JPS6016430A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6016430A
JPS6016430A JP58123432A JP12343283A JPS6016430A JP S6016430 A JPS6016430 A JP S6016430A JP 58123432 A JP58123432 A JP 58123432A JP 12343283 A JP12343283 A JP 12343283A JP S6016430 A JPS6016430 A JP S6016430A
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semiconductor element
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加藤　俊博
Shinichi Miyata
伸一 宮田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発ゆ１の技術分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に係シ、特に半導体素子
’ｔ　ＩＪ−ドフレームに固着するためのヤウント用樹
脂を禿燥硬化させる半導体装置の製造方法に関する。
１、発明の技術的背景〕 従来、半導体製造工程中半導体素子にリードフレームに
固着（マウント）する除マウント用（ｉｆ（ＩＩＩ（以
下「ペースト」と称す。］が用いられ、このペーストを
加熱して乾燥硬化させて固着するのか一般的である。
ペーストを乾燥場ぜるにあたっては、温度は約１６０°
Ｃ〜２００℃のオーブン中に１〜２時間放直することに
よってペーストラ値化させる方法の技術が知られている
。しかし、オーブンによるペーストの乾燥では少倉ずつ
の繰り返しによるバッチ処理によらなければならず、ま
た乾鋏時間が長いことから工程の短網化や合理化がばし
かった。そこで、第１図に示すような、１つの加熱体１
をその技手方向に内設した熱板２　′ｆｆ：２００℃〜
３００℃４呈度゛に加熱し、この熱板２上に、ペースト
３か店布されてその上に半導体素子４が載置されノこリ
−ドフレーム５を数分間放叙し短時間でペースト３葡乾
燥硬化させる方法が考えられる。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、上記方法は尚温度で急速に〃■熱しでペ
ーストラ乾燥硬化させることになる。このだめ、第２図
に示すように、２００℃〜３００℃の温度で急速に加熱
した場合、ペースト３中の溶剤成分が気化して完全にペ
ースト３表面からぬけきらないうちに狭面硬化が始咬る
ことによシ、ペースト３中で空隙部６を生じさせてしま
うっこの空隙＠ｉｓ　６は半導体素子４とリードフレー
ム５との接着力の低下、バラツキの起因となる。また、
第３図に示すように、外囲器として半導体素子４を七−
ルド樹脂７で封止した場合にモールド樹脂７の硬化時の
応力（矢印）が半導体素子４に加わり空隙Ｈβ６の生じ
ているペースト３ではその応力に支えきれずに半導体素
子４を破壊さぜるという難点があるっ 〔発明の目的〕 本発明は上記従来の難点Ｋｍみなちれたもので、半導体
素子をリードフレーム等に固着するだめのマウント用樹
脂を加熱により※ｉ燥砂硬化ぜるにあたシ、除々に編１
現が高くなる加熱帯域を移動させて加熱することにより
、マウント用樹脂に空隙部を生じさせずに短時間で乾燥
硬化させる半導体装置の製造方法を提供せんとするもの
でめる。
〔発明の・慨要〕
本発明は、キー４体素子をリードフレーム寺に同着する
ためのマウント用ＡｉＬＩ脂ｆ：　Ｑｉ　燥４ｆ化する
にあたり、加熱帯域にそれぞれＪプ１定扇度に設定され
た所定数の加熱体’ｃ　１１ＩＵｔ次設けて該帯域にＯ
Ｈ，ｌ、度勾配を設け、該帯域において前Ｍｔ、’）−
ドフレーム等７，１多〔発明の実施例ｊ 以下、本発明の好ましい実施１り１１を１４面により説
明する。
本発明の半導体装置の５Ｍ造方法による一＆１６の概略
を第４図に示す。第４図において、７Ｊｌｌ＋熱帯域１
ｕにそれぞれ所定渦紋に設定された加熱体１１ａ１１１
　ｂ％　１１　ｃｌｌ　１　ｄ　−、１１ｅがｉｌ［Ｊ
　Ｋ設けられ１いる、この帯域１０を、半導体系子１２
がペースト１３により固着されるリードフレーム１４？
ｚ矢印方向に移動させて加熱するものでりる。
本願実施例ではペースト１３０乾麻渦反’ｉ　１００℃
〜３００℃に定め、第５図に）」＜すよりな、各加熱体
１１ａ〜１１ｅの設定温度を５０℃毎に除々に高く設定
しく１１ａが１００℃からｔｉｅが３００℃まで）リニ
ア的に湿度勾配をもたせている。そして、前記リードフ
レーム１４を加熱体１１ａ〜１１ｅの加熱帯域の距離を
約３分間で定速移動させることにより−Ｃ１ペースト１
３において空隙部のない乾燥硬化上行うことができるも
のである。
なお、上記実施レリではリードフレーム１４を帯域１０
で連続的に移動させたが、移動距離中を所定間隔で間欠
に移動させることによっても上記実施例と同様の効果が
得られるものである。
〔発明の効果〕
以上、上記実施例からも明らかなように本発明によれは
、半導体素子をリードフレームに固着するだめのマウン
ト用樹）１口を加熱により乾燥硬化させるに必たシ、除
々に温度が畠くなる加熱帯域を移動させて短時間で加熱
することにより、マウント用樹脂に空隙部を生じさせる
ことがなく、半導体素子の接着強度を同上・安定化させ
ることができ、モールド樹脂封止での素子破壊を防止す
ることができる。また、このことにより製造工程の装置
構造を簡便化、小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来における半２ｊ７．１４−の熱板上での加
ｐ４方法を示した概略図、第２図は従来におけるペース
トが加熱されて乾燥硬化した場合含水した説明図、第３
図は第２図の状態においでモールドした場合の素子の状
態を示した核ｌ１１６図、４４４４図は本発明における
半導体装置の加熱方法會示した説明図、嬶５図は第４図
における加熱体の渦紋分布をボしたグラフでおる。 １．１１ａ、　１　’ｌｂ、　１１ｃ、ｌｌｄ、Ｉｌｅ
・−加熱体２　・・・・・・熱板 ３．１３・・・マウント用樹脂（ペースト）４．１２・
・半導体素子 ５．１４・・・リードフレーム １ｕ・・・・・加熱帯域 （７３１７）代理人　升理士　期　近　７Δ　佑（はか
１名う 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子をリードフレーム等に固着するためのマウン
    ト用樹脂を乾燥硬化するにあたシ、加熱帯域にそれぞれ
    所定温度に設定された所定数の加熱体をＩＩ次設けて該
    帯域に温度勾配を設け、該帯域において前記リードフレ
    ーム等を移動させて加熱することによりＯｉｌ記マウン
    ト用樹脂を乾燥硬化することを特徴とする子導体装置の
    製造方法。
JP58123432A 1983-07-08 1983-07-08 半導体装置の製造方法 Expired - Lifetime JPH0732168B2 (ja)

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JPS6016430A true JPS6016430A (ja) 1985-01-28
JPH0732168B2 JPH0732168B2 (ja) 1995-04-10

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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6234430U (ja) * 1985-08-17 1987-02-28

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55165642A (en) * 1979-06-11 1980-12-24 Hitachi Ltd Method of assembling semiconductor device
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