JPS63202031A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63202031A JPS63202031A JP62034877A JP3487787A JPS63202031A JP S63202031 A JPS63202031 A JP S63202031A JP 62034877 A JP62034877 A JP 62034877A JP 3487787 A JP3487787 A JP 3487787A JP S63202031 A JPS63202031 A JP S63202031A
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- JP
- Japan
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- metal layer
- layer
- metal
- wire
- semiconductor device
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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-
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
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- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ワイヤボンディング時に強い接着強度が得
られるガリウム（Ｇａ）を含む■−■族化合物半４体で
形成された半扉体＝ｉに関するものである。
られるガリウム（Ｇａ）を含む■−■族化合物半４体で
形成された半扉体＝ｉに関するものである。
第２図は、従来のＧａを含むｍ−ｖ族化合物半導体で形
成された半導体ｇ ＴＬ、例えば砒化ガリウム（ＧａＡ
ｓ）、アルミニウム・砒化ガリウムＣＧａＡＩＡｓ）等
で形成された半導体レーザ装置の電極の構成を示す断面
図であり、図において（１）はＮ型又はＰ型のＧ ａ
Ａ ｓ ７．％板、（２）はこのＧａＡｓ基＋ｆｆ１（
１）にオーミ、り接続する第１の金属層で、例えば金（
Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）合金、ニッケル（Ｎｉ）
、金（Ａｕ）などを積層して形成される。
成された半導体ｇ ＴＬ、例えば砒化ガリウム（ＧａＡ
ｓ）、アルミニウム・砒化ガリウムＣＧａＡＩＡｓ）等
で形成された半導体レーザ装置の電極の構成を示す断面
図であり、図において（１）はＮ型又はＰ型のＧ ａ
Ａ ｓ ７．％板、（２）はこのＧａＡｓ基＋ｆｆ１（
１）にオーミ、り接続する第１の金属層で、例えば金（
Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）合金、ニッケル（Ｎｉ）
、金（Ａｕ）などを積層して形成される。
（３ンはこの第１の金属層（２）上に形成される第２の
金属層で、例えば、モリブデン（Ｍｏ）又はプラチナ（
Ｐｔ）等の高融点金属で形成される。これらの金属はＧ
ａに対する拡散係数が十分小さいので、ＧａＡｓ基板（
１）中のＧａが更に上の層へ熱拡ｉｉ’ｌするのを阻止
する。
金属層で、例えば、モリブデン（Ｍｏ）又はプラチナ（
Ｐｔ）等の高融点金属で形成される。これらの金属はＧ
ａに対する拡散係数が十分小さいので、ＧａＡｓ基板（
１）中のＧａが更に上の層へ熱拡ｉｉ’ｌするのを阻止
する。
（４）はこの第２の金属層（３）上に形成される第３の
金属層で、例えばＡｕ等で形成される。（５）は第３の
金属Ｎ（４）上にワイヤボンディングされるリードワイ
ヤである。
金属層で、例えばＡｕ等で形成される。（５）は第３の
金属Ｎ（４）上にワイヤボンディングされるリードワイ
ヤである。
なお、第１の金属層（２）、第２の金属層（３）及び第
３の金属層 （４）はいずれも例えば真空蒸着法により
形成され、ＧａＡｓ基板（１）と第１の金属層（２）と
の接触界面において良好なオーミック特性を得るために
熱処理される。
３の金属層 （４）はいずれも例えば真空蒸着法により
形成され、ＧａＡｓ基板（１）と第１の金属層（２）と
の接触界面において良好なオーミック特性を得るために
熱処理される。
従来の半導体レーザ装置は上記のように形成されている
ので、ＧａＡｓ基板（１）と第１の金属層（２）との接
触界面では良好なオーミック特性が得られる。
ので、ＧａＡｓ基板（１）と第１の金属層（２）との接
触界面では良好なオーミック特性が得られる。
また、半導体レーザ装置の熱処理工程においてＧａＡｓ
基板（１）中のＧａが第３の金属層（４）へ熱拡散によ
り浸透するのは第２の金属層 （３）によって阻止し、
これによりＧａが第３の金属層（４）の表面へ集積・酸
化して、ワイヤボンディング時の接着強度を低下させる
のを防止するようになっている。
基板（１）中のＧａが第３の金属層（４）へ熱拡散によ
り浸透するのは第２の金属層 （３）によって阻止し、
これによりＧａが第３の金属層（４）の表面へ集積・酸
化して、ワイヤボンディング時の接着強度を低下させる
のを防止するようになっている。
上記のように、ＧａＡｓ基板（１）と第１の金属層（２
）との接触界面における良好なオーミック特性を得るた
めに半導体装置の熱処理が行われるが、従来の構成では
第２の金属層（３）と第３の金属層（４）とを完全に密
着させて形成するのが困難であり、このため熱処理によ
り第３金属層（４）が歪み、その表面に凸凹の荒れが生
してワイヤボンディング時の接着強度が低下するという
問題点があった。
）との接触界面における良好なオーミック特性を得るた
めに半導体装置の熱処理が行われるが、従来の構成では
第２の金属層（３）と第３の金属層（４）とを完全に密
着させて形成するのが困難であり、このため熱処理によ
り第３金属層（４）が歪み、その表面に凸凹の荒れが生
してワイヤボンディング時の接着強度が低下するという
問題点があった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、ワイヤボンディング時に強固な接着強度が得
られる半導体装置を得るのを目的とする。
たもので、ワイヤボンディング時に強固な接着強度が得
られる半導体装置を得るのを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、半導体基板中のＧａＯ熱
拡散を阻止する第２の金属層とリードワイヤがワイヤボ
ンディングされる第３の金属層との間に、このいずれの
金属層にも密着して第４の金属層を形成させたものであ
る。
拡散を阻止する第２の金属層とリードワイヤがワイヤボ
ンディングされる第３の金属層との間に、このいずれの
金属層にも密着して第４の金属層を形成させたものであ
る。
この発明においては、第４の金属層が第２の金属層と第
