JPS60167435A - ボンデイング装置 - Google Patents
ボンデイング装置Info
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- JPS60167435A JPS60167435A JP59021638A JP2163884A JPS60167435A JP S60167435 A JPS60167435 A JP S60167435A JP 59021638 A JP59021638 A JP 59021638A JP 2163884 A JP2163884 A JP 2163884A JP S60167435 A JPS60167435 A JP S60167435A
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- JP
- Japan
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- oxide film
- bonding
- lead
- wire
- wire bonding
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はボンディング装置、特にリードフレームにチッ
プやワイヤを接続するデツプボンディング、ワイヤボン
ディング等のボンディング技術に関する。
プやワイヤを接続するデツプボンディング、ワイヤボン
ディング等のボンディング技術に関する。
トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の組立にあ
っては、リードフレームと呼ばれる取付板にチップを固
定（チップボンディング）した後、このチップの各電極
とこれに対応するリードフレームの各リード内端とをワ
イヤで接続（ワイヤボンディング）するボンディング工
程がある。特にワイヤボンディングは、たとえば、Ｓｅ
ｍ１ｃｏｎ −ｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ 、 １９８
２年１１月号、４０〜４５頁「ワイヤボンディング装置
；発展の経過」にも記載されているように、熱圧着、超
音波圧着。
っては、リードフレームと呼ばれる取付板にチップを固
定（チップボンディング）した後、このチップの各電極
とこれに対応するリードフレームの各リード内端とをワ
イヤで接続（ワイヤボンディング）するボンディング工
程がある。特にワイヤボンディングは、たとえば、Ｓｅ
ｍ１ｃｏｎ −ｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ 、 １９８
２年１１月号、４０〜４５頁「ワイヤボンディング装置
；発展の経過」にも記載されているように、熱圧着、超
音波圧着。
超音波熱圧着手法によって行なわれている。
一方、リードフレームにあっては、たとえば、電子材料
、１９８２年８月号、６９〜７４頁「リードフレーム」
にも記載されているように、材料コスト低減のために、
その材質はＦｅ−Ｎｉ系合金から銅合金への移行が著し
い。また、ボンディング性向上のためには、リードフレ
ームには全面あるいは部分的にＡｕ、Ａｇ等がメッキさ
れている。しかし、リードフレームのコスト低減のため
に、リードフレームにメッキを施こさず（メッキレス）
、直接ワイヤを接続する（ダイレクトワイヤボンディン
グ）方向も出てきている。
、１９８２年８月号、６９〜７４頁「リードフレーム」
にも記載されているように、材料コスト低減のために、
その材質はＦｅ−Ｎｉ系合金から銅合金への移行が著し
い。また、ボンディング性向上のためには、リードフレ
ームには全面あるいは部分的にＡｕ、Ａｇ等がメッキさ
れている。しかし、リードフレームのコスト低減のため
に、リードフレームにメッキを施こさず（メッキレス）
、直接ワイヤを接続する（ダイレクトワイヤボンディン
グ）方向も出てきている。
本出願人にあっても、このようなメッキレスによるダイ
レクトワイヤボンディング技術を開発している。
レクトワイヤボンディング技術を開発している。
このダイレクトワイヤボンディングは、水素（Ｈｔ）、
窒素（Ｎ２）からなるフォーミングガス下でリードにワ
イヤを接続している。フォーミングガス雰囲気内では、
リードの表面の酸化膜は除去されるので、良好なワイヤ
ボンディングが行なえる。
窒素（Ｎ２）からなるフォーミングガス下でリードにワ
イヤを接続している。フォーミングガス雰囲気内では、
リードの表面の酸化膜は除去されるので、良好なワイヤ
ボンディングが行なえる。
しかし、この技術はつぎのような好ましくない問題点が
生じることが本発明者によって明らかとされた。
生じることが本発明者によって明らかとされた。
（１）ダイレクトワイヤボンディングは高価なＮ２゜Ｎ
、なるフォーミングガスを使用することから、ボンディ
ングコストが高くなる欠点がある。
、なるフォーミングガスを使用することから、ボンディ
ングコストが高くなる欠点がある。
