JPS60163230A - フロツピ−デイスク - Google Patents

フロツピ−デイスク

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JPS60163230A
JPS60163230A JP1694784A JP1694784A JPS60163230A JP S60163230 A JPS60163230 A JP S60163230A JP 1694784 A JP1694784 A JP 1694784A JP 1694784 A JP1694784 A JP 1694784A JP S60163230 A JPS60163230 A JP S60163230A
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JP
Japan
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substrate
surface roughness
floppy disk
modulus
expansion
Prior art date
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Pending
Application number
JP1694784A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruo Takahashi
輝夫 高橋
Tamaki Kanai
金井 玉樹
Kinji Hasegawa
欣治 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフロッピーディスクに関し、更に詳しくは温度
膨張変化が均一であり且つ湿度膨張が著しく小さいフロ
ッピーディスクに関する。
従来技術 フロッピーディスクは磁気記録媒体の一つとして、例え
ばワードプロセッサー等のOAI器の211体として用
いられている。近年フロッピーディスクでは高記録密度
を図るために磁性層の薄層化の傾向が顕著であり、磁性
層の厚みが2μm以下のものも必要となってきている。
この薄層化による^記録密度変化は1インチ当りの記録
密度を畠めるとともに記録トラック幅を狭めることによ
っτjt成される。
しかし現在実用化されている基板のポリエステルフィル
ムは通常製膜方向に縦延伸したのち横方向に延伸して製
造されているのでエツジ部と中央部では若干熱膨張係数
が異なる現象がみとめられ、高密度記録化を進める場合
の障害となっている。
これを回避するためにフィルムの中心部のみを基板とし
て使用する場合、生産性が低下し、部どまりの低下が生
じるなどの問題がある。
更にポリエステルフィルム特にポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに湿度膨張率が大きいという問題がある。
このため、フロッピーディスクへの環境変化の影響が大
となり、例えば冬季の乾燥期に記録した1〜ラツクの位
置が夏期の高温多湿時ではディスク中心からの距離で数
十μ以上ずれることが度々生じ、1−ラックはずれ等の
誤動作の原因になることからf1記録密度化の障害どな
っている。これらの問題は例えばザーボによりトラック
位置を検出り−ることにより解決できるが、これはハー
ドのコストを高める欠点がある。
発明の目的 本弁明の目的は、上述の問題を@潤し、渇1哀膨張変化
が均一であり且つ湿度膨張が著しく小さいフロッピーデ
ィスクを提供することにある。
発明の椙成 本発明の目的は、基板の両面に磁性層を設けてなるフロ
ッピーディスクにおいて、該基板が、両面の表面粗さR
aが0.2μm以下であるアルミ箔の両面に接着層を介
してポリエステルフィルムを積層してなりかつ550〜
800kg/−の引張り初期X7ング率を右ケることを
特徴とするフロッピーディスクによって達成される。
本発明における基板はアルミ3)の両面に接着層を介し
てポリエステルフィルムが積層されているものである。
そして前記アルミ箔の両面はその表面粗さRaが0.2
μm以下である必要がある。更にはRaが0.1μTn
以下であることが好ましい。
アルミ箔の表面粗さRaが0.2μ71?、より大にな
るとその影響が接着層やポリニスデルフィルムを介して
磁性層の表面粗さにあられれ、電磁変換特性の低士の原
因になるのぐ好ましくない。またアルミ箔の両面の表面
粗さの違いはより平坦な面のF< aを分母にした比で
1.3以内の範囲が好ましい。
例えば一般のアルミ箔の如く光沢面とツA7消し面を右
