JPS605539A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPS605539A JPS605539A JP58113219A JP11321983A JPS605539A JP S605539 A JPS605539 A JP S605539A JP 58113219 A JP58113219 A JP 58113219A JP 11321983 A JP11321983 A JP 11321983A JP S605539 A JPS605539 A JP S605539A
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- JP
- Japan
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- negative
- sample
- voltage
- turned
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/72—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ａｌ 発明の技術分野
本発明は、スパッタもしくは反応性スパッタエッチング
装置等の真空処理室内で被処理試料を保持する静電吸着
装置に係り、特に被処理試料を支持する支持体からの開
放離脱を容易にする電圧印加構成に関する。
装置等の真空処理室内で被処理試料を保持する静電吸着
装置に係り、特に被処理試料を支持する支持体からの開
放離脱を容易にする電圧印加構成に関する。
ｌｂｌ 技術の背景
真空処理室内で試料を支持する一方法きして静電吸着に
よる支持方法があり、例えば試料をドライエツチングす
る反応性スパッタエッチング等の支持機構に用いる場合
、試料は、冷却又は加熱等の温度制御された支持体に熱
的コンタクトが十分とれるよう支持されることが必要で
、支持体の温度が被処理試料に迅速に伝播されるのが望
ましい。
よる支持方法があり、例えば試料をドライエツチングす
る反応性スパッタエッチング等の支持機構に用いる場合
、試料は、冷却又は加熱等の温度制御された支持体に熱
的コンタクトが十分とれるよう支持されることが必要で
、支持体の温度が被処理試料に迅速に伝播されるのが望
ましい。
この為半導体ウェハの場合ウェハ自体のそりを矯正して
接触面積を増力Ｈさせ密着させる静電吸着装置を用いる
方法が提案されている。
接触面積を増力Ｈさせ密着させる静電吸着装置を用いる
方法が提案されている。
ｔｅｌ 従来技術と問題点
第１図は従来の反応性スパッタエツチング装置の概要を
示す構成図、第２図は静電吸着装置の従来例を示す断面
図である。第１図において陽極２を接地し、陰極をなす
支持体−３にコンデンサー（ＣＯ〕を介して高周波（Ｊ
ｆ、）電圧を印加する反応性スパッタ装置１であって、
試料４を支持体３上に静電吸着装置５により吸着固定さ
せる。支持体３は陰極をなすと共に内部に水ジャケット
６を備えて水冷するか又はヒータを備えて加熱すると同
時に１対の平面電極を有する静電吸着装置５を具備して
いる。また装置１内に反応ガスを供給し矢印で示す方向
に流動させる。静電吸着装置５は第２区に示すようにｌ
対の平面電極７．８を同一平曲上に配設し、この平面電
極７．８間Ｅこ１，０００〜２，０００ ｖ程度の電圧
を印刀０することにより試料を支持体：（に静電的に吸
着させ試料４の支持体３への熱的コンタクトを強めるこ
とができる。静電吸着装置５はアルミニウム等の平面電
極７，８をシリコンゴム等の絶縁層９に埋込んで形成さ
れる。
示す構成図、第２図は静電吸着装置の従来例を示す断面
図である。第１図において陽極２を接地し、陰極をなす
支持体−３にコンデンサー（ＣＯ〕を介して高周波（Ｊ
ｆ、）電圧を印加する反応性スパッタ装置１であって、
試料４を支持体３上に静電吸着装置５により吸着固定さ
せる。支持体３は陰極をなすと共に内部に水ジャケット
６を備えて水冷するか又はヒータを備えて加熱すると同
時に１対の平面電極を有する静電吸着装置５を具備して
いる。また装置１内に反応ガスを供給し矢印で示す方向
に流動させる。静電吸着装置５は第２区に示すようにｌ
対の平面電極７．８を同一平曲上に配設し、この平面電
極７．８間Ｅこ１，０００〜２，０００ ｖ程度の電圧
を印刀０することにより試料を支持体：（に静電的に吸
着させ試料４の支持体３への熱的コンタクトを強めるこ
とができる。静電吸着装置５はアルミニウム等の平面電
極７，８をシリコンゴム等の絶縁層９に埋込んで形成さ
れる。
絶縁層９は試料４との密着１生を良好にするために弾力
性のあるものが望まし、い。電圧目＋ ７Ｊ１１回路は
