JPS6017424A - 液晶挾持基板 - Google Patents
液晶挾持基板Info
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- JPS6017424A JPS6017424A JP12521483A JP12521483A JPS6017424A JP S6017424 A JPS6017424 A JP S6017424A JP 12521483 A JP12521483 A JP 12521483A JP 12521483 A JP12521483 A JP 12521483A JP S6017424 A JPS6017424 A JP S6017424A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶分子を初期状態（未励起状態）でホモジ
ニアス配向状態にしておくことが必要な液晶表示装置に
使用可能な初期のホモジニアス配向を良質にする手段を
施した液晶挟持基板に関するものである。
ニアス配向状態にしておくことが必要な液晶表示装置に
使用可能な初期のホモジニアス配向を良質にする手段を
施した液晶挟持基板に関するものである。
従来このような液晶分子の初期状態におけるホモジニア
ス配向を良好にする手段として、有機高分子等の膜を形
成し、その膜をラビング処理する方法が一般に採用され
ている。有機高分子膜の多くは膜の耐熱性が低いため、
素子組立時の加熱によって膜が劣化し、配向性が低下す
る等の欠点を持つものがほとんどで、配向規制力の耐熱
性がよいのはポリイミド結合を含む高分子、ポリイミド
イソインドロキナゾリンジオン系高分子等の耐熱性有機
高分子膜に限られていた。
ス配向を良好にする手段として、有機高分子等の膜を形
成し、その膜をラビング処理する方法が一般に採用され
ている。有機高分子膜の多くは膜の耐熱性が低いため、
素子組立時の加熱によって膜が劣化し、配向性が低下す
る等の欠点を持つものがほとんどで、配向規制力の耐熱
性がよいのはポリイミド結合を含む高分子、ポリイミド
イソインドロキナゾリンジオン系高分子等の耐熱性有機
高分子膜に限られていた。
しかしながら、これら耐熱性有機高分子膜を用いた液晶
表示素子に於ては１着色および素子特性に欠点があった
。すなわち、これらの耐熱性有機高分子膜は褐色および
それに近い色相を呈しており、電極が見えにくいという
利点を持つ一方５表示が暗いという欠点がらった。これ
に対しては。
表示素子に於ては１着色および素子特性に欠点があった
。すなわち、これらの耐熱性有機高分子膜は褐色および
それに近い色相を呈しており、電極が見えにくいという
利点を持つ一方５表示が暗いという欠点がらった。これ
に対しては。
基板上に酸化珪素等の無機膜をもって配向膜とする方法
もあるが、これは表示が明るい反面、電極が見えやすく
、また液晶の種類によシ配向能の差を生じるという大き
な欠点を持っている。また他方、液晶表示素子に於て９
表示の時分割数を左右する因子として表示素子の立ち上
がり特性及び視角特性という素子特性が大きな影響力を
もつが。
もあるが、これは表示が明るい反面、電極が見えやすく
、また液晶の種類によシ配向能の差を生じるという大き
な欠点を持っている。また他方、液晶表示素子に於て９
表示の時分割数を左右する因子として表示素子の立ち上
がり特性及び視角特性という素子特性が大きな影響力を
もつが。
これら耐熱性有機高分子膜を用いた素子に於ては満足な
素子特性が得られず表示素子に於て時分割数を多くとれ
ないという欠点があった。これに対しても、酸化珪素等
の無機膜はよい性能を示すが。
素子特性が得られず表示素子に於て時分割数を多くとれ
ないという欠点があった。これに対しても、酸化珪素等
の無機膜はよい性能を示すが。
上記理由によって一般的に用いる事は難しい。
本発明者らは、従来の耐熱性有機高分子膜の上記の欠点
を改良すべく検討した結果本発明に至った。すなわち本
発明は、どのような液晶物質であっても液晶の分子軸を
基板面に対し、平行に配向させ、かつこの液晶配向規制
力がきわめて耐熱性に優れ、なおかつ色相が薄く明るい
表示を与え。
を改良すべく検討した結果本発明に至った。すなわち本
発明は、どのような液晶物質であっても液晶の分子軸を
基板面に対し、平行に配向させ、かつこの液晶配向規制
力がきわめて耐熱性に優れ、なおかつ色相が薄く明るい
表示を与え。
また表示素子としては優れた素子特性を与える液晶挾持
基板を提供するものであり、これによって液晶表示素子
組立に制限を与えず、経時的に安定で長寿命かつ高性能
の液晶表示装置が得られる。
基板を提供するものであり、これによって液晶表示素子
組立に制限を与えず、経時的に安定で長寿命かつ高性能
の液晶表示装置が得られる。
本発明は液晶挾持基板上の液晶に面する側に電極を設け
、該基板および電極上に、一般式Ｈ２Ｎ Ｒｔ Ｓ Ｒ
２−ＮＨ２（ＲｔおよびＲ２は、少なく１ とも−個の芳香環を含む２価の芳香族残基）で表わされ
るスルホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に
よりその他のジアミンとカルボン酸無水物とを反応させ
て得られるポリアミド酸を脱水閉環して得られるポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
してなる液晶挟持基板に関する。
、該基板および電極上に、一般式Ｈ２Ｎ Ｒｔ Ｓ Ｒ
２−ＮＨ２（ＲｔおよびＲ２は、少なく１ とも−個の芳香環を含む２価の芳香族残基）で表わされ
るスルホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に
よりその他のジアミンとカルボン酸無水物とを反応させ
て得られるポリアミド酸を脱水閉環して得られるポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
