JPS60165112A - カレントミラ−回路 - Google Patents
カレントミラ−回路Info
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- JPS60165112A JPS60165112A JP59020059A JP2005984A JPS60165112A JP S60165112 A JPS60165112 A JP S60165112A JP 59020059 A JP59020059 A JP 59020059A JP 2005984 A JP2005984 A JP 2005984A JP S60165112 A JPS60165112 A JP S60165112A
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- transistor
- collector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はカレントミラー回路に係わり、特に使用トラン
ジスタのエミッタ接地直流電流増幅率(hrりのばらつ
きによってミラー特性が不均等にならないようにしたカ
レントミラー回路に関する。
ジスタのエミッタ接地直流電流増幅率(hrりのばらつ
きによってミラー特性が不均等にならないようにしたカ
レントミラー回路に関する。
一般にこの種回路は入力側と出力側とで対をなすトラン
ジスタ同士のベース・エミッタ間電圧を一定に保持して
、各トランジスタのコレクタ点における電流の関係を鏡
像のようにする回路である。
ジスタ同士のベース・エミッタ間電圧を一定に保持して
、各トランジスタのコレクタ点における電流の関係を鏡
像のようにする回路である。
そして、入力側と出力側とに設けるトランジスタの数を
1対1にすれば入力電流と出力電流との比(以下電流比
という)を略1対1とすることができ、更に、入力側と
出力側でトランジスタの数を異らせるか、エミツタ面積
比を異らせることにより、上記電流比を所定の比に設定
することも可能であり、この電流比を利用して、例えば
増幅器の利得変化範囲を広げたり、雑音を抑圧して次段
に供給する定電流回路等としての役割を果たしている。
1対1にすれば入力電流と出力電流との比(以下電流比
という)を略1対1とすることができ、更に、入力側と
出力側でトランジスタの数を異らせるか、エミツタ面積
比を異らせることにより、上記電流比を所定の比に設定
することも可能であり、この電流比を利用して、例えば
増幅器の利得変化範囲を広げたり、雑音を抑圧して次段
に供給する定電流回路等としての役割を果たしている。
ところで、上記カレントミラー回路の電流比は、入力側
および出力側トランジスタの共通ベースから入力側トラ
ンジスタのコレクタ点への電流を同トランジスタのコレ
クタ電流に対して無視した比率であるため、上記電流比
を一定にするためには、共通ベースから入力側トランジ
スタのコレクタ点へ流れ込む電流を小さくすることが望
ましい。ところが、これはトランジスタのエミッタ接地
直流電流増幅率(以下単にhFEという)のばらつき(
回路の製造上のばらつきおよび環境変化を含む)或いは
温度による変化等によって入力側トランジスタのコレク
タ電流が増減し、h F Eが低下した場−合は前記共
通ベースからの電流が無視できなくなり、所定の電流比
が崩れるおそれがあった。
および出力側トランジスタの共通ベースから入力側トラ
ンジスタのコレクタ点への電流を同トランジスタのコレ
クタ電流に対して無視した比率であるため、上記電流比
を一定にするためには、共通ベースから入力側トランジ
スタのコレクタ点へ流れ込む電流を小さくすることが望
ましい。ところが、これはトランジスタのエミッタ接地
直流電流増幅率(以下単にhFEという)のばらつき(
回路の製造上のばらつきおよび環境変化を含む)或いは
温度による変化等によって入力側トランジスタのコレク
タ電流が増減し、h F Eが低下した場−合は前記共
通ベースからの電流が無視できなくなり、所定の電流比
