JPS60177649A - ヒユ−ズの切断方法 - Google Patents
ヒユ−ズの切断方法Info
- Publication number
- JPS60177649A JPS60177649A JP59032622A JP3262284A JPS60177649A JP S60177649 A JPS60177649 A JP S60177649A JP 59032622 A JP59032622 A JP 59032622A JP 3262284 A JP3262284 A JP 3262284A JP S60177649 A JPS60177649 A JP S60177649A
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- JP
- Japan
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- fuse
- film
- cutting
- thick
- irradiated
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
- H10W20/49—Adaptable interconnections, e.g. fuses or antifuses
- H10W20/493—Fuses, i.e. interconnections changeable from conductive to non-conductive
- H10W20/494—Fuses, i.e. interconnections changeable from conductive to non-conductive changeable by the use of an external beam, e.g. laser beam or ion beam
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はヒーーズの切断方法に関するもので、特に半
導体装置に用いられる冗長回路のヒユーズの切断方法に
関する。
導体装置に用いられる冗長回路のヒユーズの切断方法に
関する。
半導体装置、ＩＴｆＩ／ｃ半導体記憶装置に用いられる
冗長回路のヒユーズを切断する方法としＣ従来、切断し
たいヒユーズ上部の酸化膜に対し〔レーザ光を照射して
、ヒユーズ上部の酸化膜を飛散させ、第１図に示すよう
に、半導体基板（１１）上にフィールド酸化膜（１２）
を介しＣ設けられたヒーーズ（１３）と、これらを覆う
被覆酸化膜（１４）から構成される半導体装置のヒユー
ズ（１３）に向かっＣレーザ光（１５）を照射する。す
ると第２図に示すようにヒユーズ（１３）上の被覆酸化
膜（１４）は断片（１６）となっＣ飛散し、ヒユーズ（
１３）も溶けて溶断物（１７）となり飛散し、これによ
っＣヒユーズ金切断しＣいた。
冗長回路のヒユーズを切断する方法としＣ従来、切断し
たいヒユーズ上部の酸化膜に対し〔レーザ光を照射して
、ヒユーズ上部の酸化膜を飛散させ、第１図に示すよう
に、半導体基板（１１）上にフィールド酸化膜（１２）
を介しＣ設けられたヒーーズ（１３）と、これらを覆う
被覆酸化膜（１４）から構成される半導体装置のヒユー
ズ（１３）に向かっＣレーザ光（１５）を照射する。す
ると第２図に示すようにヒユーズ（１３）上の被覆酸化
膜（１４）は断片（１６）となっＣ飛散し、ヒユーズ（
１３）も溶けて溶断物（１７）となり飛散し、これによ
っＣヒユーズ金切断しＣいた。
上述した従来技術によると、ヒーーズ上の被覆酸化膜（
１４）の膜厚が１．０μｍ程度以下（現在用いられてい
る半導体記憶装置の大半はこの範囲にある。）ならばヒ
ユーズは完全に切断できる。しかしながら、更に、高密
度記憶装置等では多層膜構造が不可欠となり例えば第３
図に示すように被覆酸化膜（１４）の膜厚が厚く（例え
ば１．５μｍ程度以上の膜厚）なると第４図に示すよう
に、被覆酸化膜（１４）の溶断穴（１８）の壁面にヒユ
ーズの溶断物（１７）が付着する。この場合、仮に第５
図に示すように、溶断物（１７）が付着すると、ヒユー
ズがショートしてしまう。第６図に示したグラフは、こ
の従来技術によるヒユーズの切断成功率を゛ヒユーズ上
の被覆酸化膜厚との関係であられしたものであるが、こ
れを見ると、被覆酸化膜厚が１．５μｍ程度以上になる
と被覆酸化膜厚が厚くなるにしたがつ〔切断成功率が急
激に低下しＣいることがわかる。
１４）の膜厚が１．０μｍ程度以下（現在用いられてい
る半導体記憶装置の大半はこの範囲にある。）ならばヒ
ユーズは完全に切断できる。しかしながら、更に、高密
度記憶装置等では多層膜構造が不可欠となり例えば第３
図に示すように被覆酸化膜（１４）の膜厚が厚く（例え
ば１．５μｍ程度以上の膜厚）なると第４図に示すよう
に、被覆酸化膜（１４）の溶断穴（１８）の壁面にヒユ
ーズの溶断物（１７）が付着する。この場合、仮に第５
図に示すように、溶断物（１７）が付着すると、ヒユー
ズがショートしてしまう。第６図に示したグラフは、こ
の従来技術によるヒユーズの切断成功率を゛ヒユーズ上
の被覆酸化膜厚との関係であられしたものであるが、こ
れを見ると、被覆酸化膜厚が１．５μｍ程度以上になる
と被覆酸化膜厚が厚くなるにしたがつ〔切断成功率が急