二極構成の平面電極７，８にそれぞれ極性の異なる正負
の直流電圧を臼」刃口し、■、電極間靜電答潴ｊこより
、静電気が誘起され、試料４は支持体３に吸着する。回
路中に設けたコイル９．１０は高周波カット用のフィル
ターで真空処理室にか＼るべき高周波の電界がシールド
されるのを防止するために設けるものである。スイッチ
当、８．は電圧印加用の′岨汎ミスイッチであり鍾−動
する。エツチング終了後スイッチＳＩ、Ｓ２を開放し、
次いでスイッチＳ３を閉じて電荷をリークし、試料４を
支持体６より離脱させるものである。しかし支持体３を
なす陰極電極はガスプラズマ放電中電子によるチャージ
アップで負電位（セルフバイアス電圧）に帯電し絨百■
に達する。これＯこより静電吸着装置の電源を切断し尚
接地させても吸着力が残留し特に真空処理室内で試料４
の離脱が困難となる。匝っで処理−Ａ置の自動化を訂り
、共窒予倫厘（ロードロックラで試料の脱離を有なうづ
５合筒速処理に対応できない。
性のあるものが望まし、い。電圧目＋ ７Ｊ１１回路は
二極構成の平面電極７，８にそれぞれ極性の異なる正負
の直流電圧を臼」刃口し、■、電極間靜電答潴ｊこより
、静電気が誘起され、試料４は支持体３に吸着する。回
路中に設けたコイル９．１０は高周波カット用のフィル
ターで真空処理室にか＼るべき高周波の電界がシールド
されるのを防止するために設けるものである。スイッチ
当、８．は電圧印加用の′岨汎ミスイッチであり鍾−動
する。エツチング終了後スイッチＳＩ、Ｓ２を開放し、
次いでスイッチＳ３を閉じて電荷をリークし、試料４を
支持体６より離脱させるものである。しかし支持体３を
なす陰極電極はガスプラズマ放電中電子によるチャージ
アップで負電位（セルフバイアス電圧）に帯電し絨百■
に達する。これＯこより静電吸着装置の電源を切断し尚
接地させても吸着力が残留し特に真空処理室内で試料４
の離脱が困難となる。匝っで処理−Ａ置の自動化を訂り
、共窒予倫厘（ロードロックラで試料の脱離を有なうづ
５合筒速処理に対応できない。
＋ｃ＋）発明の目的
本発明は上記の点に払み、試、骨の離脱か容易となる電
圧印加回路とした１、す電吸溜装置を提供し工）チング
処理の高速化、自動化を訂ることを目的とする。
圧印加回路とした１、す電吸溜装置を提供し工）チング
処理の高速化、自動化を訂ることを目的とする。
（四 発明の１，８ｊｖ。
上記目的は本発明によれば絶線Ｊ＝内に埋込形成される
電極に電圧印加して試料を静電的にａ着せしめる電圧印
加回路に、負の電圧を該゛電極に印加する５Ａ、電圧印
加回路を付加して該試料を真空処理室内で強制的に開放
、脱離させることによって達せられる。
電極に電圧印加して試料を静電的にａ着せしめる電圧印
加回路に、負の電圧を該゛電極に印加する５Ａ、電圧印
加回路を付加して該試料を真空処理室内で強制的に開放
、脱離させることによって達せられる。
［ｆｌ 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。第３図は本
発明の一実施例である負゛電圧印刀１回路を何カ０した
静電吸着装置をボす向面図である。１対の平面電極１２
．１３を絶縁層１４内に埋込み、この電極間ｉこ正負の
直流電圧・をそれ−ｅれｉ、ｏｏｏｖ〜２．０ＯＯＶを
印加して半導体ウェハ等の試料を静電的ｔこＩ＆着ざぜ
る。ＴｌＬａ＜こアルミニウム薄板を用いシリコンコム
の絶縁）ｍ１４内に埋込形成する。絶縁）ｍ１４のｍ１
ＭのＳｓを０．０５〜０．２ ｍ１ｍ ｌことり好まし
い電・鶴構成が得られる。本実、Ｄ′市例゛Ｃは絶９／
・１１１４に弾力性のあるシリコンコムを用い、試料と
の密着性を高め支持体との熱的コンタクトを強化したも
のである。このように、（ｔ４成される電極間に′電圧
を剛力０するが、まづスイッチＳ′１．７９７．をオン
し高周波カット用コイル１５，１．６を介して正及び負
の直ｆｔ’￥ｃｂ圧（１，０００−２，０００Ｖ ）を
平面電極１２．１３に印加し絶縁膜１４上に静電圧をｒ
ｈ起させ試料をａ着させる０久いで試料の脱離には電圧
印加回路に動作接点をイコ゛するＳ人スイッチ静止接点
をＭするＳＲスイッチを付加し、連動させてオンするこ
とにより両電極１２．１３に負電圧が印加される。前述
したようにガスプラズマの負電位（セルフバイアス電圧
）によって残留する吸着力を消滅させ試料の脱離が瞬時
に可能となる。次いでＳ′１゜Ｓ／、スイッチをオフし
電源切断すると共にリーク用スイッチＳ、、Ｓ５を閉じ
てリークする。このような負電圧印加回路を付加するこ
とにより試料の着脱が容易となり処理装置の自動化及び
高速処理に有効である。なおこの方法は以上の実施例で
用いた静電吸着装置のみならす、絶縁物に埋込み形成さ
れた電極を持ついかなる態様の静電吸着装置にも芯用可