（２）ダイレクトワイヤボンデづングはフォーミングガ
スの供給、排気および良好な雰囲気作り等その設備およ
び管理が面倒となり、ボンディングコストの高騰ともな
る。
スの供給、排気および良好な雰囲気作り等その設備およ
び管理が面倒となり、ボンディングコストの高騰ともな
る。
（３）フォーミングガスの一成分であるＨ、ガスは暴爆
性のガスであることから、安全には充分気を付けなけれ
ばならず、安全面にも問題がある。
性のガスであることから、安全には充分気を付けなけれ
ばならず、安全面にも問題がある。
本発明の目的は、メツキレスリードフレームの使用によ
るダイレクトボンディングによってボンディングコスト
の低減を図ることにある。
るダイレクトボンディングによってボンディングコスト
の低減を図ることにある。
本発明の他の目的は安全性に難がなくかつボンディング
コストの低減が図れるダイレクトボンディング技術を提
供することにある。
コストの低減が図れるダイレクトボンディング技術を提
供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明のボンディング装置は、ボンディング
前に、リードフレームのリードの取付面をグラインダで
研摩し、取付面の酸化膜を除却した後、この取付面にワ
イヤを接続する結果、メッキレスのリードにも確実にか
つ信頼性の高いワイヤボンディングが行なえ、ボンディ
ングコストの低減が達成できる。
前に、リードフレームのリードの取付面をグラインダで
研摩し、取付面の酸化膜を除却した後、この取付面にワ
イヤを接続する結果、メッキレスのリードにも確実にか
つ信頼性の高いワイヤボンディングが行なえ、ボンディ
ングコストの低減が達成できる。
第１図〜第７図は本発明の一実施例によるワイヤボンデ
ィング装置を示す図であって、第１図はその概要を示す
正面図、第２図は酸化膜除去ユニットの平面図、第３図
は同ユニットの正面図、第４図は酸化膜除去状態を示す
拡大正面図、第５図は酸化膜除去動作を示す拡大側面図
、第６図はワイヤボンディング後のリードフレームの一
部の平面図、第７図は同じく正面図である。
ィング装置を示す図であって、第１図はその概要を示す
正面図、第２図は酸化膜除去ユニットの平面図、第３図
は同ユニットの正面図、第４図は酸化膜除去状態を示す
拡大正面図、第５図は酸化膜除去動作を示す拡大側面図
、第６図はワイヤボンディング後のリードフレームの一
部の平面図、第７図は同じく正面図である。
ワイヤボンディング装置は第１図で示すように、機台１
の左端上部にローダ２、右端にアンローダ３を配し、リ
ードフレーム４が移動する途中にそれぞれ酸化膜除去ユ
ニット５．ワイヤボンディング機構６を配した構造とな
っている。リードフレーム４は特に限定されないが、た
とえば小信号トランジスタ用のものであって、細長の枠
７の一側に３本−組のリード８を平行に延在させる多連
形状となっている。また、各リード８はダム片９でその
途中を連結されている。中央のリード８はコレクタリー
ド１０となり、先端は幅広のチップ取付部１１となって
いる。また、左右のリード８はそれぞれエミッタ・ベー
スリード１２，１３となり、先端はワづヤ１４が接続し
易いように幅広のワイヤ接続部１６となっている。リー
ドフレーム４はローダ２から間欠的にレール１５上に送
り出され、静止時に、酸化膜除去ユニット５では表面の
酸化膜の除去作業が行なわれ、ワイヤボンディング機構
６では、ボンディング・アーム１７の先端のボンディン
グ・ツール１８によって、第６図に示すように、チップ
１９の電極とエミッタ・ベースリード１２．１３との間
のワイヤ１４の接続が行なわれる。ワイヤボンディング
が終了したリードフレーム４はアンローダ３に順次収容
される。
の左端上部にローダ２、右端にアンローダ３を配し、リ
ードフレーム４が移動する途中にそれぞれ酸化膜除去ユ
ニット５．ワイヤボンディング機構６を配した構造とな
っている。リードフレーム４は特に限定されないが、た
とえば小信号トランジスタ用のものであって、細長の枠
７の一側に３本−組のリード８を平行に延在させる多連
形状となっている。また、各リード８はダム片９でその
途中を連結されている。中央のリード８はコレクタリー
ド１０となり、先端は幅広のチップ取付部１１となって
いる。また、左右のリード８はそれぞれエミッタ・ベー
スリード１２，１３となり、先端はワづヤ１４が接続し
易いように幅広のワイヤ接続部１６となっている。リー
ドフレーム４はローダ２から間欠的にレール１５上に送
り出され、静止時に、酸化膜除去ユニット５では表面の
酸化膜の除去作業が行なわれ、ワイヤボンディング機構
６では、ボンディング・アーム１７の先端のボンディン
グ・ツール１８によって、第６図に示すように、チップ
１９の電極とエミッタ・ベースリード１２．１３との間
のワイヤ１４の接続が行なわれる。ワイヤボンディング
が終了したリードフレーム４はアンローダ３に順次収容
される。
なお、第１図中２０はワイヤボンディング位置決め用の
ＴＶカメラであり、ワイヤボンディング・ステーション