３の金属層のいずれとも十分密着して形成されるので、
熱処理に伴う第３の金属層の歪みを生じることもなく、
表面の凸凹の荒れ発生を防止する。
３の金属層のいずれとも十分密着して形成されるので、
熱処理に伴う第３の金属層の歪みを生じることもなく、
表面の凸凹の荒れ発生を防止する。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であり、（１
）〜（５）は第２図のものと全く同一である。
）〜（５）は第２図のものと全く同一である。
（６）は第２の金属層（３）と第３の金属層（４）とに
密着して形成される第４の金属層、（６ａ）は第４の金
属層（６）を構成し、第２の金属層（３）上に例えば真
空蒸着法によって形成されるチタン（Ｔｉ層層、（６ｂ
）は第４の金属層 （６）を構成し、Ｔｉ層（６ａ）上
に例えば真空蒸着法によって形成されるニッケル（Ｎｉ
）層である。
密着して形成される第４の金属層、（６ａ）は第４の金
属層（６）を構成し、第２の金属層（３）上に例えば真
空蒸着法によって形成されるチタン（Ｔｉ層層、（６ｂ
）は第４の金属層 （６）を構成し、Ｔｉ層（６ａ）上
に例えば真空蒸着法によって形成されるニッケル（Ｎｉ
）層である。
（６ｂ）及びＮｉ層（６ｂ）と第３の金属層 （・１）
の密着性がそれぞれ極めて良好であるため、結果として
第２の金属層（３）と第３の金属層（４）との密着接続
が実現される。
の密着性がそれぞれ極めて良好であるため、結果として
第２の金属層（３）と第３の金属層（４）との密着接続
が実現される。
なお、上記の実施例では、第４の金属層（６）がＴｉ層
（６ａ）とＮ１Ｊｉ（６ｂ）で形成されているが、単一
の金属層で形成させてもよい。
（６ａ）とＮ１Ｊｉ（６ｂ）で形成されているが、単一
の金属層で形成させてもよい。
この発明は以上説明したたおり、半導体基板中のガリウ
ムの熱拡散を阻止する第２の金泥層とリードワイヤがワ
イヤボンディングされる第３の金属層間にいずれの金属
−にも密着して第４の金属層が形成されることにより結
果的に第２の金属層と第３の金属層とが密着接続される
ので、熱処理がなされても第３金屈層表面に凸凹の荒れ
を生じることがな（、従って、ワイヤボンディングを強
固に行うことができ、半導体装置の製造歩留り及び信頼
性が著しく向上する効果がある。
ムの熱拡散を阻止する第２の金泥層とリードワイヤがワ
イヤボンディングされる第３の金属層間にいずれの金属
−にも密着して第４の金属層が形成されることにより結
果的に第２の金属層と第３の金属層とが密着接続される
ので、熱処理がなされても第３金屈層表面に凸凹の荒れ
を生じることがな（、従って、ワイヤボンディングを強
固に行うことができ、半導体装置の製造歩留り及び信頼
性が著しく向上する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は従
来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図において、（１）はＧａＡｓ基板、（２）は第１の金
属層、（３）は第２の金属層、（４）は第３の金属層、
（５）はリードワイヤ、（６）は第４の金属層、（６ａ
）はチタン層、（６ｂ）はニッケル層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図において、（１）はＧａＡｓ基板、（２）は第１の金
属層、（３）は第２の金属層、（４）は第３の金属層、
（５）はリードワイヤ、（６）は第４の金属層、（６ａ
）はチタン層、（６ｂ）はニッケル層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）ガリウムを含むIII−Ｖ族化合物半導体基板上に
形成され、該基板にオーミック接続される第１の金属層
と、該第１の金属層上に形成され、前記基板中のガリウ
ムの熱拡散を阻止する第２の金属層と、該第２の金属層
上に形成され、リードワイヤがワイヤボンディングされ
る第３の金属層とからなる半導体装置において、前記第
２の金属層と第３の金属層間にこのいずれの金属層にも
密着して第４の金属層が形成されていることを特徴とす
る半導体装置。 - （２）第４の金属層が、順に形成され相互に密着するチ
タン層とニッケル層よりなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034877A JPS63202031A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034877A JPS63202031A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202031A true JPS63202031A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12426376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62034877A Pending JPS63202031A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63202031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246357A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5869357A (en) * | 1993-09-30 | 1999-02-09 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Metallization and wire bonding process for manufacturing power semiconductor devices |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62034877A patent/JPS63202031A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02246357A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-02 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5869357A (en) * | 1993-09-30 | 1999-02-09 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Metallization and wire bonding process for manufacturing power semiconductor devices |
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