してなる液晶挟持基板に関する。
カルボン酸無水物としては、たとえばピロメリット酸無
水物、２，３，６．７−ナフタレンテトラカルボン酸無
水物、３，３：４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸
無水物、１，２，５．６−ナフタレンテトラカルボン酸
無水物、ｚ２：３．ａ’ジフェニルテトラカルボン酸無
水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン酸
無水物、２．２−ビス（３，４−ビスカルボキシフェニ
ル）プロパンｍ水物、ａ、４−ジカルボキシフェニルス
ルホン無水物、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカ
ルボン酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル
）エーテル無水物、３．３：４，４′−ヘンシフエノン
テトラカルボン酸無水物などが用いられる。
水物、２，３，６．７−ナフタレンテトラカルボン酸無
水物、３，３：４，４’−ジフェニルテトラカルボン酸
無水物、１，２，５．６−ナフタレンテトラカルボン酸
無水物、ｚ２：３．ａ’ジフェニルテトラカルボン酸無
水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン酸
無水物、２．２−ビス（３，４−ビスカルボキシフェニ
ル）プロパンｍ水物、ａ、４−ジカルボキシフェニルス
ルホン無水物、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカ
ルボン酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル
）エーテル無水物、３．３：４，４′−ヘンシフエノン
テトラカルボン酸無水物などが用いられる。
本発明においては上記の一般式で表わされるスルホンジ
アミンが用いられるが、一般式においてＲ，および馬は
少なくとも一個の芳香環を含む２価の芳香族残基であシ
９例えば−０−、−０−０−９−＠−ＣＩ（２−＠−，
（ＣトＣＨ２ＣＨ２−＠−、−＠−ｏ−４暖。
アミンが用いられるが、一般式においてＲ，および馬は
少なくとも一個の芳香環を含む２価の芳香族残基であシ
９例えば−０−、−０−０−９−＠−ＣＩ（２−＠−，
（ＣトＣＨ２ＣＨ２−＠−、−＠−ｏ−４暖。
−０−Ｓ−Ｏ−等やこれらの異性体または誘導体であシ
、アミン基の結合の位置はパラ位又はメタ位である。例
えば４．４′ジアミノジフエニルスルホン。
、アミン基の結合の位置はパラ位又はメタ位である。例
えば４．４′ジアミノジフエニルスルホン。
３．３′ジアミノジフエニルスルホン、４．４’ビス−
（４アミノフエノキシ）フェニルスルホン、４．４’ビ
ス（３アミノフエノキシ）フェニルスルホンなどがあげ
られる。
（４アミノフエノキシ）フェニルスルホン、４．４’ビ
ス（３アミノフエノキシ）フェニルスルホンなどがあげ
られる。
ジアミノモノアミドとしては１例えば１，４−ジアミノ
ベンゼン−２−カルボンアミド、４．４’−ジアミノジ
フェニルエーテル−３−カルボンアミドなどが用いられ
る。
ベンゼン−２−カルボンアミド、４．４’−ジアミノジ
フェニルエーテル−３−カルボンアミドなどが用いられ
る。
必要によシ用いられるその他のジアミンとしては９例ｔ
ばｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、
ｍ−キシレンジアミン、ｐ−キシレンジアミン、４．４
’−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’ジアミノジ
フエニルメタン、４３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、ａ、ａ；Ｓ。
ばｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、
ｍ−キシレンジアミン、ｐ−キシレンジアミン、４．４
’−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’ジアミノジ
フエニルメタン、４３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、ａ、ａ；Ｓ。
５′−テトラメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメ
タ” ＋ ２．２’−ビス（４−アミノフェニル）プロ
パン−４，４’−メチレンジアニリン、ベンジジン、４
゜４′−ジアミノジフェニルスルフィド、１．５−ジア
ミノナフタレン、３．３’−ジメチルベンジジン、３゜
３′−ジメトキシベンジジンなどが用いられる。
タ” ＋ ２．２’−ビス（４−アミノフェニル）プロ
パン−４，４’−メチレンジアニリン、ベンジジン、４
゜４′−ジアミノジフェニルスルフィド、１．５−ジア
ミノナフタレン、３．３’−ジメチルベンジジン、３゜
３′−ジメトキシベンジジンなどが用いられる。
また、接着性改良のため、ビス（３−アミノプロピル）
−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン。
−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン。
ビス（３−アミノブチル） −１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン、ビス（３−アミノプロピル）−１
，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン等のジアミ
ノシロキサンを用いてもよい。
