JPS60160507A - 薄膜生成法 - Google Patents
薄膜生成法Info
- Publication number
- JPS60160507A JPS60160507A JP1739184A JP1739184A JPS60160507A JP S60160507 A JPS60160507 A JP S60160507A JP 1739184 A JP1739184 A JP 1739184A JP 1739184 A JP1739184 A JP 1739184A JP S60160507 A JPS60160507 A JP S60160507A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- glass substrate
- substrate
- forming
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はアルカリ成分を含有する基板上に薄膜を形成す
る薄膜生成法に関し、特にソーダガラス等の如きアルカ
リ含有量の多いガラスに対して薄膜を生成する場合に有
効な技術である。
る薄膜生成法に関し、特にソーダガラス等の如きアルカ
リ含有量の多いガラスに対して薄膜を生成する場合に有
効な技術である。
〈従来技術〉
従来、例えば薄膜ＥＬ素子の如き多層膜構造をガラス基
板に形成する場合には、表面洗浄したガラス基板上に直
接１ ｎ２０３．５ｎ０２等の透明導電膜を蒸着法やス
パッタリング等の薄膜生成技術で層１設した後、エツチ
ング等によりパターン成形し、この上に誘電体層、発光
層等を積層していた。しかしながら、ガラス基板は一般
にアルカリ成分を含有しており、薄膜生成過程での高温
処理によってＮａ＋等のアルカリイオンが透明導電膜や
誘電体層中に浸透拡散し、これは薄膜ＥＬ素子の絶縁耐
圧や素子特性の大きな劣化要因となる。従って、成膜中
へのアルカリ成分の浸透を防止するため、従来アルカリ
含有量１ｑ６以下０ＬＥ−３０（商品名）の如き低アル
カリガラス基板が用いられてきた。
板に形成する場合には、表面洗浄したガラス基板上に直
接１ ｎ２０３．５ｎ０２等の透明導電膜を蒸着法やス
パッタリング等の薄膜生成技術で層１設した後、エツチ
ング等によりパターン成形し、この上に誘電体層、発光
層等を積層していた。しかしながら、ガラス基板は一般
にアルカリ成分を含有しており、薄膜生成過程での高温
処理によってＮａ＋等のアルカリイオンが透明導電膜や
誘電体層中に浸透拡散し、これは薄膜ＥＬ素子の絶縁耐
圧や素子特性の大きな劣化要因となる。従って、成膜中
へのアルカリ成分の浸透を防止するため、従来アルカリ
含有量１ｑ６以下０ＬＥ−３０（商品名）の如き低アル
カリガラス基板が用いられてきた。
しかしながら、このようなガラス基板を用いても成膜中
へのアルカリイオンの浸透を完全に阻止することは困難
であシ、また低アルカリガラス基板は一般に高価なた−
め製造コストが高くなるといった欠点を有する。
へのアルカリイオンの浸透を完全に阻止することは困難
であシ、また低アルカリガラス基板は一般に高価なた−
め製造コストが高くなるといった欠点を有する。
〈発明の目的〉
本発明は上述の問題点に鑑み、薄膜を生成するための基
板に被膜をコートすることにより基板から成膜中へのア
ルカリイオンの浸透を防止した新規有用な薄膜生成法を
提供することを目的とする。
板に被膜をコートすることにより基板から成膜中へのア
ルカリイオンの浸透を防止した新規有用な薄膜生成法を
提供することを目的とする。
〈実施例〉
本発明の１実施例について薄膜ＥＬ素子を製作する場合
を例にとって説明する。第１図は本実施例の説明に供す
る薄膜ＥＬ素子の構成断面図である。
を例にとって説明する。第１図は本実施例の説明に供す
る薄膜ＥＬ素子の構成断面図である。
ソーダガラス等のアルカリ成分を含有するガラス基板１
の表面を洗浄した後、膜生成面［ＣＶＤ法あるいは電子
ビーム蒸着法で５ｉ０２膜２を薄く均一にコーティング
する。５ｉ０２膜２はガラス基板１からＮａ＋イオン等
のアルカリ成分が逃散してこの上に堆積される薄膜中へ
浸透するのを防止するために被覆される被膜であり、そ
の厚さは２００久乃至３０００Ｘ程度望ましくは＋４０
０Ｘ程度以上に設定し、ガラス基板ｌの全域にわたって
均一な厚さとする。尚、膜材質としては５ｉ０２が良好
な結果をもたらすがこれ以外にＹ２０Ｂ 、 Ｔａ２０
５ 、 ＴｉＯ２、ＧｅＯ２等あるいは有機酸化物その
他を用いることもできる。ガラス基板ＩはＥＬ発光が出
射される表示画面となるものであり、従って成膜基板の
構成には平面度が要求されると同時に光の屈折状態も良
好となるように条件設定することが必要である。
の表面を洗浄した後、膜生成面［ＣＶＤ法あるいは電子
ビーム蒸着法で５ｉ０２膜２を薄く均一にコーティング
する。５ｉ０２膜２はガラス基板１からＮａ＋イオン等
のアルカリ成分が逃散してこの上に堆積される薄膜中へ
浸透するのを防止するために被覆される被膜であり、そ
の厚さは２００久乃至３０００Ｘ程度望ましくは＋４０
０Ｘ程度以上に設定し、ガラス基板ｌの全域にわたって
均一な厚さとする。尚、膜材質としては５ｉ０２が良好
な結果をもたらすがこれ以外にＹ２０Ｂ 、 Ｔａ２０
５ 、 ＴｉＯ２、ＧｅＯ２等あるいは有機酸化物その
他を用いることもできる。ガラス基板ＩはＥＬ発光が出
射される表示画面となるものであり、従って成膜基板の
構成には平面度が要求されると同時に光の屈折状態も良
好となるように条件設定することが必要である。
５１０２膜２の被覆されたガラス基板１には帯状に多数
平行配列されたＩ ｎ２０Ｂ 、 ５ｎ０２等の透明電
極３、さらにその上に積層してＹ２０３ 、 Ｔ ｉ
０２ 。
平行配列されたＩ ｎ２０Ｂ 、 ５ｎ０２等の透明電
極３、さらにその上に積層してＹ２０３ 、 Ｔ ｉ
０２ 。
Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４，５ｉ０２等からなる第１の誘
電体層４がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成される。第１の誘電体層３上にはＺｎＳ：Ｍｎ
焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得られる
ＺｎＳ発光層５が形成される。この時、蒸着用のＺｎＳ
：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となるＭｎが目的に応
じた濃度に設定されたペレットが使用される。ＺｎＳ発
光層５上には第１の誘電体層４と同様の材質から成る第