が崩れるおそれがあった。
すなわち、第1図は従来のカレントミラー回路を示す回
路図であり、入力側のトランジスタに対し出力側にル個
のトランジスタを設けたものである。同図において、ト
ランジスタQ1は入力側を構成し、そのベース・コレク
タ間は短絡されるとともに、エミッタは電圧源端子Vc
cに接続され、同コレクタには入力電流Iinが供給さ
れるようになっている。出力側は、N個の並列接続され
たトランジスタQ、1. Q、2.・・・、Q2−N
から成り、同トランジスタQ、、、Q、2.・・・、
Q2−N のベースは共通に接続され、かつ、入力側ト
ランジスタQ1のコレクタに接続されて゛いる。そして
、出力側トランジスタQ、、、Q、2.・・・、 Q2
−Nの各エミッタは電圧源端子Vccに接続されるとと
もに、出力電流10UT は各コレクタの共通接続点よ
り取り出されるようになっている。
路図であり、入力側のトランジスタに対し出力側にル個
のトランジスタを設けたものである。同図において、ト
ランジスタQ1は入力側を構成し、そのベース・コレク
タ間は短絡されるとともに、エミッタは電圧源端子Vc
cに接続され、同コレクタには入力電流Iinが供給さ
れるようになっている。出力側は、N個の並列接続され
たトランジスタQ、1. Q、2.・・・、Q2−N
から成り、同トランジスタQ、、、Q、2.・・・、
Q2−N のベースは共通に接続され、かつ、入力側ト
ランジスタQ1のコレクタに接続されて゛いる。そして
、出力側トランジスタQ、、、Q、2.・・・、 Q2
−Nの各エミッタは電圧源端子Vccに接続されるとと
もに、出力電流10UT は各コレクタの共通接続点よ
り取り出されるようになっている。
上記において、入力電流Iinは各トランジスタQ1*
Q2−1j Q、−2,・・・、Q2−N の個々の
ベース電流■、和 (以下共通ベース電流という)と入
力側トランジスタQ、のコレクタ電流■。□との和とな
り、次式のように示される。
Q2−1j Q、−2,・・・、Q2−N の個々の
ベース電流■、和 (以下共通ベース電流という)と入
力側トランジスタQ、のコレクタ電流■。□との和とな
り、次式のように示される。
Ic1= Iin (N + 1 ’) In ・−−
・・(1)(IcxはトランジスタQxのコレクタ電流
以下同じ)また、トランジスタQ、のコレクタ電流は同
ベース電流との間に I、□= hrz x I、 ・・・・・・・・・(2
)という関係がある( hrF+は入力側と出力側で等
しいとする)。
・・(1)(IcxはトランジスタQxのコレクタ電流
以下同じ)また、トランジスタQ、のコレクタ電流は同
ベース電流との間に I、□= hrz x I、 ・・・・・・・・・(2
)という関係がある( hrF+は入力側と出力側で等
しいとする)。
一方、出力電流■。IJTは、トランジスタQ、のコレ
クタ電流の略ル倍が出力側トランジスタQ、、。
クタ電流の略ル倍が出力側トランジスタQ、、。
Q2−2.・・・、Q2−N のコレクタ電流として出
力されるので、 IoIJT= N X I、 X hpg −=−−−
−−(3)となり、(1)〜(3)式より入力電流と出
力電流の関係は、 となる。
力されるので、 IoIJT= N X I、 X hpg −=−−−
−−(3)となり、(1)〜(3)式より入力電流と出
力電流の関係は、 となる。
この(4)式から明らかなように上記電流比は11FK
お山びNにより大きく変動し、特性誤差の少いカレント
ミラー回路を得−るためには、hEFの精度を向上させ
なければならず、これを製造技術の改良により解決しふ
うとしても到底不可能である。
お山びNにより大きく変動し、特性誤差の少いカレント
ミラー回路を得−るためには、hEFの精度を向上させ
なければならず、これを製造技術の改良により解決しふ
うとしても到底不可能である。
そこで、hFF−のばらつきを補正する回路的手段が必
要となる。第2図は上記補正手段を付加した従来のカレ
ントミラー回路を示す回路図゛であって、トランジスタ