メチルジシロキサン、ビス（３−アミノプロピル）−１
，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン等のジアミ
ノシロキサンを用いてもよい。
スルホンジアミンは、得られる素子の色相および素子特
性から、アミン成分に対して２０〜９９重量−の範囲で
用いることが好ましい。
性から、アミン成分に対して２０〜９９重量−の範囲で
用いることが好ましい。
本発明で用いるポリイミドイソインドロキナゾリンジオ
ン系高分子の前駆体であるポリアミド酸は、上記のスル
ホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に応じて
その他のジアミンとカルボン酸無水物とを反応させて得
られる。これらの反応は無水の条件下で、好ましくは５
０℃またはそれ以下の温度で行なわれる。
ン系高分子の前駆体であるポリアミド酸は、上記のスル
ホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に応じて
その他のジアミンとカルボン酸無水物とを反応させて得
られる。これらの反応は無水の条件下で、好ましくは５
０℃またはそれ以下の温度で行なわれる。
スルホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に応
じて用いられるその他のジアミンとカルボン酸無水物と
の反応割合は、これらのジアミン成分（スルホンジアミ
ン、ジアミノモノアミドおよび必要に応じて用いられる
その他のジアミン）とカルボン酸無水物のモル数を等し
くすることが好ましい。この反応はジメチルフォルムア
ミド。
じて用いられるその他のジアミンとカルボン酸無水物と
の反応割合は、これらのジアミン成分（スルホンジアミ
ン、ジアミノモノアミドおよび必要に応じて用いられる
その他のジアミン）とカルボン酸無水物のモル数を等し
くすることが好ましい。この反応はジメチルフォルムア
ミド。
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルフオキシド。
Ｎ−メチルピロリドン等の溶剤の存在下で行なわれる。
上記ポリアミド酸の基板及び電極上への塗布は。
該ポリアミド酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルア
セトアミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン等の０．０１〜４０重量％溶液として、ディップ
法、スピンナ法、スプレー法。
セトアミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン等の０．０１〜４０重量％溶液として、ディップ
法、スピンナ法、スプレー法。
印刷法、刷毛塗り法などによシ行なわれる。塗布後１０
０℃〜４００℃、好ましくは１５０℃〜３５０℃で加熱
処理してポリアミド酸を脱水閉環してポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオン系高分子被膜が得られる。
０℃〜４００℃、好ましくは１５０℃〜３５０℃で加熱
処理してポリアミド酸を脱水閉環してポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオン系高分子被膜が得られる。
本発明においては、基板および電極に対する接着性を高
めるために、γ−グリシドオキシグロビルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のカ
ップリング剤をポリアミド酸と共に用いてもよい。
めるために、γ−グリシドオキシグロビルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のカ
ップリング剤をポリアミド酸と共に用いてもよい。
本発明になる液晶挾持基板によって明るい表示を示し、
立ち上がシ特性及び視角特性の向上された液晶表示素子
が得られる。
立ち上がシ特性及び視角特性の向上された液晶表示素子
が得られる。
立ち上がシ特性は■８°／Ｖ’ｑによりめ、視角特性は
Ｖτ／Ｖπによ請求めた。Ｖ普は液晶表示素子の視角１
０°における透過率が工Ｏチ変化する時の印加電圧 ｙ
認’はこれが５０％変化する時の印加電圧、Ｖτは視角
４０°における透過率が１０−変化する時の印加電圧で
ある。得られた立ち上がシ特性はｉ、ｉｔ、視角特性は
０．８４であった。
Ｖτ／Ｖπによ請求めた。Ｖ普は液晶表示素子の視角１
０°における透過率が工Ｏチ変化する時の印加電圧 ｙ
認’はこれが５０％変化する時の印加電圧、Ｖτは視角
４０°における透過率が１０−変化する時の印加電圧で
ある。得られた立ち上がシ特性はｉ、ｉｔ、視角特性は
０．８４であった。
以下、実施例及び比較例にょシ本発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例
Ｎ−メチルピロリドン中を溶剤として、窒素雰囲気下で
３． ｓ： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸ｌ
ａ水物１． ｏモル、４．４’ビス（３アミノンエノキ
シ）フェニルスルホン０．９モル、４．４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル−３−カルボンアミド０．１モルを
縮合して得られたポリアミド酸の５重！：ＳＮ−メチル
ピロリドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電
極が形成されたガラス基板（３ｃｍＸ３ｃｍ。
３． ｓ： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸ｌ
ａ水物１． ｏモル、４．４’ビス（３アミノンエノキ