能であることはｈうまでもない。
発明の一実施例である負゛電圧印刀１回路を何カ０した
静電吸着装置をボす向面図である。１対の平面電極１２
．１３を絶縁層１４内に埋込み、この電極間ｉこ正負の
直流電圧・をそれ−ｅれｉ、ｏｏｏｖ〜２．０ＯＯＶを
印加して半導体ウェハ等の試料を静電的ｔこＩ＆着ざぜ
る。ＴｌＬａ＜こアルミニウム薄板を用いシリコンコム
の絶縁）ｍ１４内に埋込形成する。絶縁）ｍ１４のｍ１
ＭのＳｓを０．０５〜０．２ ｍ１ｍ ｌことり好まし
い電・鶴構成が得られる。本実、Ｄ′市例゛Ｃは絶９／
・１１１４に弾力性のあるシリコンコムを用い、試料と
の密着性を高め支持体との熱的コンタクトを強化したも
のである。このように、（ｔ４成される電極間に′電圧
を剛力０するが、まづスイッチＳ′１．７９７．をオン
し高周波カット用コイル１５，１．６を介して正及び負
の直ｆｔ’￥ｃｂ圧（１，０００−２，０００Ｖ ）を
平面電極１２．１３に印加し絶縁膜１４上に静電圧をｒ
ｈ起させ試料をａ着させる０久いで試料の脱離には電圧
印加回路に動作接点をイコ゛するＳ人スイッチ静止接点
をＭするＳＲスイッチを付加し、連動させてオンするこ
とにより両電極１２．１３に負電圧が印加される。前述
したようにガスプラズマの負電位（セルフバイアス電圧
）によって残留する吸着力を消滅させ試料の脱離が瞬時
に可能となる。次いでＳ′１゜Ｓ／、スイッチをオフし
電源切断すると共にリーク用スイッチＳ、、Ｓ５を閉じ
てリークする。このような負電圧印加回路を付加するこ
とにより試料の着脱が容易となり処理装置の自動化及び
高速処理に有効である。なおこの方法は以上の実施例で
用いた静電吸着装置のみならす、絶縁物に埋込み形成さ
れた電極を持ついかなる態様の静電吸着装置にも芯用可
能であることはｈうまでもない。
ｆｇｌ 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明の負電圧印加回路を有
する静電吸着装置とすることにより、スパッタもしくは
反応性スパッタエツチング装置の高速化が可能となり、
自動化を目指したインライン装置に有効である。
する静電吸着装置とすることにより、スパッタもしくは
反応性スパッタエツチング装置の高速化が可能となり、
自動化を目指したインライン装置に有効である。
第１図は従来の反１．Ｌｔ性スパックエツチング装置の
概要を示す構成図、第２図は＃ｐ電吸着装置の従来例を
示す断面図、第３図は本発明の一実施例である負電圧印
加回路を付加した静を収着装置を示す断面図である。 図において１・・・・・・反応性スパッタエツチング装
置、２・・・・・・陽極、３・・・・・・支持体、４・
・・・・・試料、５・・・・・・静′ＦＬ収着装誼、６
・・・・・・水ジャケラ）、７，８，１２゜１３・・・
・・・平面電極、’９，１０，１５．１６・・・・・・
コイル、１４・曲・絶縁層。
概要を示す構成図、第２図は＃ｐ電吸着装置の従来例を
示す断面図、第３図は本発明の一実施例である負電圧印
加回路を付加した静を収着装置を示す断面図である。 図において１・・・・・・反応性スパッタエツチング装
置、２・・・・・・陽極、３・・・・・・支持体、４・
・・・・・試料、５・・・・・・静′ＦＬ収着装誼、６
・・・・・・水ジャケラ）、７，８，１２゜１３・・・
・・・平面電極、’９，１０，１５．１６・・・・・・
コイル、１４・曲・絶縁層。
Claims (1)
- 絶縁層内に埋込形成される電極に電圧印加して、試料を
静電１的に吸着せしめる電圧印別回路に、該電極に負の
電圧を印加する負電圧印加回路を付加して該試料を真空
処理室内で強制的に開放脱離させ得るようにしたことを
特徴とする静電吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113219A JPS605539A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113219A JPS605539A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605539A true JPS605539A (ja) | 1985-01-12 |
| JPS6325706B2 JPS6325706B2 (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=14606589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113219A Granted JPS605539A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605539A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287950A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-14 | Canon Inc | 静電吸着装置 |