Q、がトランジスタQ、に、トランジス1 りQ4−1p Q4−2s・・・+ Q4−N がトラ
ンジスタQ2−1゜Q2−2.・・・1Q2−Hにそれ
ぞれ対応して同一構成である。そして、入力側トランジ
スタQ、の′ベース・コレクタ間短絡の代わりに、別途
補正手段としてのトランジスタQ、を設け、同トランジ
スタqのベースをトランジスタQ3のコレクタに、同エ
ミッタをトランジスタQ3のベースに接続し、トランジ
スタQ、のコレクタは基準電圧端に接続しである。
要となる。第2図は上記補正手段を付加した従来のカレ
ントミラー回路を示す回路図゛であって、トランジスタ
Q、がトランジスタQ、に、トランジス1 りQ4−1p Q4−2s・・・+ Q4−N がトラ
ンジスタQ2−1゜Q2−2.・・・1Q2−Hにそれ
ぞれ対応して同一構成である。そして、入力側トランジ
スタQ、の′ベース・コレクタ間短絡の代わりに、別途
補正手段としてのトランジスタQ、を設け、同トランジ
スタqのベースをトランジスタQ3のコレクタに、同エ
ミッタをトランジスタQ3のベースに接続し、トランジ
スタQ、のコレクタは基準電圧端に接続しである。
上記回路は、hFEが低下してトランジスタQ3(Ql
つのコレクタ電流が低下してもトランジスタQ、のベー
ス電流を増加するようにして、言換えれ、ば(1)式の
コレクタ電流増減による共通ベース電−流が電流比に影
響しないように入力電流Iinを一定に維持しようとす
るものであり、入力電流IinはトランジスタQ、のコ
レクタ電流と1〜ランジスタQ11のベース電流■Us
との和となる。この1−ランジスタQ、のベース電流’
Bsは、 IF5−(N + 1 ) ■a ・・・・・・・・・
(5)(IgsはトランジスタQ、のエミッタ電流)よ
り となり、(1)式に対応するトランジスタQ8のコレク
タ電流と入力電流との関係は、 で示される。この(7)式と(1)式を比較すると。
つのコレクタ電流が低下してもトランジスタQ、のベー
ス電流を増加するようにして、言換えれ、ば(1)式の
コレクタ電流増減による共通ベース電−流が電流比に影
響しないように入力電流Iinを一定に維持しようとす
るものであり、入力電流IinはトランジスタQ、のコ
レクタ電流と1〜ランジスタQ11のベース電流■Us
との和となる。この1−ランジスタQ、のベース電流’
Bsは、 IF5−(N + 1 ) ■a ・・・・・・・・・
(5)(IgsはトランジスタQ、のエミッタ電流)よ
り となり、(1)式に対応するトランジスタQ8のコレク
タ電流と入力電流との関係は、 で示される。この(7)式と(1)式を比較すると。
hvw + 1 だけ共通ベース電流を抑えることがで
きる。
きる。
また1、
Io3= hyz x I8 ・・・・・・・・・(8
)より、出力電流■。u’rは、 l0UT =N x II X hIPy+となり、(
7)式の関係を利用して となる。この(10)式では、(4)式の場合より上記
電流比はhyzの誤差変動に対して2次関数的な特性に
改善されるが、Nが大きくなるとN+1・I。
)より、出力電流■。u’rは、 l0UT =N x II X hIPy+となり、(
7)式の関係を利用して となる。この(10)式では、(4)式の場合より上記
電流比はhyzの誤差変動に対して2次関数的な特性に
改善されるが、Nが大きくなるとN+1・I。
hFr++1
の項から推察されるように共通ベース電流の影響が大き
くなり、これはhygの低下によって更に大きなものと
なる。もし、hyEが製造上ばらつけば、回路ごとに異
った電流比となり、回路の品質を低下させる原因となる
。
くなり、これはhygの低下によって更に大きなものと
なる。もし、hyEが製造上ばらつけば、回路ごとに異
った電流比となり、回路の品質を低下させる原因となる
。
本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、へ出力側
トランジスタの共通ベースに流れる共通ベース電流を入
力電流に合流して引き込む手段を有したカレントミラー