シ）フェニルスルホン０．９モル、４．４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル−３−カルボンアミド０．１モルを
縮合して得られたポリアミド酸の５重！：ＳＮ−メチル
ピロリドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電
極が形成されたガラス基板（３ｃｍＸ３ｃｍ。
厚さ２．）に塗布した。塗布後２５０’Ｃで１時間３０
分加熱して脱水閉環させ、薄い褐色のポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成した。上記
該被膜をラビング処理した基板の一対を用いて、液晶（
ＺＬＩ−１８００−０００゜メルク（Ｍｅｒｃｋ ）社
製→を封入し液晶表示素子（厚み１０μｍ）を作製し、
これにＩ ＫＨｚの矩形波を印加し、電圧を０．０１４
Ｖ／秒で徐々に上け。
分加熱して脱水閉環させ、薄い褐色のポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成した。上記
該被膜をラビング処理した基板の一対を用いて、液晶（
ＺＬＩ−１８００−０００゜メルク（Ｍｅｒｃｋ ）社
製→を封入し液晶表示素子（厚み１０μｍ）を作製し、
これにＩ ＫＨｚの矩形波を印加し、電圧を０．０１４
Ｖ／秒で徐々に上け。
光透過率を測定し、立ち上がり特性および視角特性を測
定した。
定した。
比較例
Ｎ−メチルピロリドンを溶剤として、窒素雰囲気下で３
．メ４，４′ジフェニルテトラカルボン酸無水物１．０
モル、４．４’ビス（３アミノフエノキシ）フェニルス
ルホン０．０５モル、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル−３−カルボンアミｈ”０．１モル。
．メ４，４′ジフェニルテトラカルボン酸無水物１．０
モル、４．４’ビス（３アミノフエノキシ）フェニルス
ルホン０．０５モル、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル−３−カルボンアミｈ”０．１モル。
４．４′−ジアミノジフェニルエーテル０．８５モルを
縮合して得られたポリアミド酸の５重量％Ｎ−メチルピ
ロリドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電極
が形成されたガラス基板（３ｃｍＸ３ｃｍ。
縮合して得られたポリアミド酸の５重量％Ｎ−メチルピ
ロリドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電極
が形成されたガラス基板（３ｃｍＸ３ｃｍ。
厚さ２ ｎｕｎ ）に塗布した。塗布後２５０℃で１時
間３０分加熱して脱水閉環させ、褐色のポリイミドイン
インドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成した。
間３０分加熱して脱水閉環させ、褐色のポリイミドイン
インドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成した。
上記該被膜をラビング処理した基板の一対を用いて実施
例１と同じ液晶を封入し、液晶表示素子（厚み１０１０
１ｔを作製し、実施例１と同様にして立ち上が仄特性お
よび視角特性を測定したところ得られた立ち上がり特性
は１．１２ 、視角特性は０．８２であった。
例１と同じ液晶を封入し、液晶表示素子（厚み１０１０
１ｔを作製し、実施例１と同様にして立ち上が仄特性お
よび視角特性を測定したところ得られた立ち上がり特性
は１．１２ 、視角特性は０．８２であった。
実施例および比較例に示すとおシ２本発明になるポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
した液晶挟持基板を用いた液晶表示素子は、従来の高分
子被膜を用いた素子に比べて立ち上がシ特性及び視角特
性の２つの素子特性が向上され、８Ａるい表示を与えた
。
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
した液晶挟持基板を用いた液晶表示素子は、従来の高分
子被膜を用いた素子に比べて立ち上がシ特性及び視角特
性の２つの素子特性が向上され、８Ａるい表示を与えた
。
手続補正書（自発）
１□１．′５〜８ 月１２ 日
特許庁長官殿
Ｊ、事件の表示
昭和５８年特許願第１２タ２１ケ号
２、発明の名称
液晶挟持基板
３、補正をする者
事ｒ１との関１π 待ｔ１出願人
名 称 （４４５１ＥＪ立化成工業株式会イＬ４、代
理 人 日立化成工業株式会月内 ５、補正の対象 明細書の全文 別紙 明 細 書 １、発明の名称 液晶挾持基板 ２、特許請求の範囲 １、液晶挾持基板上の液晶に面する側に電極を設け、該
基板および電極上に、一般式 Ｈ２Ｎ−Ｒｔ Ｓ −Ｒ２ＮＨ２（Ｒ１および几２け、
少なく１ とも−個の芳香環を含む２価の芳香族残基）で表わされ
るスルホンジアミン、ジアミノモノアミドオヨび必要に
よりその他のジアミンとカルボン酸無水物とを反応させ
て得られるポリアミド酸を脱水閉環して得られるポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
してなる液晶挾持基板。
理 人 日立化成工業株式会月内 ５、補正の対象 明細書の全文 別紙 明 細 書 １、発明の名称 液晶挾持基板 ２、特許請求の範囲 １、液晶挾持基板上の液晶に面する側に電極を設け、該
基板および電極上に、一般式 Ｈ２Ｎ−Ｒｔ Ｓ −Ｒ２ＮＨ２（Ｒ１および几２け、
少なく１ とも−個の芳香環を含む２価の芳香族残基）で表わされ
るスルホンジアミン、ジアミノモノアミドオヨび必要に
よりその他のジアミンとカルボン酸無水物とを反応させ