０は第２図で示すように、酸化膜除去ステーション囚に
近接している。
ＴＶカメラであり、ワイヤボンディング・ステーション
０は第２図で示すように、酸化膜除去ステーション囚に
近接している。
酸化膜除去ユニット５は、第２図および第３図に示すよ
うに、リードフレーム４を支えるレール１５の一側に駆
動部を有し、かつエミッタφベースリード１２．１３の
先端のワイヤ接続面をこする小型の一対のグラインダ２
０をレール１５上に臨ませる構造となっている。すなわ
ち、グラインダ２０はアーム２１の先端に支軸２２を介
して回動自在に取り付けられている。また、支軸２２の
一端には外周に歯を設けた従動プーリ２３が取り付けら
れている。この従動プーリ２３は、前記アーム２１に支
持板２４を介して取り付けられた小型のモータ２５の回
転軸２６に取り付けられた外周に歯を有する駆動プーリ
２７により、タイミングベルト２８を介して回転させら
れるようになっている。
うに、リードフレーム４を支えるレール１５の一側に駆
動部を有し、かつエミッタφベースリード１２．１３の
先端のワイヤ接続面をこする小型の一対のグラインダ２
０をレール１５上に臨ませる構造となっている。すなわ
ち、グラインダ２０はアーム２１の先端に支軸２２を介
して回動自在に取り付けられている。また、支軸２２の
一端には外周に歯を設けた従動プーリ２３が取り付けら
れている。この従動プーリ２３は、前記アーム２１に支
持板２４を介して取り付けられた小型のモータ２５の回
転軸２６に取り付けられた外周に歯を有する駆動プーリ
２７により、タイミングベルト２８を介して回転させら
れるようになっている。
アーム２１の後端は機台１に支軸２９を介して揺動可能
に取り付けられた１対のレバー３０の上端に支軸３１を
介して揺動可能に取り付けられている。
に取り付けられた１対のレバー３０の上端に支軸３１を
介して揺動可能に取り付けられている。
一方、アーム２１の下方の機台１上には制御モータ３２
によって回転する２枚のカム３３．３４が配設されてい
る。一方のカム３３はアーム上下用カムであって、アー
ム２１の下面に取り付けられたカムフォロワ３５にその
外周面を接触させるようになっている。また、他方のカ
ム３４はアーム前後動用カムであって、アーム２１を支
えるレバー３０に取り付けられたカムフォロワ３６にそ
の外周面を接触させるようになっている。また、第３図
中の３７．３８はカム３３．３４とカムフォロワ３５．
３６が常時接触し、アーム２１がカム曲線に正確に追従
するように配設されたばね３７．３８である。
によって回転する２枚のカム３３．３４が配設されてい
る。一方のカム３３はアーム上下用カムであって、アー
ム２１の下面に取り付けられたカムフォロワ３５にその
外周面を接触させるようになっている。また、他方のカ
ム３４はアーム前後動用カムであって、アーム２１を支
えるレバー３０に取り付けられたカムフォロワ３６にそ
の外周面を接触させるようになっている。また、第３図
中の３７．３８はカム３３．３４とカムフォロワ３５．
３６が常時接触し、アーム２１がカム曲線に正確に追従
するように配設されたばね３７．３８である。
このようなワイヤボンディング装置では、リードフレー
ム４が酸化膜除去ステーションＡで静止すると、カム３
３．３４の作用によってグラインダ２０が第４図および
第５図で示すようにタクト運動するとともに、モータ２
５の駆動によって回転し、エミッタ・ベースリード１２
．１３のワイヤ接続部１６０表面を研摩することになり
、ワイヤ接続面の酸化膜等は除去される。また、酸化膜
除去ステーションへの近傍の次のワイヤボンディングス
テーションＢでは、酸化膜等が除去されて清新な面３９
（第６図でクロスハツチングが施こされた面）となった
面に短時間の間にワイヤ１４が接続される。
ム４が酸化膜除去ステーションＡで静止すると、カム３
３．３４の作用によってグラインダ２０が第４図および
第５図で示すようにタクト運動するとともに、モータ２
５の駆動によって回転し、エミッタ・ベースリード１２
．１３のワイヤ接続部１６０表面を研摩することになり
、ワイヤ接続面の酸化膜等は除去される。また、酸化膜
除去ステーションへの近傍の次のワイヤボンディングス
テーションＢでは、酸化膜等が除去されて清新な面３９
（第６図でクロスハツチングが施こされた面）となった
面に短時間の間にワイヤ１４が接続される。
（１） 本発明によれば、ワイヤ接続面は酸化膜の除去
が成されることから、フォーミングガスを用いなくとも
良好なワイヤボンディングが行なえるため、フォーミン
グガスの使用に伴う費用の削減が可能となる。
が成されることから、フォーミングガスを用いなくとも
良好なワイヤボンディングが行なえるため、フォーミン
グガスの使用に伴う費用の削減が可能となる。
（２）本発明のワイヤボンディング装置は危険なフォー
ミングガスを用いなくともよいことから安全であり、保
安管理が容易となる。
ミングガスを用いなくともよいことから安全であり、保
安管理が容易となる。
（３）本発明によれば上記（１）から、リードフレーム