したものではツV消し面の表面粗さが上記条件を満足し
ないことが多く、また両者の表面粗さ違いがRa比で2
以上になり、フロッピーディスクの両面の電磁変換特性
が異なるようになるので好ましくない。
まだアルミ箔は引張り初期ヤング率が900〜4000
に9/mtAであることが好ましい。これにはアルミ箔
の厚さが5〜30μ711であることが好ましい。
上述の条件を下限ではずれることにより満足しないとき
には基板(積層体)の湿度膨張低下の効果が小さく、ま
た上限ではずれることにより満足しないときには基板が
可撓性を失うようになるので、好ましくない。後者の点
は、従来からハードディスクの基板としてアルミニウム
板が用いられているが、この板は可撓性に乏しくフロッ
ピーディスクとして使用できないとされていることから
も理解できよう。更にアルミ箔が5〜30μmrLの厚
さにあるときは、それ自体では腰がなく折り曲りやづい
ので単独でフロッピーディスクの基板として用いること
ができない。
本発明で用いるアルミ箔の材質は、アルミII!度が9
9%以上のものが好ましいが、かならずしもこれに限定
されず亜鉛やクロム等を含むアルミ合金であってもよい
原理的には、アルミ箔と代りに銅や鉄等の金属箔を用い
ることは可能であるが、これら金属はその硬度が高いた
めまたは薄い箔の作成が困難であったりしてコストの上
昇やフロッピーディスクの基板としての可撓性が得られ
ず規実的ではない。
本発明における接着層のバインダーとしては、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂のいずれのタイプのものでも良く、
例えばエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポ
リエステル樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ブタ
ジェン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレ
タン樹脂等を挙げることができる。これらは−秤または
二種以1−を用いることができる。これらのうち共重合
飽和ポリ1ステルやポリウレタン樹脂が最も好ましい。
これらバインダーに耐溶剤性を賦与するために、しばし
ば硬化剤が用いられる。この硬化剤としては例えばボイ
ソシアネーl〜化合物を好ましく挙げることができる。
前記バインダーを、トルエン、メチルエチルケトン、耐
酸エチル、イソプロパツール、ジアセトンアルコール、
シクロヘキサノン等の如き溶剤で溶解し、得られた塗料
をグラビヤコーター、リバース」−ター、ナイフコータ
ー等によって乾燥時の厚さで0.5〜10μnLになる
ようにアルミ箔上に塗布乾燥し、その上に一般には加熱
加圧下でポリニスデルフィルムをラミネートする。
可撓性を与えるフィルムとしてポリプロピレンフィルム
、セロハンフィルム、ポリアミドフィルム等があるが、
これらは耐薬品性、耐熱性1機械的強度等でポリエステ
ルフィルムに劣り、好ましくない。
本発明におけるポリエステルフィルムは芳香族二塩基酸
またはそのエステル形成誘導体とジオールまたはそのエ
ステル形成+t:誘導体とから合成される線状飽和ポリ
エステルからなるフィルムである。この線状飽和ポリ1
ステルとしてはポリ■チレンテレフタレート、ポリエチ
レンイソフタレー1〜.ポリブチレンテレフタレート、
ポリエチレン−2,6−ナフタレンジカルボギシレート
、ポリ(1,4−シクロヘキシレンジメチレンテレフタ
レート)等が好ましく例示でき、これらの共重合体また
はこれらと小割合の他樹脂とのブレンド物なども含まれ
る。上述の線状飽和ポリエステル樹脂を溶融押出し、常
法でフィルム状となし、配向結晶化並びに熱処理結晶化
(ヒートセット)したものが本発明におけるポリエステ
ルフィルムとしく好適である。特にポリエチレンテレフ
タレートフィルムが好ましい。これらフィルムの厚さは
通常10・・・40μmであり、またその表面粗さRa
は0.1μm以下が望ましい。
本発明における基板、すなわらアルミ箔を中心にその両
面に接着層を介してポリエステルフィルムを積層してな
る基板は、その引張り時の初期ヤング率が550〜80
0に9/mtAである必要がある。この初期1/ング率
がaooKg/ mtAより大になると、基板どしての
可Jim性が失われ、いわゆる金属基板ライクになり、
折れ傷が入りやずくなったり、フロッピーディスク用の
磁気ヘッドとのなじみが失われ品質の劣るフロッピーデ
ィスクになるので好ましくない。また初期ヤング率が5
50Kg/−より小になると湿度膨張が大きくなるので
