JPS6014832B2 - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
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- JPS6014832B2 JPS6014832B2 JP1660279A JP1660279A JPS6014832B2 JP S6014832 B2 JPS6014832 B2 JP S6014832B2 JP 1660279 A JP1660279 A JP 1660279A JP 1660279 A JP1660279 A JP 1660279A JP S6014832 B2 JPS6014832 B2 JP S6014832B2
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- evaporation source
- substrate
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- vapor deposition
- deposited film
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Links
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- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着装層にかかり、均一な膜厚の皮膜を形成す
ることのできる蒸着装暦を提供しようとするものである
。
ることのできる蒸着装暦を提供しようとするものである
。
特に、半導体装置をはじめとする電子部品の製造に使用
して有用な精密薄膜蒸着装層に関している。これまでに
も、半導体工業をはじめ種々の分野において、各種の製
造プロセスたとえば真空蒸着法、スパッタリング蒸着法
、あるいは気相反応法で種々の材料の皮膜が作られてい
る。
して有用な精密薄膜蒸着装層に関している。これまでに
も、半導体工業をはじめ種々の分野において、各種の製
造プロセスたとえば真空蒸着法、スパッタリング蒸着法
、あるいは気相反応法で種々の材料の皮膜が作られてい
る。
この種の蒸着法によれば、皮膜の膜厚の分布が大きく、
その膜厚のばらつきは同一製造ロット内でも士２０％程
度あり、高精度の素子を製造するのが困難であるという
欠点があった。
その膜厚のばらつきは同一製造ロット内でも士２０％程
度あり、高精度の素子を製造するのが困難であるという
欠点があった。
その理由は、たとえば平行平板型スパッタリング蒸着装
層では、平板型のスパッタリングターゲットの幾何学的
な寸法の制約に起因する。この場合、一般に平板ターゲ
ットでは、これに対面した位置に基板を配置すると、タ
ーゲット中心付近に対応する部分の膜厚が厚く、ターゲ
ット周辺に対応する部分に近づくと膜厚が薄くなる煩向
にある。発明者らは、このような従来の蒸着装直におけ
る幾何学的な寸法によって生じる膜厚分布を蒸発源と基
板との間に、この蒸発源に対して基板を部分的に遮蔽す
る遮蔽体を設置することにより、し、ちぢるしく減少さ
せることに成功した。
層では、平板型のスパッタリングターゲットの幾何学的
な寸法の制約に起因する。この場合、一般に平板ターゲ
ットでは、これに対面した位置に基板を配置すると、タ
ーゲット中心付近に対応する部分の膜厚が厚く、ターゲ
ット周辺に対応する部分に近づくと膜厚が薄くなる煩向
にある。発明者らは、このような従来の蒸着装直におけ
る幾何学的な寸法によって生じる膜厚分布を蒸発源と基
板との間に、この蒸発源に対して基板を部分的に遮蔽す
る遮蔽体を設置することにより、し、ちぢるしく減少さ
せることに成功した。
本発明は、この技術をさらに改良した装置に関するもの
である。以下、その詳細について説明する。
である。以下、その詳細について説明する。
第１図Ａ，Ｂは長方形状の蒸発源を用いた蒸着装暦の基
本構成を示す。
本構成を示す。
この蒸着装層の要部は、正方形または長方形の蒸発源１
、基板台２、その上に設置した基板３、羽根状薄板から
なる遮蔽体４で構成されている。そして、羽根状薄板か
らなる遮蔽体４を、正方形あるいは長方形の蒸発源１の
一つの辺方向５にそって往復運動させている。この場合
、羽根状遮蔽体４を用いないときには、基板３の面上に
は、第１図Ｃの曲線１０１，１０２のような膜厚分布の
薄膜が形成される。なお、この膜厚分布は、基板３の各
辺に平行な中心線に沿った分布である。これからも明ら
かなように、基板３の表面の周縁部分では、その中央部
分の８０％の厚さになる。ところが、遮蔽体４を使用す
ると、第１図Ｃの曲線１１１，１１２のように、濃厚が