はワイヤ接続面にメッキを施したものでなくともワイヤ
ボンディングができるため、メツキレスリードフレーム
の使用が可能となり、材料費の低減が可能となる。
はワイヤ接続面にメッキを施したものでなくともワイヤ
ボンディングができるため、メツキレスリードフレーム
の使用が可能となり、材料費の低減が可能となる。
（４）上記（１） 、 （３）からして、本発明によれ
ば、半導体装置の生産コストの低減が可能となる。
ば、半導体装置の生産コストの低減が可能となる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、リードフレ
ーム８の表面の酸化膜を除去するツールとしては、グラ
インダ以外に、たとえば、第８図のように、ブラシ４０
を回転させるもの、第９図のようにブラシ４０でこする
もの、第１０図のようにカッタ４１で引っかくもの、さ
らには宝石類、ヤスリ、セラミック等硬度の高いもので
研摩するもの等がある。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、リードフレ
ーム８の表面の酸化膜を除去するツールとしては、グラ
インダ以外に、たとえば、第８図のように、ブラシ４０
を回転させるもの、第９図のようにブラシ４０でこする
もの、第１０図のようにカッタ４１で引っかくもの、さ
らには宝石類、ヤスリ、セラミック等硬度の高いもので
研摩するもの等がある。
また、ツールの動きは回転、直線駆動、超音波および機
械的手段による振動（スクラブ）等を適宜組み合せて行
なえば、より効果が向上する。
械的手段による振動（スクラブ）等を適宜組み合せて行
なえば、より効果が向上する。
また、ツールの駆動源としては、モータ以外にエアーシ
リンダ駆動、ソレノイド駆動等が考えられる。
リンダ駆動、ソレノイド駆動等が考えられる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるワイヤボンディング
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、たとえば、第１１図に示すように、
メッキレスのリードフレーム４上にチップ１９をボンデ
ィングする際、前記実施例と同様に酸化膜除去ユニット
によってコレクタリード１０のチップ取付部１１の取付
面をクロスハツチングで示すように清新な面３９とし、
その後チップボンディングするようにしてもよい。この
場合は、チップ取付部１１のメッキレス化によってさら
に生産コストの低減が達成できる。本発明は少なくとも
酸化膜除去等が必要な作業には適用できる。
をその背景となった利用分野であるワイヤボンディング
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、たとえば、第１１図に示すように、
メッキレスのリードフレーム４上にチップ１９をボンデ
ィングする際、前記実施例と同様に酸化膜除去ユニット
によってコレクタリード１０のチップ取付部１１の取付
面をクロスハツチングで示すように清新な面３９とし、
その後チップボンディングするようにしてもよい。この
場合は、チップ取付部１１のメッキレス化によってさら
に生産コストの低減が達成できる。本発明は少なくとも
酸化膜除去等が必要な作業には適用できる。
第１図は本発明の一実施例によるワイヤボンディング装
置の概要を示す正面図、 第２図は同じく酸化膜除去ユニツトを有する平面図、 第３図は同じく正面図、 第４図は同じく酸化膜除去状態を示す拡大正面図、 第５図は同じく酸化膜除去動作を示す拡大側面図、 第６図は同じくワイヤボンディング後の状態のリードフ
レームの一部の正面図、 第７図は同じく正面図、 第８図は他の実施例による酸化膜除去機構の説明図、 第９図は他の実施例による酸化膜除去機構の説明図、 第１０図は他の実施例による酸化膜除去機構の説明図、 第１１図はチップボンディング技術に適用した場合のリ
ードフレームの要部の平面図である。 １・・・機台、２・・・ローダ、３・・・アンローダ、
４・・・リードフレーム、５・・・酸化膜除去ユニット
、６・・・ワイヤボンディング機構、７・・・枠、８・
・・リード、９・・・ダム片、ｌＯ・・・コレクタリー
ド、１１・・・チップ取付部、１２・・・エミッタリー
ド、１３・・・ベースリード、１４・・・ワイヤ、１５
・・・レール、１６・・・ワイヤ接続部、１７・・・ボ
ンディング・アーム、１８・・・ボンディング・ツール
、１９・・・チップ、２０・・・グラインダ、２１・・
・アーム、２２・・・支軸、２３・・・従動プーリ、２
４・・・支持板、２５・・・モータ、２６・・・回転軸
、２７・・・駆動プーリ、２８山タイミングベルト、２
９・・・支軸、３０・・・レバー、３１・・・支軸、３
２・・・制御モータ、３３．３４・・・カム、３５ 、
３６・・・カムフォロワ、３７．３８・・・ばね、３９
・・・清新な面、４０・・・ブラシ。 第 １ 図
