JPS60170254A - 原稿読取装置 - Google Patents
原稿読取装置Info
- Publication number
- JPS60170254A JPS60170254A JP59024965A JP2496584A JPS60170254A JP S60170254 A JPS60170254 A JP S60170254A JP 59024965 A JP59024965 A JP 59024965A JP 2496584 A JP2496584 A JP 2496584A JP S60170254 A JPS60170254 A JP S60170254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reading device
- receiving element
- present
- document reading
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は原稿読取装置に関する。更に詳しくは、原稿読
取装置の大幅な小型化を可能にした密着型イメージセン
サの故障の発生をなくすことによシ信頼性を高めた改良
された原稿読取装置に関する。
取装置の大幅な小型化を可能にした密着型イメージセン
サの故障の発生をなくすことによシ信頼性を高めた改良
された原稿読取装置に関する。
従来技術
密着型イメージセンサは素子の大きさが原稿と同一サイ
ズであるため、原稿に密着させるかもしくはオプチカル
ファイバアレイ又はレンズアレイ等の光学系を用いた一
対一結像によシ原稿像を読取るのに使用されている。密
着型イメージセンサを用いた原稿読取装置は短い結像光
路長が得られるため、従来のＭＯ８型或いはＣＣＤイメ
ージセンサに比べて大幅な小型化を達成できる点に特長
がある。
ズであるため、原稿に密着させるかもしくはオプチカル
ファイバアレイ又はレンズアレイ等の光学系を用いた一
対一結像によシ原稿像を読取るのに使用されている。密
着型イメージセンサを用いた原稿読取装置は短い結像光
路長が得られるため、従来のＭＯ８型或いはＣＣＤイメ
ージセンサに比べて大幅な小型化を達成できる点に特長
がある。
第」図（ａ）に従来の密着型イメージセンサの等価回路
図、同図（ｂ）に該イメージセンサの平面構成図並びに
同図（Ｃ）に垂直断面図を夫々示す。
図、同図（ｂ）に該イメージセンサの平面構成図並びに
同図（Ｃ）に垂直断面図を夫々示す。
密着型イメージセンサ（以下、本明細書では単にセンサ
と呼ぶ。）を使用した原稿読取装置では、受光素子に入
射する光量を光電変換し、得られる電流を出力端子にて
検出することにより光情報が読出されるようになってい
て、第１図（ａ）ＩｔＣ図示する如く、受光素子（５）
はフォトダイオ−ＰＰＤとコンデンサＣＤによって形成
され、原稿の解像に必要な密度、例えば８本／龍を一列
配置して設けられる。
と呼ぶ。）を使用した原稿読取装置では、受光素子に入
射する光量を光電変換し、得られる電流を出力端子にて
検出することにより光情報が読出されるようになってい
て、第１図（ａ）ＩｔＣ図示する如く、受光素子（５）
はフォトダイオ−ＰＰＤとコンデンサＣＤによって形成
され、原稿の解像に必要な密度、例えば８本／龍を一列
配置して設けられる。
また、第１図（ｂ）及び（Ｃ）に於いて、上記受光素子
（５）はＳｅ −Ａｓ −Ｔｅ或いはａ−８ｉ：Ｈ等の
非晶質、又はＣｄＳ 、 ＣｄＳｅ等の多結晶性光導電
性半導体薄膜（３）の上下をＡｔ、Ａｕ、Ｃｒ等の導電
性薄膜からなる下層電極（２）と、ＳｎＯ２＋ ＩＴＯ
等の透明導電性薄膜からなる連続した上層電極（４）で
サンドイッチ状に狭んで単一基板（１）上に形成される
。
（５）はＳｅ −Ａｓ −Ｔｅ或いはａ−８ｉ：Ｈ等の
非晶質、又はＣｄＳ 、 ＣｄＳｅ等の多結晶性光導電
性半導体薄膜（３）の上下をＡｔ、Ａｕ、Ｃｒ等の導電
性薄膜からなる下層電極（２）と、ＳｎＯ２＋ ＩＴＯ
等の透明導電性薄膜からなる連続した上層電極（４）で
サンドイッチ状に狭んで単一基板（１）上に形成される
。
）□□□−Ｉ−
また、上記センサには、シフ）・レジスタ（８）を動作
させるためのクロックスタートパルスの入力端子（９ａ
）、（９ｂ）、シフトレジスタ（８）及びＭＯＳトラン
ジスタ（７）によシ構成される駆動回路（６）の電源端
子（９ｃ）、（９ｄ）、光情報が読出される信号出力端
