JPS60176220A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS60176220A
JPS60176220A JP59031702A JP3170284A JPS60176220A JP S60176220 A JPS60176220 A JP S60176220A JP 59031702 A JP59031702 A JP 59031702A JP 3170284 A JP3170284 A JP 3170284A JP S60176220 A JPS60176220 A JP S60176220A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
region
insulating layer
etching
aperture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59031702A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoji Takayama
高山　正二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59031702A priority Critical patent/JPS60176220A/ja
Publication of JPS60176220A publication Critical patent/JPS60176220A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3202—Materials thereof
    • H10P14/3238—Materials thereof being insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
    • H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H10P14/3808—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2924—Structures
    • H10P14/2925—Surface structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H10P14/3242—Structure
    • H10P14/3244—Layer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
    • H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3451—Structure
    • H10P14/3452—Microstructure
    • H10P14/3458—Monocrystalline
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
    • H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H10P14/3818—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using particle beams
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
    • H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H10P14/382—Scanning of a beam

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の属する技術分野 本発明口子導体装置の製造方法に関し、特に半導体装ｙ
ｔ［ｇｌ路装置における素子間の絶縁分離方法に関する
。
（２）　従来技術の説明 従来、午導体集積回路装ａｒｃおける素子間の絶縁分離
方法としてｒｘ、　ｙ導体基板表面の素子領域上に耐熱
酸化膜層？被清形収し、その後熱酸化ｅ？：ｒｙｚうこ
とに、Ｃり絶縁領域に厚い酸化膜會形収する。いわゆる
選択酸化法が用いられている。この方法でに、選択酸化
時に横万同にも酸化が進み耐熱酸化膜下の素子領域が減
少してしまうという欠点がある０現在でａ集積回路の高
集積化が進み上記の工うな従来用いら９ている選択酸化
法に集積化の限界に近づきつつある。
（３）発明の目的 本発明の目的に以上の工りな従来の半導体集積回路装置
における素子間絶縁分離方法の欠点をなくし、高密度な
果槓−路装置ｋ得ることができる素子絶縁分離方法を提
供すること九ある０（４）発明のＳ収 本発明の製造方法に、単結晶′ｔ−導体基板表面におい
て所望のパターン形状？Ｉ−有する第１の領域の手導体
基板ケ所望の深さまでエツチング除去し溝構造ケ形成後
、全面に絶縁層を被着形成し、前記第１の領域上以外の
絶縁層の少なくとも一部に半導体基板に達する開口會設
け、前記開口部を含む全領域上九非晶質又ａ多結晶″＋
導体材料層？被看形収し、前記非晶質又ａ多結晶中導体
材料層？前記絶縁層の開口部會起点として光又に粒子線
ビーム？定食Ｌ７てアニールすること九工Ｖ前記非晶質
又ａ多結晶′＋導体材料層ケ単結晶化する工程？宮むこ
とを特徴とするｔのであ／ｂＯ （５）　実施例の説明 以下図面音用いて不発明製造方法の一実施例を詳細に説
明する○ 第１図から第４図までａ本発明の半導体装置の製造方法
の一実鬼例會工程順に説明丁、ｂ要部断面図である０ まず第１図に示す工うに単結晶半導体基板１表面の所望
のパターン形状倉荷する第１の領域ケ、所望の深さまで
エツチング除去し溝構造會形収後、全面に絶縁層２ケ形
成する。次いで第２図に示す工うに、前記第１の領域以
外の領域上の絶縁層２の所定部位に前記単結晶半導体基
板ｌの表面に達する開口３？ホトエツチング等ｒｃ工９
形収丁６ｏその後、全領域上（Ｃ非晶質又ａ多結晶千尋
体材料Ｒ１１４管気相成長法等九工り被着形成する。仄
Ｔ／ｃ第３図に示す工うに非晶質又ａ多結晶半導体材料
鳩４ヶ絶縁ＩＷＩ２の開口部３対応領域９丁なわち開口
部３で基板ｌと直阪咲触している非晶質又ａ多結晶半導
体材料層４部分ケ起点として、その部位より順次他部に
同かってレーザービーム５を照射して局部的にアニール
して行く。このよう九アニールｒｂと。
前記非晶質又ｒ多結晶千導体材料層４ａ、絶縁層２の開
口部３１Ｃ！って単結晶′＋導体基板ｌと直啜妥触され
た部汁工９基板結晶の原子配列の規則！Ｅ？七ｇ）まま
継承して単結晶化されて竹さ。
結晶性の制御された良質の単結晶半導体層６が容易に構
成されるＯその後、単結晶＃−導体層６とエツチングレ
ートのほぼ等しい材料層（例えばホトレジスト等１．表
面が平坦ｖｃｌる様に塗布し、リアクティブイオンエツ
チング？絶縁層２が露出するまで行なえば、第４図（示
す工うに、電気的ｆ（分離された単結晶半導体層６會配
設することかできる０この様に、単結晶半導体層６が、
最初に形成した溝部を埋める様に形成することにエフ、
表面が平坦でしかも、素子領域の減少が少ない高密度註
九丁ぐわた素子間絶縁分離が可能となる０また開口部３
に活注領域會形成することもでき、さらに高密度化が可
能でらる。
（６）発明の詳細 な説明したように、不発切手導体装置の製造方法ｒｃ工
りば表面が平坦で、素子領域の減少が少ない高密度な″
４！−尋体集積（ロ）路装置ｖ得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図から第４図まで、不廃甲半導体装置の製造方法の
一実施ｆＩｌｖｒ一工程順に説明する要部断面図である
Ｏ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 単結晶半導体基板表面ｒｃおいて、所望のパターン形状
    ｔ？有する第１の領域を所望の深さまでエツチング除去
    して溝荷造を形成後全面に絶縁層を被着形収Ｔる工程と
    、前記第１の領域上以外の前記絶縁層の少なくとも一部
    ｒｃ半４捧基板に達する開口部を設け、前記開口部會含
    む領域上に非晶質又ａ多結晶″４！−尋体材料層會被着
    形成する工程と、前記非晶質又ａ多結晶″＋尋体材料層
    會、Ｎ記絶縁層の開口部を起点として光又ａ粒子線ビー
    ムｅ＋査してアニールすること九エク前記非晶質又口多
    結晶′＋導体材料層を単結晶化する工程と會含むことを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
JP59031702A 1984-02-22 1984-02-22 半導体装置の製造方法 Pending JPS60176220A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59031702A JPS60176220A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59031702A JPS60176220A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60176220A true JPS60176220A (ja) 1985-09-10