激に低下しＣいることがわかる。
ヒーーズ上の被覆酸化膜（１４）の膜厚は半導体記憶装
置の製造プロセスによって制約されるもので、特に大容
量の半導体記憶装置に用いられる多層配線全施したもの
では膜厚は厚くなる。すなわち大容量化に向かう半導体
記憶装置にとって、この問題点は歩留まりの低下の大き
な要因となりうる。
置の製造プロセスによって制約されるもので、特に大容
量の半導体記憶装置に用いられる多層配線全施したもの
では膜厚は厚くなる。すなわち大容量化に向かう半導体
記憶装置にとって、この問題点は歩留まりの低下の大き
な要因となりうる。
〔発明の目的〕
この発明は、半導体記憶装置等に用いられる冗長回路の
、切断に用いられるヒユーズの被覆膜の膜厚が厚くなっ
〔も、切断成功率の低下しないヒユーズの切断方法を提
供することにある。
、切断に用いられるヒユーズの被覆膜の膜厚が厚くなっ
〔も、切断成功率の低下しないヒユーズの切断方法を提
供することにある。
この発明は切断するヒユーズ直上の被覆膜に対し〔レー
ザ光を照射した後、ヒユーズの溶断物が付着する可能性
の高い近傍の点に対しＣレーザ光を再照射するヒユーズ
の切断方法である。
ザ光を照射した後、ヒユーズの溶断物が付着する可能性
の高い近傍の点に対しＣレーザ光を再照射するヒユーズ
の切断方法である。
以下、本発明を実施例により図面を用いながら説明する
。
。
第７図は本実施例で用いた半導体装置内の冗長回路に設
けられたヒユーズの断面図である。本実施例では、シリ
コン半導体基板（２１）上に厚さ１．０μｍの酸化膜（
２２）を介し〔設けられた厚さ０．５μｍ。
けられたヒユーズの断面図である。本実施例では、シリ
コン半導体基板（２１）上に厚さ１．０μｍの酸化膜（
２２）を介し〔設けられた厚さ０．５μｍ。
巾２．０μｍのポリシリコン製のヒユーズ（２３）はＣ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
酸化膜（以下、ＣＶＤ酸化膜と略す。ｌ （２４）から
成る厚さ２．０μｍの被覆膜に覆われＣいる。本実施例
ではヒーーズ（２３）の所望の切断位置の直上のＣＶＤ
酸化膜（２４）に対しＣレーザ光（２５１ｋ照射した後
、このレーザ光（２５）の照射点から、ヒーーズ（２３
）の巾方向に１．５μｍ離れた点２ケ所、すなわち最初
のレーザ光照射点を間にし〔３，０μｍ離れた点２ケ所
にそれぞれレーザ光（２６） 、 （２７１を照射した
。レーザ光（２６） 、レーザ光（２７）の照射順序は
任意である。また本実施例で使用したレーザ光（２５１
、（２６１、（２７）はＮｄ−ＹＡＧレーザで、′パル
ス巾は４０ｎｓ、１ノ（ルスあたりのエネルギは２μＪ
、スポットサイズは照射エネルギの半値巾で直径１０μ
ｍのもので６つたつ第８図は上述した実施例によつ〔切
＃ｒされたヒユーズ（２３） ｋ上から見た図であるが
、これによると、ヒユーズ（２３）の被覆酸化膜の溶断
穴（２８）の壁面には、ヒユーズ（２３）の溶断物の付
着が全く見つからない。従来方法に工つＣ切断されたヒ
ユーズ（１３１を上から見た第５図と比較すると、その
差は歴然である。
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
酸化膜（以下、ＣＶＤ酸化膜と略す。ｌ （２４）から
成る厚さ２．０μｍの被覆膜に覆われＣいる。本実施例
ではヒーーズ（２３）の所望の切断位置の直上のＣＶＤ
酸化膜（２４）に対しＣレーザ光（２５１ｋ照射した後
、このレーザ光（２５）の照射点から、ヒーーズ（２３
）の巾方向に１．５μｍ離れた点２ケ所、すなわち最初
のレーザ光照射点を間にし〔３，０μｍ離れた点２ケ所
にそれぞれレーザ光（２６） 、 （２７１を照射した
。レーザ光（２６） 、レーザ光（２７）の照射順序は
任意である。また本実施例で使用したレーザ光（２５１
、（２６１、（２７）はＮｄ−ＹＡＧレーザで、′パル
ス巾は４０ｎｓ、１ノ（ルスあたりのエネルギは２μＪ
、スポットサイズは照射エネルギの半値巾で直径１０μ
ｍのもので６つたつ第８図は上述した実施例によつ〔切
＃ｒされたヒユーズ（２３） ｋ上から見た図であるが
、これによると、ヒユーズ（２３）の被覆酸化膜の溶断
穴（２８）の壁面には、ヒユーズ（２３）の溶断物の付
着が全く見つからない。従来方法に工つＣ切断されたヒ
ユーズ（１３１を上から見た第５図と比較すると、その
差は歴然である。
尚、本実施例では２つのレーザ光（２５） 、 （２６
）及び（２５） 、 （２７）の照射点間の距庵は１．
５μｍであり、これが最適であることがわかったが、発
明者らの実験によると、３．５μｍまで離しＣもほぼ同
様の効果が得られることが確認されＣいる。
）及び（２５） 、 （２７）の照射点間の距庵は１．
５μｍであり、これが最適であることがわかったが、発
明者らの実験によると、３．５μｍまで離しＣもほぼ同
様の効果が得られることが確認されＣいる。
〔発明の効果」
第６図に示すように、従来方法だとヒユーズの被覆膜厚
が１．５μｍｆこえると急に切断成功率が下がるが、本
発明による切断方法を用いれば、第９図に示すようにヒ
ユーズの被覆膜厚が２μｍ以上になっＣも、切断成功率
は１００％を保つことができた。
が１．５μｍｆこえると急に切断成功率が下がるが、本