子（９ｅ）及び上記受光素子（５）にバイアス電圧を印
加するためのバイアス端子（９ｆ）が夫々設けられてい
る。
させるためのクロックスタートパルスの入力端子（９ａ
）、（９ｂ）、シフトレジスタ（８）及びＭＯＳトラン
ジスタ（７）によシ構成される駆動回路（６）の電源端
子（９ｃ）、（９ｄ）、光情報が読出される信号出力端
子（９ｅ）及び上記受光素子（５）にバイアス電圧を印
加するためのバイアス端子（９ｆ）が夫々設けられてい
る。
また、上記センサを駆動する回路ユニット００）は、電
源Ｑｌｌ 、 （１２）、ノξルス発生器（１３）及び
増幅器圓を夫々内蔵しており、該センサのテストを実施
する場合、上記センサの各端子（９ａ−ｆ）は上記回路
ユニッ）（１０）に接続される。一方、テストを行なわ
々い保存時に於いて、上記センサは回路ユニット００）
と切り離されるため、各端子（９ａ＝ｆ）が電気的に不
安定状態となって静電気等により電位が大きく変動する
。例えば、運搬等のために手で保持したり、収納ケース
等に出し入れしたりする際、静電気等による高電圧が印
加されるおそれが大きい。上記駆動回路（６）の部分は
ＭＯＳ ＩＣにより作られておシ、端子（９ａ＝ｅ）は
ＩＣの基板間でダイオード的に保護されており、上記高
電圧の印加による素子の破壊を防いでいる。しかし、受
光素子（５）部は通常の薄膜により形成されているため
、上記高電圧の印加によって該素子（５）が破壊される
と云う致命的な欠陥を有しており、大きな問題となって
いた。
源Ｑｌｌ 、 （１２）、ノξルス発生器（１３）及び
増幅器圓を夫々内蔵しており、該センサのテストを実施
する場合、上記センサの各端子（９ａ−ｆ）は上記回路
ユニッ）（１０）に接続される。一方、テストを行なわ
々い保存時に於いて、上記センサは回路ユニット００）
と切り離されるため、各端子（９ａ＝ｆ）が電気的に不
安定状態となって静電気等により電位が大きく変動する
。例えば、運搬等のために手で保持したり、収納ケース
等に出し入れしたりする際、静電気等による高電圧が印
加されるおそれが大きい。上記駆動回路（６）の部分は
ＭＯＳ ＩＣにより作られておシ、端子（９ａ＝ｅ）は
ＩＣの基板間でダイオード的に保護されており、上記高
電圧の印加による素子の破壊を防いでいる。しかし、受
光素子（５）部は通常の薄膜により形成されているため
、上記高電圧の印加によって該素子（５）が破壊される
と云う致命的な欠陥を有しており、大きな問題となって
いた。
発明の目的
本発明の目的は、上記した従来技術に於ける欠点を解消
し、故障の発生をなくした改良された原稿読取装置を提
供することにある。
し、故障の発生をなくした改良された原稿読取装置を提
供することにある。
発明の構成
すなわち、本発明の上記目的（ｄ、基板上に複数の下層
電極を設け、この上に逐次光導電体及び透明導電性上層
電極を設けてなる原稿読取装置に於いて、上記下層電極
と上層電極を抵抗またはダイオードにより連結して該両
電極に高電圧が印加されるのを防止するようにしたこと
を特徴とする原稿読取装置によシ達成される。更に詳し
くは、受光素子に印加される電圧を制限もしくは逃がす
ための抵抗またはダイオードを設けることによシ上記目
的を達成したものである。
電極を設け、この上に逐次光導電体及び透明導電性上層
電極を設けてなる原稿読取装置に於いて、上記下層電極
と上層電極を抵抗またはダイオードにより連結して該両
電極に高電圧が印加されるのを防止するようにしたこと
を特徴とする原稿読取装置によシ達成される。更に詳し
くは、受光素子に印加される電圧を制限もしくは逃がす
ための抵抗またはダイオードを設けることによシ上記目
的を達成したものである。
実施例
以下、本発明の実施の一例を図面によ如詳細に説明する
。
。
第２図（ａ）及び（ｂ）に本発明による密着型イメージ
センサの等何回路及び構成を夫々示す。
センサの等何回路及び構成を夫々示す。
本発明は先の第１図により説明した従来技術に」す
配線（１７ａ）及び（１７ｂ）によシ駆動回路（６）の
端子（９ｄ）と、受光素子（４）から引き出された端子
（９ｆ）間に接続されている。また、ガラス或いはセラ
ミック等の牟−基板（１１上に蒸着、フォトエッチング
グロセス等の方法によシ形成されるフォトダイオードＰ
Ｄ及びコンデンサＣＤからなる上記受光素子（５）と、
該受光素子（５）とは個別の素子として形成され上記基
板（１）上に取付けられたＭＯＳトランジスタ（力及び