回路において、上記手段とは別に前記共通ベース電流を
吸い込むことができ、入力側トランジスタのベース−コ
レクタ間の接続路に流れる電流を従来より更に小さく抑
えるようにすることのできるカレントミラー回路を提供
することを目的とする。
トランジスタの共通ベースに流れる共通ベース電流を入
力電流に合流して引き込む手段を有したカレントミラー
回路において、上記手段とは別に前記共通ベース電流を
吸い込むことができ、入力側トランジスタのベース−コ
レクタ間の接続路に流れる電流を従来より更に小さく抑
えるようにすることのできるカレントミラー回路を提供
することを目的とする。
すなわち、本発明はそれぞれ少なくとも1つの入力−ト
ランジスタと出力側トランジスタとのベース−エミッタ
間電圧を一定に保持して、各トランジスタのコレクタ点
における入力電流と出力電流との比率を一定にするとと
もに、前記入力側トランジスタのベースΦコレクタ間に
共通ベース電流を吸い込み前記入力電流に合流する第1
0吸込手段を設けたカレントミラー回路において、前記
第1の吸込手段の電流を反転増幅することにより前記各
トランジスタの共通ベースに流れる電流を第1の吸込手
段とは別の経路から吸い込む第2の吸込手段を設けた回
路であり、この第2の吸込手段で吸い込む電流分集1の
吸込手段の吸込電流を減らして入力電流に対する共通ベ
ース電流の割合をhFy+、の変化にかかわらず小さく
するようにしたものである。
ランジスタと出力側トランジスタとのベース−エミッタ
間電圧を一定に保持して、各トランジスタのコレクタ点
における入力電流と出力電流との比率を一定にするとと
もに、前記入力側トランジスタのベースΦコレクタ間に
共通ベース電流を吸い込み前記入力電流に合流する第1
0吸込手段を設けたカレントミラー回路において、前記
第1の吸込手段の電流を反転増幅することにより前記各
トランジスタの共通ベースに流れる電流を第1の吸込手
段とは別の経路から吸い込む第2の吸込手段を設けた回
路であり、この第2の吸込手段で吸い込む電流分集1の
吸込手段の吸込電流を減らして入力電流に対する共通ベ
ース電流の割合をhFy+、の変化にかかわらず小さく
するようにしたものである。
′Σ、、以下本発明を図示の実施例について具体的に説
明する。第3図は本発明の基本構成を示す回路図である
。同図において、入力側トランジスタQ6は、N個の出
力側トランジスタQ7−1 t Q?−1y・・・、Q
7.−Nとそれぞれベースが共通に接続されるとともに
、各トランジスタQ6 y Q? −1+ Q7−2
p・・・、 Q7−N のエミッタは電圧源端子Vcc
に接続されている。また、入力側トランジスタQ、のベ
ースおよびコレクタには、トランジスタQ、のエミッタ
およびベースがそれぞれ接続されている。このトランジ
スタQ8は、前記各トランジスタQ61 Q7−11
Q7−zt・・・、 Q、−Nの共通ベースに流れる共
通ベース電流をそのエミッタより吸い込み、入力側トラ
ンジスタQ、lのコレクタ点における入力電流Iinに
合流させるための第1の吸込手段を構成し、第2図と同
様にhrgのばらつきによる同トランジスタqのコレク
タ電流■c6の増減を補正するようにしている。そして
、前″記名トランジスタQa 、Qr−□tQ、−2s
・・・P Q?−Hの共通ベースと前記トランジスタQ
8のコレクタとの間には、同コレクタ電流■asを入力
して反転増幅する電流反転増幅器Aが接続されている。
明する。第3図は本発明の基本構成を示す回路図である
。同図において、入力側トランジスタQ6は、N個の出
力側トランジスタQ7−1 t Q?−1y・・・、Q
7.−Nとそれぞれベースが共通に接続されるとともに
、各トランジスタQ6 y Q? −1+ Q7−2
p・・・、 Q7−N のエミッタは電圧源端子Vcc
に接続されている。また、入力側トランジスタQ、のベ
ースおよびコレクタには、トランジスタQ、のエミッタ
およびベースがそれぞれ接続されている。このトランジ
スタQ8は、前記各トランジスタQ61 Q7−11
