすにくい。
によるウェハの張フつきも、その構造上極めておこりに
＜＜、加え−〔ウェノ１との接触面が金ＦＡがで覆われ
ているため、プラスチックフィルムとウェハの密着が良
くな夛すぎて、分子間力で接層することや、加塑剤のし
み出しによる接層も起こすにくい。
次に第１図に不発明の実施例を示す。
十Ｓ体ウェハ１は半導体ウェハクランプ６により、ウェ
ハホルダ３に押付けられる。牛導体りエハ裏曲にはプラ
スチックフィルム２が、導入口４から導入されたガスの
圧力によって密層させられている。なお、フィルムの金
属蒸ＮＩｆＩはウェハホルダ３に接触しているため、半
導体ウェハ１とウェハホルダ３との電気的接触が良好に
保たれ、注入量測定や、チャージアップの対策としても
有効である。
ハホルダ３に押付けられる。牛導体りエハ裏曲にはプラ
スチックフィルム２が、導入口４から導入されたガスの
圧力によって密層させられている。なお、フィルムの金
属蒸ＮＩｆＩはウェハホルダ３に接触しているため、半
導体ウェハ１とウェハホルダ３との電気的接触が良好に
保たれ、注入量測定や、チャージアップの対策としても
有効である。
第１図は本発明の実施例をボす図である。
尚１図において。
１は半導体ウェハ、２はプラスチックフィルム、３はウ
ェハホルダ、４はガス導入口、５はガス排出口、６はウ
ェハクランプである。
ェハホルダ、４はガス導入口、５はガス排出口、６はウ
ェハクランプである。
Claims (1)
- 気体の熱伝４を利用した容器内に置かれた半導体ウェハ
の冷却機構において、該半４体ウニノーと冷却用ガスと
の間に、表面に金縞蒸着したプラスチ、クフイルムを隔
壁として設け、冷却）＋１７！１１スの圧力によって該
プラスチックフィルムと該半導体ウェハとの側層性を尚
めたことを特畝とする半導体ウェハの冷却機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59004318A JPS60148111A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 半導体ウエハの冷却機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59004318A JPS60148111A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 半導体ウエハの冷却機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60148111A true JPS60148111A (ja) | 1985-08-05 |
Family
ID=11581121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59004318A Pending JPS60148111A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | 半導体ウエハの冷却機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60148111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5881208A (en) * | 1995-12-20 | 1999-03-09 | Sematech, Inc. | Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP59004318A patent/JPS60148111A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5881208A (en) * | 1995-12-20 | 1999-03-09 | Sematech, Inc. | Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core |
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