シフトレジスタ（８）を含む駆動回路（６）がワイヤジ
ンディング０υ等の接続手段によシ接続されている。
端子（９ｄ）と、受光素子（４）から引き出された端子
（９ｆ）間に接続されている。また、ガラス或いはセラ
ミック等の牟−基板（１１上に蒸着、フォトエッチング
グロセス等の方法によシ形成されるフォトダイオードＰ
Ｄ及びコンデンサＣＤからなる上記受光素子（５）と、
該受光素子（５）とは個別の素子として形成され上記基
板（１）上に取付けられたＭＯＳトランジスタ（力及び
シフトレジスタ（８）を含む駆動回路（６）がワイヤジ
ンディング０υ等の接続手段によシ接続されている。
以上の如く設けたセンサは、上記受光素子（５）に入射
する光量に応じてコンデンサＣＤに協えられる電荷をフ
ォトダイオ−）１’ＰＤによシ放電し、かつシフトレジ
スタ（８）によ＃）順次オンするＭＯＳ）ランリスタ（
７）によシ上記コンデンサＣＤを再充電し、その際に流
れる電流を出力端子（９ｅ）にて検出して光情報が読み
出される。特に、本実施例で記載する様に上記センサの
接地側端子（９ａ）、ｌｆ）ノ間に分流抵抗（１５）を
挿入することにより、上記受光素子（５）の下層電極（
２）及び上層電極（４）は上記駆動回路（６）及び分流
抵抗ａ９を介して電気的に連結されることとな９、従っ
て端子（９ａ＝ｆ）に外部回路を接続しない状態に於い
て、上記両ｔ 杉（２）及び（４）は同電位であシ、上
記受光素子（５）に高電圧が印加されることかない。
する光量に応じてコンデンサＣＤに協えられる電荷をフ
ォトダイオ−）１’ＰＤによシ放電し、かつシフトレジ
スタ（８）によ＃）順次オンするＭＯＳ）ランリスタ（
７）によシ上記コンデンサＣＤを再充電し、その際に流
れる電流を出力端子（９ｅ）にて検出して光情報が読み
出される。特に、本実施例で記載する様に上記センサの
接地側端子（９ａ）、ｌｆ）ノ間に分流抵抗（１５）を
挿入することにより、上記受光素子（５）の下層電極（
２）及び上層電極（４）は上記駆動回路（６）及び分流
抵抗ａ９を介して電気的に連結されることとな９、従っ
て端子（９ａ＝ｆ）に外部回路を接続しない状態に於い
て、上記両ｔ 杉（２）及び（４）は同電位であシ、上
記受光素子（５）に高電圧が印加されることかない。
なお、上記分流抵抗ａつは厚膜抵抗或いはチップ状抵抗
により形成することが出来る。
により形成することが出来る。
第３図は本発明の変形例を図示するもので、先の第２図
で説明した実施例の分流抵抗住扮に代ってダイオード（
１６）が挿入されている。この様にダイオード（１６）
を挿入しても本発明１ばれは同様な特性が得られる。
で説明した実施例の分流抵抗住扮に代ってダイオード（
１６）が挿入されている。この様にダイオード（１６）
を挿入しても本発明１ばれは同様な特性が得られる。
発明の効果
以上記述した通り、本発明によれは原稿読取装曾の密着
型イメージセンサの出力端子間に分流抵抗或いはダイオ
ードを挿入することにより、該センサの製造工程中もし
くは使用中に高電圧により受光素子が破壊されるという
ことが防止され、信頼性の向−ヒに多大の効果がもたら
される。また、本発明によれば単に分流抵抗或いはダイ
オードを挿入するだけで、従来の密着型イメージセンサ
の回路及びサイズを全く変更することなく受光素子の破
壊の防止をすることができる。
型イメージセンサの出力端子間に分流抵抗或いはダイオ
ードを挿入することにより、該センサの製造工程中もし
くは使用中に高電圧により受光素子が破壊されるという
ことが防止され、信頼性の向−ヒに多大の効果がもたら
される。また、本発明によれば単に分流抵抗或いはダイ
オードを挿入するだけで、従来の密着型イメージセンサ
の回路及びサイズを全く変更することなく受光素子の破
壊の防止をすることができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）及び（ｃ）は従来の密着型イ
メージセンサの回路図、平面構成図及び垂直断面図、第
２図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例による密着型
イメージセンサを説明する回路図及び平面構成図、第３
図は本発明の変形例を示す回路図である。 図中符号： １・・・基板 ２・・・下層電極 ３・・・光導電性半導体薄膜 ４・・・上層電極５・・
・受光素子 ６・・・粗割回路 ９ａ〜９ｆ・・・出力端子 １５・・・分流抵抗１６・