一定となり、たとえば膜厚偏差を１％以下にすることが
できる。このときに使用した遮蔽体４は、第１図Ｂに示
すような、基板３の面の蒸着膜が厚くなる部分と対面す
る部分が中広で、両端へ行くに従って中狭に形成されて
いる。
、基板台２、その上に設置した基板３、羽根状薄板から
なる遮蔽体４で構成されている。そして、羽根状薄板か
らなる遮蔽体４を、正方形あるいは長方形の蒸発源１の
一つの辺方向５にそって往復運動させている。この場合
、羽根状遮蔽体４を用いないときには、基板３の面上に
は、第１図Ｃの曲線１０１，１０２のような膜厚分布の
薄膜が形成される。なお、この膜厚分布は、基板３の各
辺に平行な中心線に沿った分布である。これからも明ら
かなように、基板３の表面の周縁部分では、その中央部
分の８０％の厚さになる。ところが、遮蔽体４を使用す
ると、第１図Ｃの曲線１１１，１１２のように、濃厚が
一定となり、たとえば膜厚偏差を１％以下にすることが
できる。このときに使用した遮蔽体４は、第１図Ｂに示
すような、基板３の面の蒸着膜が厚くなる部分と対面す
る部分が中広で、両端へ行くに従って中狭に形成されて
いる。
そして、遮蔽体４の往復運動の速度は、蒸着膜が厚くな
る部分上を移動するときには遅くし、それが薄くなる部
分上を移動するときには遠くする。遮蔽体としては、第
１図Ｂにおいて、図示のものと類似した形状の遮蔽体を
それと直交するよう配置し、互いに直角な方向へ往復運
動させてもよい。
る部分上を移動するときには遅くし、それが薄くなる部
分上を移動するときには遠くする。遮蔽体としては、第
１図Ｂにおいて、図示のものと類似した形状の遮蔽体を
それと直交するよう配置し、互いに直角な方向へ往復運
動させてもよい。
一例として蒸発源にスパッタリング蒸発源を用いた例に
ついて述べる。
ついて述べる。
この場合、蒸着の速度を速めるため、マグネトロソスパ
ツタリング蒸発源を用いた。第２図にその要部の構成を
示す。この場合、特にプラナーマグネトロンターゲット
１１を用い、基板１２との間に遮蔽体１３を配置する。
遮蔽体１３は中央部分の中を広くした羽根上の構造にし
、、それを回転軸１４のまわりに回転させる。このとき
の回転速度は、基板１２の中央部分と対面して遮蔽体１
３が通過するときには遅くし、基板１２の端綾部分と対
面して遮蔽体１３が通過するときには遠くする。この構
成にすることにより、基板内の膜厚分布を１％以下にす
ることができる。上述から明らかなように、本発明にか
かる蒸着装槽は、蒸発源と、それに対面して配置された
基板との間に、蒸発源に対して基板を部分的に遮蔽する
遮蔽体を配し、遮蔽体と基板とを、相対運動させている
ので、均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
ツタリング蒸発源を用いた。第２図にその要部の構成を
示す。この場合、特にプラナーマグネトロンターゲット
１１を用い、基板１２との間に遮蔽体１３を配置する。
遮蔽体１３は中央部分の中を広くした羽根上の構造にし
、、それを回転軸１４のまわりに回転させる。このとき
の回転速度は、基板１２の中央部分と対面して遮蔽体１
３が通過するときには遅くし、基板１２の端綾部分と対
面して遮蔽体１３が通過するときには遠くする。この構
成にすることにより、基板内の膜厚分布を１％以下にす
ることができる。上述から明らかなように、本発明にか
かる蒸着装槽は、蒸発源と、それに対面して配置された
基板との間に、蒸発源に対して基板を部分的に遮蔽する
遮蔽体を配し、遮蔽体と基板とを、相対運動させている
ので、均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
ここでは、蒸発源として、スパッタリング蒸発源を例に
あげたが、必ずしもスパッタリング蒸発源に限られるも
のではなく、蒸着に際して再現性よく等膜厚線が発生す
る蒸発源でありさえすればよい。たとえばレーザ光照射
による熱蒸発源でも、本発明の蒸着装置の蒸発源に使用
することができる。そして、この装置は、集積回路だけ
でなく、薄膜を使用した超精密電子部品、たとえば超精
密薄膜抵抗器、ＡＤコンバータ、磁気ヘッド、表面弾性
波デバイス、さらに超精密薄膜センサなどの製造に使用
して特に有効で、その使用範囲の広いものである。
あげたが、必ずしもスパッタリング蒸発源に限られるも
のではなく、蒸着に際して再現性よく等膜厚線が発生す
る蒸発源でありさえすればよい。たとえばレーザ光照射
による熱蒸発源でも、本発明の蒸着装置の蒸発源に使用
することができる。そして、この装置は、集積回路だけ
でなく、薄膜を使用した超精密電子部品、たとえば超精
密薄膜抵抗器、ＡＤコンバータ、磁気ヘッド、表面弾性
波デバイス、さらに超精密薄膜センサなどの製造に使用