発明による切断方法を用いれば、第９図に示すようにヒ
ユーズの被覆膜厚が２μｍ以上になっＣも、切断成功率
は１００％を保つことができた。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は、従来技術ｆ：説明するための、半
導体装置中のヒユーズ（以下ヒユーズと略す。）の断面
図で、第１図は薄いｗ１榎膜會持つヒユーズの溶断前、
第２図は同じく溶断中、第３図は厚い被覆膜を持′クヒ
ューズの溶断前、第４図は同じく溶断中をそれぞれ示す
図、第５図は従来技術により溶断されたヒユーズの平面
図で、第６図は従来技術によるヒユーズの溶断成功率と
ヒユーズの被覆膜厚との関係？表わすグラフ、第７図は
本発明による実施例全説明するためのヒユーズの断面図
であっＣ１ヒユーズの溶断前を示す図、第８図は本発明
による実施例により溶断されたヒュ−ズの平面図、第９
図は本発明によるヒユーズの溶断成功率とヒユーズの被
覆膜厚との関係を表わすグラフである。 ２１・・・シリコン半導体基板、２２・・・酸化膜。 ２３・・・ヒユーズ、２４・・・ＣＶＤ酸化膜、２５、
２６．２７・・・レーザ光。 ２８・・・レーザ光による溶断穴。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第５図 作 ： −ｒ−Ｊ”３ □ 第６図 第７図 第８図 〉 第９図 ＃覆唾発４シフ１ダ庁 「戸渭コ
導体装置中のヒユーズ（以下ヒユーズと略す。）の断面
図で、第１図は薄いｗ１榎膜會持つヒユーズの溶断前、
第２図は同じく溶断中、第３図は厚い被覆膜を持′クヒ
ューズの溶断前、第４図は同じく溶断中をそれぞれ示す
図、第５図は従来技術により溶断されたヒユーズの平面
図で、第６図は従来技術によるヒユーズの溶断成功率と
ヒユーズの被覆膜厚との関係？表わすグラフ、第７図は
本発明による実施例全説明するためのヒユーズの断面図
であっＣ１ヒユーズの溶断前を示す図、第８図は本発明
による実施例により溶断されたヒュ−ズの平面図、第９
図は本発明によるヒユーズの溶断成功率とヒユーズの被
覆膜厚との関係を表わすグラフである。 ２１・・・シリコン半導体基板、２２・・・酸化膜。 ２３・・・ヒユーズ、２４・・・ＣＶＤ酸化膜、２５、
２６．２７・・・レーザ光。 ２８・・・レーザ光による溶断穴。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第５図 作 ： −ｒ−Ｊ”３ □ 第６図 第７図 第８図 〉 第９図 ＃覆唾発４シフ１ダ庁 「戸渭コ
Claims (1)
- 半導体装置中に設けられたヒユーズを、ヒユーズ上の被
覆膜を通しＣル−ザ光を照射することによっＣ切断する
ヒユーズの切断方法においで、前記ヒーーズの所望の切
断位置の真上の被覆膜に対しＣ前記レーザ光を照射した
後、この照射位置からヒーーズの巾方向１ｃ３．５μｍ
以内の距離だけ離れた点に対しＣ前記レーザ光を照射し
Ｃ前記ヒユーズを溶断するヒユーズの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032622A JPS60177649A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | ヒユ−ズの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032622A JPS60177649A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | ヒユ−ズの切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177649A true JPS60177649A (ja) | 1985-09-11 |
| JPH0519816B2 JPH0519816B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=12363949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032622A Granted JPS60177649A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | ヒユ−ズの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177649A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892251A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP59032622A patent/JPS60177649A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5892251A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519816B2 (ja) | 1993-03-17 |
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