・・ダイオード 代理人弁理士（８１０７）佐々木 清 隆（ほか６名）
メージセンサの回路図、平面構成図及び垂直断面図、第
２図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例による密着型
イメージセンサを説明する回路図及び平面構成図、第３
図は本発明の変形例を示す回路図である。 図中符号： １・・・基板 ２・・・下層電極 ３・・・光導電性半導体薄膜 ４・・・上層電極５・・
・受光素子 ６・・・粗割回路 ９ａ〜９ｆ・・・出力端子 １５・・・分流抵抗１６・
・・ダイオード 代理人弁理士（８１０７）佐々木 清 隆（ほか６名）
Claims (1)
- 基板上に複数の下層電極を設け、この上に逐次光導電体
及び透明導電性上層電極を設けてなる原稿読取装置に於
いて、上記下層電極と上層電極を抵抗まだはダイオード
によシ連結して該両電極に高電圧が印加されるのを防止
するようにしたことを特徴とする原稿読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024965A JPS60170254A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 原稿読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024965A JPS60170254A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 原稿読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170254A true JPS60170254A (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=12152682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59024965A Pending JPS60170254A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | 原稿読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170254A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6229162A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JPH02161773A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-21 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透過型イメージセンサ及びこれを用いた画像読取装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232456A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Hitachi Ltd | 薄膜回路素子 |
-
1984
- 1984-02-15 JP JP59024965A patent/JPS60170254A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232456A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Hitachi Ltd | 薄膜回路素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6229162A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JPH02161773A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-21 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 透過型イメージセンサ及びこれを用いた画像読取装置 |
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