して特に有効で、その使用範囲の広いものである。
第１図Ａは本発明にかかる葵着装暦の一実施例の要部の
構成を示す図、同図Ｂはそれに使用される遮蔽体の形状
を示す平面図、同図Ｃはその効果を説明するための図で
あり、第２図は同じくその要部の構成の一例を示す斜視
図である。 １・・・・・・蒸発源、２・・・・・・基板台、３・・
・・・・基板、４・・・・・・遮蔽体、１１・…・・蒸
発源、１２・・・・・・基板、１３・・…・遮蔽体、１
４・・・・・・回転軸。 第１図第２図
構成を示す図、同図Ｂはそれに使用される遮蔽体の形状
を示す平面図、同図Ｃはその効果を説明するための図で
あり、第２図は同じくその要部の構成の一例を示す斜視
図である。 １・・・・・・蒸発源、２・・・・・・基板台、３・・
・・・・基板、４・・・・・・遮蔽体、１１・…・・蒸
発源、１２・・・・・・基板、１３・・…・遮蔽体、１
４・・・・・・回転軸。 第１図第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 方形平板状の蒸発源と、この蒸発源に対面して配置
された基板との間に、前記蒸発源に対して前記基板を部
分的に遮蔽する遮蔽体が配置されており、かつ、前記遮
蔽体は、その形状を前記基板表面の蒸着膜の膜厚が厚く
なる部分と対面する部分は幅広で、蒸着膜の膜厚が薄く
なる部分と対面する部分は幅狭に形成した少なくとも一
枚の羽根状の薄板で構成され、前記遮蔽体が前記基板表
面の蒸着膜の膜厚が厚くなる部分に対面するときには、
前記基板と前記遮蔽体との相対速度を遅く、蒸着膜の膜
厚が薄くなる部分に対面するときには前記相対速度を速
く、前記蒸発源の一辺にそつて前記基板と前記遮蔽体と
が相対的に往復運動するよう構成されていることを特徴
とする蒸着装置。 ２ 蒸発源として、スパツタリング蒸発源、マグネトロ
ンスパツタリング蒸発源、またはプラナーマグネトロン
蒸発源を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1660279A JPS6014832B2 (ja) | 1979-02-14 | 1979-02-14 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1660279A JPS6014832B2 (ja) | 1979-02-14 | 1979-02-14 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55107777A JPS55107777A (en) | 1980-08-19 |
| JPS6014832B2 true JPS6014832B2 (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=11920837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1660279A Expired JPS6014832B2 (ja) | 1979-02-14 | 1979-02-14 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014832B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01315546A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 樋 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015186732A1 (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-10 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
| JP7644332B2 (ja) * | 2021-02-01 | 2025-03-12 | 日新電機株式会社 | スパッタリング装置及び成膜方法 |
-
1979
- 1979-02-14 JP JP1660279A patent/JPS6014832B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01315546A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 樋 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55107777A (en) | 1980-08-19 |
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