２の誘電体層６が積層され、更にその上には透明電極３
と直交する方向に平行配列された帯状のＡＩ等から成る
背面電極７が蒸着形成される。透明電極３と背面電極７
はマトリックス電極構造を構成し、交流電源８に接続さ
れて薄膜ＥＬ素子が駆動される。
電体層４がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成される。第１の誘電体層３上にはＺｎＳ：Ｍｎ
焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得られる
ＺｎＳ発光層５が形成される。この時、蒸着用のＺｎＳ
：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となるＭｎが目的に応
じた濃度に設定されたペレットが使用される。ＺｎＳ発
光層５上には第１の誘電体層４と同様の材質から成る第
２の誘電体層６が積層され、更にその上には透明電極３
と直交する方向に平行配列された帯状のＡＩ等から成る
背面電極７が蒸着形成される。透明電極３と背面電極７
はマトリックス電極構造を構成し、交流電源８に接続さ
れて薄膜ＥＬ素子が駆動される。
電極３．７間にＡＣ電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層５
の両側の誘電体層４．６間に上記ＡＣ電圧が誘起される
ことになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起
されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄橙色の
発光を行なう。即ち高電界で加速された電子がＺｎＳ発
光層４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭｎ
原子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々５８５
０Ｘをピークに幅広い波長領域で、強い発光を呈する。
の両側の誘電体層４．６間に上記ＡＣ電圧が誘起される
ことになり、従ってＺｎＳ発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、直接Ｍｎ発光センターを励起し、励起
されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際に黄橙色の
発光を行なう。即ち高電界で加速された電子がＺｎＳ発
光層４中の発光センターであるＺｎサイトに入ったＭｎ
原子の電子を励起し、基底状態に落ちる時、略々５８５
０Ｘをピークに幅広い波長領域で、強い発光を呈する。
第２図は、ガラス基板１上にコーティングされる５ｉ０
２膜２の膜厚を変化させた場合の透明電極３と背面電極
７間のＤＣ耐圧を測定した薄膜ＥＬ素子の耐圧特性図で
ある。５ｉ０２膜２をコンテイングすることによってガ
ラス基板■に含有されるアルカリイオンは薄膜生成過程
における高温処理下でもこの５ｉ０２膜２によってガラ
ス基板１からの逃散が阻止され、成膜中への浸透が防止
される。
２膜２の膜厚を変化させた場合の透明電極３と背面電極
７間のＤＣ耐圧を測定した薄膜ＥＬ素子の耐圧特性図で
ある。５ｉ０２膜２をコンテイングすることによってガ
ラス基板■に含有されるアルカリイオンは薄膜生成過程
における高温処理下でもこの５ｉ０２膜２によってガラ
ス基板１からの逃散が阻止され、成膜中への浸透が防止
される。
従って、薄膜ＥＬ素子の耐圧が向上し、素子特性が改善
される。５ｉ０２膜２の膜厚が８００久以上になるとＤ
Ｃ耐圧特性は顕著に向上し、＋５ｏｏＸ程度で最高値と
なる。
される。５ｉ０２膜２の膜厚が８００久以上になるとＤ
Ｃ耐圧特性は顕著に向上し、＋５ｏｏＸ程度で最高値と
なる。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、本発明によれば基板からの成膜中へ
のアルカリイオン浸透が防止され、耐圧特性等の良好な
薄膜を形成することができる。またアルカリ含有量の犬
なるガラス基板を薄膜形成用基板として使用することが
できるため製造コストも安価となる。
のアルカリイオン浸透が防止され、耐圧特性等の良好な
薄膜を形成することができる。またアルカリ含有量の犬
なるガラス基板を薄膜形成用基板として使用することが
できるため製造コストも安価となる。
第１図は本発明の１実施例の説明に供する薄膜ＥＬ素子
の構成図である。 第２図はＳ ｉ０２膜の膜厚と薄膜ＥＬ素子のＤＣ耐圧
の関係を示す特性図である。
の構成図である。 第２図はＳ ｉ０２膜の膜厚と薄膜ＥＬ素子のＤＣ耐圧
の関係を示す特性図である。
Claims (1)
- １、薄膜形成用基板の薄膜形成面に酸化膜の薄膜をコー
ティングした後、成膜処理を行なうことによシ前記薄膜
形成用基板からのアルカリ成分の逃散を阻止することを
特徴とする薄膜生成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1739184A JPS60160507A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 薄膜生成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1739184A JPS60160507A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 薄膜生成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160507A true JPS60160507A (ja) | 1985-08-22 |
Family
ID=11942694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1739184A Pending JPS60160507A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 薄膜生成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160507A (ja) |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP1739184A patent/JPS60160507A/ja active Pending
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