好ましくない。
基板の初期髪7ング率はアルミ箔の厚さやポリエステル
フィルムの物性によって変化するが、両者の組合せはポ
リエステルフィルム単独での初Il]A7ング率に対し
基板の初1’J]ヤング率が1.1倍以[になるJ、う
にり゛ることが好ましい。基4反の(ワさは25〜10
0/1yet 、更には40〜80μ711であること
が好ましい。
本発明にJ3ケるフロッピーディスクは、−1二連の基
板の両面に磁性層を設けてなるものである。この磁性層
としては金属薄膜型のものでもよく、また塗膜型のもの
でもよい。金属薄膜型の磁性層は例えば鉄、コバルト、
ニッケル、及びこれらの合金及び更に若干リンを含んだ
合金を基板十に真空蒸着スパッター、クラスター、イオ
ン蒸着、化学蒸着、無電解メッキ、電解メッキ法で形成
することによって得られる。
現用では、塗膜型の磁性層が一般であり、かかる磁性層
は、当業界に蓄積された技術によって形成できる。一般
にこの磁性層は有機高分子化合物であるバインダーと磁
性粉および潤滑剤、帯電防止剤、朗磨剤2分散剤等から
できている。そして前記バインダーとしては例えば塩ビ
ー酢ビ共重合体、ボウレタン樹脂、ニトロセルロース、
飽和ポリエステル樹脂等の如き熱可塑性樹脂、或はエボ
1、シ樹脂や、熱可塑性樹脂に例えばポリイソシアネー
1へ化合物の如き架橋剤を加えた熱砂化樹脂、更には熱
、活性光線、電子線等により架橋する多官ロヒアクリレ
ー1−等が用いられる。また磁性粉末どしてはT−Fe
 203 、 Go −7−Fe 203 。
Cr 02 、 Fe 、バリウムフェライト等の針状
微粒子が用いられ、潤滑剤としではシリ]−ンオイル、
カーボングラフフィト、各種脂肪酸や脂肪酸エステル等
が、また帯電防止剤としてはカーボンブラック等が、さ
らにまた研磨剤としてはAρ203 、CI’ 203
等が主に用いられる。その他に分散剤としてレシチンや
界面活性剤等が用いられる。
このようにして形成した磁性層の上にヘッドとの潤滑を
良くする潤滑剤層や磁気媒体の酸化による変質をさける
防蝕層、また磁性層と基板の間に、接着性や耐久性を改
善する下塗り層を設GJることについては本発明は何ら
制限しない。
フロッピーディスクは、現在、50〜75μ?+’i程
度の厚さの基板の両面に磁性層を設置t 、直径3〜8
インチ程度の円盤状に打扱いたものでワードプロセッサ
ー等のOAI器の記憶媒体としで用いられる場合が多い
。そして磁気記録の摺き込み、呼び出しはフロッピーデ
ィスクの両面に対置して一定圧力C接触している磁気ヘ
ッドにより行われる。
本発明のフロッピーディスクは、従来のハードにも用い
得るが、高記録密度用フ[]ツビーディスクどして特に
有用である。何故ならこの磁気記録の書き込み、呼び出
しの機能が環境条(’lに左右されず、従来のフロッピ
ーディスクと同様に取扱えるからである。
実施例 次に実施例を掲げて本発明を更に詳述する。なJ3、実
施例及び比較例にお【)る「部」はすべて「重量部」を
意味する。
実施例1及び比較例1 両面の表面粗さRaが0.04μmである厚さ10μI
n、のアルミ箔の片面に 飽和ポリエステル(東洋紡績(体製 パイ[1ン200 ) 70部 イソシアネート架橋剤(日本ポリウレタン(I[:J 
o ネ−h l−固型分75’4 m % > 40部
I’ll酸エチル 130部 トルエン 130部 メヂルエヂルケトン 130部 よりなる接る層塗料を乾燥厚さ4μ7nになるように塗
布し、100°Cで3分間乾燥し、更に25μmの表面
粗ざRaが0,06μInであるポリエチレンテレフタ
レートフィルムをラミネートした。更に反対面にも同様
な操作をしfI!i層体の基板とした。
この基板十に T−Fe203 70部 ポリウレタンエラストマーと水酸基を 右する塩化ビニール−酢酸ビニル共重 合体からなる磁気記録用バインダー 17部カーボンブ
ラック 5部 分散剤 2部 高級脂肪酸エステル 3部 ポリイソシアネートからなる架橋剤 2部テトラヒドロ
フラン−シクロへキザノン混合溶剤 180部 から成る磁性塗料を、乾燥厚さ2μmになる様に塗布し
、次いで120℃で3分間乾燥し、磁性層を設りた。反
対面にも同じ操作で磁性層を塗設してフロッピーディス
クを得た。
比較のため、片面の表面粗さI−? aが0.04μ7
11で他の面の表面粗さRaが0.21μmrLである
両面の表面粗さがひいに異なるアルミ箔を用いる以外は
実施例1ど同様な操作を行って)11ツピーデイスクを
得た。
これらのフロッピーディスクの電磁特性S/N比を第1
表に示す。
第 1 表 上表から明らかなように比較例1のアルミ箔の表面粗さ
