JPS6015321Y2 - セラミツクコンデンサ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は放熱効果を良くしたセラミックコンデンサに関
する。

マイクロ波電力トランジスタは、そのベースを高周波的
に十分接地し、直流的にバイアスを与えると共にこのベ
ースからの熱放散を良くする必要がある。

このための構造として、板状のトランジスタベースをい
ったん補助の金属取付板に接続し、この取付板とシャー
シ本体との間に薄いマイカ板をはさむことによって、ト
ランジスタとシャーシ本体との間の熱抵抗を小さくしか
つベースを高周波的に接地させていた。

この構造はマイカ板を用いるので、熱抵抗を十分下げる
ことに難点があり、材質的にも良質で面積度の良いもの
が得られなかった。

また、必要な静電容量を得るために形状の大きいものと
なるため高周波的特性にとって好ましいものではなかっ
た。

一般に大電力のパワートランジスタを取付基板に固定す
るとき、その間に絶縁板を介在させているが、熱抵抗を
小さくするとともに、この絶縁板をバイパス用コンデン
サとして利用するため、マイカなどが用いられている。

しかし、マイカでは熱抵抗が十分に小さいものとはいえ
ず、又、良質で面精度の良い薄片が得られにくかった。

本考案の考案者はマイカの代りに金属基板の上に誘電体
セラミック板を接合してセラミックコンデンサを構成腰
これを絶縁板とすることにより熱抵抗の十分中さいバイ
パスコンデンサが得られることを見い出した。

このような絶縁板をトランジスタと取付基板の間に介在
させるとき通常は絶縁ワッシャーを介してビス等で取付
けており、絶縁板にはあらかじめ取付穴が形成されてい
る。

しかし、この取付穴において誘電体セラミック板の両面
に形成した電極間で短絡が生じ易い欠点があった。

この考案は、上記の問題点を解決したもので誘電体セラ
ミック板の表裏面の電極を形成しこの裏面側に金属基板
を接合してなるセラミックコンデンサにおいて、このセ
ラミックコンデンサの表裏面を貫通して形成されたネジ
止め用取付穴の内周の前記裏面側の電極の近傍に絶縁物
を配設したことを特徴とするものである。

次にこの考案を図の実施例に従って説明する。

第１図はこの考案のセラミックコンデンサをパワートラ
ンジスタと取付基板の間に実装した状態の側断面図であ
る。

図において、１はパワートランジスタ、１０は板状のベ
ース電極、２はパワートランジスタを固定している取付
基板、３はパワートランジスタ１と取付基板２の間に介
在されたセラミックコンデンサで、これは金属基板４と
この金属基板４に接合された誘電体セラミック板５とか
らなる。

６゜７は絶縁を施したネジ又は絶縁ワッシャを介して取
付けらたネジで、パワートランジスタ１とセラミックコ
ンデンサ３を取付基板２に固定している。

８，９は絶縁物質で、ネジ６．７を挿入する取付穴のく
ぼみに充填されたものである。

第２図はセラミックコンデンサの詳細な構造を示したも
のである。

１１は鉄などの金属基板、１２は誘電体セラミック板で
金属基板１１の上に半田、導電性接着剤などの接着層１
３により接合されている。

誘電体セラミック板１２の両面には電極１４ａ、１４ｂ
が形成されている。

１５．１６はネジが挿入される取付穴である。

１７．１８はくぼみで金属基板１１の一部接着層１３お
よび電極１４ｂを削ったものでこのくぼみ１７．１８に
は樹脂などの絶縁物質１９．２０が充填され、取付穴１
５，１６に少なくとも電極１４ｂが露出しないようにし
ている。

なお、第３図は第１図の実施例の直流等価回路である。

上記の構成によれば電極１４ｂは絶縁物質で覆われ、取
付穴１５．１６に露出していないため取付穴１５．１６
において電極１４ａと電極１４ｂの間を短絡させるとい
うおそれがない。

なお、この実施例では金属基板１１の一部、接着層１３
および電極１４ｂを削ってくぼみ１７゜１８を形成し、
このくぼみ１７．１８の絶縁物質１９．２０を充填した
が、電極１４ｂのみを削ってくぼみ１７．１８を形成し
、これに絶縁物質１９．２０を充填してもよく、更には
取付穴１５゜１６の全面に渡ってくぼみを形成して絶縁
物質１９．２０を充填してもよい。

また図示しないがセラミックコンデンサの周囲側面には
絶縁被覆が施されている。

以上のようにこの考案によれば、少なくとも金属基板と
接する誘電体セラミック板側の電極が取付穴に露出しな
いように、この取付穴にくぼみが形成され、このくぼみ
に絶縁物質が充填されているため、誘電体セラミック板
の両面に形成した電極間同志の短絡がなくなり、絶縁板
とコンデンサの役目をはたさなくなるという問題を解消
できる。

以上の説明は高周波電力トランジスタを本コンデンサ上
に搭載した場合について詳述したが、この他直流的にバ
イアスが加わり高周波的には接地を必要とするマイクロ
波ハイブリッド集積回路等に有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案のセラミックコンデンサを利用した状
態の一部断面側面図、第２図はこの考案の実施例の断面
図、第３図は第１図の増幅器の直流的等価回路である。 図において、１・・・・・・パワートランジスタ、２・
・・・・・取付基板、３・・・・・・セラミックコンデ
ンサ、４゜１１・・・・・・金属基板、５，１２・・・
・・・誘電体セラミック板、６，７・・・・・・ネジ、
１３・・・・・・接着層、１４ａ、１４ｂ・・・・・・
電極、１５．１６・・・・・・取付穴、１７．１８・・
・・・べぼみ、８．９． １９．２０・・・・・・絶縁
物質である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 誘電体セラミック板の表裏面の電極を形成しこの裏面側
   に金属基板を接合してなるセラミックコンデンサにおい
   て、前記セラミックコンデンサの表裏面を貫通して形成
   されたネジ止め用取付穴の内周の、前記裏面側の電極の
   近傍に絶縁物を配設することを特徴とするセラミックコ
   ンデンサ。