| JPS63162544A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | Taiheiyo Kinzoku Kk | 耐熱性、耐アルカリ性、低ｐＨ性に優れた無機質繊維の製造方法 |
| JPH01181544A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 静電チャック |
| JPH027520A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング方法及び装置 |
| US5665167A (en) * | 1993-02-16 | 1997-09-09 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Plasma treatment apparatus having a workpiece-side electrode grounding circuit |
| WO2018173095A1 (ja) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0256242U (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227266A (en) * | 1975-08-25 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Wafer support |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113219A patent/JPS605539A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5227266A (en) * | 1975-08-25 | 1977-03-01 | Hitachi Ltd | Wafer support |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62287950A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-14 | Canon Inc | 静電吸着装置 |
| JPS63162544A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | Taiheiyo Kinzoku Kk | 耐熱性、耐アルカリ性、低ｐＨ性に優れた無機質繊維の製造方法 |
| JPH01181544A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-19 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 静電チャック |
| JPH027520A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Fujitsu Ltd | ドライエッチング方法及び装置 |
| US5665167A (en) * | 1993-02-16 | 1997-09-09 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Plasma treatment apparatus having a workpiece-side electrode grounding circuit |
| WO2018173095A1 (ja) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| JPWO2018173095A1 (ja) * | 2017-03-21 | 2019-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US10825657B2 (en) | 2017-03-21 | 2020-11-03 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325706B2 (ja) | 1988-05-26 |
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