JPS60163445A - コンタクトホ−ルの形成方法 - Google Patents
コンタクトホ−ルの形成方法Info
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- JPS60163445A JPS60163445A JP1918584A JP1918584A JPS60163445A JP S60163445 A JPS60163445 A JP S60163445A JP 1918584 A JP1918584 A JP 1918584A JP 1918584 A JP1918584 A JP 1918584A JP S60163445 A JPS60163445 A JP S60163445A
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- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- insulating film
- insulation film
- forming
- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、半導体装置におけるコンタクトホールの形
成方法に関し、特に絶ｌ＃、膜での段差の緩和と断線の
防止をはかった形成方法に関するものである。
成方法に関し、特に絶ｌ＃、膜での段差の緩和と断線の
防止をはかった形成方法に関するものである。
（背景技術）
コンタクトホールの一般的形成方法には、第１図（ａｔ
乃至第１図（ｄｉに示すものがある。
乃至第１図（ｄｉに示すものがある。
まず、半導体基板１の表面にＳｉかなどの層間絶縁膜２
を堆積させ（第１図（ａｌ）、次いで、絶縁膜２の表面
に感光性樹脂（レジスト）３を付着してパターンを形成
する（第１図（ｂ））。
を堆積させ（第１図（ａｌ）、次いで、絶縁膜２の表面
に感光性樹脂（レジスト）３を付着してパターンを形成
する（第１図（ｂ））。
次に、バターニングされたレジス） ヲ−ｒ ｘりとし
て、絶縁膜２に対して異方性エツチングを施し、窓開け
を行なってコンタクトホール６を形成する（第１図（Ｃ
））。
て、絶縁膜２に対して異方性エツチングを施し、窓開け
を行なってコンタクトホール６を形成する（第１図（Ｃ
））。
ソシて、コンタクトホール６を含む絶縁膜２の表面にポ
リシリコンやアルミニウムなどの導電体膜４を堆積する
（第１図（ｄ））。
リシリコンやアルミニウムなどの導電体膜４を堆積する
（第１図（ｄ））。
かかる方法によって得られるコンタクトホールは、異方
性エツチングの工程によシ急峻な段差を持つことになル
、上層の配線層としての導電体被覆が不十分となって＃
Ｗｓが生じ易くなるという欠点がある。
性エツチングの工程によシ急峻な段差を持つことになル
、上層の配線層としての導電体被覆が不十分となって＃
Ｗｓが生じ易くなるという欠点がある。
（発明の開示）
そこで、この発明はかかる従来の欠点を排除すべく成さ
れたもので、コンタクトホール＠壁に傾斜面を持つ絶縁
膜を形成することによシ段差を緩和して、配線層の断線
を防ぐようにしたコンタクトホールの形成力法を提供す
ることを目的としている。
れたもので、コンタクトホール＠壁に傾斜面を持つ絶縁
膜を形成することによシ段差を緩和して、配線層の断線
を防ぐようにしたコンタクトホールの形成力法を提供す
ることを目的としている。
そのために、この発明では第１の絶縁膜でコンタクトホ
ールを形成した後に、史に第２の絶縁膜を堆積させ、堆
積後、段差側壁部の第２の絶縁膜の膜厚が大きいことを
利用して、第２の絶縁膜を異方性エツチングすることに
よりコンタクトホールの側壁に第２の絶縁膜の一部をテ
ーパ状に残すようにしたものである。
ールを形成した後に、史に第２の絶縁膜を堆積させ、堆
積後、段差側壁部の第２の絶縁膜の膜厚が大きいことを
利用して、第２の絶縁膜を異方性エツチングすることに
よりコンタクトホールの側壁に第２の絶縁膜の一部をテ
ーパ状に残すようにしたものである。
（実 施 例）
以下にこの発明の実施例を第２図（ａ）乃至第２図（ｆ
）に示す工程順に従って説明する。
）に示す工程順に従って説明する。
まず、シリコン基板１の表面にｓｉｏ、層間絶縁膜２を
堆積させ（ｉ２図（ａｔ）、感光性樹脂３によシバター