て得られるポリアミド酸を脱水閉環して得られるポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
してなる液晶挾持基板。
３、発明の詳細な説明
本発明は、液晶分子を初期状態（未励起状態）でホモジ
ニアス配向状態にしておくことが必要な液晶表示装置に
使用可能な初期のホモジニアス配向を良質にする手段を
施しだ液晶挟持基板に関するものである。
ニアス配向状態にしておくことが必要な液晶表示装置に
使用可能な初期のホモジニアス配向を良質にする手段を
施しだ液晶挟持基板に関するものである。
従来このような液晶分子の初期状態におけるホモジニア
ス配向を良好にする手段として、有機高分子等の膜を形
成し、その膜をラビング処理する方法が一般に採用され
ている。有機高分子膜の多くは膜の耐熱性が低いため、
素子組立時の加熱によって膜が劣化し、配向性が低下す
る等の欠点を持つものがほとんどで、配向規制力の耐熱
性がよいのはポリイミド結合を含む高分子、ポリイミド
イソインドロキナゾリンジオン系高分子等の耐熱性有機
高分子膜に限られていた。
ス配向を良好にする手段として、有機高分子等の膜を形
成し、その膜をラビング処理する方法が一般に採用され
ている。有機高分子膜の多くは膜の耐熱性が低いため、
素子組立時の加熱によって膜が劣化し、配向性が低下す
る等の欠点を持つものがほとんどで、配向規制力の耐熱
性がよいのはポリイミド結合を含む高分子、ポリイミド
イソインドロキナゾリンジオン系高分子等の耐熱性有機
高分子膜に限られていた。
しかしながら、これら耐熱性有機高分子膜を用いた液晶
表示素子に於ては１着色および素子特性に欠点があった
。すなわち、これらの耐熱性有機高分子膜は褐色および
それに近い色相を呈しておシ、電極が見えにくいという
利点を持つ一方１表示が暗いという欠点があった。これ
に対しては。
表示素子に於ては１着色および素子特性に欠点があった
。すなわち、これらの耐熱性有機高分子膜は褐色および
それに近い色相を呈しておシ、電極が見えにくいという
利点を持つ一方１表示が暗いという欠点があった。これ
に対しては。
基板上に酸化珪素等の無機膜をもって配向膜とする方法
もあるが、これは表示が明るい反面、電極が見えやすく
、また液晶の種類により配向能の差を生じるという大き
な欠点を持っている。また他方、液晶表示素子に於て９
表示の時分割数を左右する因子として表示素子の立ち上
がシ特性及び視角特性という素子特性が大きな影響力を
もつが。
もあるが、これは表示が明るい反面、電極が見えやすく
、また液晶の種類により配向能の差を生じるという大き
な欠点を持っている。また他方、液晶表示素子に於て９
表示の時分割数を左右する因子として表示素子の立ち上
がシ特性及び視角特性という素子特性が大きな影響力を
もつが。
これら耐熱性有機高分子膜を用いた素子に於ては満足な
素子特性が得られず表示素子に於て時分割数を多くとれ
ないという欠点があった。これに対しても、酸化珪素等
の無機膜はよい性能を示すが。
素子特性が得られず表示素子に於て時分割数を多くとれ
ないという欠点があった。これに対しても、酸化珪素等
の無機膜はよい性能を示すが。
上記理由によって一般的に用いる事は難しい。
本発明者らは、従来の耐熱性有機高分子膜の上記の欠点
を改良すべく検討した結果本発明に至った。すなわち本
発明は、どのような液晶物質であっても液晶の分子軸を
基板面に対し、平行に配向させ、かつこの液晶配向規制
力がきわめて耐熱性に優れ、なおかつ色相が薄く明るい
表示を与え。
を改良すべく検討した結果本発明に至った。すなわち本
発明は、どのような液晶物質であっても液晶の分子軸を
基板面に対し、平行に配向させ、かつこの液晶配向規制
力がきわめて耐熱性に優れ、なおかつ色相が薄く明るい
表示を与え。
また表示素子としては優れた素子特性を与える液晶挾持
基板を提供するものであり、これによって液晶表示素子
組立に制限を与えず、経時的に安定で長寿命かつ高性能
の液晶表示装置が得られる。
基板を提供するものであり、これによって液晶表示素子
組立に制限を与えず、経時的に安定で長寿命かつ高性能
の液晶表示装置が得られる。
本発明は液晶挟持基板上の液晶に面する側に電極を設け
、該基板および電極上に、一般式Ｈ２Ｎ刊３．Ｉ ５−
Ｒ２ＮＨ２（Ｒ１，ＩＯ−よび几２は、少なく１ とも−個の芳香環を含む２価の芳香族残基）で表わされ
るスルホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に
よりその他のジアミンとカルボン酸無水物と全反応させ
て得られるポリアミド酸を脱水閉環して得られるポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
してなる液晶挾持基板に関する。
、該基板および電極上に、一般式Ｈ２Ｎ刊３．Ｉ ５−
Ｒ２ＮＨ２（Ｒ１，ＩＯ−よび几２は、少なく１ とも−個の芳香環を含む２価の芳香族残基）で表わされ
るスルホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に
よりその他のジアミンとカルボン酸無水物と全反応させ
て得られるポリアミド酸を脱水閉環して得られるポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
してなる液晶挾持基板に関する。
カルボン酸無水物としては、たとえばピロメリット酸無
水物、 ２．３．６．７−ナフタレンテトラカルボン酸
無水物、３，５４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸
無水物、１，２，５．６−ナフタレンテトラカルボン酸
無水物、ｚ、２：３．３’ジフエニルテトラカルボン酸
無水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン
酸無水物、 ２．２−ビス（３，４−ビスカルボキシフ