Q7−zt・・・、 Q、−Nの共通ベースに流れる共
通ベース電流をそのエミッタより吸い込み、入力側トラ
ンジスタQ、lのコレクタ点における入力電流Iinに
合流させるための第1の吸込手段を構成し、第2図と同
様にhrgのばらつきによる同トランジスタqのコレク
タ電流■c6の増減を補正するようにしている。そして
、前″記名トランジスタQa 、Qr−□tQ、−2s
・・・P Q?−Hの共通ベースと前記トランジスタQ
8のコレクタとの間には、同コレクタ電流■asを入力
して反転増幅する電流反転増幅器Aが接続されている。
この、電流反転増幅器Aは第2の吸込手段を構成し、そ
の反転増幅作用で前記共通ベース電流を吸込む役割を果
たしている。一方、出力電流I。UT は出力側トラン
ジスタQ7−、、 Q、、、・・・j Q?−N の共
通コレクタより導出されるようになっている。
の反転増幅作用で前記共通ベース電流を吸込む役割を果
たしている。一方、出力電流I。UT は出力側トラン
ジスタQ7−、、 Q、、、・・・j Q?−N の共
通コレクタより導出されるようになっている。
上記のように電流反転増幅器Aを設けることにより、同
増幅器Aは、各トランジスタQ6.Q、、。
増幅器Aは、各トランジスタQ6.Q、、。
Ql−2p・−・、G7−N の共通ベース電流を吸い
込むことができ、その吸込電流Iaは、利得Gに応じて
設定可能となる。これにより、第1の吸込手段としての
トランジスタQ8の吸込電流(エミッタ電流)工。8を
小さくすることができ、入力電流Iinに合流されるト
ランジスタQ8のベース電流■B8を小さくして、同ベ
ース電流IIsの入力電流に占める割合を抑え電流比の
変化を抑制する。
込むことができ、その吸込電流Iaは、利得Gに応じて
設定可能となる。これにより、第1の吸込手段としての
トランジスタQ8の吸込電流(エミッタ電流)工。8を
小さくすることができ、入力電流Iinに合流されるト
ランジスタQ8のベース電流■B8を小さくして、同ベ
ース電流IIsの入力電流に占める割合を抑え電流比の
変化を抑制する。
すなわち、各トランジスタQat Q、−1,G7−1
yQ7−、の共通ベース電流(N+1)IBは、電流反
転増幅器AおよびトランジスタQ8によって吸い込まれ
次式のようになる。
yQ7−、の共通ベース電流(N+1)IBは、電流反
転増幅器AおよびトランジスタQ8によって吸い込まれ
次式のようになる。
(N+1 ) IB” ■zg + Ias XG ・
・・・・・山(]1)(Iceは1〜ランジスタQ8の
コレクタ電流)この(11)式において、G I、8は
電流反転増幅器Aの吸込電流Iaに相当する。
・・・・・山(]1)(Iceは1〜ランジスタQ8の
コレクタ電流)この(11)式において、G I、8は
電流反転増幅器Aの吸込電流Iaに相当する。
また、トランジスタQ6の性質により、コレクタ電流お
よびベース電流は で表わ′される。
よびベース電流は で表わ′される。
さらに、(7)式、(8)式に対応する式として入力側
トランジスタQ6のコレクタ電流■c6は、Ic6=
Iin −IB8== byg x I、 −−−−−
−−−・(14)一方、出力電流I。TJTは、 l0UT、=N X hFg X IB ・・・・・・
・・・(15)であるから、(15)式より (13)式、 (14)式および(16)式よりこの(
17)式と(12)式より となる。上記(16) 、 (17) 、 (18)式
を(11)式に代入して整理すると となる。この(19)式においてqを大きくすればすの
で本発明による電流反転増幅器Aによって、11FE
I)製造上のばらつき、或いはhrzの温度変化等に関
係無く電流比を一定(N)にすることができる。
トランジスタQ6のコレクタ電流■c6は、Ic6=
Iin −IB8== byg x I、 −−−−−
−−−・(14)一方、出力電流I。TJTは、 l0UT、=N X hFg X IB ・・・・・・
・・・(15)であるから、(15)式より (13)式、 (14)式および(16)式よりこの(