ニングを行なって（第２図（ｂ））、これをマスクとし
て絶縁膜２を異方性エツチングし、コンタクトホール６
を形成する（第２図（Ｃ））。この工程までは従来の工
程と同じである。
堆積させ（ｉ２図（ａｔ）、感光性樹脂３によシバター
ニングを行なって（第２図（ｂ））、これをマスクとし
て絶縁膜２を異方性エツチングし、コンタクトホール６
を形成する（第２図（Ｃ））。この工程までは従来の工
程と同じである。
この発明では史にコンタクトホール６を含な絶Ｉｉ＆膜
２の表面にｓ ｉ ０２による第２の絶縁膜５を堆積さ
せ（第２図＋ａ＋） 、絶縁膜５を異方性エツチングし
て層間絶縁膜２のコンタクトホール６を形成する側壁に
絶縁Ｊ漠５を残す（第２図（ｅ））。
２の表面にｓ ｉ ０２による第２の絶縁膜５を堆積さ
せ（第２図＋ａ＋） 、絶縁膜５を異方性エツチングし
て層間絶縁膜２のコンタクトホール６を形成する側壁に
絶縁Ｊ漠５を残す（第２図（ｅ））。
この側壁に残る絶縁膜５は、基板１の表面に対して傾斜
面を有するように形成される。そして、表面に導電体膜
４を堆積する（第２図（ｆ））。
面を有するように形成される。そして、表面に導電体膜
４を堆積する（第２図（ｆ））。
尚、ｊ−間絶縁膜２や第２絶縁膜５としては、ｓ ｉｏ
ｘの他にＰ Ｓ Ｇ ’Ｐ Ｓ ｉ ｓ Ｎ４などでも
よく、更に第２ｅｋ膜５はＳｉ＋ＡＪなどの４−件の材
料であってもよい。
ｘの他にＰ Ｓ Ｇ ’Ｐ Ｓ ｉ ｓ Ｎ４などでも
よく、更に第２ｅｋ膜５はＳｉ＋ＡＪなどの４−件の材
料であってもよい。
（効 果）
叙上の如く、この発明によれば、コンタクトホールの側
壁がテーバ状に形成式れるから、上層の配線層における
断線を防ぐことができ、歩留シや信頼性が向上する。
壁がテーバ状に形成式れるから、上層の配線層における
断線を防ぐことができ、歩留シや信頼性が向上する。
ＪＡ１図（ａ）乃至ｌ＠１図（ｄｌは、従来のコンタク
トホールの形成力法を示す工程＋ａの断面図、第２図（
ａｔ乃至（ｆＪはこの発明に係るコンタクトホールの形
成力法を示す工ＪｆＭ１１１の断面図である。 ■・・・・・・基板 ２ ・・・ ・・・ノー−１間ｅｍ−とａ自１３・・・
・・・感光性樹脂 ４・−・・・・導電体膜 ５・・・・・・第ＺＳ縁膜 ６・・・・・・コンタクトホール 特許出願人 パイオニア株式会社 第１図 （Ｑ、） 〜１ （ｂ） 〜ｆ （Ｃ） 〜１ （ＣＬ）、、を 第２図 〜２ （α）８ｆ （ｂ）、、−１ １ （Ｃ） （ｄ） 、＝’ 手続補正書（自発） 日 ２、発明の名称 コンタクトホールの形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１５３ 東京都目黒区目黒１丁目４番１号名称
（５０１）ノベイＡ−ニア株式会社明細書の「発明の詳
細な説明」の欄 １、特許請求の範囲を下記のとおり補正する。 半導体基板りに、局間絶縁膜を形成する工程と、前記層
間絶縁膜の一部をエツチングして、コンタクトホール用
の窓間けを行なう工程と、前記窓開は部分を含む局間絶
縁膜の表面に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶
縁膜を異方性エツチングして前記層間絶縁膜のコンタク
トボールを構成している側壁に、第２絶縁膜による傾斜
面を形成する工程と、前記窓開は部分および傾斜面を含
む層間絶縁膜上に導電体膜を形成する工程とを備えたこ
とを特徴とするコンタクトホールの形成方法。 ２、明細書１ページ下から２行 「絶縁膜での］を［スルーホール側面のＪに補正する。 ３、明細書２ペ一ジ８行 Ｆ付着してパターン」を「付着して露光、現像し、パタ
ーン」に補正する。 以上
トホールの形成力法を示す工程＋ａの断面図、第２図（
ａｔ乃至（ｆＪはこの発明に係るコンタクトホールの形
成力法を示す工ＪｆＭ１１１の断面図である。 ■・・・・・・基板 ２ ・・・ ・・・ノー−１間ｅｍ−とａ自１３・・・
・・・感光性樹脂 ４・−・・・・導電体膜 ５・・・・・・第ＺＳ縁膜 ６・・・・・・コンタクトホール 特許出願人 パイオニア株式会社 第１図 （Ｑ、） 〜１ （ｂ） 〜ｆ （Ｃ） 〜１ （ＣＬ）、、を 第２図 〜２ （α）８ｆ （ｂ）、、−１ １ （Ｃ） （ｄ） 、＝’ 手続補正書（自発） 日 ２、発明の名称 コンタクトホールの形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 〒１５３ 東京都目黒区目黒１丁目４番１号名称