Family

ID=12338398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59031702A Pending JPS60176220A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60176220A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970003805A (ko) * 1995-06-26 1997-01-29 김주용 반도체소자 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970003805A (ko) * 1995-06-26 1997-01-29 김주용 반도체소자 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6359251B2 (ja)
JPS61244020A (ja) 欠陥が局限された配向された単結晶シリコンフイルムを絶縁支持体上に製造する方法
JPS621220A (ja) 欠陥が局在された配向シリコン単結晶膜を絶縁支持体上に製造する方法
JPS5860556A (ja) 半導体装置の製法
JPS59114829A (ja) 窒化シリコン膜の製造方法
JPS5885520A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5983993A (ja) 単結晶半導体層の成長方法
JPS58139423A (ja) ラテラルエピタキシヤル成長法
JPH0468770B2 (ja)
JPS58180019A (ja) 半導体基体およびその製造方法
JPH0810669B2 (ja) Ｓｏｉ膜の形成方法
JPS5856457A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5825220A (ja) 半導体基体の製作方法
JPS63196032A (ja) 半導体薄膜の結晶化方法
JPS6320011B2 (ja)
JPS5934626A (ja) 半導体膜形成方法
JPH0732121B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63174308A (ja) 半導体薄膜結晶層の製造方法
JPS59124123A (ja) 半導体装置の製造方法
DE3382588T2 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen mit dielektrisch isolierten halbleitergebieten.
JPS6339559B2 (ja)
JPS59121826A (ja) 半導体単結晶膜の製造方法
JPS6038810A (ja) 半導体薄膜の形成方法
JPH02103951A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63278217A (ja) 半導体基板の製造方法