17)式と(12)式より となる。上記(16) 、 (17) 、 (18)式
を(11)式に代入して整理すると となる。この(19)式においてqを大きくすればすの
で本発明による電流反転増幅器Aによって、11FE
I)製造上のばらつき、或いはhrzの温度変化等に関
係無く電流比を一定(N)にすることができる。
第6図は11FEの変化に対する電流比の特性を本発明
と第1図および第2図の場合の従来特性(1)。
と第1図および第2図の場合の従来特性(1)。
(2)とを比較して示す特性図であって、縦軸は電判る
ように、hFEが10程度に低下した場合、第1図の従
来特性(1)によれば電流比が略0.5になり、第2図
の従来特性(2)であっても略帆9になってしま・うが
、本発明の特性によればlxygが5程度にばらついて
も略電流比は1を維持しており、非常に高精度のカレン
1ヘミラ一回路を実現する。
ように、hFEが10程度に低下した場合、第1図の従
来特性(1)によれば電流比が略0.5になり、第2図
の従来特性(2)であっても略帆9になってしま・うが
、本発明の特性によればlxygが5程度にばらついて
も略電流比は1を維持しており、非常に高精度のカレン
1ヘミラ一回路を実現する。
次に、第3図に基づき具体的な能動素子を用いて構成し
た本発明の一実施例を第4図に示す。同図において、第
3図に対応する部材は同一符号を記す。この実施例は、
電流反転増幅器Aとして各トランジスタQ’ * Ql
−1v G7−2t・・・、 Qy−rr およびQ
、とは極性の異るトランジスタQ、を用い、同トランジ
スタQ、のコレクタを共通ベースに接続し、同エミッタ
を基準電圧端GNDに接続するとともに、同ベースはト
ランジスタQ、のコレクタに接続し、かつ、利得G11
l整用の抵抗R4を介して基準電圧端GNDに接続した
ものである。
た本発明の一実施例を第4図に示す。同図において、第
3図に対応する部材は同一符号を記す。この実施例は、
電流反転増幅器Aとして各トランジスタQ’ * Ql
−1v G7−2t・・・、 Qy−rr およびQ
、とは極性の異るトランジスタQ、を用い、同トランジ
スタQ、のコレクタを共通ベースに接続し、同エミッタ
を基準電圧端GNDに接続するとともに、同ベースはト
ランジスタQ、のコレクタに接続し、かつ、利得G11
l整用の抵抗R4を介して基準電圧端GNDに接続した
ものである。
この回路のトランジスタQ、は、トランジスタQ。
のコレクタ電流によって駆動され、同トランジス/
りQllにベース電流■。が流れる。これにより、トラ
ンジスタQ、はそのコレクタより共通ベース電流な吸込
電流Iaとして吸い込み、トランジスタQ8のエニーミ
ッタ電流エラ、を減少させ第3図と同様にトラン′:1 一ジスタQ、のベース電流IB8を小さくすることがで
きる。
ンジスタQ、はそのコレクタより共通ベース電流な吸込
電流Iaとして吸い込み、トランジスタQ8のエニーミ
ッタ電流エラ、を減少させ第3図と同様にトラン′:1 一ジスタQ、のベース電流IB8を小さくすることがで
きる。
また、本発明の電流反転増幅器Aは第5図のように構成
1.することもできる。すなわち、第5図は本発明の他
の実施例を示し、第3図に対応する部材には同一符号を
記しである。同図において、トランジスタQ、OとQl
、とはカレントミラー回路を構成し、トランジスタCJ
toのベース・コレクタ間が短絡されるとともに、各ト
ランジスタQ1゜、q8のエミッタはそれぞれ抵抗−2
R1を介して基準電圧端GNDに接続されている。そし
て、トランジスタQ、のコレクタ電流かにランジスタQ
、0のコレクタ点への入力電流として供給され、トラン
ジスタQ、1 のコレクタ電流が各゛トランジスタQ
5tQy−xtQ、−、、・・・t Q7−N の共通
ベース電流の吸込電流Iaとして導出されるようになっ
ている。
1.することもできる。すなわち、第5図は本発明の他
の実施例を示し、第3図に対応する部材には同一符号を
記しである。同図において、トランジスタQ、OとQl