置の概要を示す正面図、 第２図は同じく酸化膜除去ユニツトを有する平面図、 第３図は同じく正面図、 第４図は同じく酸化膜除去状態を示す拡大正面図、 第５図は同じく酸化膜除去動作を示す拡大側面図、 第６図は同じくワイヤボンディング後の状態のリードフ
レームの一部の正面図、 第７図は同じく正面図、 第８図は他の実施例による酸化膜除去機構の説明図、 第９図は他の実施例による酸化膜除去機構の説明図、 第１０図は他の実施例による酸化膜除去機構の説明図、 第１１図はチップボンディング技術に適用した場合のリ
ードフレームの要部の平面図である。 １・・・機台、２・・・ローダ、３・・・アンローダ、
４・・・リードフレーム、５・・・酸化膜除去ユニット
、６・・・ワイヤボンディング機構、７・・・枠、８・
・・リード、９・・・ダム片、ｌＯ・・・コレクタリー
ド、１１・・・チップ取付部、１２・・・エミッタリー
ド、１３・・・ベースリード、１４・・・ワイヤ、１５
・・・レール、１６・・・ワイヤ接続部、１７・・・ボ
ンディング・アーム、１８・・・ボンディング・ツール
、１９・・・チップ、２０・・・グラインダ、２１・・
・アーム、２２・・・支軸、２３・・・従動プーリ、２
４・・・支持板、２５・・・モータ、２６・・・回転軸
、２７・・・駆動プーリ、２８山タイミングベルト、２
９・・・支軸、３０・・・レバー、３１・・・支軸、３
２・・・制御モータ、３３．３４・・・カム、３５ 、
３６・・・カムフォロワ、３７．３８・・・ばね、３９
・・・清新な面、４０・・・ブラシ。 第 １ 図
Claims (1)
- １、取付板に被接続物を固着するボンディング装置であ
って、前記取付板の取付面における酸化膜を物理的に除
去する酸化膜除去ユニットを有することを特徴とするボ
ンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021638A JPS60167435A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | ボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59021638A JPS60167435A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | ボンデイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167435A true JPS60167435A (ja) | 1985-08-30 |
Family
ID=12060608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021638A Pending JPS60167435A (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | ボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167435A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3828700A1 (de) * | 1987-09-16 | 1989-04-06 | Nat Semiconductor Corp | Kupferplattierter bleirahmen fuer halbleiter-kunststoff-gehaeuse |
| KR100361010B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-11-18 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 리드프레임 도금장치 |
-
1984
- 1984-02-10 JP JP59021638A patent/JPS60167435A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3828700A1 (de) * | 1987-09-16 | 1989-04-06 | Nat Semiconductor Corp | Kupferplattierter bleirahmen fuer halbleiter-kunststoff-gehaeuse |
| DE3828700C2 (de) * | 1987-09-16 | 2002-04-18 | Nat Semiconductor Corp | Kupferplattierter Leiterrahmen für Halbleiter-Kunststoff-Gehäuse |
| KR100361010B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-11-18 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 리드프레임 도금장치 |
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