ェニル）プロパン無水物、３．４−ジカルボキシフェニ
ルスルホン無水物、ペリレン−３，４，９，１０−テト
ラカルボン酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル無水物、、 ３．３： ４．４’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸無水物などが用いられる。
水物、 ２．３．６．７−ナフタレンテトラカルボン酸
無水物、３，５４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸
無水物、１，２，５．６−ナフタレンテトラカルボン酸
無水物、ｚ、２：３．３’ジフエニルテトラカルボン酸
無水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン
酸無水物、 ２．２−ビス（３，４−ビスカルボキシフ
ェニル）プロパン無水物、３．４−ジカルボキシフェニ
ルスルホン無水物、ペリレン−３，４，９，１０−テト
ラカルボン酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル無水物、、 ３．３： ４．４’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸無水物などが用いられる。
本発明においては上記の一般式で表わされるスルホンジ
アミンが用いられるが、一般式においてＲ１およびＲ２
は少なくとも一個の芳香環を含む２価の芳香族残基であ
シ１例えば（γ、 −＠−ｏ−。
アミンが用いられるが、一般式においてＲ１およびＲ２
は少なくとも一個の芳香環を含む２価の芳香族残基であ
シ１例えば（γ、 −＠−ｏ−。
−＠−ＣＨ２−＠−、−ｏ−ＣＨ２ＣＨ２舎、 ＄。
舎Ｓ−＠−等やこれらの異性体または誘導体であり、ア
ミノ基の結合の位置はバラ位又はメタ位である。例えば
４，４′ジアミノジフエニルスルホン。
ミノ基の結合の位置はバラ位又はメタ位である。例えば
４，４′ジアミノジフエニルスルホン。
３．３′ジアミノジフエニルスルホン、４．４’ビス−
（４アミノフエノキシ）フェニルスルホン、４．４’ビ
ス（３アミノフエノキシ）フェニルスルホンなどがあげ
られる。
（４アミノフエノキシ）フェニルスルホン、４．４’ビ
ス（３アミノフエノキシ）フェニルスルホンなどがあげ
られる。
ジアミノモノアミドとしては９例えば１，４−ジアミノ
ベンゼン−２−カルボンアミド、４．４’−ジアミノジ
フェニルエーテル−３−カルボンアミドなどが用いられ
る。
ベンゼン−２−カルボンアミド、４．４’−ジアミノジ
フェニルエーテル−３−カルボンアミドなどが用いられ
る。
必要により用いられるその他のジアミンとしてハ、 例
エバｉｎ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミ
ン、ｍ−キシレンジアミン、ｐ−キンレンジアミン、４
．４’−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’ジアミ
ノジフエニルメタン、３．３’−ジメチル−４，４′−
ジアミノジフェニルメタン、３，３：５゜５′−テトラ
メチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、λグー
ビス（４−アミノフェニル）プロパン−４，４’−メチ
レンジアニリン、ベンジジン、４゜４′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、１．５−ジアミノナフタレン、３．
３’−ジメチルベンジジン＋ ３＋３′−ジアミノベン
ゼンなどが用いられる。
エバｉｎ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミ
ン、ｍ−キシレンジアミン、ｐ−キンレンジアミン、４
．４’−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’ジアミ
ノジフエニルメタン、３．３’−ジメチル−４，４′−
ジアミノジフェニルメタン、３，３：５゜５′−テトラ
メチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、λグー
ビス（４−アミノフェニル）プロパン−４，４’−メチ
レンジアニリン、ベンジジン、４゜４′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、１．５−ジアミノナフタレン、３．
３’−ジメチルベンジジン＋ ３＋３′−ジアミノベン
ゼンなどが用いられる。
また、接着性改良のだめ、ビス（３−アミノプロピル）
−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン。
−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン。
ビス（３−アミノブチル）〜１．１．３．３−テトラメ
チルジシロキサン、ビス（３−アミノプロピル）−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のジアミノシ
ロキサンを用いてもよい。
チルジシロキサン、ビス（３−アミノプロピル）−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のジアミノシ
ロキサンを用いてもよい。
スルホンジアミンは、得られる素子の色相および素子特
性から、アミン成分に対して２０〜９９重量％の範囲で
用いることが好ましい。
性から、アミン成分に対して２０〜９９重量％の範囲で
用いることが好ましい。
本発明で用いるポリイミドイソインドロキナゾリンジオ
ン系高分子の前駆体であるポリアミド酸は、上記のスル
ホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に応じて
その他のジアミンとカルボン酸無水物とを反応させて得
られる。これらの反応は無水の条件下で、好ましくは５
０’Ｃまたはそれ以下の温度で行なわれる。
ン系高分子の前駆体であるポリアミド酸は、上記のスル
ホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に応じて
その他のジアミンとカルボン酸無水物とを反応させて得
られる。これらの反応は無水の条件下で、好ましくは５
０’Ｃまたはそれ以下の温度で行なわれる。
スルホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび必要に応
じて用いられるその他のジアミンとカルボン酸無水物と
の反応割合は、これらのジアミン成分（スルホンジアミ
ン、ジアミノモノアミドおよび必要に応じて用いられる
その他のジアミン）とカルボン酸無水物のモル数を等し
くすることが好ましい。この反応はジメチルフォルムア
ミド。
じて用いられるその他のジアミンとカルボン酸無水物と
の反応割合は、これらのジアミン成分（スルホンジアミ
ン、ジアミノモノアミドおよび必要に応じて用いられる
その他のジアミン）とカルボン酸無水物のモル数を等し
くすることが好ましい。この反応はジメチルフォルムア
ミド。
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルフオキシド。
Ｎ−メチルピロリドン等の溶剤の存在下で行なわれる。
上記ポリアミド酸の基板及び電極上への塗布は。
該ポリアミド酸をジメチルフォルムアミド、ジメチルア
セトアミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン等の０．０１〜４０重量％溶液として、ディップ
法、スピンナ法、スプレー法。
セトアミド、ジメチルスルフオキシド、Ｎ−メチルピロ
リドン等の０．０１〜４０重量％溶液として、ディップ
法、スピンナ法、スプレー法。
印刷法、刷毛塗り法などにより行なわれる。塗布後１０
０℃〜４００℃、好ましくは１５０’Ｃ〜３５０℃で加
熱処理してポリアミド酸を脱水閉環してポリイミドイソ
インドロキナゾリンジオン系高分子被膜が得られる。
０℃〜４００℃、好ましくは１５０’Ｃ〜３５０℃で加
熱処理してポリアミド酸を脱水閉環してポリイミドイソ
インドロキナゾリンジオン系高分子被膜が得られる。
本発明においては、基板および電極に対する接着性を高
めるために、γ−グリシドオキシグロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のカ
ップリング剤をポリアミド酸と共に用いてもよい。
めるために、γ−グリシドオキシグロピルトリメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等のカ
ップリング剤をポリアミド酸と共に用いてもよい。
本発明になる液晶挾持基板によって明るい表示を示し、
立ち上がシ特性及び視角特性の向上された液晶表示素子
が得られる。
立ち上がシ特性及び視角特性の向上された液晶表示素子
が得られる。
以下、実施例及び比較例にょシ本発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例
Ｎ−メチルピロリドンｆを溶剤として、窒素雰囲気下で
ａ、 ３： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸無
水物１．０モル、４．４’ビス（３アミノフエノキシ）
フェニルスルホン０６９モル、４．４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル−３−カルボンアミド０．１モルヲ縮合
して得られたポリアミド酸の５重量ＳＮ−メチルピロリ
ドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電極が形
成されたガラス基板（３ｃｍＸ３ｃｍ。
ａ、 ３： ４．４’−ジフェニルテトラカルボン酸無
水物１．０モル、４．４’ビス（３アミノフエノキシ）
フェニルスルホン０６９モル、４．４’−ジアミノジフ
ェニルエーテル−３−カルボンアミド０．１モルヲ縮合
して得られたポリアミド酸の５重量ＳＮ−メチルピロリ
ドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電極が形
成されたガラス基板（３ｃｍＸ３ｃｍ。
厚さ２ｍｍ）に塗布した。塗布後２５０℃で１時間３０
分加熱して脱水閉環させ、薄い褐色のポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成した。ｌ材
該被膜をラビング処理した基板の一対を用いて、液晶（
ＺＬＩ−１８００−０００，メルク（Ｍｅｒｃｋ）社製
）を封入し液晶表示素子（厚み約ｌＯμｍ）を作製し、
これにＩＫＨｚの矩形波を印加し、電圧を０．０１４Ｖ
／秒で徐々に上げ。
分加熱して脱水閉環させ、薄い褐色のポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成した。ｌ材
該被膜をラビング処理した基板の一対を用いて、液晶（
ＺＬＩ−１８００−０００，メルク（Ｍｅｒｃｋ）社製
）を封入し液晶表示素子（厚み約ｌＯμｍ）を作製し、
これにＩＫＨｚの矩形波を印加し、電圧を０．０１４Ｖ
／秒で徐々に上げ。
光透過率を測定し、立ち上がり特性および視角特性を測
定した。
定した。
立ち上がシ特性ば■６ｏ／ｖ によ請求め、視角ｈ
特性はＶ ／Ｖ によりめた。ｖｔｈは液晶表示ｔｈ
ｔｈ 素子の視角１０°における透過率が１０係変化する時の
印加電圧、 ’Ｖ：°はこれが５０チ変化する時の印加
電圧＋ ｖｔｈは視角４０’における透過率が１０チ変