、とはカレントミラー回路を構成し、トランジスタCJ
toのベース・コレクタ間が短絡されるとともに、各ト
ランジスタQ1゜、q8のエミッタはそれぞれ抵抗−2
R1を介して基準電圧端GNDに接続されている。そし
て、トランジスタQ、のコレクタ電流かにランジスタQ
、0のコレクタ点への入力電流として供給され、トラン
ジスタQ、1 のコレクタ電流が各゛トランジスタQ
5tQy−xtQ、−、、・・・t Q7−N の共通
ベース電流の吸込電流Iaとして導出されるようになっ
ている。
上記のような回路によっても、トランジスタQ1o e
Qll とトランジスタQ6等との極性が異なれば、ト
ランジスタQ・のコレクタ電流を反転してトランジスタ
Q3.のコレクタに導出し、共通ベース電流を吸込むこ
とができる。なお、この電流反転増幅器Aの入力電流(
トランジスタQ、のコレクタ電流)と出力電流(吸込電
流Ia )とは抵抗Rt−Riによってその大きさを設
定することができる。
Qll とトランジスタQ6等との極性が異なれば、ト
ランジスタQ・のコレクタ電流を反転してトランジスタ
Q3.のコレクタに導出し、共通ベース電流を吸込むこ
とができる。なお、この電流反転増幅器Aの入力電流(
トランジスタQ、のコレクタ電流)と出力電流(吸込電
流Ia )とは抵抗Rt−Riによってその大きさを設
定することができる。
なお、更に他の実施例として第5図において点線にて示
すようにトランジスタQ8.を接続してもよい◎このト
ランジスタQltは、各トランジスタQ6Qy−xm
Q7−zy・・・、Q?−8と同極性のトランジスタで
あって、そのエミッタ・ベース間はトランジスタQ8等
のエミッターベース間電圧と同等に設定され、かつ、コ
レクタ・ベース間は短絡されている。
すようにトランジスタQ8.を接続してもよい◎このト
ランジスタQltは、各トランジスタQ6Qy−xm
Q7−zy・・・、Q?−8と同極性のトランジスタで
あって、そのエミッタ・ベース間はトランジスタQ8等
のエミッターベース間電圧と同等に設定され、かつ、コ
レクタ・ベース間は短絡されている。
このような回路によっても第3図ないし第5図の実線回
路と同様の効果を奏す。
路と同様の効果を奏す。
以上の説明では、カレントミラー回路の本質的構成部の
トランジスタはPNP型トランジスタを用いたが、基・
準電圧端GND側に各エミッタを接続して構成するよう
なNPN型トランジスタを用いても良い事は勿論である
。また、入力側と出力側トランジスタとは各複数設けて
もよく、さらに、マルチエミッタ型トランジスタで構成
してもよい。
トランジスタはPNP型トランジスタを用いたが、基・
準電圧端GND側に各エミッタを接続して構成するよう
なNPN型トランジスタを用いても良い事は勿論である
。また、入力側と出力側トランジスタとは各複数設けて
もよく、さらに、マルチエミッタ型トランジスタで構成
してもよい。
以上説明したように本発明によれば、入力側トランジス
タのベース・コレクタ接続路を通して入力電流に中流す
る電流を小さく抑えるように、共通ベースの電流を吸い
込む吸込手段を設けたので、hrxのばらつき或いは温
度による変化等に無関係に入力電流と出力電流の比を一
定に設定することができ、高品質のカレントミラー回路
を提供する効果がある。
タのベース・コレクタ接続路を通して入力電流に中流す
る電流を小さく抑えるように、共通ベースの電流を吸い
込む吸込手段を設けたので、hrxのばらつき或いは温
度による変化等に無関係に入力電流と出力電流の比を一
定に設定することができ、高品質のカレントミラー回路
を提供する効果がある。
第1図および第2図は従来のカレントミラー回路を示す
回路図、第3図は本発明に係る基本構成のカレントミラ
ー回路を示す回路図、第4図は本発明の具体的一実施例
を示す回路図、第5図は本発明の他の実施例および更に
他の実施例を示す回路図、第6図は本発明による1up
i+の変化に対する電流比の特性を示す特性図である。 A・・・電流反転増幅器(Q、〜Q11・・・トランジ