Raの人ぎい面は電磁特性が低下している。
実施例2及び比較例2〜4 実施例1においてアルミ箔として第2表に示ずノ′ルミ
酒を用いる以外は実施例1と同様に行ってノL1ツビー
デ2rスクを得た。
また比較とし−C厚さ50μmのポリエチレンテレフタ
シー1〜フイルム単独を基板とした以外は実施例1と全
く同じ方法でフロッピーディスクを得た。
これらのフ[1ツビーデイスクの湿度膨張係数及び角匪
90度に曲げた時の折れ傷の発生状況、並びに以扱の初
期〜lラング率び△α[(温度膨張係数の最大と最小の
差二等方化の目安)を測定した。
その結果を第2表に示す。
第2表 〈以下余白) 第2表から次の点がわかる。
基板の初期ヤング率が800Kfi/mAより大になる
と湿度膨張はほとんどないが可撓性が失われ、損れ傷が
発生しやすく、また基板の初期ヤング率が!i!+OK
g/ mrFr J、り小になるとその効果が小さく湿
度膨張の低減がほとんどない。一方実施例2の場合は損
れ傷の発生がなく適度な可撓性を有している上に、湿度
膨張の低減の効果が著しい。
実施例3 実施例1においで接着層塗料を ポリウレタン(日本ウレタン(体製 ニツポラン!i 033 固型分45重足%)167部
ポリイソシアネート硬化剤 (実施例1のものと同じ)33部 酢酸エチル 150部 1−ルエン 150部 J:り接着層塗料とする以外は実施例1と全く同じ方法
Cフロッピーディスクを得た。このものは湿度膨張係数
が3,5X 10″G/%RHと小さく、又折れ傷の発
生がなかった。
手続補正書 昭和59年4り少日 特許庁長官殿 1、事件の表示 特願昭 59 − 16947 号 2、発明の名称 フロッピーディスク 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪市東区南本町1丁目11番地 帝 人 株 式 会 社内 四#llFの「発明の詳細な説明」の欄6、補正の内容 (1) 明細LJR2xF19〜20行KrsどtLI
とあるを「歩留夛」に訂正する。
(2) 同第4頁第17行に「表面粗さ」とあるを「表
面粗さの」に訂正する。
(3) 同t45頁20行に「アルミ箔と」とあるを「
アルミ箔の」に訂正する。
(4) 同第9頁第14行に「蒸着スノくツタ−、クラ
スター、イオン蒸着」とろろを「蒸着、スパッター、ク
ラスターイオンビーム法」に訂正する。
(5) 同第10頁第1θ行に「針状機」とあるを「針
状もしくは板状」に訂正する。
以 上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板の両面に磁性層を設【ノなるフロッピーディス
    クにおいて、該基板が、両面の表面粗さRaが0.2μ
    m以上1あるアルミ箔の両面に接着層を介してポリエス
    テルフィルムを積層してなりかつ550〜800h/ 
    IIIA(7)引張’) 初m i’ ン’J率を右り
    ることを特徴とするフロッピーディスク。 2、 接着層が飽和ポリゴーステル及び/又はポリウレ
    タンよりなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載のフロッピーディスク。 3、 アルミ箔が900〜4000幻/−の引張り初期
    ヤング率を有゛することを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のフロッピーディスク。
JP1694784A 1984-02-03 1984-02-03 フロツピ−デイスク Pending JPS60163230A (ja)

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JP1694784A JPS60163230A (ja) 1984-02-03 1984-02-03 フロツピ−デイスク

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115716A (ja) * 1993-10-14 1995-05-02 Buresuto Kogyo Kenkyusho:Kk ケーブルラックの施工方法及び取付金具

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07115716A (ja) * 1993-10-14 1995-05-02 Buresuto Kogyo Kenkyusho:Kk ケーブルラックの施工方法及び取付金具

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