（５０１）ノベイＡ−ニア株式会社明細書の「発明の詳
細な説明」の欄 １、特許請求の範囲を下記のとおり補正する。 半導体基板りに、局間絶縁膜を形成する工程と、前記層
間絶縁膜の一部をエツチングして、コンタクトホール用
の窓間けを行なう工程と、前記窓開は部分を含む局間絶
縁膜の表面に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶
縁膜を異方性エツチングして前記層間絶縁膜のコンタク
トボールを構成している側壁に、第２絶縁膜による傾斜
面を形成する工程と、前記窓開は部分および傾斜面を含
む層間絶縁膜上に導電体膜を形成する工程とを備えたこ
とを特徴とするコンタクトホールの形成方法。 ２、明細書１ページ下から２行 「絶縁膜での］を［スルーホール側面のＪに補正する。 ３、明細書２ペ一ジ８行 Ｆ付着してパターン」を「付着して露光、現像し、パタ
ーン」に補正する。 以上
Claims (1)
- 半導体基板の表面に、層間絶縁膜を形成する工程と、前
記層間絶縁膜の一部をエツチングして、コンタクトホー
ル用の惣開けを行なう工程と、前記窓開は部分を含む層
間絶Ｉ＃、膜の表面に第２絶縁膜を形成する工程と、前
記第２絶縁膜を異方性エツチングして前記層間絶縁膜の
コンタクトホールを構成している側壁に、第２絶縁膜に
よる傾斜面を形成する工程と、前記窓開は部分および傾
斜面を含む層間絶縁膜上に導電体膜を形成する工程とを
備えたことを％徴とするコンタクトホールの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1918584A JPS60163445A (ja) | 1984-02-02 | 1984-02-02 | コンタクトホ−ルの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1918584A JPS60163445A (ja) | 1984-02-02 | 1984-02-02 | コンタクトホ−ルの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163445A true JPS60163445A (ja) | 1985-08-26 |
Family
ID=11992274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1918584A Pending JPS60163445A (ja) | 1984-02-02 | 1984-02-02 | コンタクトホ−ルの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5166090A (en) * | 1989-05-01 | 1992-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor random access memory cell |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137680A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-27 | Ibm | Method of forming hole |
-
1984
- 1984-02-02 JP JP1918584A patent/JPS60163445A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137680A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-27 | Ibm | Method of forming hole |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5166090A (en) * | 1989-05-01 | 1992-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor random access memory cell |
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