スタ、R8−R3・・・抵抗)、 Qe・・・入力側トランジスタ、 Q? −3,Q7−2 t・・・、Q7−N・・・出力
側トランジスタ、Q、・・・トランジスタ(第1の吸込
手段)。 代理人ブ「埋土 則近憲佑(ほか1名)第1図 第2図 第3図 第41ヱ1
回路図、第3図は本発明に係る基本構成のカレントミラ
ー回路を示す回路図、第4図は本発明の具体的一実施例
を示す回路図、第5図は本発明の他の実施例および更に
他の実施例を示す回路図、第6図は本発明による1up
i+の変化に対する電流比の特性を示す特性図である。 A・・・電流反転増幅器(Q、〜Q11・・・トランジ
スタ、R8−R3・・・抵抗)、 Qe・・・入力側トランジスタ、 Q? −3,Q7−2 t・・・、Q7−N・・・出力
側トランジスタ、Q、・・・トランジスタ(第1の吸込
手段)。 代理人ブ「埋土 則近憲佑(ほか1名)第1図 第2図 第3図 第41ヱ1
Claims (1)
- それぞれ少なくとも1つの入力側トランジスタおよび出
力側トランジスタのベースを共通接続するとともに、各
エミッタを基準電圧端にそれぞれ接続し、かつ、前記入
力側トランジスタのベース・コbクタ間に前記共通接続
路の電流を吸い込み、前記入力側l−ランジスタのコレ
クタへ供給される入力電流に合流させる第1、の吸込手
段を設け、前記出力側トランジスタのコレクタより出力
電流を取り出すようにしたカレントミラー回路において
、前記第1の吸込手段の電流を受け、これを反転増幅す
ることにより前記共通接続路の電流を前記第1の吸込手
段とは別に吸い込む第2の吸込手段を設けたことを特徴
とするカレントミラー回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020059A JPS60165112A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | カレントミラ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59020059A JPS60165112A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | カレントミラ−回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165112A true JPS60165112A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12016504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59020059A Pending JPS60165112A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | カレントミラ−回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165112A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5682094A (en) * | 1995-08-08 | 1997-10-28 | U.S. Philips Corporation | Current mirror arrangement |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP59020059A patent/JPS60165112A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5682094A (en) * | 1995-08-08 | 1997-10-28 | U.S. Philips Corporation | Current mirror arrangement |
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