化する時の印加電圧である。得られた立ち上がシ特性は
１．１１．視角特性は０．８４であった。
ｔｈ 素子の視角１０°における透過率が１０係変化する時の
印加電圧、 ’Ｖ：°はこれが５０チ変化する時の印加
電圧＋ ｖｔｈは視角４０’における透過率が１０チ変
化する時の印加電圧である。得られた立ち上がシ特性は
１．１１．視角特性は０．８４であった。
比較例
Ｎ−メチルピロリドンを溶剤として、窒素雰囲気下で３
．３：４．４’ジフエニルテトラカルボン酸無水物１．
０モル、４．４’ビス（３アミノフエノキシ）フェニル
スルホン０６９モル、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル−３−カルボンアミ）’０．１−ｅル。
．３：４．４’ジフエニルテトラカルボン酸無水物１．
０モル、４．４’ビス（３アミノフエノキシ）フェニル
スルホン０６９モル、４．４’−ジアミノジフェニルエ
ーテル−３−カルボンアミ）’０．１−ｅル。
４、４’−ジアミノジフェニルエーテル０．８０モルを
縮合して得られたポリアミド酸の５京葉％Ｎ−メチルピ
ロリドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電極
が形成されたガラス基板（３ｃｍＸ３ｃｍ。
縮合して得られたポリアミド酸の５京葉％Ｎ−メチルピ
ロリドン溶液をスピンナを用いて酸化インジウムの電極
が形成されたガラス基板（３ｃｍＸ３ｃｍ。
厚さ２ｍｍ）に塗布した。塗布後２５０℃で１時間３０
分加熱して脱水閉環させ、褐色のポリイミドイソインド
ロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成した。
分加熱して脱水閉環させ、褐色のポリイミドイソインド
ロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成した。
声筐該被膜をラビング処理した基板の一対を用いて実施
例と同じ液晶を封入し、液晶光示素子（厚み約１０μｍ
）を作製し、実施例と同様にして立ち上がシ特性および
視角特性全測定したところ。
例と同じ液晶を封入し、液晶光示素子（厚み約１０μｍ
）を作製し、実施例と同様にして立ち上がシ特性および
視角特性全測定したところ。
得られた立ち上がり特性は１．１２．視角特性は０．８
２であった。
２であった。
実施例および比較例に示すとおり１本発明になるポリイ
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
した液晶挾持基板を用いた液晶表示素子は、従来の高分
子被膜を用いた素子に比べて立ち上がり特性及び視角特
性の２つの素子特性が向上され、明るい表示を与えた。
ミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜を形成
した液晶挾持基板を用いた液晶表示素子は、従来の高分
子被膜を用いた素子に比べて立ち上がり特性及び視角特
性の２つの素子特性が向上され、明るい表示を与えた。
４Ｑ−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、液晶挾持基板上の液晶に面する側に電極を設け、該
基板および電極上に、一般式 Ｈ２Ｎ −Ｒ１−８−Ｒ２ＮＨ２（ＲｔおよびＲ２は、
少なくとも−個の芳香環を含む２価の芳香族残基）で表
わされるスルホンジアミン、ジアミノモノアミドおよび
必要によりその他のジアミンとカルボン酸無水物とを反
応させて得られるポリアミド酸を脱水閉環して得られる
ポリイミドイソインドロキナゾリンジオン系高分子被膜
を形成してなる液晶挾持基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12521483A JPS6017424A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 液晶挾持基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12521483A JPS6017424A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 液晶挾持基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017424A true JPS6017424A (ja) | 1985-01-29 |
Family
ID=14904692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12521483A Pending JPS6017424A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 液晶挾持基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017424A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS569723A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-31 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12521483A patent/JPS6017424A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS569723A (en) * | 1979-07-04 | 1981-01-31 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
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